DE1303797B - Ferroelektrisches informationsspeicherelement - Google Patents
Ferroelektrisches informationsspeicherelementInfo
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Description
versehen ist und daß auf der gegenüberliegenden Seite
auf einem in die Sättigungsremanenz polarisierten Teilbereich eine Abfrageelektrode, welcher ein elektrisches
Abfragesignal zuführbar ist, und auf mindestens einem
weiteren Teilbereich mit einem zwischen der Nullpolarisation und der Sättigungsremanenz liegenden
stabilen Polarisierungszustand eine Ausleseelektrode, an welcher die gespeicherte Information als Ausgangssignal
auftritt, vorgesehen sind.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung
ist vorgesehen, daß in der dünnen ferroelektrisehen Schicht jeweils auf Abstand voneinander und in
einem Abstand von dem in die Sättigungsremanenz polarisierten Teilbereich zehn weitere Teilbereiche mit
einem zwischen der Nullpolarisation und der Sättigimt^remanenz
liegenden stabilen Polarisierungszustand und entsprechenden zugeordneten Ausleseelektroden
vorgesehen sind.
ί ine besonders bevorzugte Ausfühiungsform der
Eriii-idung sieht vor, daß die ferroelektrische dünne
Schidn als Kreisscheibe ausgebildet ist. daß der in die
Siiuigungsremanenz polarisierte Teilbereich sowie die
zugeordnete Abfrageelektrode ebenfalls die Form einer K.ivisscheibe aufweisen, welche den zentralen Bereich
tier ferroelektrischen dünnen Schicht einnehmen, und
ύι-Αΐ der weitere Teilbereich bzw. die weiteren Feilberciche
mit jeweils einem zwischen der Nullpolarisation und der Sättigungsremanenz liegenden stabilen
Polarisationszustand sowie die zugehörige Ausleseelektrode bzw. die zugehörigen Ausleseelektroden als
konzentrische Ringe ausgebildet sind.
Eir. wesentlich^ ·, Vorteil der Erfindung ist darin zu
sehen, daß in einem einzigen Speicherelement so viele Informationseinheiten (Bits) gespeichert werden können.
daß zur Speicherung einer Dezimalziffer keine Dezimul-Binär-Umwandlung erforderlich ist. Durch
die dadurch überflüssig gewordene Kodewandlung lassen sich erhebliche Zeiten einsparen, die insbesondere
bei schnellen digitalen Datenverarbeitungsanlagen zu einer wesentlich höheren Arbeitsgeschwindigkeit
führen.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil ergibt sich dadurch, daß die gespeicherte Information zerstörungsfrei ausgelesen
werden kann, so daß sowohl die Einrichtungen als auch die erforderliche Zeit zum Wiedereinschreiben
der vorher zerstörten Information entfallen können.
Weiterhin werden durch d?.s erfindungsgemäße Speicherelement sowohl die Speicherkapazität pro
Volumen als auch die Zuverlässigkeit des Speichers erheblich erhöht.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil ist darin /u sehen,
daß das verwendete ferroelekirische Keramikmaterial gegenüber Teilchenstrahlungen und elektromagnet!-
schen Feldern hoher Energie verhältnismäßig unempfindlich ist, so daß vorteilhafte Anwendungsmöglichkeiten
in der Raumfahrt und an anderen strahlungsgefährdeten Stellen bestehen.
Außerdem ist das erfindungsgemäße Speicheretment Jurch entsprechende Formgebung an verschiedenste
Anwendungsbedingungen leicht anpaßbar, da die ferroelektrische dünne Schicht verschiedene geometrische
Former, annehmen kann, beispielsweise die Form eines Hohlstabes.
