DE1296359T1 - Verfahren und vorrichtung zur verwaltung einer halbleiter-herstellungsvorrichtung - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur verwaltung einer halbleiter-herstellungsvorrichtung

Info

Publication number
DE1296359T1
DE1296359T1 DE1296359T DE01932225T DE1296359T1 DE 1296359 T1 DE1296359 T1 DE 1296359T1 DE 1296359 T DE1296359 T DE 1296359T DE 01932225 T DE01932225 T DE 01932225T DE 1296359 T1 DE1296359 T1 DE 1296359T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
measuring
semiconductor manufacturing
amount
heat
management device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1296359T
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Komiyama
Osamu Suenaga
Akitoshi Tsuji
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of DE1296359T1 publication Critical patent/DE1296359T1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06QINFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q30/00Commerce
    • G06Q30/02Marketing; Price estimation or determination; Fundraising
    • G06Q30/0283Price estimation or determination
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06QINFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q50/00Information and communication technology [ICT] specially adapted for implementation of business processes of specific business sectors, e.g. utilities or tourism
    • G06Q50/06Energy or water supply
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02ATECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A20/00Water conservation; Efficient water supply; Efficient water use
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02ATECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A20/00Water conservation; Efficient water supply; Efficient water use
    • Y02A20/20Controlling water pollution; Waste water treatment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/80Management or planning
    • Y02P90/84Greenhouse gas [GHG] management systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Strategic Management (AREA)
  • Development Economics (AREA)
  • Economics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Accounting & Taxation (AREA)
  • Finance (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Marketing (AREA)
  • General Business, Economics & Management (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Game Theory and Decision Science (AREA)
  • Entrepreneurship & Innovation (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Human Resources & Organizations (AREA)
  • Primary Health Care (AREA)
  • Tourism & Hospitality (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Ventilation (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)
  • Air Conditioning Control Device (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Claims (1)

  1. ;"■"' ''&uacgr;&eacgr;/&iacgr;&Rgr;&Iacgr; 2963 59 Tl
    /1
    Tokyo Electron Limited
    14. April 2003
    Ansprüche
    1. Verwaltungsvorrichtung für eine Herstellungsvorrichtung für Halbleiter, mit folgenden Merkmalen:
    Leitstungs-Meßeinrichtung zum Messen der elektrischen Leistungsaufnahme einer elektrischen Anlage, die in der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter verwendet wird; Verbrauchs-Meßeinrichtung zum Messen einer Fluidmenge, die ein Verbrauchsmittel ist, das hergestellt oder verarbeitet wird;
    Mittel zum Ermitteln eines Betrags elektrischer Leistung, die bei der Herstellung oder Verarbeitung des Fluids verbraucht wird, gestützt auf Werte, die von der Verbrauchs-Meßeinrichtung gemessen werden;
    Energieverbrauchs-Berechnungseinrichtung zum Addieren der elektrischen Leistungsaufnahme der elektrischen Anlage und des Betrags der elektrischen Leistung, die bei der Herstellung oder Verarbeitung des Fluids verbraucht wird, um den normierten Energieverbrauch der Vorrichtungen, die bei der Halbleiterherstellung verwendet werden, zu erhalten;
    eine Faktor-Meßeinrichtung zum Messen von Faktoren, welche benötigt werden, um die Wärmemenge zu erhalten, die von der Anlage, die in der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter verwendet wird, abgegeben wird;
    eine Wärmeabgabemengen-Recheneinrichtung zum Ermitteln einer normierten Wärmemenge, welche von der Vorrichtung, die zur Halbleiterherstellung verwendet wird, abgegeben wird, gestützt auf Werte, die von der Faktor-Meßeinrichtung gemessen werden; und eine Anzeigevorrichtung zum Anzeigen der Menge der abgegebenen Wärme, die von der Wäremengenabgabe-Recheneinrichtung ermittelt wurde, und Anzeigen der Energieaufnahme, die von der Energieverbrauchs-Berechnungseinrichtung ermittelt wurde.
