DE1295655B

DE1295655B - Magnetischer assoziativer Halbfestwertspeicher

Info

Publication number: DE1295655B
Application number: DEST23983A
Authority: DE
Inventors: Dr-Ing Frank F; Tsui
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1965-06-15
Filing date: 1965-06-15
Publication date: 1969-05-22
Also published as: GB1142590A; US3474424A

Description

1 2

Die Erfindung betrifft einen magnetischen assozia- gestapelt. Durch die Löcher in den Karten werden betiven Halbfestwertspeicher, bei dem jedes Wort aus wickelte Ferritstäbe durchgesteckt, die dann durch einem veränderlichen Assoziationsteil mit m Bitstellen Ferritjoche zur Bildung geschlossener magnetischer und einem Datenteil mit η Bitstellen besteht und bei Flußwege ergänzt werden. Beim Aufruf werden die dem im Datenteil der Wert L oder 0 jeder Binärstelle 5 Wortschleifen in den Speicherkarten einzeln angedurch das Vorhandensein bzw. Fehlen einer induk- steuert und die Wicklungen auf den Ferritstäben tiven Kopplung zwischen einer ersten und einer zwei- geben die Lesesignale aus. Dieser magnetische HaIbten Wicklung dargestellt ist, wobei die erste Wicklung festwertspeicher weist keine diskreten Koppeldurch Metallstreifen auf einer stanzbaren Speicher- elemente pro Bit auf und ermöglicht durch Auswechkarte gebildet ist und aus einer Zusammenschaltung ίο sein der Karten einen Wechsel des Informationsvon je ein Loch umschließenden Ringleitungen und inhalts des Speichers. Die mühsame Platzänderung einer Rückleitung besteht, wovon die einzelnen Ring- einzelner Koppelelemente ist bei ihm also nicht leitungen bei Speicherung so gestanzt werden, daß der erforderlich.

dabei umformte, für eine Bitstelle aus einer unter- Auch ein assoziativer Festwertspeicher ist bekannt,

brochenen Ringleitung und der Rückleitung be- 15 Bei diesem sind die Koppelelemente Dioden und die stehende Schleifenteil entweder das der Bitstelle zu- Anordnung weist Einfachzeilen und Doppelspalten auf. gehörige Loch umfaßt oder an diesem vorbeigeführt An jedem sich so ergebenden Kreuzungspunkt für ein wird und wobei die zweite Wicklung eine auf einem Bit sind zwei Dioden aufgedampft. Je nachdem, ob durch das Loch durchgesteckten Ferritkern angeord- am betreffenden Kreuzungspunkt eine binäre Eins nete Zylinderspule ist, die die für die entsprechenden ao oder eine binäre Null gespeichert werden soll, wird Bits aller Worte gemeinsame Leseleitung darstellt und eine Verbindung zu einer der beiden Dioden unterbei dem im Datenteil die Schleifenteile (Ringleitun- brachen. Dieser assoziative Festwertspeicher arbeitet gen und Rückleitungen) aller Bits hintereinander- grundsätzlich genauso wie oben im Zusammenhang geschaltet eine Leitungsschleife bilden. mit dem elektronisch änderbaren assoziativen Spei-

Unter einem Halbfestwertspeicher wird hierbei ein 25 eher beschrieben. Er läßt sich bei Ausbildung der Speicher verstanden, bei dem eine Änderung der In- Dioden als auswechselbare Bauteile ohne weiteres formation durch einfache mechanische Maßnahmen auch als Halbfestwertspeicher betreiben. Dieser (z. B. Platzänderung von Koppelelementen) vor- Speicher hat den Nachteil, daß im Betrieb durch gesehen ist, während eine solche Änderung beim Überlastung Dioden defekt werden können. Auch Festwertspeicher nicht vorgesehen ist. 30 bedürfte es zur Änderung des Informationsinhalts der

Assoziative, elektronisch in der Information ander- Platzänderung einzelner Koppelelemente. Der Diodenbare Speicher mit magnetischen oder Kryotron-Ele- ersatz bzw. die Platzänderung erfordern einen unmenten sind bekannt. erwünschten Arbeitsaufwand.

