DE1439085B2 - Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichteranordnungen in Ein- oder Mehrphasenbrückenschaltung una tür kleine Stromstärken - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichteranordnungen in Ein- oder Mehrphasen-Brückenschaltung und für kleine Stromstärken, bei dem jeweils wenigstens zwei Halbleitertabletten aus einkristallinem Halbleitermaterial durch Weichlöten auf einem band- oder plattenförmigen, metallischen, einen Anschlußleiter zur Stromleitung aufweisenden Trägerkörper befestigt und auf ihrer freien Kontaktelektrode mit Anschlußleitern versehen werden, die gleichzeitig als gehäuseäußere Stromleiter

und/oder zur gehäuseinneren elektrischen Verschaltung der Halbleitertabletten vorgesehen sind, und bei dem die aus Trägerkörper und aus Halbleitertabletten mit Anschlußleiter bestehenden Baueinheiten gegen atmosphärische Einflüsse geschützt in einem Gehäuse angeordnet werden.

Es sind Halbleitergleichrichteranordnungen für kleine Stromstärken bekannt, bei denen zwei oder mehr Halbleitertabletten aus einkristallinem Halbleitermaterial mit wenigstens einem pn-Übergang zwischen sich senkrecht kreuzenden, bandförmigen, metallischen Trägerkörpern, die gleichzeitig auch als Stromzu- und -ableitung dienen, vorgesehen und in einem gemeinsamen Gehäuse gegen atmosphärische Einflüsse geschützt untergebracht sind, wobei die auch als Anschluß- und Verbindungsleiter dienenden Abschnitte der Trägerkörper beispielsweise in der Ebene der Halbleitertabletten und hierbei bevorzugt nach einer Seite aus dem Gehäuse austreten können (DT-AS

1 246 888). Zur Herstellung solcher Anordnungen in unterschiedlicher Schaltung sind jedoch besondere, verschieden geformte Bauteile als Anschluß- bzw. Verbindungsleiter erforderlich. Außerdem ist das Herstellungsverfahren derartiger Anordnungen relativ aufwendig.

Weiterhin beschreibt die USA.-Patentschrift

2 365 698 Selen-Kleingleichrichter und ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Zur Massenfertigung sollen die Zinken kammförmiger Leiterteilstrukturen jeweils mit ihrem freien Ende in an beiden Längsseiten angeordnete, senkrecht zu deren Längsachse verlaufende, schlitzförmige Vertiefungen einer Trägerleiste eingebracht werden, wobei einer der beiden jeweils einander spiegelbildlich zur Trägerleisten-Längsachse gegenüberliegenden Zinken an seinem freien Ende eine Beschichtung mit Materialien zur Ausbildung von kleinen Selen-Gleichrichterplatten aufweist. Die beiden Zinken bilden dann bei entsprechender Anordnung in der Trägerleiste eine kleinflächige Gleichrichterplatte und sind als Anschlußleiter vorgesehen.

Gleichrichteranordnungen mit zwei oder mehr Einzelelementen in gewünschter elektrischer Schaltung sind in dieser Weise nicht herstellbar.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Nachteile bekannter Verfahren zur Herstellung von Kleingleichrichteranordnungen zu vermeiden und Anordnungen in beliebiger elektrischer Schaltung mit besonders günstigem Betriebsverhalten besonders wirtschaftlich herzustellen.

Die Lösung der Aufgabe besteht darin, daß durch Diffusion dotierte und beidseitig mit einem lötfähigen Überzug versehene Halbleitertabletten verwendet werden, daß Trägerkörper mit pfannenförmigen, zur Aufnahme der Halbleitertabletten angepaßt ausgebildeten Vertiefungen verwendet werden, und daß die Trägerkörper über wenigstens eine gut wärmeleitende, elektrisch isolierende Zwischenschicht durch Kleben an der vorgesehenen inneren Fläche des Gehäuses befestigt werden.