Schließlich eipnet sich das eriindungsgemäße
Speicherelement besonders gut für eine Mikrominiaturisierung und für gedruckte Schaltungen.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise an Hand der Zeichnung beschrieben: in dieser zeigt
F i g. 1 ein Zustandsdiagramm einer ferroelektrisehen
Keramikmischung, wie sie im erfindungsgemäßen Speicherelement verwendet ist,
F i g. 2 eine im wesentlichen rechteckige Hystereseschleife einer ferroelektrischen Keramikmischung, wie
sie im erfindungsgemäßen Speicherelement verwendet ist,
F i g. 3 Admittanz-Ortskurven der ferrcelektrischen Keramikmischung gemäß F i g. 1 und 2, wobei aufeinanderfolgende,
feinstufige Polarisationszustände dargestellt sind,
F i g. 4 eine perspektivische Ansicht eines erfindun^sgemäßen
ferroelektrischen Speicherelementes mit dreLAnschlüssen und
Fig. 4a ein vereinfachtes Ersatzschaltbild des Speicherelementes gemäß F i g. 4.
In F i g. 1 ist ein Zustandsdiagramm einer ferroelektrischen
Sleizirkonat-Blei'itanat-Mischung dargestellt,
die durch Heißpressen hergestellt ist. Diese Mischung enthält 2 Atomprozent Wismut als Bi2O3
und ist durch die nachfolgende allgemeine Formel beschrieben:
wobei die Parameter relative Molprozent von PbZrO3
und PbTiO3 angeben.
Diese Bleizirkonat-Bleiutanat-Mischkristalle besitzen
zwar in der Nähe der Zustandsgrenzen, wie sie im Diagramm gezeigt sind, einen maximalen elektromechanischen
Kopplungsfaktor, wie er für die An-Wendung als Speicherelement wünschenswert ist, enthalten
jedoch ohne Ausnahme gemischte Zustände, die nach mehreren Schaltzyklen zu Änderungen der Eigenschäften
fühicn. Verbindungen, die in der Nähe der AFE-FE-Phasengrenze liegen, haben bei der Sättigungsremanenz
elektromechanische Kopplungsfaktoren von weniger als 0,2, so daß Polarisationsstufen
schwierig festzustellen sind und dazu Auslesekreise mit relativ hoher Empfindlichkeit notwendig sind. Durch
Vermeiden der Nähe der Zweiphasengrenzen und durch Beschränken des Bereichs des Parameters χ auf
0,60 bis 0,80 verbleibt ein Bereich von Mischungen mit annehmbaren Eigenschaften für Speicherelemente, und
es ergeben sich bei χ = 0,65 optimale Eigenschaften.
Einzelheiten eines Herstellungsverfahrens für ferro-
elektrische Keramikmaieriaiien mit Bleizirkonat-Bleititanat-Mischungen
sind in dem in der Bescnreibungseinleitung gewürdigten Aufsatz »Hot-Pressed Lead
r,o Zirconate-Titanate-Stannate Ceramica« von G. H.
H a e r 11 i η g im BULL. Am. CERAM. SOC, Band 42, Nr. 11, vom 7. November 1963 beschrieben.
Der anwendbare Bereich der Parameter des Heißpreß-Vorganges liegt bei einer Temperatur von 1250 bis
135O°C, einem Druck von mindestens 105 kg/cm2 und
einer Zeit von mindestens 1 Stunde. Vorzugsweise werden folgende Stoffe homogen gemischt, wobei die
Angaben sich auf Gewichtsprozent beziehen: 66,65°/(
Bleioxyd (PbO), 23,67% Zirkoniumoxyd (/LrO2).
8,27% TiUnoxyd (TiO2) und 1,41% Wismutoxyc
(Bi2O3). Die sich ergebende Mischung wird vor derr
Heißpressen etwa 1 Stunde lang bei einer Temperatui von mindestens 900°C gebrannt. Nach dem Heiß
pressen kann die Mischung zusätzlich mindestem 1 Stunde lang in einer Sauerstoffatmosphäre geglüh
werden. Es wurde festgestellt, daß dieser Schritt zi einer erwünschten Verminderung der Temperatur
empfindlichkeit der Kleinsignal-Admittanz führt um
außerdem die Rechteckform der Hystereseschleife verbessert.
Die Tabelle zeigt die Unterschiede verschiedener wichtiger Eigenschaften eines Bleizirkonat-Bleititanat-Materials
(.v = 0,65; 1 - .v = 0,35) mit 2 Atomprozent
Wismut, das in dem einen Fall durch einen normalen Sinterprozeß und im anderen Fall durch den
beschriebenen Heißpreßvorgang hergestellt wurde.