    2. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das zu verbrauchende Fluid ein Temperatursteuerungs-Fluid ist, das die Temperatur der Anlage steuert.
    3. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das zu verbrauchende Fluid Luft ist, die durch das Innere der "Herstellungseinrichtungen für Halbleiter fließt.
    4. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das zu verbrauchende Fluid ein Gas ist, das in der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter verwendet wird.
    5. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das zu verbrauchende Fluid Wasser ist, das in der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter verwendet wird.
    6. Verwaltungsvorrichtung nach einer der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter eine Anlage innerhalb eines Gehäuses umfaßt, das sich in einem Reinraum befindet, und wobei die abgegebene Wärme die Wärme umfaßt, welche von der Anlage über einen Innenraum des Gehäuses in den Reinraum entweicht.
    7. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Faktor-Meßeinrichtung umfaßt: erste Temperaturmeßmittel zur Messung einer Temperatur innerhalb des Gehäuses; zweite Temperaturmeßmittel zur Messung einer Temperatur außerhalb des Gehäuses; und Mittel zum Ermitteln der Wärmemenge, die von innerhalb des Gehäuses nach außen entweicht, basierend auf den gemessenen Temperaturen innerhalb und außerhalb des Gehäuses.
    8. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 7, das umfaßt: Mittel zum Vorsehen einer Vielzahl von Meßpunkten, die von den ersten und den zweiten Temperaturmeßmitteln gemessen werden, Betreiben der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter unter einer Vielzahl von Bedingungen und zum Verfolgen der Temperatur bei jedem Meßpunkt, Erstellen eines Zusammenhangs zwischen bestimmten Meßpunkten und anderen Meßpunkten und zum Erzeugen einer Kalibrationskurve sowie zum Schätzen von Messungen bei anderem Meßpunkten basierend auf Messungen bei bestimmten Meßpunkten und basierend auf der Kalibrationskurve.
    9. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei
    die Faktor-Meßeinrichtung Windgeschwindigkeits-Meßmittel zum Messen einer Windgeschwindigkeit innerhalb des Gehäuses und einer Windgeschwindigkeit außerhalb des Gehäuses umfaßt; und wobei
    Windgeschwindigkeitsmessungen in eine Gleichung einfließen, um die Wärmemenge, die von innerhalb des Gehäuses nach außen entwichen ist, zu erhalten.
    10. Verwaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei die Vorrichtung zur Halbleiterherstellung umfaßt:
    einen Auslaßweg zum Entleeren des Innenraums des Gehäuses und Abführen der Wärme aus dem Inneren des Gehäuses nach außerhalb des Reinraums; wobei die entwichene Wärmemenge Wärme umfaßt, die durch den Auslaßweg mittels eines Gases entfernt wurde, welches von Auslaßsystem abgegeben wurde.
    11. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 10, wobei die Faktor-Meßeinrichtung umfaßt: Temperaturmeßmittel für den Auslaßweg zum Messen einer Temperatur innerhalb des Auslaßwegs;
    Windgeschwindigkeitsmeßmittel für den Auslaßweg zum Messen der Windgeschwindigkeit innerhalb des Auslaßwegs; und
    Mittel zum Ermitteln einer Wärmemenge, welche durch das ausströmende Gas entweicht, welches durch den Auslaßweg strömt, wobei das Ermitteln auf der Basis von Meßergebnissen geschieht, die von den Temperaturrneßmitteln für den Auslaßweg und von den Windgeschwindigkeitmeßmittehi für den Auslaßweg sowie anhand einer Querschnittsfläche des Auslaßwegs und anhand der Temperatur in dem Reinraum ermittelt werden.
    12. Verwaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter eine Anlage umfaßt, die von einem Kühlfluid gekühlt wird, welches entlang eines Strömungswegs fließt, wobei die Menge der entwichenen Wärme eine Wärmemenge umfaßt, die durch das Kühlfluid entfernt wurde.
    13. Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Faktor-Meßeinrichtung Strömungsmeßmittel umfaßt, um eine Strömung des Kühlfluids zu messen, und die Vorrichtung eine Wärme-
    b-ETf:Pt:296 3 59 Tl
    menge erhält, die auf Strömungsmessungen sowie auf einer Temperaturdifferenz zwischen dem Kühlfluid an der Einlaßseite der Einrichtung und dem Kühlfluid an der Auslaßseite der Einrichtung basiert.
    14. Verwaltungsvomchtung nach Anspruch 13, die umfaßt:
    einen Computer, der die Recheneinrichtung für entwichene Wärme, die Energieverbrauchs-Meßeinrichtung und die Anzeigevorrichtung umfaßt; und eine Signalwandler einheit zum Umwandeln von Meßergebnissen der Faktor-Meßeinrichtung in Signale, die von dem Computer verarbeitet werden können.
    15. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 14, wobei der Computer und die Signalwandlereinheit auf einem Wagen vorgesehen sind.
    16. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 14, wobei die Faktor-Meßeinrichtung lösbar an dem Meßpunkt angebracht ist und über Verdrahtung mit der Signalwandlereinheit verbunden ist.
    17. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 14, wobei die Faktor-Meßeinrichtung nicht von dem Meßpunkt lösbar ist, und die Faktor-Meßeinrichtung mittels Verkabelung mit der Signalwandlereinheit verbindbar und von dieser lösbar ist.
    18. Verwaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, die umfaßt: Betriebskostenmeßmittel zum Messen von Meßgrößen, welche in bezug zu Betriebskosten der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter stehen; und Mittel zum Durchführen von Berechnungen, die Meßergebnisse von den Betriebkostenmeßmitteln und einen Kostenumwandlungsfaktor verwenden, der aus numerischen Werten berechnet wird, welche den Meßgrößen entsprechen, und zum Erhalten von normierten Kosten der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter als eine Gesamtsumme der Berechnungsergebnisse, wobei
    die Verwaltungsvorrichtung die normierten Betriebskosten der Herstellungsvorrichtimg für Halbleiter auf der Anzeigevorrichtung anzeigt.
    19. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei
    die Betriebskostenmeßmittel die Meßmittel verwenden, welche verwendet werden, wenn die entwichene Wärmemenge und der normierte Energieverbrauch der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter ermittelt werden; und
    die Meßergebnisse der Betriebskostenmeßmittel den Energieverbrauch der elektrischen Anlage umfassen sowie eine Energiemenge, die bei der Herstellung oder Verarbeitung der Verbrauchsflüssigkeit verbraucht wird, und wobei
    der Kostenumwandlungsfaktor, welcher dem Energieverbrauch entspricht, die Energieverbrauchseinheitskosten darstellt.
    20. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter eine Anlage umfaßt, die in dem Gehäuse enthalten ist, welches sich innerhalb des Reinraums befindet, wobei der Entlüftungsweg den Innenraum des Gehäuses entlüftet und diese Abluft aus dem Reinraums entfernt, und wobei in dem Entlüftungspfad ein Entlüftungsventilator vorgesehen ist,
    wobei die Betriebskostenmeßmittel Mittel zum Messen des Abgasstromes des Entlüftungssystems sind, der Kostenumwandlungsfaktor, der dem Abluftgasstrom entspricht, eine Kosteneinheit des Luftstromes sowie eine Kosteneinheit des Entlüftungsventilators darstellt, welcher den Luftstromes an den relevanten Systemanlagen entlüftet, die eine Außenluftverarbeitungseinheit einschließen, wenn Außenluft über die Außenluftverarbeitungseinheit in den Reinraum geführt wird.
