DE1297872B - Verwendung einer Aluminium-Gusslegierung fuer die Herstellung von elektrisch hochleitfaehigen Formgussteilen - Google Patents
Verwendung einer Aluminium-Gusslegierung fuer die Herstellung von elektrisch hochleitfaehigen FormgussteilenInfo
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Description
- Dank seiner hervorragenden Eigenschaften erschließen sich dem Aluminium und dessen Legierungen laufend neue Einsatzmöglichkeiten, so auch in der Elektroindustrie.
- Obwohl in sehr vielen Fällen der Einsatz von Formgußteilen mit wirtschaftlichen und technischen Vorteilen verbunden wäre, blieb die Elektrotechnik eine Domäne der Aluminium-Knetlegierungen sowie des Kupfers und seiner Legierungen. Die Ursache hierfür lag nicht zuletzt am Fehlen einer Aluminium-Gußlegierung, die, den Wünschen der Verbraucher entsprechend, neben guten mechanischen Festigkeitswerten eine möglichst hohe; elektrische Leitfähigkeit aufweisen konnte.
- Die elektrische Leitfähigkeit des Aluminiums wird durch Legierungszusätze, Beimengungen und Gefügeaufbau entscheidend beeinflußt. Der naheliegenden Möglichkeit, die Knetlegierung E Al Mg Si (Aldrey) für Formguß einzusetzen, stehen sowohl im Sandguß als auch insbesondere im Kokillenguß unüberwindbare oder mit sehr hohen Produktionskosten verbundene Schwierigkeiten, verursacht durch Speisungsprobleme und Warmrissigkeit, gegenüber.
- Die bekannten Methoden, durch entsprechende thermische Behandlung von Gußteilen aus G Al Si Mg-Legierungen gelöste Komponenten wieder zur Ausscheidung zu bringen, um dadurch gegenüber dem Ursprungszustand eine verbesserte elektrische Leitfähigkeit zu erzielen, leiden unter der Tatsache, daß durch diese Behandlung die mechanische Festigkeit stark abfällt.
- Die vorstehend aufgeführten Schwierigkeiten und Teillösungen, gute Leitfähigkeit bei schlechten technologischen Werten bzw. schlechte Leitfähigkeit bei hoher Festigkeit, entfallen bei Verwendung einer Legierung gemäß vorliegender Erfindung. Es wurde gefunden, daß sich mit einer Al-Ni-Mg-Si-Legierung einwandfreie, hochleitfähige und, nach dem Lösungsglühen und Warmauslagern, auch hochfeste Formgußstücke herstellen lassen: 1. Ein sogenannter Kontaktträger wurde über einem Sandkern in einer Kokille gegossen: Der Werkstoff war G Al Si 7 Mg hochrein. Nach der entsprechenden thermischen Behandlung wurden folgende Werte ermittelt:
Elektrische Leitfähigkeit, Siemens 29,4 Härte, HB ..................... 68,5 kp/mm2 Zugfestigkeit, öB ................ 17,7 kp/mm2 Streckgrenze, 8a,2 ............... 13,6 kp/mm2 Dehnung, b .................... 7,40/, Elektrische Leitfähigkeit, Siemens ............. 30,3 bis 31,2 Härte, HB ............. 92,8 bis 94,9 kp/mm2 Zugfestigkeit, 8B ........ 24,3 bis 29,9 kp/mm2 Streckgrenze, 80.2 ....... 22,2 bis 28,5 kp/mm2 Dehnung, 8 ............ 2,4 bis 5,0010
Claims (1)
- Patentanspruch: Verwendung einer Alumimum-Gußlegierung aus 0,5 bis 6,0°/o Nickel, 0,3 bis 1,00/, Magnesium, 0,4 bis 1,00/, Silizium und höchstens je 0,5 °/a Chrom, Zink, Eisen, Titan, Kupfer, Mangan und/oder Vanadin, zusammen höchstens 10/" Rest Aluminium, zur Herstellung elektrisch hochleitfähiger Formgußstücke niit hoher mechanischer Festigkeit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1966A0053141 DE1297872B (de) | 1966-07-30 | 1966-07-30 | Verwendung einer Aluminium-Gusslegierung fuer die Herstellung von elektrisch hochleitfaehigen Formgussteilen |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1297872B true DE1297872B (de) | 1969-06-19 |
Family
ID=6938831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1966A0053141 Withdrawn DE1297872B (de) | 1966-07-30 | 1966-07-30 | Verwendung einer Aluminium-Gusslegierung fuer die Herstellung von elektrisch hochleitfaehigen Formgussteilen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1297872B (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2561445A2 (fr) * | 1984-02-24 | 1985-09-20 | Hitachi Ltd | Fils de connexion d'une pastille semi-conductrice, notamment encapsulee sous resine |
FR2561446A1 (fr) * | 1984-02-24 | 1985-09-20 | Hitachi Ltd | Fils de connexion d'une pastille semiconductrice,notamment encapsulee sous resine |
FR2566182A1 (fr) * | 1984-02-24 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | Dispositif a semiconducteurs |
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-
1966
- 1966-07-30 DE DE1966A0053141 patent/DE1297872B/de not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (1)
Title |
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None * |
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