Eigenschaft normal gesintert
heißgepreßt
Schüttdichte
mittl. Korndurchmesser
Sättigungsremanenz-Polarisation
Elektromechanischer Kopplungsfaktor
Koerzitivfeld, Ec
Elektromechanischer Kopplungsfaktor
Koerzitivfeld, Ec
7,6 gr/cm3
4 ± 3 Mikron
4 ± 3 Mikron
32 μ Coulomb/cm2
0,4
0,4
25 Volt/mil
7,98 gr/cm3 10 ± 2 Mikron 42 μ Coulomb/cm2
0,46 18 Volt/mil
F i g. 2 zeigt eine Hystereseschleife für die oben beschriebene Mischung aus 65 Molprozent PbZrOa,
35 Molprozent PbTiO3 und 2 Atomprozent Wismutoxyd. Diese Hystereseschleife ist typisch für Mischungen
aus Bleizirkonat und Bleititanat, die nach dem oben beschriebenen Vorgang durch Heißpressen hergestellt
wurden und 0,1 bis 4 Atomprozent eines Zusatzstoffes aus der Oxydgruppe von Ta, Bi, Nb und Sb
enthalten. Es wurde gefunden, daß sich eine im wesentlichen rechteckförmige Hystereseschleife ergibt, wobei
der Wert des elektrischen Feldes E bei E0 zwischen den
Werten Pr = 1,0 und Pr = —1,0 im wesentlichen konstant ist; Pr ist die Sättigungsremanenz. In dieser
Hystereseschleife ist außerdem eine Reihe von Polarisationsstufen zwischen den beiden Grenzwerten von
Pr eingezeichnet. Diese feinen Stufen werden durch eine Folge von diskreten Großsignal-Schaltimpulsen
konstanter Amplitude und Dauer erzeugt.
Werden die Schaltpfade 10, 11 und 12, beginnend bei PR = 1,0, als Reaktion auf eine gleiche Anzahl
von Impulsen in Querrichtung verfolgt, so wird ein Zwischenwert für die Polarisation erreicht, der mit Pi
bezeichnet ist. Zusätzliche Impulse erzeugen weitere aufeinanderfolgende Polarisationsstufen entlang der
Schleife der F i g. 2. Das Diagramm zeigt, daß sich für die verwendeten Impulse 16 getrennte Polarisationsstufen
ergeben.
Das Vorhandensein solcher Polarisationsstufen kann ohne Zerstörung des Polarisationszustandes festgestellt
werden, und zwar durch irgendeines einer Anzahl von bekannten Ausleseverfahren, wie z. B. durch Abtasten
des AdmiUanzmoduls j Y\ bei einer Frequenz im Bereich einer Grundfrequenz. Es können auch andere
Parameter wie z. B. der polarisationsabhängige Phasenwinkel Θ des Admittanzvektors zum Ablesen des
Polarisationszustandes benutzt werden. Eine weitere Möglichkeit des Auslesens besteht im Auswerten der
Änderungen des AdmiUanzmoduls | Y \ und des Phasenwinkels Θ. Diese Ausleseverfahren sind dem
Fachmann bekannt.
Ein vorgegebener Informationsimpuls ergibt somit (bei einwandfreien Impulsen) eine im wesentlichen
gleichbleibende feste Änderung der stufenförmigen Polarisation. Obgleich bei Impulsen mit gleicher
Energie gleichmäßige, stufenförmige Änderungen der Polarisation wünschenswert sind, lassen auch ungleichmäßige
Stufenhöhen, die bei wiederholten Sehaltzyklen über längere Zeiträume und bei Temperaturänderungen
stabil sind, ebenfalls einen einwandfreien Speicherbetrieb zu.
F i g. 3 zeigt eine Admittanz-Ortskurve für die
Mischung gemäß Tabelle, wobei das Speicherelement als Scheibenresonator mit radialer Resonanz ausgebildet
ist und zwei Anschlüsse aufweist. Auf der waagerechten Achse G ist der reelle Leitwert und auf der
senkrechten Achse B ist der Blindleitwert aufgetragen. Für jede Polarisationsstufe der Hystereseschleife der
ao F i g. 2 wird zur Ermittlung der Ortskurven, beginnend mit der Sättigungsremanenz Pr = 1,0, ein Kleinsignal
mit veränderlicher Frequenz zugeführt.
