DE1414742B2 - Festkoerper bildspeicher - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
1 2
Die Erfindung betrifft einen Festkörper-Bild- sind, die mit einem elektrisch leitenden, jedoch licht-
speicher mit einem platten- oder folienartigen Trag- undurchlässigen Material angefüllt sind,
körper aus transparentem, dielektrischem Material, Die Unterlage des Festkörper-Bildspeichers besteht
wie z. B. Glas und einem elektrolumineszierenden an sich nicht aus einem lichtundurchlässigen Ma-
und einem fotoleitenden Teil, die über je eine Elek- 5 terial. Diese Unterlage kann vielmehr aus einem licht-
trode mit einer Wechselspannungsquelle verbunden empfindlichen, trübbaren Glas bestehen, was weiter
sind, wobei auf den fotoleitenden Teil einfallendes unten näher ausgeführt werden wird. Hierunter ver-
Licht dessen Impedanz so weit vermindert, daß der steht der Fachmann ein Material (USA.-Patent-
elektrolumineszierende Teil durch die anliegende schrift 2 628 160), das z. B. bei Bestrahlungs- sowie
Spannung zur Abgabe sichtbarer Strahlung angeregt io bei Wärmebehandlung entsprechend getrübte Teile
wird, sowie mit einer Vielzahl von auf der Fläche erhält. Dieses vorzugsweise für den Festkörper-Bild-
des Tragkörpers verteilten Zellen für die Rückkopp- speicher verwendete Material kann besonders leicht
lung der abgegebenen sichtbaren Strahlung mit dem entsprechend einem vorbestimmten Muster geätzt und
fotoleitenden Teil. damit mit Öffnungen versehen werden, wobei die öff-
Erfindungsgemäß soll bei einem solchen Fest- 15 nungen dann mit einem lichtundurchlässigen sowie
körper-Bildspeicher die Lichtisolation zwischen den elektrisch leitenden Material angefüllt werden,
einzelnen Zellen der Vorrichtung verbessert werden Man kann beispielsweise erfindungsgemäß zur und insbesondere das Auftreten von Streulicht durch Schaffung der Öffnungen so vorgehen, daß eine innere Reflexionen in der aus Festigkeitsgründen Negativmaske entsprechend der Anordnung der verhältnismäßig dick ausgebildeten Unterlage ver- 20 Einzelzellen bzw. der Öffnungen auf der Unterlage hindert werden. Erreicht wird dies sowie weitere Vor- mit Durchbrüchen versehen und auf eine lichtteile erfindungsgemäß durch eine folgende Merkmale empfindliche Glasunterlage gelegt wird. Daraufhin aufweisende Anordnung: wird das Verbundaggregat mit ultraviolettem Licht
einzelnen Zellen der Vorrichtung verbessert werden Man kann beispielsweise erfindungsgemäß zur und insbesondere das Auftreten von Streulicht durch Schaffung der Öffnungen so vorgehen, daß eine innere Reflexionen in der aus Festigkeitsgründen Negativmaske entsprechend der Anordnung der verhältnismäßig dick ausgebildeten Unterlage ver- 20 Einzelzellen bzw. der Öffnungen auf der Unterlage hindert werden. Erreicht wird dies sowie weitere Vor- mit Durchbrüchen versehen und auf eine lichtteile erfindungsgemäß durch eine folgende Merkmale empfindliche Glasunterlage gelegt wird. Daraufhin aufweisende Anordnung: wird das Verbundaggregat mit ultraviolettem Licht
bestrahlt. Nach dem Entfernen der Maske wird die
a) Der transparente Tragkörper weist an einer Viel- 25 Unterlage einer Wärmebehandlung unterzogen. Die
zahl von Stellen jeweils mehrere seine gesamte mit ultraviolettem Licht bestrahlten Stellen auf der
Dicke durchdringende Wandelektroden aus Unterlage werden durch die Wärmebehandlung trübe,
lichtundurchlässigem elektrisch leitendem Ma- während die übrigen Zwischenteile klar bleiben. Die
terial auf, die je eine für die optische Rück- trüben Stellen besitzen nun eine andere Beschaffenkopplung
vorgesehene Zelle mit Ausnahme 30 heit als die Zwischenteile, und es ist erreicht, daß
schmaler Verbindungsstege umschließen und sie d;ese stellen eine bessere Ätzbarkeit besitzen als die
gegenüber dem umgebenden Teil des trans- Zwischenteile. Somit kann die Unterlage, z.B. in
parenten Tragkörpers optisch isolieren; einem Säurebad einem Ätzprozeß unterworfen wer-
b) die beiden Stirnflächen jeder Rückkopplungs- den>
wobei die trüben Stellen vollständig herauszelle
weisen mit den lichtundurchlässigen Wand- 35 geätzt werden und durch die gesamte Dicke der
elektroden elektrisch leitend verbundene licht- Unterlage hindurchgehende Öffnungen in einem andurchlässige
Deckelektroden auf; sonst klaren Material hinterlassen. Diese in einem
. , _ .,,.„,.,, vorbesteimmten Muster verteilte Öffnungen können
c) der transparente Tragkörper einschließlich der nun mit dnem iichtundurchlässigen und elektrisch
Deckelektroden ist auf der einen Flache mit 4o leitenden Material angefüllt werden, wobei optische
einer elektrolumineszierenden Schicht und auf Barrieren sowie elektrisch leitende Verbindungsder
gegenüberliegenden Flache mit einer foto- eiemente geschaffen werden.
leitenden Schicht vollständig bedeckt; Selbstverständlich kann auch ein anderes durch-
d) die auf der fotoleitenden Schicht aufliegende sichtiges und dielektrisches Material verwendet wer-Elektrodenschicht
weist in Höhe jeder Rück- 45 den. Ebenso können die Öffnungen auf mechanische kopplungszelle eine lichtdurchlässige Öffnung Weise geschaffen werden, z. B. durch Bohren oder
auf. Fräsen und diese Öffnungen können dann nachträglich mit dem lichtundurchlässigen und elektrisch
Durch die Öffnung in der lichtundurchlässigen leitenden Material gefüllt werden, um optische
Elektrodenschicht hindurch kann Licht zu der Zelle 50 Barrieren zu schaffen, welche die Begrenzungen der
eintreten und von der Zelle in Richtung eines Be- Einzelzellen bilden.
trachters, also in Richtung der Elektrodenschicht, Die erfindungsgemäße Konstruktion vermeidet
austreten. also die Unzulänglichkeiten der bekannten Aus-
Durch das Vorhandensein der Wandelektroden führungen und ist leichter und billiger herzustellen,
wird ein Streulicht durch innere Reflexion verhindert. 55 Insbesondere wird durch die optisch in sich ge-
Eine etwa noch vorhandene Lichtstrahlung der schlossenen Einzelzellen eine innere Lichtreflexion
elektrolumineszierenden Schicht außerhalb der Zellen zwischen benachbarten Einzelzellen verhindert. Der
wird am Austritt aus dem Festkörper-Bildspeicher gleiche Erfolg läßt sich mit bekannten Konstruktio-
gehindert durch die auf der fotoleitenden Schicht nen (USA.-Patentschrift 2 926 263 oder schweize-
aufliegende Elektrodenschicht, welche nur im Be- 60 rische Patentschrift 344 143) nicht erreichen, da dort
reich der Rückkopplungszellen mit Öffnungen ver- die fotoleitenden und die elektrolumineszierenden
sehen ist. Teile auf der gleichen Seite des Glasträgers oder zwi-
Vorzugsweise ist der Festkörper-Bildspeicher so sehen zwei Glasplatten angeordnet sind. Gemäß
ausgebildet, daß das transparente, dielektrische Ma- einem Ausführungsbeispiel der bekannten Anordnung
terial der Unterlage aus einem an sich bekannten 65 nach der schweizerischen Patentschrift 344 143 wird
lichtempfindlichen, trübbaren Glas besteht, in wel- die fotoleitende Schicht und die elektrolumines-
chem vorzugsweise in Kreisform angeordnete, durch zierende Schicht auf einander abgekehrten Seiten
chemische Ätzung gebildete Öffnungen vorgesehen eines Trägers aufgebracht. Dabei bildet aber nur eine
3 4
derselben eine ebene, kontinuierlich durchgehende leitend sind, liegt somit an den belichteten Stellen
und daher leicht und besonders genau herstellbare der Schicht 16 die von der Quelle 30 aufgebrachte
Schicht. Die andere Schicht, im Ausführungsbeispiel Spannung im wesentlichen an dem zwischen der
die fotoleitende Schicht, ist auf den Wandungen einer Deckelektrode 26 und dem unmittelbar benachbart
Vielzahl von senkrecht zur erstgenannten konti- 5 liegenden Bereich der Elektrode 10 liegenden Teil
nuierlichen Schicht stehenden und voneinander be- der elektrolumineszierenden Schicht 14. Diese Span-
abstandeten öffnungen aufgetragen, was im Ver- nung reicht aus, um diesen Teil der elektrolumines-
gleich zu einer kontinuierlich verlaufenden Schicht zierenden Schicht 14 Licht aussenden zu lassen. Um
eine Erschwernis bei der Herstellung bedeutet. den Lichtzugang auch nach dem Wegfall der ein-
Demgegenüber ist es erfindungsgemäß auch vor io fallenden Strahlung aufrechtzuerhalten, wird das von
allem wesentlich einfacher, Defektstellen aus- dem angeregten Teil der Schicht 14 erzeugte Licht
zubessern oder zu entfernen, ohne daß man die sich über den durchsichtigen Rückkopplungsteil 20 mit
im ordnungsgemäßen Zustand befindlichen anderen dem unmittelbar darunterliegenden Bereich der foto-
Schichten dabei beschädigt. leitenden Schicht 16 rückgekoppelt, um diesen auf
Aufbau und Wirkungsweise des Feststoff-Bild- 15 einem niedrigen Widerstandswert zu halten. Dieser
Speichers nach der Erfindung werden nachstehend Zustand dauert so lange an, bis die Spannungsquelle
an Hand der Zeichnung näher erläutert. Die Zeich- 30 entfernt oder die Spannung in anderer Weise
nung zeigt in unterbrochen wird. Da jede Zelle von den lichtun-
F i g. 1 einen vergrößerten Vertikalteilschnitt des durchlässigen Wandelektroden 24 umgeben ist, kann
Feststoff-Bildspeichers mit einer einzelnen Rück- 20 das in einer Zelle eine Rückkopplung bewirkende
kopplungszelle und in Licht nicht auf benachbarte Zellen übertragen wer-
F i g. 2 und 3 vergrößerte Querschnitte von zwei den. Die erfindungsgemäße Ausbildung der Zellen
verschiedenen Ausbildungsformen einer Zelle. in dem Tragkörper 32 liefert also eine ausgezeichnete
In der folgenden Beschreibung verschiedener Aus- Lichtrückkopplungssteuerung.
führungsformen sind gleiche Teile in jeder Figur mit 25 Wie man aus F i g. 1 erkennt, sind die durchgehengleichen
Bezugszeichen versehen. den Wandeleletroden 24 rings um den äußeren Rand
In F i g. 1 ist eine neuartige Schichtkonstruktion des Rückkopplungsteiles 20 angeordnet. In F i g. 1
einer einzelnen Rückkopplungszelle wiedergegeben. und 2 sind zwei bevorzugte Anordnungen der
Jede Zelle besteht aus einem durchsichtigen Rück- Wandelektroden 24 um den Rückkopplungsteil 20
kopplungsteil 20, z. B. aus Glas, durchgehenden 30 wiedergegeben. Während nach beiden Figuren der
Wandelektroden 24 sowie Deckelektroden 22, 26 und Bereich 20 im wesentlichen kreisförmig ist, kann er
ist von dem restlichen Teil 18 der Unterlage 32 um- selbstverständlich jede beliebige Form annehmen,
geben. Das zweckmäßigste Material für den Trag- Nach F i g. 2 sind die Wandelektroden 24 kreisförkörper
32 ist ein lichtempfindliches, trübbares Glas, mig um den äußeren Umfang des Rückkopplungswie
im folgenden noch näher beschrieben wird. Die 35 teiles 20 derart angeordnet, daß dieser mit dem restdurchgehenden
Wandelektroden 24 sind so dick, daß liehen Teil 18 des Tragkörpers 32 durch Stege 25 versie
als optische Schranke zwischen dem Rück- bunden bleibt.
kopplungsteil 20 und dem restlichen Teil 18 des Trag- Bei der Ausführungsform nach F i g. 3 wurde jede
körpers 32 dienen. Somit hat die Wandelektrode 24 zweite Wandelektrode mit größerem Radius und
die zweifache Aufgabe, eine optische Schranke zwi- 40 größerer Bogenlänge ausgebildet, so daß sie die ansehen
benachbarten Zellen zu bilden und eine un- grenzenden Verbindungselemente überlappt und die
mittelbare elektrische Verbindung zwischen der Lichtrückkopplung in seitlicher Richtung begrenzt,
elektrolumineszierenden Schicht 14, die sich auf einer Auch hier verbinden Stege 25 den Teil 20 mit dem
Seite des Tragkörpers 32 befindet, und einer foto- restlichen Teil 18 des Tragkörpers und geben eine
leitenden Schicht 16, die auf der anderen Seite des 45 ausgezeichnete Festigkeit. Bei dieser Ausführungs-Tragkörpers
32 geschlagen ist, zu bilden. Die Elek- form ist somit, da die Wandelektroden 24 völlig lichttroden
10 und 12 berühren die elektrolumines- undurchlässig sind, eine verbesserte Lichtisolation
zierende Schicht 14 bzw. die fotoleitende Schicht 16. zwischen den einzelnen Zellen vorhanden, weil zur
Die durchsichtige Deckelektrode 26 liefert eine elek- Rückkopplung geeignetes Licht, das eine benachbarte
irische Verbindung über den gesamten Rück- 50 Zelle anregen könnte, über die Stege 25 einen langen
kopplungsbereich zwischen den Wandelektroden 24 verwickelten Weg laufen müßte. Auf diese Weise
und der elektrolumineszierenden Schicht 14, wäh- kann kein Licht aus dem Bereich innerhalb des Teirend
die durchsichtige Deckelelektrode 22 die gleiche les 20 austreten.
Funktion zwischen den Wandelektroden 24 und Wie bereits erwähnt, ist ein für den Tragkörper 32
der fotoleitenden Schicht 16 ausübt. Eine Hoch- 55 besonders geeignetes Material ein lichtempfindliches,
Spannungsquelle 30 liegt an den Elektroden 10 und trübbares Glas. Verschiedene Zusammensetzungen
12. Durch die öffnung 28 tritt das erregende Licht sowie Verfahren zu ihrer Herstellung sind beispielsein,
weise in der USA.-Patentschrift 2 628160 ange-
Im Betrieb wird den Elektroden 10 und 12 von geben. Alle dort angegebenen Verfahren und Zu-
der Stromquelle 30 eine 400 Hz-Wechselspannung 60 sammensetzungen sind für die vorliegende Erfindung
von etwa 600 Volt zugeführt. Wenn keine erregende gleich gut verwendbar.
Strahlung durch die Öffnung 28 auf das fotoleitende Bei der Herstellung eines Festkörper-Bildspeichers
Material fällt, wird die Zelle nicht beleuchtet, da die gemäß der vorliegenden Erfindung wurde mit einem
fotoleitende Schicht einen hohen Dunkelwiderstand Material entsprechend der genannten Patentschrift
aufweist. Wenn jedoch Strahlung auf einen Teil der 65 begonnen. Diese Patentschrift lehrt, gewisse Teile
fotoleitenden Schicht 16 fällt, wird die Impedanz eines Silikatglases einer Strahlung auszusetzen, das
der belichteten Teile dieser Schicht beträchtlich ver- Glas in der Wärme zu behandeln, um einen dem der
mindert. Da die Elektroden 22, 24 und 26 elektrisch Strahlung ausgesetzten Teil entsprechenden getrübten
Teil zu erhalten und anschließend den der Strahlung ausgesetzten Teil zu ätzen.
Auf diese Weise kann eine öffnung mit überaus kleinen Abmessungen genau an einem bestimmten
Ort im Glas hergestellt werden. Es hat sich gezeigt, daß dies zur Herstellung von öffnungen ausreicht,
durch die die durchgehenden Verbindungselemente 24 führen sollen.
Die nächste Stufe bei diesem Verfahren umfaßt die Herstellung der Elektroden 22, 24 und 26. Eine
hierfür geeignetes Verfahren ist beispielsweise aus der USA.-Patentschrift 2 564 708 bekannt. Die oben
beschriebene Wirkungsweise des Bildspeichers erfordert, daß Deckelektroden 22 und 26 als dünne, lichtdurchlässige
Schichten, die Wandelektroden 24 hingegen als verhältnismäßig dicke, undurchsichtige
Schichten aufgebracht werden.
Die Elektrode 10 kann in Übereinstimmung mit der genannten USA.-Patentschrift 2 564 708 aufgebracht
werden. Die Elektrode 12 besteht jedoch vorzugsweise aus einem aufgedampften Metallüberzug,
beispielsweise aus Gold oder Indium, der an dem fotoleitenden Material gut haftet.
Selbstverständlich brauchen auch die Wandelektroden 24 nicht nach dem genannten Verfahren
niedergeschlagen zu werden, da man auch andere Verfahren, beispielsweise Aufdampf- oder stromlose
Nickel- oder Kupferüberzugverfahren, verwenden kann. Wichtig ist lediglich, daß diese Elektroden sowohl
elektrisch leiten als auch optisch undurchsichtig sind.
Die elektrolumineszierende Schicht 14 kann aus irgendeinem Material bestehen, das unter dem Einfluß
eines elektrischen Feldes Licht aussendet. Beispielsweise kann es sich dabei um geeignet eingebettete
Leuchtstoffe handeln, wie sie in »The New Phenomena of Electro-photo-luminescence and its
Possibilities for the Investigation of Crystal Lattice«, G. Destriau, Philosophical Magazine Journal of
Science, Ser. 7, Volume 38, 1947, S. 700 bis 739, 774 bis 793 und 880 bis 888, beschrieben sind. Das
fotoleitende Material 16 kann aus irgendeinem lichtempfindlichen Material, beispielsweise Cadmiumsulfid,
bestehen.
Claims (3)
1. Festkörper-Bildspeicher mit einem platten- oder folienartigen Tragkörper aus transparentem,
dielektrischem Material, wie z. B. Glas und einem elektrolumineszierenden und einem fotoleitenden
Teil, die über je eine Elektrode mit einer Wechselspannungsquelle verbunden sind, wobei
auf den fotoleitenden Teil einfallendes Licht dessen Impedanz so weit vermindert, daß der elektrolumineszierende
Teil durch die anliegende Spannung zur Abgabe sichtbarer Strahlung angeregt wird, sowie mit einer Vielzahl von auf der
Fläche des Tragkörpers verteilten Zellen für die Rückkopplung der abgegebenen sichtbaren Strahlung
mit dem fotoleitenden Teil, gekennzeichnet
durch folgende Merkmale:
a) Der transparente Tragkörper (32) weist an einer Vielzahl von Stellen jeweils mehrere
seine gesamte Dicke durchdringende Wandelektroden (24) aus lichtundurchlässigem elektrisch leitendem Material auf, die je eine
für die optische Rückkopplung vorgesehene Zelle (20) mit Ausnahme schmaler Verbindungsstege
(25) umschließen und sie gegenüber dem umgebenden Teil (18) des transparenten Tragkörpers (32) optisch isolieren;
b) die beiden Stirnflächen jeder Rückkopplungszelle (20) weisen mit den lichtundurchlässigen
Wandelektroden (24) elektrisch leitend verbundene lichtdurchlässige Deckelektroden
(22, 26) auf;
c) der transparente Tragkörper (32) einschließlich der Deckelektroden (22, 26) ist auf der
einen Fläche mit einer elektrolumineszierenden Schicht (14) und auf der gegenüberliegenden
Fläche mit einer fotoleitenden Schicht (16) vollständig bedeckt;
d) die auf der fotoleitenden Schicht (16) aufliegende Elektrodenschicht (12) weist in
Höhe jeder Rückkopplungszelle (20) eine lichtdurchlässige öffnung (28) auf.
2. Verfahren zur Herstellung eines Festkörper-Bildspeichers nach den Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß in dem aus einem an sich bekannten lichtempfindlichen, trübbaren Glas bestehenden
transparenten Tragkörper (32) durch chemische Ätzung durchgehende schlitzförmige
Öffnungen (24) derart hergestellt werden, daß die von den öffnungen umschlossenen Zellen (20)
noch durch schmale Stege (25) mit dem umgebenden Teil (18) des Tragkörpers (32) verbunden
bleiben, und daß die schlitzförmigen öffnungen mit einem lichtundurchlässigen elektrisch leitenden
Material angefüllt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die schlitzförmigen öffnungen
in Form konzentrischer Kreisbögen hergestellt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US27944A US3065353A (en) | 1960-05-09 | 1960-05-09 | Display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1414742A1 DE1414742A1 (de) | 1968-10-03 |
DE1414742B2 true DE1414742B2 (de) | 1971-09-02 |
Family
ID=21840671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19611414742 Pending DE1414742B2 (de) | 1960-05-09 | 1961-05-08 | Festkoerper bildspeicher |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3065353A (de) |
DE (1) | DE1414742B2 (de) |
GB (1) | GB990626A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3171965A (en) * | 1960-07-05 | 1965-03-02 | Gen Dynamics Corp | Display screen for presenting a background light pattern in combination with other visual data |
US3648052A (en) * | 1969-01-22 | 1972-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image-converting device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2837661A (en) * | 1958-06-03 | Radiation amplifier | ||
US2920232A (en) * | 1958-08-18 | 1960-01-05 | Gen Electric | Display device with storage |
-
1960
- 1960-05-09 US US27944A patent/US3065353A/en not_active Expired - Lifetime
-
1961
- 1961-05-05 GB GB16472/61A patent/GB990626A/en not_active Expired
- 1961-05-08 DE DE19611414742 patent/DE1414742B2/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1414742A1 (de) | 1968-10-03 |
US3065353A (en) | 1962-11-20 |
GB990626A (en) | 1965-04-28 |
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