Unter den assoziativen Speichern sind bereits Die Erfindung geht von diesem bekannten Spei-

solche bekanntgeworden, bei denen die gespeicherten 35 chertyp aus und vermeidet dessen Nachteile durch die Worte aus einem Assoziationsteil und einem Daten- Verwendung einer anderen Kopplung, wobei das teil bestehen. Bei der Abfrage des Speichers werden Konstruktionsprinzip des bekannten, oben beschriedie Bitstellen im Assoziationsteil mit den entsprechen- benen magnetischen Halbfestwertspeichers so verden Bits des Abfrage-Kriteriums verglichen. Stimmt ändert wird, daß hierdurch der Aufbau eines assoder Assoziationsteil eines Wortes mit dem Abfrage- 40 ziativen magnetischen Halbfestwertspeichers ermög-Kriterium überein, dann kann der Datenteil dieses licht wird. Es wird somit durch die Erfindung ein im Wortes ausgelesen oder überschrieben werden. Im Betrieb einfacher zu handhabender und betriebs-Gegensatz zum konventionellen Speicher sind also sicherer assoziativer Halbfestwertspeicher geschaffen, die Speicherzellen im assoziativen Speicher auf Grund bei dem überhaupt keine diskreten Koppelelemente der in ihnen gespeicherten Informationen ohne Zu- 45 pro Bit vorhanden sind, der somit den Vorteil des hilfenahme einer expliziten Adressenzuordnung zu- einfachen Auswechselns des Informationsinhalts aufgänglich, weist. Seine Herstellung ist überdies auf einfache

Magnetische Halbfestwertspeicher sind ebenfalls Weise zu bewerkstelligen.

in mehreren Varianten bekannt. Bei einer bekannten Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der

Konstruktionform dienen als Speichermedium Kar- 50 Assoziationsteil aus zwei Teilschleifen auf zwei überten, die aus stanzbaren, mit Leitungszügen bedruck- einanderliegenden Folienschichten besteht, die ahnten Isolierstoff-Folien bestehen. Durch Stanzen wer- lieh wie die Folienschichten des Datenteils aufgebaut den die Leitungszüge in Wortschleifen umgeformt, sind, und daß die beiden Teilschleifen so geführt und die an den Bitstellen dann entweder das Loch, das diese so zusammengeschaltet sind, daß der sich nach für einen später durchzusteckenden Ferritstab vor- 55 dem Stanzen ergebende Schleifenteil in der einen gesehen ist, einschließen (für L) oder am Loch vor- Ebene bei der Speicherung einer L und in der andebeigehen (für 0). Für jede zu speichernde Binärziffer ren Ebene bei der Speicherung einer 0 das Loch umist eine Ringleitung um das Loch vorgesehen. Die ein- schließt und im umgekehrten Fall an diesem vorbeizelnen Ringleitungen, die zu einem Wort gehören, geht, die Gesamtschleife an den einzelnen Bitstellen sind hintereinandergeschaltet und bilden zusammen 60 bei der Speicherung einer L in dem einen Sinne und mit einer Rückleitung eine Wortschleife, durch die bei der Speicherung einer 0 in dem entgegengesetzten beim Ansteuern des betreffenden Wortes ein Strom Sinne mit der Zylinderspule gekoppelt ist, und daß geschickt wird. Beim Stanzen wird wahlweise die eine die Zylinderspulen im Assoziationsteil als Aufrufoder die andere Hälfte der Ringleitung unterbrochen, wicklungen dienen, die die Assoziationsschleifen so daß an der betreffenden Bitstelle die Wortschleife 65 sämtlicher Worte im Speicher durchsetzen und die mit dem durch das Loch durchgesteckten Ferritstab einzeln zur Abfrage der Bitstellen mit einer binären L dann entweder gekoppelt oder nicht gekoppelt ist. mit Impulsen der einen Polarität und zur Abfrage mit Nach dem Stanzen werden die Karten zusammen- einer binären 0 mit Impulsen der entgegengesetzten

Polarität angesteuert werden, und daß die Schleifen des Assoziationsteils und des Datenteils über ein nichtlineares Element mit einem bestimmten Schwellwert in Reihe zusammengeschaltet sind.