Wird die Frequenz des Abfragesignals im Bereich der raüalen Resonanz des Resonators verändert, ergibt
as sich durch die Drehung des radial gerichteten Admittanzvektors
I YI eine etwa kreisförmige Ortskurve.
In jedem Fall durchläuft d'e Signalfrequenz einen Wert fs, durch den ein Zustand der Serienresonanz des
keramischen Speicherelementes angezeigt wird. Diese Beziehung kann wie folgt ausgedrückt werden:
Y= G +jwC mit Y = Admittanzvektor,
G — reeller Leitwert,
jwC = Blindleitwert.
jwC = Blindleitwert.
Im Zustand der Sättigungsremanenz liefert das keramische Speicherelement die Ortskurve 14. Für aufeinanderfolgende
Pi-Werte der Hystereseschleife werden im gleichen Bereich liegende Frequenzen des
Abfragesignals zugeführt und die darauffolgenden Admittanzkurven mit gleichmäßig fallenden Radien
erhalten. Die Kurve 15 gilt z. B. für den Polarisationszustand Pt, der während der Zyklen 10, 11 und 12
(F i g. 2) vorliegt. In gleicher Weise werden die Kurven der F i g. 3 erzeugt. Aus F i g. 3 ist zu sehen, daß die
Admittanz des Scheibenresonators bei der Sättigungsremanenz ein Maximum ist und in den aufeinanderfolgenden,
abgestuften Polarisationszuständen zwischen der Sättigungsremanenz und Null ständig abnimmt.
Dies kennzeichnet eine monotone Beziehung zwischen Immittanz und Polarisation, ohne die ein
ferroelektrisches keramisches Material als mehrfachstabiles Speicherelement ungeeignet wäre. Zusätzlich
wurde festgestellt, daß für die beschriebene Anordnung diese Admittanz-Ortskurve sich bei aufeinanderfolgenden
Informationsspeicherzyklen nur innerhalb einer Toleranz von 0,1 % ändert. Diese Materialeigenschaft
ist für ein ferroelektrisches Speicherelement sehr wichtig. Durch Vergleiche wurde gefunden, daß für
ferroelektrische Verbindungen, die nicht nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt wurden, sich
Schwankungen bis zu 10°/0 ergeben. Es wurden allgemeine Untersuchungen der oben
beschriebenen Verbindungen angestellt, wobei Scheibenresonatoren mit verschiedenen Abmessungen verwendet
wurden, um festzustellen, ob sich bedeutende Änderungen der Stabilität der stufenförmigen Polarisatici.szustände
mit der Zeit und der Temperatur ergeben, da die Stabilität dieser Zustände eine Grenze
für die maximale Anzahl von Speicherzuständen pro Speicherelement unabhängig von der Art des Auslesesystems
darstellt. Bei einem speziellen Versuch ergaben sich für die relative Polarisation als Funktion der Zeit
über eine Periode von 1 Minute so geringfügige Änderungen der Polarisationszustände, daß diese mit einem
Elektromelerverstärker und einem vierstelligen Voltmeter nicht festgestellt werden konnten. Ein weiterer
Versuch ergab, daß die Änderung der relativen Polarisation mit der Zeit über einen Bereich von 0 bis 140'C
wesentlich niedriger ist als die Änderung der Magnetisierung, die mit den heute üblichen Ferritspeichern zu
erreichen ist. Es wurde festgestellt, daß die Temperaturempfindlichkeit
dadurch noch weiter erniedrigt weiden kann, daß das Material in einer Sauerstoffatmosphäre
bei 9000C mehrere Stunden lang geglüht wird. Dieses
Ausglühen erhöht außerdem die Rechteckform der Hystereseschleife.