    21. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter eine Anlage aufweist, die von dem Kühlfmid gekühlt wird, das entlang eines Strömungswegs fließt, und die Betriebskosten Kühlkosten umfassen, die sich aus Berechnungen ergeben, in die eine Wärmemenge, welche von der Anlage in das Kühlwasser entweicht, sowie die Einheitskosten zum Kühlen des Kühlwassers einbezogen werden.
    -&oacgr;-.&iacgr;.
    CfE:/£> &idigr; 2 96 3 59 Tl
    22. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter eine Anlage umfaßt, die sich innerhalb des Gehäuses befindet, das in dem Reinraum vorgesehen ist, sowie ein Entlüftungssystem, welches das Innere des Gehäuses entleert und die Wärme innerhalb des Gehäuses kühlt,
    und die Betriebskosten Kühlkosten umfassen, die sich aus Berechnungen ergeben, in welche die an das Entlüftungssystem abgegebene Wärmemenge sowie die Einheitskosten für das Kühlen mit dem Entlüftungssystem einbezogen werden.
    23. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter eine Anlage umfaßt, die in dem Gehäuse enthalten ist, das innerhalb eines Reinraums vorgesehen ist, und die Betriebskosten Kühlkosten umfassen, die sich aus Berechnungen ergeben, welche auf der entwichenen Wärmemenge basieren, die aus der Anlage über das Innere des Gehäuses in den Reinraum entweichen, sowie auf den Einheitskosten eines Kühlsystems, das zirkulierende Luft in dem Reinraum kühlt.
    24. Verwaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 23, das umfaßt:
    Mittel zum Messen des Kohlendioxidausstoßes für das Messen von Meßgrößen, die sich auf den Kohlendioxidausstoß beziehen, welche für die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter umgewandelt werden; und
    Mittel zur Durchführung von Berechnungen, die auf Meßergebnissen der Mittel zur Messung des Kohlendioxidausstoßes sowie auf Umwandlungsfaktoren des Kohlendioxidausstoßes beruhen, die den Meßgrößen entsprechen, und zum Erhalten eines normierten Kohlendioxidausstoßpegels für die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter als eine Gesamtsumme der Ergebnisse der Berechnungen;
    Anzeigen des so erhaltenen normierten Kohlendioxidausstoßpegels der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter auf der Anzeigevorrichtung.
    25. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 24, wobei das Meßergebnis den Energieverbrauch der elektrischen Anlagen umfaßt, der gemessen wird, wenn der Energieverbrauch der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter auf einer normierten Basis erhalten wird, sowie einen Energiebetrag, der verbraucht wird, wenn ein Verbrauchsfluid hergestellt oder verarbeitet wird, und wobei
    der Umwandlungsfaktor des Kohlendioxidausstoßes zur Berechnung dieses Energiever-
    rff:f296359T1
    brauchs ein Rohöl-Umwandlungskoeffizient ist, der einen Kohlendioxidbetrag angibt, welcher erzeugt wird, wenn eine Einheit elektrischer Energie erzeugt wird.
    26. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 24, wobei die zur Halbleiterherstellung verwendete Vorrichtung umfaßt:
    eine Anlage, die in dem Gehäuse enthalten sind, welches sich in dem Reinraum befindet; und
    Mittel zum Erhalten des Energieverbrauchs, der von dem Reinraumkühlsystem verursacht wird, welcher einer Wärmemenge entspricht, die über das Innere des Gehäuses von der Anlage in den Reinraum abgegeben wird, und die erzeugte Menge Kohlendioxid umfaßt, die durch Multiplikation des Energieverbrauchs mit dem Rohöl-Umwandlungskoeffizienten in eine normierte Kohlendioxidmenge umgewandelt wurde, welche für die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter erzeugt wurde.