An Hand der in den F i g. 1 bis 20 dargestellten Ausführungsbeispiele wird das erfindungsgemäße Verfahren aufgezeigt und erläutert Im einzelnen zeigen

F i g. 1 bis 4 zwei Ausführungsbeispiele für die metallischen Trägerkörper zur Aufnahme von zwei bzw. drei Halbleitertabletten, die F i g: I und 3 in einem Längsschnitt und die F i g. 2 und 4 in einer Ansicht von oben,

F i g. 5 und 6 die Ausbildung der zweiten Anschlußleiter zu den Halbleitertabletten, in zwei verschiedenen Herstellungsphasen,

F i g. 7 und 8 zwei verschiedene Ausführungsbeispiele für die Ausbildung der Trägerkörper in einem späteren Fertigungsstadium,

F i g. 9 das fertiggestellte Halbleiterbauelement mit zwei Halbleitertabletten und den bereits angebrachten zweiten Stromzuleitungen,

Fig. 10 den Zusammenbau zweier Teilelemente zu einer Einphasen-Brückenschaltung und die

F i g. 11 und 12 die hierbei möglichen Anordnungen der Halbleitertabletten,

F i g. 13 in einem Längsschnitt, und die

F i g. 14 und 15 im Querschnitt zwei Beispiele für die Unterbringung von zwei erfindungsgemäß hergestellten Baueinheiten in einem Gehäuse zur Erzielung einer Einphasen-Brückenschaltung,

Fig. 16 eine besondere Ausbildung der Isolierschicht in dem metallischen Gehäuse gemäß den Fig. 13 bis 15,

Fig. 17 ein Ausführungsbeispiel für die Unterbringung zweier Baueinheiten in einem Kunststoffgehäuse, Fig. 18 im Querschnitt,und

F i g. 19 in einer Ansicht von oben ein weiteres Ausführungsbeispiel für die Anordnung der Baueinheiten in einem Kunststoffgehäuse und

F i g. 20 in einer Ansicht von oben eine dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 14 angenähert entsprechende Bauform mit symmetrisch zueinander gelegenen Anschlußleitern.

Die in den F i g. 1 bis 4 dargestellten metallischen Trägerkörper können aus Bandmaterial hergestellt sein, wobei Abschnitte gleicher Länge von diesem Bandmaterial abgeschnitten und in einem ersten Arbeitsgang mit einem Runddraht z. B. durch Punktschweißen versehen werden. Vor oder nach dem Anschweißen des Runddrahtes wird der Trägerkörper an den Stellen, an denen die Halbleitertabletten aufgebracht werden, mit kleinen pfannenförmigen Vertiefungen versehen. In den Figuren sind der Trägerkörper mit 1, der drahtförmige Anschlußleiter mit 2 und die pfannenförmige Vertiefung mit 3 bezeichnet Bei 4 ist der Draht 2 mit dem auch als Leiterteil dienenden Trägerkörper 1 durch Punktschweißen metallisch leitend verbunden. Bei dem in den F i g. 3 und 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Trägerkörper an den Stellen der anzubringenden Halbleitertablette mit drei pfannenförmigen Vertiefungen 3 versehen.

Die Trägerkörper bestehen vorzugsweise aus einem gut lötfähigen Metall wie Silber, Kupfer oder Messing. Für einen Einsatz unter Betriebsbedingungen mit hohen Schwankungen der Betriebstemperatur können die Trägerkörper auch aus einem Metall mit geringer spezifischer Wärmedehnung, vorzugsweise aus Molybdän, Wolfram, Tantal oder einer an sich bekannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung bestehen.

Wie den F i g. 5 und 6 zu entnehmen ist, können die zweiten Anschlußleiter 5 aus einem Runddraht bestehen, der in der Nähe seiner Lötstelle in bekannter Weise eine bogenförmige Ausbildung 6 aufweist Das untere Ende dieses zweiten Anschlußleiters wird zweckmäßig vor dem Kontaktieren mit der Halbleitertablette mit einem Überzug 7 aus Lötmetall versehen. Hierbei kann das gleiche Lötmetall benutzt werden, wie es auch für das Festlöten der Halbleitertablette mit dem Tragkörper 1 verwendet wird.