Wenn ein Speicherelement mit nur zwei Polarisationszuständen
erwünscht ist, so lassen sich beispielsweise die Speicherzustände benutzen, von denen die
eine Polarisationsstufe gerade vor der Sättigungsremanenz liegt und die andere Stufe zwischen dieser
ersten und der Nullpolarisation liegt. Da diese beiden
Remanenzwerte gegenüber der Nullpolarisation die gleiche Polarität haben, kann das Auslesen des Speicherelementes
durch einen Amplitudenvergleich der Eingangs- und Ausgangssignale erfolgen. Dabei wird
nur ein kleiner Teil der Hystereseschleife durchlaufen, so daß der Auslesevorgang schneller abläuft und weniger
Energie erfordert. Außerdem wird hierdurch die Lebensdauer eines Speicherelementes sehr groß, da die
mechanischen Schaltbeanspruchungen gering bleiben. Das Auslesen ist nicht kompliziert, weil die Messung
einer Amplitude einfacher ist als eine Ermittlung der Phase, insbesondere, wenn nur zwei verschiedene Pegel
verwendet werden. .
Wenn beispielsweise zur Speicherung einer Dezimalziffer zehn Polarisationsstufen verwendet werden,
kann eine Binär-Dezimai-Umwandlung entfallen.
Außerdem können getrennte Speicherelemente auf einer einzigen keramischen Schicht in Form kleiner
mit Flektroden versehenen Bereiche erzeugt werden, so daß diese Speicherelemente entweder als zweifach
remanente oder mehrfach remanente Elemente unabhäneig
voneinander geschaltet werden können. Bei einem Zweipolelement gemäß der Erfindung werden
bei Benutzung der beschriebenen Materialien leicht zehn Speicherzustände erreicht.
Ein erfindungsgemäßes Speicherelement mit mehreren Anschlüssen ist in F i g. 4 dargestellt. Das Keramikmaterial
im Bereich der mittleren Abfrageelektrode 16, die in der Zeichnung als obere Fläche dargestellt ist,
wird in die Sättigungsremanenz polarisiert, was zu einem maximalen planaren elektromechanischen Kopplungskoeffizienten
in diesem Bereich fuhrt Das Abfraaesifmal
17 wird durch piezoelektrische Kopplung an "den" (gestrichelt dargestellten) Teil 18 des keramischen
Materials unter der mittleren Abfrageelektrode 16 in eine radiale elastische mechanische Schwingung
umgewandelt. Die dabei entstehende Welle pflanzt sich radial nach außen zum Umfang der Scheibe fort und
wird dort in ein elektrisches Signal zurückverwandelt, das an der ringförmigen Ausleseclektrode 19 auftritt.
Amplitude und Phase des Ausgangssignals 20 sind sine Funktion des planaren Kopplupt,skoeffizienten des
keramischen Materials der dünnen Schicht 21 unter der ringförmigen Ausleseelektrode 19. Dieser Kopplungskoeffizicnt
und damit das Ausgangssignal 20 sind Funktionen des jeweiligen Polarisationszustandes des
keramischen Materials im Bereich der ringförmigen
ίο Ausleseelektrode 19. Ein Massepotential 22 kann mit
einer Bezugselektrode verbunden werden, die die untere Oberfläche der Scheibe (nicht zu sehen) bedeckt.
Wenn eine Anzahl von verschiedenen abgestuften
Polarisationszuständen der ringförmigen Ausleseelektrode 19 zugeordnet sind, kann mit demselben
Eingangssignal 17 eine entsprechende Anzahl von unterschiedlichen Ausgangssignalen 20 erzeugt werden.
Ein Ersatzschaltbild für kleine Signale für ein
Speicherelement mit drei Anschlüssen nach F i g. 4 ist in F i g. 4a dargestellt. Der erste (linke) gestrichelte
Bereich 23 entspricht dem Eingangssignal 17 an der Abfrageelektrode 16, wobei die elektromechanische
Energieumwandlung durch das Transformator-Übersetzungsverhältnis 1 : Φ, symbolisiert ist. Der zweite
(mittlere) gestrichelte Bereich 24 stellt die elastische Übertragungsleitung dar, wobei die elastische Schwingungswelle
radial in Richtung auf den Scheibenumfang übertragen wird. Schließlich bedeutet der dritte (rechte)
gestrichelte Bereich 25 die eicktrornechaniäche Rück-Wandlung
an der Ausleseelektrode 19, die das Ausgangssignal 20 liefert, wobei diese Umwandlung von
dem Verhältnis Φ(Ρ): 1 abhängt, wobei Φ(Ρ) eine
Funktion des in dem ferroelektrischen Element existierenden Polarisationszustandes ist. Es können
beispielsweise in einen beliebigen Teil des keramischen Materials der dünnen Schicht 21 unter der AuMeseelektrode
19 zehn beliebige Informationszustände (Polarisationsstufen) eingeschrieben werden, so daß für
ein gegebenes Eingangssignal 17 jeder beliebige von zehn verschiedenen Werten als Ausgangssignal 20 erzeugt
werden kann.