    27. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 26, die umfaßt:
    Temperaturmeßmittel zum Messen der Temperatur innerhalb des Gehäuses, Temperaturmeßmittel zum Messen der Temperatur außerhalb des Gehäuses sowie Mittel zum Ermitteln der Wärmemenge, die von innerhalb des Gehäuses nach außen entweicht, basierend auf den Temperaturen innerhalb und außerhalb des Gehäuses, sowie Mittel zum Einstellen einer Vielzahl von Meßpunkten, die von den Temperaturmeßmitteln gemessen werden, zum Betreiben der Vorrichtung zur Halbleiterherstellung unter einer Vielzahl von Bedingungen und zum Verfolgen des Temperaturzustands bei jedem Meßpunkt und ferner zum Aufbauen eines Zusammenhangs zwischen bestimmten Meßpunkten und anderen Meßpunkten und zum Erzeugen einer Kalibrationskurve, zum Schätzen von Messungen bei anderen Meßpunkten basierend auf der Messung bei bestimmten Meßpunkten sowie basierend auf der Kalibrationskurve, und zum Erhalten eines Energieverbrauchs, der von dem Kühlsystem verbraucht wurde, welcher der Wärmemenge entspricht, die in den Reinraum entwichen ist, indem die geschätzten Temperaturwerte verwendet werden.
    28. Verwaltungsvorrichtung nach Anspruch 24, die umfaßt:
    Brennstoffgas-Verbrauchsmeßvorrichtung zum Messen einer Brennstoffgasmenge, die bei dem Verbrennen von Abgasen verbraucht wird, die aus der Herstellungsvorrichtung für
    -s-.:....· jyEj,£j> V 2963 59 Tl
    Halbleiter entweichen;
    Mittel zum Messen des Kohlendioxidausstoßes, um die Messungen mit einer normierten Kohlendioxidmenge zu multiplizieren, die bei der Verbrennung von Brennstoffgas erzeugt wird, und um eine erzeugte Kohlendioxidmenge zu erhalten; und Mittel zum Einbeziehen des Kohlendioxidausstoßes, welcher von den Mitteln zum Messen des Kohlendioxidausstoßes erhalten wurde, in die normierte Menge des Kohlendioxides, die für die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter erzeugt wurde.
    29. Verwaltungsverfahren einer Herstellungsvorrichtung für Halbleiter, das die Schritte umfaßt:
    Messen des Energieverbrauchs einer elektrischen Anlage, die in der Vorrichtung zur Halbleiterherstellung verwendet wird;
    Messen einer Fluidmenge, die ein Verbrauchsmittel ist, das hergestellt oder verarbeitet wird, und, basierend auf dem gemessenen Wert, Erhalten einer Energiemenge, die verbraucht wird, wenn das Fluid hergestellt oder verarbeitet wird; Addieren des Energieverbrauchs der elektrischen Anlage und der Energiemenge, die verbraucht wird, wenn das Fluid hergestellt oder verarbeitet wird, basierend auf dem gemessenen Wert und Erhalten eines normierten Energieverbrauchs für die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter;
    Messen von Faktoren, die benötigt werden, um eine Wärmemenge zu erhalten, welche von der Anlage entweicht, die in der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter verwendet wird, und Erhalten einer normierten entwichenen Wärmemenge, basierend auf den Messungen für die Vorrichtung zur Halbleiterherstellung; und Anzeigen des Energieverbrauchs sowie der entwichenen normierten Wärmemenge für die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter.
    30. Verwaltungsverfahren einer Herstellungsvorrichtung für Halbleiter nach Anspruch 29, wobei:
    die Vorrichtung zur Halbleiterherstellung eine Anlage umfaßt, die sich innerhalb eines Gehäuses befindet, welches innerhalb eines Reinraums vorgesehen ist, sowie einen Auslaßweg zum Entleeren eines Innenraums des Gehäuses und zum Entfernen von Wärme von dem Inneren des Gehäuses nach außerhalb des Reinraums, und eine Anlage, die von einem Kühlfluid gekühlt werden, welches entlang eines Strömungswegs fließt; und
    /&Eacgr;&Ggr;&Ggr;2963 59&Tgr;1
    die entwichene Wärmemenge eine Wärmemenge umfaßt, die über das Innere des Gehäuses von der in dem Gehäuse enthaltenen Anlage in den Reinraum abgegeben wird, sowie eine Wärmemenge, die mittels eines Gases, das über den Auslaßweg abgegeben wird, entfernt wird, und eine Wärmemenge, die durch das Kühlfluid entfernt wird.