Eine besonders raumsparende Ausführungsform für den Halbfestwertspeicher ergibt sich, wenn man die nebeneinanderliegenden Ringe nicht jeweils auf die gegenüberliegenden Seiten durch eine Leitung verbindet, sondern jeweils auf der gleichen Seite. In und 5. Diese werden zur Informationsspeicherung so gestanzt, daß zur Markierung einer L z.B. der Ring auf der linken Seite und zur Markierung einer 0 der Ring auf der rechten Seite unterbrochen wird. Durch diese Art der Stanzung wird bei dem oberen Leitungszug erreicht, daß der durchgesteckte Ferritstab bei einer L vollständig von der Leitungsschleife umfaßt wird, die aus dem rechten Teil des Ringes, der Verbindungsleitung zum links liegenden nächsten

diesem Fall muß allerdings die Definition, d. h. die io Ring und der Rückleitung besteht, während bei einer Stanzregel, für die Speicherung von L und 0, von gestanzten 0 der Ferritstab nicht von ihr umfaßt wird. Ring zu Ring in der Schleife abwechselnd umgekehrt Bei dem unteren Leitungszug 3 b dagegen ist die Zufestgelegt werden. Ordnung von L und 0 umgekehrt. Dort liegt nämlich In Weiterbildung der Erfindung kann der assozia- bei einer gespeicherten L der durchgesteckte Ferrittive Halbfestwertspeicher auch für bilateralen Betrieb 15 stab außerhalb der nach dem Stanzen aus 3 b entstanaufgebaut werden. In diesem Fall muß die im obigen
als Datenteil bezeichnete Seite genau wie der Assoziationsteil für alle Worte doppelschichtig ausgeführt
werden, und für beide Gruppen muß je ein Satz von

denen Leitungsschleife und bei einer gespeicherten 0 innerhalb dieser Schleife. Die Zuordnung für den Datenteil 11 ist gleich wie bei dem oberen Leitungszug des Assoziationsteils 10. Aus der F i g. 3 ist auch

Aufruf- und Lese-Elektronik mit geeigneter Steue- 20 ersichtlich, daß der Leitungszug des Datenteils und

rung vorgesehen werden.

Die Erfindung wird nun an Hand der Figuren beispielsweise näher erläutert. Es zeigt F i g. 1 eine Karte des Speichers im Schnitt,

F i g. 2 eine Draufsicht auf die Karte nach F i g. 1, die insbesondere die Verdrahtung zeigt. Der Leitungszug auf der unteren Schicht ist gestrichelt gezeichnet,

Fig. 3 die Verdrahtung eines vollständigen Wortes, bei der der Assoziationsteil und der Datenteil bereits gestanzt sind,

F i g. 4 schematisch den magnetischen assoziativen Halbfestwertspeicher mit Aufruf- und Lesewicklungen und der vollständigen Stromschleife für ein Wort,

F i g. 5 die raumsparende Art der Verbindung der einzelnen Ringleitungen untereinander,

F i g. 6 die Versetzung der Metallstreifen in benachbarten Folienschichten zur Verringerung von Streukapazitäten,

F i g. 7 die Verwendung von mehreren Doppeldie Leitungszüge auf der oberen und der unteren Isolierschicht im Assoziationsteil hintereinandergeschaltet sind und so eine einzige Leitungsschleife bilden.

In der Fig. 4 ist ein vollständiger assoziativer Halbfestwertspeicher schematisch dargestellt. Zur besseren Erläuterung wird in F i g. 4 nur eine einzige Wortschleife 9 b gezeigt, bestehend aus einer oberen . _ Schleife 2 b und einer unteren 3 b. Der Assoziationsteil 10 enthält wie in den vorhergehenden Figuren fünf Bits und der Datenteil 11 vier Bits. Die durch die Löcher im Assoziationsteil 10 hindurchgesteckten Ferritstäbe 7 tragen je eine Abfragewicklung 12. Diese ist einseitig geerdet, und an ihren Anschlußklemmen 13 können Impulse der einen oder anderen Polarität zum Abfragen zugeführt werden. Die durch die Löcher im Informationsteil 11 hindurchgesteckten Stäbe tragen die Lesewicklungen 14, an deren Anschlußklemmen 15 Leseverstärker angeschlossen wer-

schichten, die so zusammengeschaltet sind, daß sich 40 den. Die Anschlüsse 18 der Wortschleifen 9 & führen

Schleifen mit mehreren Windungen ergeben. über eine Diode 19 zu einer Vergleichsspannung 20.