Es ist zu erwähnen, daß mehrere andere Formen von Speicherelementen mit mehreren Anschlüssen hergestellt
werden können, die im wesentlichen in dei gleichen Weise wie das Speicherelement der F i g. A
arbeiten. Im allgemeinen ist eine mittlere Elektrode von einer Mehrzahl von mit Elektroden versehenen
Umfangsbereichen umgeben. Außerdem besteht keim Begrenzung auf ein flaches, scheibenförmiges Element
sondern jede gewünschte dünne Schicht eines geeigne ten ferroelektrischen Keramikmaterials kann al;
Speicherelement dienen.
Die praktischen Grenzen der erreichbaren Anzah von abgestuften Polarisationszuständen mit einem hie
beschriebenen ferroelektrischen Keramikmaterial ii einem Speicherelement hängen in erster Linie von de
Stabilität der remanenten Polarisationszustände ab Wenn auch eine gewisse Schwankungsbreite diese
Zustände mit einer einwandfreien Arbeitsweise eine Ausleseschaltkreises gegebener Empfindlichkeit verein
bar ist, so muß doch die Anzahl der bei einem gegebe nen Speicherelement notwendigen Zustände eine ein
wandfreie Trennung zulassen, die auf diese Toleran
Rücksicht nimmt.
Außerdem ist verhältnismäßig kurzzeitigen Auslese Signalen der Vorzug zu geben. Die Stabilität de
Polarisationszustände als Funktion der Zeit ist wesenl lieh besser, wenn mit kurzen Impulsen gearbeitet wire
Die Schaltzeit für eine feste Stufe der Polarisation hängt von der Impulsquelle, der Impedanz, der
Impulsamplitude und Impulsdauer sowie der Schaltimpedanz dei Einrichtung ab. Die Schaltzeit nimmt
ebenfalls mit der Größe des Elementes ab. Schaltzeiten von 100 Nanoseku.iden sind z.B. mit erfindungs-
10
gemäßen Speicherelementen von 0,5 mm Durchrm und 0,125 mm Stärke ohne weiteres zu erreichen.
Außerdem ist ohne weiteres zu erkennen, dal effektive Höhe der Hystereseschleife bezüglich
remanenten Polarisation eine Funktion der C schnittsfläche der Scheibe ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Ferroelektrisches Informationsspeicherelement 5 ist jedoch der Nachteil eigen, daß sie einerseits nur
mit unterscheidbaren Polarisationszuständen des 1 Bit speichern können und andererseits nicht zer-Ferroelektrikums,
daclurchgekennzeich- störungsfrei auslesbar sind.