    31. Verwaltungsverfahren nach Anspruch 29, das die Schritte umfaßt:
    Messen einer Meßgröße, die mit Betriebskosten der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter verbunden ist, Durchführen von Berechnungen mit diesen Meßergebnissen und mit einem Kostenumwandlungsfaktor, der aus numerischen Werten berechnet wird, die den Meßgrößen entsprechen, Erhalten von einheitenbezogenen Kosten der Vorrichtung, die zur Halbleiterherstellung verwendet wird, als Gesamtsumme der Ergebnisse der Berechnungen, und Anzeigen der Kosten auf einer Anzeigevorrichtung.
    32. Verwaltungsverfahren nach einem der Ansprüche 29 bis 31, das die Schritte umfaßt: Messen von Meßgrößen, die mit einem umgewandelten Kohlendioxid-Emissionsniveau verknüpft sind, das sich auf die Herstellungsvorrichtung für Halbleiter bezieht; Durchfuhren von Berechnungen mit den Meßergebnissen, die in dem vorangegangen Schritt erhalten wurden, sowie mit einem Umwandlungsfaktor des Kohlendioxidemissionsniveaus, der diesen Meßgrößen entspricht, und Erhalten eines normierten Kohlendioxidausstoßniveaus der Herstellungsvorrichtung für Halbleiter, als Gesamtsumme der Ergebnisse der Berechnungen; und
    Anzeigen der in dem vorangegangenen Schritt erhaltenen Ergebnisse auf der Anzeigevorrichtung.
DE1296359T 2000-05-24 2001-05-23 Verfahren und vorrichtung zur verwaltung einer halbleiter-herstellungsvorrichtung Pending DE1296359T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000153152A JP2001332463A (ja) 2000-05-24 2000-05-24 半導体製造に用いられる装置の管理装置及びその管理方法
PCT/JP2001/004318 WO2001091165A1 (fr) 2000-05-24 2001-05-23 Dispositif et procede permettant de gerer un dispositif de production de semiconducteurs

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1296359T1 true DE1296359T1 (de) 2003-09-18

Family

ID=18658471

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60143163T Expired - Lifetime DE60143163D1 (de) 2000-05-24 2001-05-23 Verfahren und vorrichtung zum steuern einer halbleiter-herstellungsvorrichtung
DE1296359T Pending DE1296359T1 (de) 2000-05-24 2001-05-23 Verfahren und vorrichtung zur verwaltung einer halbleiter-herstellungsvorrichtung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60143163T Expired - Lifetime DE60143163D1 (de) 2000-05-24 2001-05-23 Verfahren und vorrichtung zum steuern einer halbleiter-herstellungsvorrichtung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7212977B2 (de)
EP (1) EP1296359B1 (de)
JP (1) JP2001332463A (de)
KR (1) KR100589089B1 (de)
DE (2) DE60143163D1 (de)
TW (1) TWI249181B (de)
WO (1) WO2001091165A1 (de)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332463A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Tokyo Electron Ltd 半導体製造に用いられる装置の管理装置及びその管理方法
US20040073524A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Smith Wade W. Water metering system
KR100822076B1 (ko) 2003-03-07 2008-04-14 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치 및 온도 조절 장치
JP2005135092A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Daikin Ind Ltd 設備機器の推定コスト計算プログラムおよび推定コスト計算装置
JP5165185B2 (ja) * 2005-02-15 2013-03-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システムおよび基板処理装置
JP4753172B2 (ja) * 2005-02-18 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 複数の電力使用系の動作制御装置、動作制御方法及び記憶媒体
US8014887B2 (en) 2006-03-22 2011-09-06 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
KR100790817B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 반도체 제조관리 시스템
JP2009010009A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4504400B2 (ja) * 2007-06-29 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 群管理システム、半導体製造装置、情報処理方法、およびプログラム
US7734441B2 (en) * 2008-09-30 2010-06-08 Mohsen Taravat Method and device for measuring and controlling the amount of flow/volume of liquid pumped/transferred by an electro-pump
JP5355147B2 (ja) * 2009-02-27 2013-11-27 株式会社東芝 排出係数算定器および排出係数算定方法
US8832472B2 (en) 2009-07-31 2014-09-09 Nec Display Solutions, Ltd. Electronic device and control method for the same that allows an operation that reduces the amount of a greenhouse gas emission to be selectable in its operation stage
US8791938B2 (en) * 2009-09-03 2014-07-29 Nec Display Solutions, Ltd. Electronic device and control method for the same
US9740184B2 (en) * 2009-11-16 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Controls interface solution for energy savings
US9075408B2 (en) * 2009-11-16 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Energy savings and global gas emissions monitoring and display
US8634949B2 (en) * 2010-05-20 2014-01-21 International Business Machines Corporation Manufacturing management using tool operating data
RU2449340C1 (ru) * 2011-03-29 2012-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "АРГО-ЦЕНТР" Система автоматического селективного регулирования теплопотребления
TWI534341B (zh) * 2011-09-26 2016-05-21 Hitachi Int Electric Inc A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium
JP5992994B2 (ja) * 2012-03-09 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の消費エネルギー監視システム及び基板処理装置の消費エネルギー監視方法
KR101358805B1 (ko) * 2012-08-22 2014-02-07 에이피시스템 주식회사 냉각수 처리 장치, 방법 및 이를 적용한 기판 처리 장치
US9207270B2 (en) * 2012-08-31 2015-12-08 Elwha Llc Method and apparatus for measuring negawatt usage of an appliance
JP6262137B2 (ja) * 2012-09-26 2018-01-17 株式会社日立国際電気 統合管理システム、管理装置、基板処理装置の情報表示方法及びプログラム
WO2018037253A1 (en) * 2016-08-24 2018-03-01 Fuchs Petrolub Se Test apparatus and method for testing dust suppression systems
WO2018198707A1 (ja) * 2017-04-25 2018-11-01 株式会社 荏原製作所 基板処理方法および基板処理装置の運転方法
CN107445136B (zh) * 2017-07-05 2019-04-19 中北大学 基于气相tmah的硅刻蚀系统
KR102051289B1 (ko) * 2018-01-25 2019-12-03 윤석래 자동화 설비 유틸리티 효율 모니터링 시스템
JP7133389B2 (ja) * 2018-08-16 2022-09-08 大成建設株式会社 装置発熱量算出方法
JP2022139883A (ja) * 2021-03-12 2022-09-26 東京エレクトロン株式会社 集計方法及び処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
HU168832B (de) * 1974-06-26 1976-07-28
JPH03263541A (ja) * 1990-03-13 1991-11-25 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd 空気清浄室
US5058491A (en) * 1990-08-27 1991-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Building and method for manufacture of integrated circuits
US5249120A (en) * 1991-01-14 1993-09-28 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Automated manufacturing costing system and method
JP3491002B2 (ja) * 1995-06-08 2004-01-26 東京エレクトロン株式会社 複数の電力使用系の動作制御方法及びその装置
JPH0991254A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Nec Corp 消費電力低減制御システム及びその方法
US5970476A (en) 1996-09-19 1999-10-19 Manufacturing Management Systems, Inc. Method and apparatus for industrial data acquisition and product costing
JP3586996B2 (ja) * 1996-10-09 2004-11-10 富士電機リテイルシステムズ株式会社 ショーケース冷却装置
US5801961A (en) * 1996-12-03 1998-09-01 Moore Epitaxial, Inc. Power management system for a semiconductor processing facility
JPH11184566A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Hitachi Ltd 電子装置の冷却制御方法
JP3827431B2 (ja) * 1998-01-20 2006-09-27 株式会社竹中工務店 クリーンルーム建物の施工方法
JPH11206488A (ja) 1998-01-27 1999-08-03 Sekisui House Ltd 組立式収納装置
JPH11296488A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Hitachi Ltd 電子機器
US6324527B1 (en) * 1998-09-22 2001-11-27 International Business Machines Corporation Methodology for distinguishing the cost of products in a multiple part number, multiple technology, fully or partially loaded semiconductor fabricator
JP2001111074A (ja) * 1999-08-03 2001-04-20 Fuji Xerox Co Ltd 半導体素子及び太陽電池
JP2001332463A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Tokyo Electron Ltd 半導体製造に用いられる装置の管理装置及びその管理方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001091165A1 (fr) 2001-11-29
JP2001332463A (ja) 2001-11-30
KR20030032957A (ko) 2003-04-26
US20030065471A1 (en) 2003-04-03
EP1296359A1 (de) 2003-03-26
EP1296359B1 (de) 2010-09-29
KR100589089B1 (ko) 2006-06-13
US7212977B2 (en) 2007-05-01
DE60143163D1 (de) 2010-11-11
TWI249181B (en) 2006-02-11
EP1296359A4 (de) 2005-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1296359T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur verwaltung einer halbleiter-herstellungsvorrichtung
JP6661426B2 (ja) プロセス診断装置、プロセス診断方法及びコンピュータプログラム
CN108416106A (zh) 基于多尺度主元分析的给水泵故障检测方法
JPH02247599A (ja) 沸騰水型原子炉における炉心流量測定値の精度向上
DE102014013653A1 (de) Anordnung und Verfahren zum Kühlen flüssigkeitsgekühlter Elektronik
CN113958516A (zh) 一种循环水泵循环水流量的测量方法及设备
CN114046903A (zh) 一种高压电缆缆芯的实时温度预测方法及系统
JP3922426B2 (ja) ガスタービンの性能診断方法
JP2003185690A (ja) 電力用変圧器
KR100752765B1 (ko) 복합화력 발전소의 운전제어가능 파라미터의 실시간영향산출 시스템 및 방법
CN108493991A (zh) 一种基于风电机组健康程度的风电机组功率分配计算方法
CN110215581A (zh) 呼吸支持设备硬件故障检测方法
DE2753485A1 (de) Vorrichtung zur bestimmung des wirkungsgrades eines heizapparats
CN112761936B (zh) 水泵系统能效分析方法和水泵控制系统
DE102012102735A1 (de) System und Verfahren zum Regeln der Temperatur eines Generators
CN114970311A (zh) 一种远端模块寿命预测模型的建立方法与寿命预测方法
Leusden et al. Performance benefits using Siemens advanced compressor cleaning system
Marincowitz Experimental investigation of the effects of windscreens on air-cooled condenser fan performance and dynamic blade loading
JP2018017704A (ja) 保全支援装置、及び保全支援用プログラム
DE466613C (de) Einrichtung zum Erkennen der guenstigsten Betriebsverhaeltnisse bzw. der Abweichungen von diesem Zustande bei technischen Einrichtungen
POMI Journal of Vocational Health Studies
JPS59211196A (ja) 検出器応答異常診断装置
RU2366059C1 (ru) Способ контроля и диагностики теплового состояния турбогенераторов
KR102577362B1 (ko) 수력발전기 효율 측정 장치 및 방법
CN116779128B (zh) 一种医疗设备全生命周期的智慧管理系统