DE1439122C3 - - Google Patents

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DE1439122C3
DE1439122C3 DE1439122A DE1439122A DE1439122C3 DE 1439122 C3 DE1439122 C3 DE 1439122C3 DE 1439122 A DE1439122 A DE 1439122A DE 1439122 A DE1439122 A DE 1439122A DE 1439122 C3 DE1439122 C3 DE 1439122C3
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Eberhard Dipl.-Phys. Dr. 8000 Muenchen Groschwitz
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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DES0077312 1961-12-27

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DE1439122A1 DE1439122A1 (de) 1969-01-30
DE1439122B2 DE1439122B2 (enExample) 1974-05-16
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