net. daß das Ferroelektrikum aus einem bei einer Weiterhin ist es aus der USA.-Patentschrift 2195 407
Temperatur von etwa 1250 bis 13500C und mit für elektromechanische Wandler bekannt, ein Material
einem Druck von wenigstens 105 kp/cm2 während to zu verwenden, welches aus einer homogenen Mischung
mindestens einer Stunde heißgepreßten ferroelektri- von etwa 42 bis 47 Molprozent Bleizirkonat und etwa
sehen Keramikmaterial mit etwa 60 bis 80 Mol- 5? bis 53 Molprozent Bleititanat bei einem Zusatz von
prozent Bleizirkonat, 40 bis 20 Molprozent Blei-' etwa 1 bis 3 Gewichtsprozent Niobium oder einem
titanat und einem Zusatz von etwa Vw Ws 4 Ge- anderen Element aus derselben Gruppe des periodiwichtsprozent
einer oxydischen Form eines oder 15 sehen Systems besteht; zur Herstellung eines solchen
mehrerer der Plemente Niob, Tantal, Wismut oder Materials ist es aus derselben Druckschrift weiterhin
Antimon beslent und als dünne Schicht (21) ausge- bekannt, ein Heißpressen bei einer Temperatur bis zu
bildet ist, daß die eine Seite der dünnen Schicht (21) 12600C und einem Druck bis zu 350 kp/cm2 über 20
im wesentlichen vollständig mit einer Bezugselek- bis 25 Minuten anzuwenden. Das auf diese Weise hertrode
(18) versehen ist und daß auf der gegenüber- 20 gestellte Material weist einen besonders hohen Isoliegenden
Seite auf einem in die Sättigungsrema- lationswiderstand und in bestimmten Fällen auch eine
nenz polarisierten Teilbereich eine Abfrageelektrode erhöhte Kapazität bei höheren Temperaturen auf.
(16), welcher ein elektrisches Abfragesignal (bei 17) Weiterhin besitzt dieses bekannte Material eine gerinzuführbar
ist, und auf mindestens einem weiteren gere Temperaturabhängigkeit seiner Kapazität.
Teilbereich mit einem zwischen der Nullpolarisation 25 Weiterhin ist es aus der Zeitschrift »American und der Sättigungsremanenz liegenden stabilen Ceramic Soc. Bull.« 42 (li), S. 679 bis 685, bekannt, Polarisationszi -tand eine Ausleseelektrode (19), an daß grundsätzlich durch Heißpressen eine Steigerung welcher die gespeicherte Information (bei 20) als der Remanenzpolarisation eines Dielektrikums erreich-Ausgangssignal auftritt, vorgesehen sind. bar ist und daß das sogenannte Rechteckverhältnis der
Teilbereich mit einem zwischen der Nullpolarisation 25 Weiterhin ist es aus der Zeitschrift »American und der Sättigungsremanenz liegenden stabilen Ceramic Soc. Bull.« 42 (li), S. 679 bis 685, bekannt, Polarisationszi -tand eine Ausleseelektrode (19), an daß grundsätzlich durch Heißpressen eine Steigerung welcher die gespeicherte Information (bei 20) als der Remanenzpolarisation eines Dielektrikums erreich-Ausgangssignal auftritt, vorgesehen sind. bar ist und daß das sogenannte Rechteckverhältnis der
2. Ferroelektrisches Inforr.iationsspeicherelement 30 Hysteresis-Schieife verbessert werden kann.
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in Schließlich ist aus der deutschen Patentschrift
der dünnen ferroelektrischen Schicht (21) jeweils 1116 742 eine ferroelektrische keramische Mischung
auf Abstand voneinander und in einem Abstand für ein elektromechanisches Wandlerelem^nt bekannt,
von dem in die Sättigungsremanenz polarisierten welche zwischen 10 bis 60 Molprozent Bleititanat und
Teilbereich zehn weitrre Teilbereiche mit einem 35 90 bis 40 Molprozent Bleizirkonat enthalten kann,
zwischen der Nullpolarisation und der Sättigungs- wobei außer diesen Hauptbestandteilen der Mischung
remanenz liegenden stabilen Polarisierungszustand gerinne Zusätze in der Größenordnung von einigen
und entsprechenden zugeordneten Ausleseelektro ■ Gewichtsprozent von Tantal und/oder Niobium vor-
den (wie in 19) vorgesehen sind. handen rein können. Die hauptsächliche Wirkung
3. Ferroelektrisches Informations-Speicherele- 40 dieser Zusätze besteht darin, daß die Dielektrizitätsmentnach
Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich- konstante und die Koerzitivkraft vergrößert werden,
net, daß die ferroelektrische dünne Schicht (21) als Ein derartiges bekanntes Material erreicht einen Kreisscheibe ausgebildet ist, daß der in die Sätti- elektromechanischen Kopplangskoeffizienten von 0,1. gungsremancnz polarisierte Teilbereich sowie die Zur Herstellung eines derartigen Materials ist bekannt, zugeordnete Abfrageelcktrode (16) ebenfalls die 45 bei einer Temperatur von 1280 bis 1290°C während Form einer Kreisscheibe aufweisen, welche den 1 Stunde zu brennen. Dadurch werden eine verringerte zentralen Bereich der ferroelektrischen dünnen Porosität und folglich eine höhere Dichte erre:cht.