Bei dem Ausführungsbeispiel in Fig.7 ist der am Trägerkörper 1 befestigte Anschlußleiter 2 rechtwinklig zu der Aufnahmefläche für die Halbleitertabletten

nach oben abgebogen. Bei dem Ausführungsbeispiel in F i g. 8 ist auch noch das Ende des Trägerkörpers sinngemäß abgebogen.

Die in den F i g. 7 und 8 dargestellten Trägerkörper 1 werden nun mit Halbleitertabletten versehen. Es können Halbleitertabletten verwendet werden, die im Legierungsverfahren hergestellt sind und lötfähige Anschlußelektroden aufweisen. Besondere Vorteile ergeben sich mit nach dem Diffusionsverfahren hergestellten Haibleitertabletten, insbesondere mit Siliziumhalbleitertabletten. Im folgenden soll von solchen nach dem Diffusionsverfahren hergestellten Halbleitertabletten ausgegangen werden, die auf beiden Seiten mit einer lötfähigen Metallschicht, z. B. einer an sich bekannten Nickelschicht, versehen sind.

Die Halbleitertabletten können an sich durch einen beliebigen Lötvorgang mit dem Trägerkörper 1 verbunden werden, wozu vorteilhaft Weichlote benutzt werden. Beispielsweise können kleine Ronden aus einem Weichlot in die pfannenartigen Vertiefungen 3 »° gelegt und danach die Halbleitertabletten durch Erhitzen mit dem Trägerkörper 1 verlötet werden.

Es hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, die Trägerkörper 1 vor dem Aufbringen der Halbleitertabletten ganz mit einem Überzug aus dem zur Befesti- *5 gung der letzteren vorgesehenen Lot zu versehen. Dies kann galvanisch oder durch Tauchen in ein Lötbad erfolgen, wobei die Elemente bis zu dem Anschlußleiter 2 in das Lot eingetaucht werden. Bestehen die Trägerkörper 1 aus nicht unmittelbar lötfähigen Metallen, beispielsweise aus Wolfram oder Molybdän, so ist nocfi eine lötfähige Zwischenschicht erforderlich. Dieselbe kann beispielsweise aus einer an sich bekannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung oder einer eingebrannten Nickelschicht bestehen. Beim Aufbringen des Überzuges durch Tauchen erweisen sich die vorgesehenen pfannenartigen Vertiefungen 3 als vorteilhaft, da sie zur Ansammlung einer größeren Lotmenge dienen, so daß jeweils zwischen dem Trägerkörper 1 und der Halbleitertablette 8 eine besonders gute Verbindung gewährleistet wird. Dies ist besonders bei Verwendung von Silber, Kupfer oder Messing als Trägermaterial vorteilhaft. Bei Trägerkörpern 1 aus einem Material mit geringer Wärmedehnung soll jedoch die Lotschicht zwischen Trägerkörper und Halbleitertablette mögliehst dünn sein.

Als Lote kommen blei- oder zinnhaltige Lote, insbesondere Zinnlegierungen mit einem Nickelzusatz bis zu 0,6% oder einem Antimon-Zusatz bis zu 6% in Frage. Es lassen sich aber auch eutektische Blei-Silberlegierungen als Lot verwenden.

Das weitere Herstellungsverfahren erfolgt in der Weise, daß die Halbleitertabletten 8 in die mit Lot gefüllten pfannenartigen Vertiefungen 3 eingelegt und die zweiten Anschlußleiter 5 ebenfalls aufgesetzt und in ihrer Lage festgehalten werden. Die Lötverbindung der zum Beispiel mit einem Flußmittel vorbehandelten Teile erfolgt mit Hilfe einer Wärmebehandlung an Luft oder in einer Schutzgasatmosphäre. Nach dem Kontaktieren schließen sich Reinigungs- und Ätzprozesse zur Behandlung der Halbleitertabletten an.

In F i g. 9 ist eine erfindungsgemäß hergestellte, aus Trägerkörper und Halbleitertabletten mit Anschlußleitern bestehende Baueinheit dargestellt. Mit 8 sind die Halbleitertabletten und mit 9 ist eine zur Isolierung und Stabilisierung der Halbleitertabletten in der Umgebung des pn-Überganges erforderliche Schutzschicht bezeichnet Diese Baueinheit kann beispielsweise allein zur Herstellung von Gleichrichteranordnungen in Einwegschaltung oder in Mittelpunktschaltung verwendet werden.

Sollen die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Baueinheiten zum Aufbau von Einphasen-Brücken- oder Dreiphasengleichrichtern verwendet werden, so müssen zwei oder mehr Baueinheiten miteinander verschaltet werden. Dies geschieht zweckmäßig nach dem Einbau der Baueinheiten in ein entsprechendes Gehäuse. Ausführungsbeispiele hierzu stellen die F i g. 10 bis 12 dar.

Gemäß der Darstellung in den Fig. 11 und 12 sind Einphasenbrücken-Gleichrichteranordnungen mit Hilfe der vorbeschriebenen Baueinheiten auf verschiedene Weise herstellbar. Bei der Schaltung nach Fig. 11 sind die beiden Trägerkörper 1 jeweils mit Haibleitertabletten in unterschiedlicher elektrischer Orientierung angeordnet, was mit nach dem Diffusionsverfahren hergestellten Halbleitertabletten besonders einfach möglich ist. Die rechte Baueinheit (vgl. F i g. 10) weist Anschlußleiter 10 und die linke Baueinheit Anschlußleiter 11 auf, von denen die Anschlußleiter 10 als Strombrücken nachträglich durch Löten oder Schweißen mit den Leitern 11 verbunden werden. Die Leitungen 11 dienen hier als Gleichstromzuleitungen. Die beiden Zuleitungen 2 für die Trägerkörper dienen als Zuleitungen für den Wechselstrom.

Bei der Schaltung gemäß F i g. 12 weist jeder Trägerkörper zwei Haibleitertabletten in gleicher elektrischer Orientierung auf, wobei jedoch die elektrische Polung der beiden Baueinheiten jeweils unterschiedlich ist. Auch hier sind die Haibleitertabletten der linken Baueinheit (vgl. F i g. 10) mit zwei Anschlußleitern 11 versehen und die Anschlußleiter 10 der rechten Baueinheit dienen als Brücke zu den linken Zuleitungen. Hier sind die Leiter 11 als Wechselstromzuleitungen und die Leitungen 2 als Gleichstromzuleitungen vorgesehen.

Zur Erstellung einer Dreiphasen-Gleichrichteranordnung ist ein Aufbau gemäß der Darstellung in Fig. 11 günstig, dem noch eine dritte Baueinheit hinzugeschaltet wird. Bei einer Anordnung gemäß Fig. 12 müssen die beiden Trägerkörper je eine weitere Halbleitertablette in der entsprechenden elektrischen Orientierung und Anschlußleitungen aufweisen.

Bei den in den Fig. 13 bis 15 dargestellten Ausführungsbeispielen sind jeweils zwei erfindungsgemäß herstellbare Baueinheiten zur Erstellung einer Einphasen-Brückenschaltung in einem Metallgehäuse untergebracht. In F i g. 13 ist die Anordnung in einem Längsschnitt und in den F i g. 14 und 15 jeweils in einem Querschnitt gezeigt. Mit Ziff. 13 ist ein zylindrisches oben offenes Metallgehäuse dargestellt, das in der Mitte an der Unterseite einen Gewindeansatz 14 aufweist. Das Gehäuse ist mit einem Deckel 15 verschlossen, der in an sich bekannter Weise Leitungsdurchführungen aufweist, die aus einem Metallröhrchen 23 in einer Glaseinschmelzung 22 bestehen.

Die Baueinheiten 19 und 20 sind in Aussparungen einer Isolierplatte 21 vorgesehen. Die Isolierplatte 21 ist an der inneren Bodenfläche des metallischen Gehäuses 13 durch Kleben befestigt, und in gleicher Weise sind die Baueinheiten 19 und 20 durch Kleben mit der Isolierplatte verbunden. Die Platte 21 kann aus einem Kunststoff mit hoher Temperaturbeständigkeit, z. B. aus Epoxydharz, einem Duroplast wie Melamin od. dgl. bestehen. Um die Wärmeleitfähigkeit zu verbessern,' kann dieser Stoff in bekannter Weise mit einem Zusatz von Aluminiumoxyd oder Quarzmehl versehen sein.

Die Glaseinschmelzung 22 des Deckels 15 weist insgesamt vier Durchführungen 23 für die vier Stromanschlüsse auf. Ein großer Teil der anfallenden Verlustwärme wird bereits durch die Stromanschlüsse abgeführt. Die dargestellte Anordnung ist für eine Strombelastbarkeit von etwa 1 Amp. bemessen. Die Durchbruchsspannung der Gleichrichtertabletten soll vorzugsweise über 600 Volt liegen, und die Abstände der Stromdurchführungen können ein Vielfaches von 2,5 mm betragen, so daß die hier vorgeschlagenen An-Ordnungen auch in gedruckten Schaltungen Verwendung finden können. An Stelle der mit Aussparungen versehenen Kunststoffplatte 21 kann, wie in Fig. 16 gezeigt, auch eine Anordnung gewählt werden, bei der eine mit Ausschnitten versehene Platte 24 mit einer Platte 25 zusammengeklebt ist, die keine Ausschnitte trägt, wodurch fertigungstechnische Vorteile entstehen.

F i g. 15 zeigt in einem Schnitt von oben gesehen die gleiche Anordnung wie F i g. 13 und 14, jedoch mit anderer Verschaltung der Baueinheiten. ao

Beim Aufbau der vorbeschriebenen Ausführungsbeispiele werden eine oder mehrere Baueinheiten in einem metallischen Gehäuse untergebracht, das durch einen Deckel vakuumdicht verschlossen wird. Die Stromzu- und -ableitungen werden durch Glasein- as Schmelzungen in bekannter Weise nach außen geführt. Der Innenraum des Metallgehäuses kann auch mit einem gut isolierenden und gut wärmeleitenden Kunststoff ausgefüllt bzw. ausgegossen werden. Das Gehäuse kann beispielsweise mit Epoxydharz ausgegossen werden. Diesem Kunststoff können Zusätze aus Aluminiumoxyd, Quarzmehl oder aus auf der Oberfläche eloxiertem Aluminiumpulver beigegeben werden, um die Wärmeleitfähigkeit zu verbessern. Die Halbleitertabletten können vorteilhaft in einen kompressiblen Kunststoff eingebettet werden, dessen Kompressibilität z. B. durch Zusatz von Luft enthaltenden sogenannten Mikroballons aus Kunststoff zu einem Gießharz erzielt wird.

Es hat sich weiterhin als vorteilhaft erwiesen, Gehäuse aus einem Kunststoff mit einem möglichst hohen Erweichungspunkt, beispielsweise aus einem an sich bekannten Epoxydharz oder einem Duroplast zu verwenden. Ein Ausführungsbeispiel hierfür ist in der F i g. 17 dargestellt, in dem rechteckigen Gehäuse 26 sind am Boden durch eine Querleiste 28 zwei Vertiefungen gebildet, in welchen zwei Baueinheiten 19 und 20 durch Kleben befestigt werden. Das Gehäuse wird mit einem Deckel 27 aus dem gleichen Material verschlossen, durch den die beiden Stromzuleitungen geführt sind. Der oberhalb der beiden Baueinheiten verbleibende Zwischenraum zwischen dem Gehäuse und dem Deckel kann auch hier vollständig mit einem Kunststoff ausgefüllt werden. Um Feuchtigkeit von den Halbleitertabletten fernzuhalten, kann das ganze Gehäuse nachträglich in einen Feuchtigkeitsschutzlacke getaucht werden.

Bei den in den F i g. 18 und 19 dargestellten Ausführungsbeispielen dient jeweils zur Unterbringung zweier Baueinheiten ebenfalls ein Kunststoffgehäuse 29, bei dem jedoch an einer Seitenwand zwei vertikale Nuten 30 vorgesehen sind, in weiche die Baueinheiten 19 und 20 zusammen mit einer Blattfeder 31 von oben her eingeschoben werden. Durch die gewölbten Blattfedern werden die Baueinheiten 19 und 20 fest in ihrer Lage in dem Gehäuse gehalten. Das Gehäuse wird ebenfalls mit einem Deckel 32 verschlossen, durch den die Stromzu- und -ableitungen geführt sind. Der Innenraum dieses Gehäuses kann mit einem Kunstharz ausgefüllt sein. Zwischen dem metallischen Trägerkörper und der Feder kann eine besondere Anschlußfahne festgeklemmt oder die Feder kann als Anschlußleiter aus dem Gehäuse herausgeführt werden.

In Fig.20 ist in einer Ansicht von oben der Einbau zweier Baueinheiten für eine Einphasen-Brücken-Gleichrichterschaltung entsprechend dem. in den F i g. 13 und 14 dargestellten Beispiel gezeigt Zur Vermeidung der dort vorhandenen unsymmetrischen Anordnung der Zuleitungen sind hier die beiden Baueinheiten so gegeneinander versetzt in dem Gehäuse vorgesehen, daß die vier nach außen gehenden Anschlußleiter 33,34,35 und 36 in ihrer Lage zueinander auf den Eckpunkten eines Rechtecks oder Quadrats liegen. Eine Variante des Herstellungsverfahrens ist auch in der Weise möglich, daß die bandförmigen Trägerkörper bereits nach dem Aufbringen eines Lötüberzuges mit den Halbleitertabletten und den zweiten Anschlußelektroden versehen werden und, falls erforderlich, die jeweilige Zuleitung für den Trägerkörper erst nachträglich z. B. durch Schweißen oder Weichlöten angebracht wird. Das Verfahren kann so geführt sein, daß die jeweils zwei oder drei Halbleitertabletten aufweisenden Baueinheiten erst nach dem Kontaktieren, reinigen und Überziehen der Umgebung des pn-Überganges mit einer Schutzmasse von einem zusammenhängenden Band abgetrennt werden. Dieses Herstellungsverfahren eignet sich besonders für eine mechanisierte Herstellung der Baueinheiten.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist auch zur Herstellung von Transistoren- oder Trinistorenanordnungen geeignet. An Stelle von Silizium können auch andere Stoffe aus halbleitendem Material verwendet werden.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen 409537/268

Claims (15)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichteranordnungen in Ein- oder Mehrphasen-Brückenschaltung und für kleine Stromstärken, bei dem jeweils wenigstens zwei Halbleitertabletten aus einkristallinem Halbleitermaterial durch Weichlöten auf einem band- oder plattenförmigen, metallischen, einen Anschlußleiter zur Stromleitung aufweisenden Trägerkörper befestigt und auf ihrer freien Kontaktelektrode mit Anschlußleitern versehen werden, die gleichzeitig als gehäuseäußere Stromleiter und/oder zur gehäuseinneren elektrischen Verschaltung der Halbleitertabletten vorgesehen sind, und bei dem die aus Trägerkörper und aus Halbleitertabletten mit Anschlußleiter bestehenden Einbauelemente gegen atmosphärische Einflüsse geschützt in einem Gehäuse angeordnet werden, dadurch gekennzeichnet, daß durch Diffusion dotierte und beidseitig mit einem lötfähigen Überzug versehene Halbleitertabletten (8) verwendet werden, daß Trägerkörper (1) mit pfannenförmigen, zur Aufnahme der Halbleitertabletten (8) angepaßt ausgebildeten Vertiefungen (3) verwendet werden und daß die Trägerkörper über wenigstens eine gut wärmeleitende, elektrisch isolierende Zwischenschicht (21) durch Kleben an der vorgesehenen inneren Fläche des Gehäuses (13, 29) befestigt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß metallische Trägerkörper (1) aus einem gut lötfähigen Metall wie Silber, Kupfer oder Messing verwendet werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß metallische Trägerkörper (1) aus einem Metall mit geringer spezifischer Wärmedehnung, insbesondere aus Wolfram, Molybdän, Tantal oder aus einer an sich bekannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung verwendet werden, die vor dem Bestücken mit Halbleitertabletten mit einem lötfähigen Überzug versehen werden.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die metallischen Trägerkörper (1) vor dem Bestücken mit Halbleitertabletten mit einem Überzug aus dem zur Befestigung der letzteren vorgesehenen Lot vorzugsweise durch Tauchen versehen werden.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot zur Befestigung der Halbleitertabletten auf den Trägerkörpern eine Zinnlegierung mit bis zu 0,6% Nickel, mit bis zu 6% Antimon und Rest Zinn verwendet wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot zur Befestigung der Halbleitertabletten auf den Trägerkörpern eine eutektische Blei-Silber-Legierung verwendet wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (21,25) aus einem Kunststoff hoher Temperaturbeständigkeit verwendet wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (24) mit zur Aufnahme der Trägerkörper (1) geeigneten, angepaßt ausgebildeten Vertiefungen verwendet wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,

dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar auf der zur Befestigung der Trägerkörper (1) vorgesehenen Fläche eines Metallgehäuses (13) eine erste elektrisch isolierende, plane Zwischenschicht (25) in Form einer Kunststoffolie und auf dieser eine mit Vertiefungen zur Aufnahme der metallischen Trägerkörper versehene zweite Zwischenschicht (24) aufgebracht und mit dem Gehäuse (13) bzw. gegenseitig durch Kleben fest verbunden werden.
; 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß Zwischenschichten und/oder Kunststoffolien mit Zusätzen von Aluminiumoxid, Quarzmehl oder von an der Oberfläche eloxiertem Aluminiumpulver zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit verwendet werden.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die aus einem Trägerkörper (1) und aus auf diesem befestigten und mit Anschlußleitern (5) versehenen Halbleitertabletten (8) bestehenden Baueinheiten (19, 20) in einem Gehäuse (26, 29) untergebracht werden, das aus einem an sich bekannten Kunststoff besteht, an seiner inneren Bodenfläche oder an einer seiner inneren Seitenflächen angepaßt ausgebildete Aussparungen (30) zur Aufnahme der Trägerkörper (1) aufweist, und das mit einem Durchführungen für die Anschlußleiter aufweisenden Deckel (27,32) verschlossen wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse mit einem Kunstharz ausgegossen wird, dem Zusätze zur Erhöhung der Wärmeleitung und der Feuchtigkeitsabsorption zugegeben sind.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse als Ganzes mit einem Feuchtigkeitsschutzlack überzogen wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß je zwei aus einem metallischen Trägerkörper (1) und aus zwei in schaltungsbedingter, elektrischer Orientierung aufgebrachten, mit Anschlußleitern versehenen Halbleitertabletten (8) bestehende Baueinheiten (19, 20) zu einer Einphasen-Brückenschaltung bzw. je drei derartige Baueinheiten*¹ zu einer Dreiphasen-Brükkenschaltung verschaltet werden.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß je zwei aus einem metallischen Trägerkörper (1) und aus drei in schaltungsbedingter, elektrischer Orientierung aufgebrachten, mit Anschlußleitern (5, 12) versehenen Halbleitertabletten bestehende Baueinheiten zu einer Dreiphasen-Brückenschaltung verschaltet werden.