DE1439122B2 - - Google Patents

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DE1439122B2
DE1439122B2 DE1439122A DE1439122A DE1439122B2 DE 1439122 B2 DE1439122 B2 DE 1439122B2 DE 1439122 A DE1439122 A DE 1439122A DE 1439122 A DE1439122 A DE 1439122A DE 1439122 B2 DE1439122 B2 DE 1439122B2
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Eberhard Dipl.-Phys. Dr. 8000 Muenchen Groschwitz
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00—

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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
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DE19511439122 1951-01-28 1951-01-28 Halbleiterbauelement mit veraenderbaren negativen Teilen der Kennlinien Granted DE1439122A1 (de)

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DES0077312 1961-12-27

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DE1439122A1 DE1439122A1 (de) 1969-01-30
DE1439122B2 true DE1439122B2 (enExample) 1974-05-16
DE1439122C3 DE1439122C3 (enExample) 1975-01-02

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