Die in den F i g. 1 und 2 im Schnitt und in der Alle anderen Wortschleifen sind ebenfalls über

Draufsicht gezeigte Anordnung dient zur Speicherung Dioden an die Vergleichsspannung 20 angeschlossen,

von zwei Wörtern (9 a und 9 b). Die beiden Wörter Beim Abfragen des Speichers werden Stromimpulse

liegen nebeneinander (F i g. 2). Die Anordnung be- 45 auf sämtliche Abfragewicklungen 12 gegeben, je nach steht aus einem ersten gedruckten Leitungszug 2 auf
einer ersten Isolierschicht 4 und einem zweiten gedruckten Leitungszug 3 auf einer zweiten Isolier-

dem Binärwert der Abfrageinformation an der Bitstelle mit der einen oder der anderen Polarität. Ein Abfrageimpuls ruft in jedem Schleifenteil an jeder Bitstelle im Assoziationsteil der Wortschleifen eine

Stellen Löcher 6. Durch die Löcher werden Ferrit- 50 Impulsspannung U hervor, deren Polarität von der stäbe 7 gesteckt und paarweise (7a und Tb) (Flg. 4) Polarität der Abfragespannung und von der Stanzung an beiden Enden je mittels eines Joches 8 mitein-

schicht 5. Die beiden Schichten haben an den gleichen

ander verbunden. Der untere gedruckte Leitungszug ist in der Fig. 2 gestrichelt gezeichnet. Die zum Wort 9 a gehörigen Leitungszüge auf der oberen und unteren Isolierschicht werden mit 2 a bzw. 3 a und entsprechend die zum Wort 9 b gehörigen mit 2 b bzw. 3 b bezeichnet. Jedes Wort enthält einen Assoziationsteil 10 und einen Datenteil 11. Die Anordnung für ein Wort ist jeweils im Assoziationsteil zweischichtig und im Datenteil einschichtig ausgeführt.

Aus der F i g. 3, worin die Leitungszüge in zwei übereinanderliegenden Schichten nun nebeneinander gezeigt werden, ist ersichtlich, wie die zu einem Wort gehörenden Leitungszüge zusammengeschaltet und gestanzt sind. Die Metallschleife, die der Speicherung des Assoziationsteils 10 dient, besteht aus gedruckten Leitungszügen 2 b und 3 b auf zwei Folienschichten 4 der Bitstelle abhängt. Für eine einzelne Bitstelle ergibt sich der in Tabelle 1 angeführte Zusammenhang zwischen Abfrageimpuls und Stanzung.

Tabelle 1

Abfrage mit
Binärwert = Impuls

L = + U₀ L = +U₀

0= -U_n

Ringleitung,
gestanzt für

L
0
L

Induzierte Spannung in der Wortschleife

+ U -U -U

+ U

Es wird hier noch einmal erwähnt, daß die Stanzung im oberen Teil des Assoziationsteils so gewählt ist, daß von einer binären 0 kein Signal herrührt, und

im unteren Teil so, daß von der binären L kein Signal herrührt bzw. umgekehrt.

In der Fig. 4 ist der Fall dargestellt, bei dem die Abfrageinformation und die im Assoziationsteil gespeicherte Information übereinstimmt, wobei es sich in beiden Fällen um LLOQL handelt. Aus der F i g. 4 ist ersichtlich, daß sich die im oberen und im unteren Teil des Assoziationsteils induzierten Spannungen addieren_\uKL.daß₌ sich eine Gesamtspannung m · U ergibt. "~

Je nach dem Grad der Übereinstimmung zwischen Abfrageimpuls und gespeicherten Bits ergeben sich bei einer parallelen Abfrage des Speichers auf den Wortschleifen folgende Spannungen:

-ro · U, -Qn-2) U, -(m-4) U,... *⁵

+(m-4)U, + (m-2) · ETbzw. +m-ü.

Die letzte +m-U entsteht, wie oben gezeigt, nur einmal, und zwar nur in der Wortschleife, deren ao Assoziationsteil eine völlige Übereinstimmung mit der Abfrageinformation hat. Die Sperrspannung 20, die gegensinnig in Reihe mit den induzierten Spannungen in den Wortschleifen geschaltet ist, wird zu (m—2) · U—U_d festgelegt, wobei TJ_d der Anfangswert der Durchlaßspannung der Diode 19 ist. Bildet man die Summe der oben angegebenen Spannungen und der Sperrspannung, dann ergibt sich für die möglichen in den Wortschleifen auftretenden Spannungen: (-2m+2)U+U_d-2mU+ü_d, ... 217+Ek ü_d bzw. +2Ü+U_d. Der letzte Spannungswert2U+U_d tritt bei der vollständigen Übereinstimmung, d. h., wenn die Spannung +m · U induziert wird, auf, und es kann nur in der Wortschleife, in der diese Spannung induziert wird, ein Impulsstrom über die Diode fließen. Sobald dieser Strom fließt, werden in den Lesewicklungen 14 entsprechend den im Datenteil gespeicherten Binärwerten Ausgangsspannungen induziert.