Schicht (21) einnehmen, und daß der weitere Teil- Als Anwendungszweck für dieses bekannte Material bereich bzw. die weiteren Teilbereiche mit jeweils sind elektromechanische Wandler angegeben, wobei einem zwischen der Nullpolarisation und der 50 piezoelektrische Filter und Frequenzsteuergeräte ein-Sättigungsremanenz liegenden stabilen Polarisa- geschlossen sind.
net, daß die ferroelektrische dünne Schicht (21) als Ein derartiges bekanntes Material erreicht einen Kreisscheibe ausgebildet ist, daß der in die Sätti- elektromechanischen Kopplangskoeffizienten von 0,1. gungsremancnz polarisierte Teilbereich sowie die Zur Herstellung eines derartigen Materials ist bekannt, zugeordnete Abfrageelcktrode (16) ebenfalls die 45 bei einer Temperatur von 1280 bis 1290°C während Form einer Kreisscheibe aufweisen, welche den 1 Stunde zu brennen. Dadurch werden eine verringerte zentralen Bereich der ferroelektrischen dünnen Porosität und folglich eine höhere Dichte erre:cht.
Schicht (21) einnehmen, und daß der weitere Teil- Als Anwendungszweck für dieses bekannte Material bereich bzw. die weiteren Teilbereiche mit jeweils sind elektromechanische Wandler angegeben, wobei einem zwischen der Nullpolarisation und der 50 piezoelektrische Filter und Frequenzsteuergeräte ein-Sättigungsremanenz liegenden stabilen Polarisa- geschlossen sind.
tionszustand sowie die zugehörige Ausleseelektrode Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein ferro-
(19) bzw. die zugehörigen Ausleseelektroden elektrisches Informations-Speicherelement der ein-
(wie 19) als konzentrische Ringe ausgebildet sind. gangs genannten Art zu schaffen, in welchem zugleich
55 mehrere Informationseinheiten (Bits) gespeichert und zerstörungsfrei ausgelesen werden können.
Z1T Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor,
daß das Ferroelektrikum aus einem bei einer Temperatur von etwa 1250 bis 13500C und mit einem Druck
60 von wenigstens 1C5 kp/cm2 während mindestens
Die Erfindung betrifft ein ferroelektrisches Infor- 1 Stunde heißgepreßten ferrcelektrischen Keramik-
mations-Speicherelement mit unterscheidbaren Polari- material mit etwa 60 bis 80 Molprozent Bleizirkonat,
sations/.uständen des Ferroelektrikums. 40 bis 20 Molprozent Bleititanat und einem Ziibati: von
Die Erfindung betrifft insbesondere multistabile etwa V10 bis 4 Gewichtsprozent einer oxydischen Form
Speicherelemente, die sich zum Aufbau von Schnell- 65 eines oder mehrerer der Elemente Niobium, Tantal,
speichern für die digitale Datenverarbeitungsanlagen Wismut oder Antimon besteht und als dünne Schicht
eignen. ausgebildet ist, daß die eine Seite der dünnen Schicht
Aus der Zeitschrift »Electronics«, April 1953, S. 149, im wesentlichen vollständig mit einer Bezugselektrode
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US3666666A (en) * | 1969-12-17 | 1972-05-30 | Atomic Energy Commission | Ferroelectric ceramic materials |
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---|---|---|---|---|
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US2956327A (en) * | 1954-01-22 | 1960-10-18 | Gulton Ind Inc | Ceramic ferroelectric bodies |
US2915407A (en) * | 1957-03-11 | 1959-12-01 | Gulton Ind Inc | Ceramic electrical bodies |
US3068177A (en) * | 1958-09-15 | 1962-12-11 | Brush Crystal Company Ltd | Ferroelectric ceramic materials |
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |