DE1416437C - Trägerplatte für mikrominiaturisierte Schaltelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Trägerplatte für mikrominiaturisierte Schaltelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number
DE1416437C
DE1416437C DE1416437C DE 1416437 C DE1416437 C DE 1416437C DE 1416437 C DE1416437 C DE 1416437C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier plate
slots
metal pins
microminiaturized
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Jürgen Dr. rer. nat.; Ehlbeck Heinz-Wilhelm; 7900 Ulm; Dreßler Manfred 7910 Neu-Ulm Schütze
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication date

Links

Description

Die Erfindung betrifft eine Trägerplatte für mikrominiaturisierte Schaltelemente, die von ihrer schmalseitigen Berandimg her mit mindestens einem oder mehreren vorzugsweise rechteckförmigen Schlitzen versehen ist.
In der Mikro-Modul-Technik werden bekanntlich passive elektrische Elemente durch Aufdampfen von Metallfilmen oder dielektrischen Filmen auf Trägerplatten im Hochvakuum oder in einer Gasatmosphäre mittels Kathodenzerstäubung aufgebracht. Die Befestigung aktiver Elemente auf dem Isolierkörper und die Verbindung der -mikrominiaturisierten Schaltung mit Zuführungen von außen macht jedoch Schwierigkeiten. Durch Lötverbindungen solche Zuleitungsdrähte von einer außerhalb des Isolierkörpers befind- liehen Kontaktstelle mit der Schaltung zu verbinden, scheidet praktisch aus, da die als passive Elemente auf den Isolierkörper aufgedampften Schichten meistens nur eine Schichtdicke in der Größenordnung von I μΐη haben. Es wurde zwar bereits der Versuch unternommen, diese Schichten an den Kontaktstellen zusätzlich zu metallisieren, um auf den verstärkten Schichten Lötverbindungen herstellen zu können. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß diesem Verfahren nicht nur erhebliche Schwierigkeiten, sondern auch wesentliche Nachteile anhaften, da die aufgedampfte Schicht meistens an der Grenzzone Substrat-Metallisierung zeigt.
Es ist ferner bereits eine Schaltungsplatte vorgeschlagen worden, die an der Berandung planförmig ausgebildet ist, wobei wenigstens ein Teil der Zähne mit Leitungen bedruckt ist. Die Zähne der Schaltungsplatte werden in entsprechende Ausnehmungen einer anderen Platte senkrecht eingefügt. Eine Verbindung der beiden Platten durch Tauchlötung schließt sich an. Bei der bekannten Anordnung wirkt sich die unvermeidbare große Bauhöhe der senkrecht aufeinander angeordneten Schaltungsplatten besonders nachteilig aus.
Es ist ferner bereits eine Schaltungsplatte bekanntgeworden, bei der .an einer Längsseite der Platte Anschlußfahnen angebracht sind. Diese Anschlußfahnen sind auf der Trägerplatte befestigt und verlaufen zusätzlich durch Löcher in der Platte von der einen Oberflächenseite zur anderen Oberflächenseite der Schaltungsplatte.
Die Stabilität derartiger Anschlußfahnen ist sehr gering; außerdem ist ihre Herstellung und Befesti- gung an der Schaltungsplatte umständlich und aufwendig.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schalungsplatte mit stabilen Anschlußelementen geringer Bauhöhe anzugeben, die auf einfache Weise hergestellt werden kann. Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß eine Trägerplatte für mikrominiaturisierte Schaltelemente, die an ihrer Berandung mit Schlitzen versehen ist, vorgeschlagen, bei der vorgesehen ist, daß in diesen Schlitzen plan mit der Oberfläche der Trägerplatte abschließende Metallstifte mit vorzugsweise rechteckförmigem Querschnitt als Kontaktstifte befestigt sind.
Da die Oberfläche der Kontaktstifte nach der vorliegenden Erfindung bündig mit der Oberfläche der Trägerplatte abschließt, ist es möglich, auf die Oberfläche der Trägerplatte Leitbahnen und Bauelemente aufzudampfen, die sich knickfrei auf die Kontaktstifte erstrecken. Besonders vorteilhaft ist es, wenn diese Metallstifte die gleiche Dicke wie die Isolierkörper haben, beispielsweise 1 mm, und so auf beiden Oberflächenseiten der Trägerplatte bündig mit der Isolierkörperoberfläche abschließen. Die Verbindung des Metallstiftes mit dem Isolierkörper kann in an sich bekannter Weise durch Löten des vorher metallisierten Isolierkörpers erfolgen, oder der Metallstift wird in einem Arbeitsgang zusammen mit dem Preß-, und Sintervorgang für den Isolierkörper eingebettet. In beiden Fällen erfolgt im Anschluß an die Einbettungs- und Lötvorgänge ein nachträgliches Abschleifen und Polieren der gesamten Isolierplatte, die mit einem oder mehreren Stiften versehen ist. Auf diese Platte wird dann in ebenfalls an sich bekannter Weise die Schaltung aus passiven und aktiven Elementen aufgedampft oder aufgestäubt.
Bisweilen ist es vorteilhaft, die aktiven Elemente getrennt in den Mikromodulkörper einzusetzen. Dies kann beispielsweise durch Einlöten eines gekapselten Elementes geschehen. Tn diesem Fall ist es eine besonders vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung, die Platte mit einer Aussparung oder sogar einem Loch zu versehen. Am Rand dieser Aussparung sind wiederum Metallstifte eingelassen, die mit der Isolierkörperoberfläche bündig abschließen. Auf diese Metallteile werden die Anschlüsse des aktiven Elementes direkt aufgeschweißt oder aufgelötet.
Die Anordnung nach der Erfindung ist deshalb besonders vorteilhaft, weil diese Art der Einbettung von Metallstiften in den Isolierkörper besonders stabile Metalikontakte ergibt, da ein stufenloser Übergang vom Metall zum Isolierkörper gewährleitet ist. Des weiteren haben rechteckige äußere Anschlußstifte den Vorteil, daß sich bei der Verbindung verschiedener Mikromodulplatten miteinander das bekannte Wire-Wrappe-Verfahren anwenden läßt. Bei diesem Verfahren wird der Verbindungsdraht unter starkem Zug um den Stift gewickelt. Dabei tritt an den scharfen Kanten eine Art Diffusionslötung oder -schweißung auf.
Die Erfindung soll an Hand der Figur näher erläutert werden. Sie zeigt einen Teil einer Isolierplatte 1, die aus Keramik oder Glas bestehen kann, in die von der schmalseitigen Berandung her rechteckförmige Schlitze 2 eingebettet sind und in die Metallstifte 3 mit rechteckförmigem Querschnitt eingelegt sind. Diese Metallstifte 3 haben die gleiche Dicke wie die Isolierplatte 1 und können durch Löten des vorher metallisierten Isolierkörpers 1 befestigt oder in einem Arbeitsgang zusammen mit dem Preß- und Sintervorgang für den Isolierkörper 1 eingebettet sein. Anschließend wird die gesamte Isolierplatte 1 zusammen mit den Metallstiften 3 abgeschliffen und poliert, so daß Isolierplatte und Metallstifte bündig miteinander abschließen. Nach Fertigstellung dieser Trägerplatte werden auf seiner Oberfläche die vorgesehenen Mikromodulsysteme aufgedampft oder aufgestäubt.
Die Figur kann aber auch ebenso den Rand einer Aussparung oder eines Loches innerhalb einer Isolierplatte darstellen. Auch hier gilt das Herstellungsverfahren in entsprechender Weise wie schon oben beschrieben.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Trägerplatte für mikrominiaturisierte Schaltelemente, die von ihrer schmalseitigen Berandung
her mit mindestens einem oder mehreren vorzugsweise rechteckförmigen Schlitzen versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in diesen Schlitzen (2) plan mit der Oberfläche der Trägerplatte (1) abschließende Metallstifte (3) mit vorzugsweise rechteckförmigem Querschnitt als Kontaktstifte befestigt sind.
2. Trägerplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstifte (3) die gleiche Dicke wie die Trägerplatte (1) haben.
3. Trägerplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlitze (2) metallisiert sind und daß die Metallstifte (3) in die metallisierten Schlitze eingelötet sind.
4.· Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte nach einem der vorhergehenden Ansprüche,, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung der Mctailstifte (3) mit der Trägerplatte (1) in einem Arbeitsgang zusammen mit dem Preß- und Sintervorgang für die Trägerplatte erfolgt.
5. Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Trägerplatte (1) und die Metallslifte (3) nach dem Befestigen der Metallstifte in der Trägerplatte abgeschliffen und/oder poliert werden.
6. Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß vom Rand einer Aussparung oder eines Loches innerhalb der Trägerplatte vorzugsweise reehteckförmige Schlitze angebracht werden, in die Metallstifte mit vorzugsweise rechteckförmigem Querschnitt eingelegt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60010505T2 (de) Festelektrolytkondensatoren und deren herstellungsverfahren
DE2247902A1 (de) Gedruckte schaltungsplatte und verfahren zu deren herstellung
EP0361195B1 (de) Leiterplatte mit einem spritzgegossenen Substrat
DE4002352A1 (de) Verfahren zum herstellen von luftbruecken-metall-zwischenverbindern
EP0166105B1 (de) Flexible Leiterplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69723801T2 (de) Herstellungsverfahren einer Kontaktgitter-Halbleiterpackung
DE3013667C2 (de) Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
DE3342611A1 (de) Verfahren zum fertigen einer gedruckten schaltkarte mit gewuenschter form
EP0620702A2 (de) Kern für elektrische Verbindungssubstrate und elektrische Verbindungssubstrate mit Kern, sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE2217647B2 (de) Verbindungsanordnung zum Anschließen einer integrierten Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1416437B2 (de) Trägerplatte für mikrominiaturisierte Schaltelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE60211628T2 (de) Zusammengesetzte elektronische bauteile
DE1943933A1 (de) Gedruckte Schaltung
EP0968631A1 (de) Verfahren zur bildung metallischer leitermuster auf elektrisch isolierenden unterlagen
DE1514562B2 (de) Anordnung zur herstellung eines halbleiter-bauelementes
DE2251829A1 (de) Verfahren zur herstellung metallisierter platten
DE1416437C (de) Trägerplatte für mikrominiaturisierte Schaltelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2615758A1 (de) Verfahren zur herstellung einer anordnung fuer das packen monolithisch integrierter schaltungen
DE2249209A1 (de) Leiterrahmen zur verwendung in gehaeusen fuer halbleiterbauelemente
EP0090079A2 (de) Substrat
EP0278485B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Digitalisiertabletts
DE2536624A1 (de) Traegeranordnung fuer integrierte halbleiterschaltungen
EP0144413A1 (de) Leiterplatte zum auflöten von integrierten miniaturschaltungen und verfahren zur herstellung von solchen leiterplatten
DE19512272C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte für ein Chassis eines unterhaltungselektronischen Gerätes und Leiterplatte hergestellt nach diesem Verfahren
DD295499A5 (de) Verfahren zum fertigen von verdrahtungstraegern mit draehten