Die Wirkungsweise des assoziativen Halbfestwert-Speichers läßt sich kurz zusammengefaßt wie folgt erläutern: Die Stanzung der Binärwerte in den beiden Ebenen des Assoziationsteils und die Gegenspannung 20 sind so aufeinander abgestimmt, daß nur in derjenigen Wortschleife, die eine volle Übereinstimmung mit den angebotenen Äbfrage-Binärwerten aufweist, ein Strom fließen kann, durch den die im Datenteil gespeicherte Information ausgegeben wird. Der Spannungsabstand zwischen dem genau übereinstimmenden Assoziationsteil und einem nur an einer Bitstelle nichtübereinstimmenden Assoziationsteil beträgt 2 U. . Fig. 5 zeigt eine Abwandlung der Leitungsführung nach den Fig. 2 und 3. Bei diesen Figuren ist die Verbindungsleitung zwischen den einzelnen ringförmigen Leitungen jeweils vom Hochpunkt der ersten (linken) ringförmigen Leitung zum Tiefpunkt der zweiten (rechten) ringförmigen Leitung geführt. Diese Verbindungsweise erfordert verhältnismäßig viel Platz, so daß es nicht möglich ist,- die einzelnen ringförmigen Leitungen dicht nebeneinander anzuordnen. Bei der Anordnung nach der F i g. 5 entfällt diese zwischen den beiden ringförmigen Leitungen verlaufende Verbindungsleitung. Stattdessen sind jeweils nebeneinanderliegende ringförmige Leitungen an ihren Hochpunkten bzw. Tiefpunkten miteinander verbunden. Durch diese Anordnung wird es möglich, die ringförmigen Leitungen unmittelbar nebeneinander anzuordnen. Allerdings ergibt sich hierbei eine andere Stanzregel zur Speicherung der L bzw. 0. Bei den F i g. 2 und 3 wird der linke Teil der ringförmigen Leitung unterbrochen, wenn eine L gestanzt werden soll,, und der rechte Teil der ringförmigen Leitung, wenn eine 0 gestanzt werden soll. Die Reihenfolge in der Bedeutung der z. B. linken Stanzstellen ist also von links nach rechts gesehen LLLL .. ., der rechten Stellen entsprechend 0000, so daß insgesamt gesehen, die Bedeutung der Stanzstellen durch die Folge LOLOL ... wiedergegeben wird.

Bei der Anordnung nach Fig. 5 dagegen ist die Bedeutung der z. B..linken Stanzstellen in· jeder ringförmigen Leitung gegenüber ihren benachbarten vertauscht, d. h., die Reihenfolge ist nun L0L0L usw. Da für die rechten Stanzstellen entsprechend die Reihenfolge OLOLOL... gilt, ist, insgesamt gesehen, die Bedeutung der Stanzstellen durch die Reihenfolge LOOLLOOLLO... charakterisiert. Die Stanzstellen sind in der F i g. 5 mit 21 bezeichnet.

Fig. 6 zeigt, wie die Leitungszüge auf übereinanderliegenden Folienschichten zur Verminderung ihrer gegenseitigen streukapazitiven Störung gegeneinander versetzt angeordnet werden können. Selbstverständlich dürfen die untenliegenden Schichten nur so weit versetzt werden, daß die ringförmigen Leitungen 22, 23 und 24 noch nicht innerhalb des Loches 6 liegen.

Fig. 7 zeigt schließlich, wie mehrere Doppelschichten verwendet und zusammengeschaltet werden können, um eine Schleife mit mehr als einer Windung zu bilden. Die obere Doppelschicht ist mit 25 und die untere Doppelschicht mit 26 bezeichnet.

Der magnetische assoziative Halbfestwertspeicher kann auch für bilaterale Betriebsweise aufgebaut werden, so daß beide Teile wahlweise die eine oder die andere Funktion übernehmen können. In diesem Fall muß die Wortschleife an sämtliche Bitstellen doppelschichtig ausgeführt werden und die Wicklungen auf den Ferritstäben sollen sowohl dem Abfragen als auch dem Auslesen dienen, d. h., die Wicklungen müssen je mit einem Abfragestromimpulsgeber und mit einem Leseverstärker versehen werden.

Claims

Patentansprüche:

1. Magnetischer assoziativer Halbfestwertspeicher, bei dem jedes Wort aus einem veränderlichen Assoziationsteil mit m Bitstellen und einem Datenteil mit η Bitstellen besteht und bei dem im Datenteil der Wert L oder 0 jeder Binärstelle durch das Vorhandensein bzw. Fehlen einer induktiven Kopplung zwischen einer ersten und einer zweiten Wicklung dargestellt ist, wobei die erste Wicklung durch Metallstreifen auf einer stanzbaren Speicherkarte gebildet ist und aus einer Zusammenschaltung von je ein Loch umschließenden Ringleitungen und einer Rückleitung besteht, wovon die einzelnen Ringleitungen bei Speicherung so gestanzt werden, daß der dabei umformte, für eine Bitstelle aus einer unterbrochenen Ringleitung und der Rückleitung bestehende Schleifenteil entweder das der Bitstelle zugehörige Loch umfaßt oder an diesem vorbeigeführt wird, und wobei die zweite Wicklung eine auf einem durch das Loch durchgesteckten Ferritkern angeordnete Zylinderspule ist, die die für die entsprechenden Bits aller Worte gemeinsame Leseleitung darstellt, und bei dem im Datenteil

die Schleifenteile (Ringleitungen und Rüekleitungen) aller Bits hintereinandergeschaltet eine Leitungsschleife bilden, dadurch gekennzeichnet, daß der Assoziationsteil aus zwei Teilschleifen auf zwei übereinanderliegenden Folienschichten besteht, die ähnlich wie die Folienschichten des Datenteils aufgebaut skid und daß die beiden Teilschleifen so geführt und diese so zusammengeschaltet sind, daß der sich nach dem Stanzen ergebende Schleifenteil in der einen ίο Ebene bei der Speicherung einer L und in der anderen Ebene bei der Speicherung einer 0 das Loch umschließt und im umgekehrten Fall an diesem vorbeigeht, die Gesamtschleife an den einzelnen Bitstellen bei der Speicherung einer L in dem einen Sinne und bei der Speicherung einer 0 in dem entgegengesetzten Sinne mit der Zylinderspule gekoppelt ist, und daß die Zylinderspulen im Assoziationsteil als Aufrufwicklungen dienen, die die Assoziationsschleifen sämtlicher Worte im Speieher durchsetzen und die einzeln zur Abfrage der Bitstelle mit einer binären L mit Impulsen der einen Polarität und zur Abfrage mit einer binären 0 mit Impulsen der entgegengesetzten Polarität angesteuert werden, und daß die Schleifen des Assoziationsteils und des Datenteils über ein nichtlineares Element mit einem bestimmten Schwellwert in Reihe zusammengeschaltet sind.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansprechspannung des nichtlinearen Elements durch eine Gegenspannung von der Größe (m—2)U—U_d (m=Anzahl der Bitstellen im Assoziationsteil, U = vom Abfrageimpuls in einem Schleifenteil induzierte Spannung, U_d — Anfangswert der Durchlaßspannung des nichtlinearen Elements) festgelegt wird.

3. Ausbildung des Speichers nach Ansprüchen 1 und 2 als assoziativer Halbfestwertspeicher für bilateralen Betrieb, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortschleife an sämtlichen Bitstellen doppelschichtig ausgeführt ist und daß die Wicklungen auf den Ferritstäben sowohl zum Abfragen als auch zum Auslesen dienen, d. h., daß sie je mit einer Abfragequelle und mit einem Leseverstärker versehen werden.

4. Speicher nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsleitung zwischen den nebeneinanderliegenden Ringleitungen in einer Wortschleife jeweils den Hochpunkt der einen und den Tiefpunkt der anderen Ringleitung zusammenschließt und daß die Bedeutung der Stanzstellen zum Markieren einer L bzw. einer 0 bei allen Ringleitungen gleich ist.

5. Speicher nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsleitung zwischen den nebeneinanderliegenden Ringleitungen in einer Wortschleife jeweils abwechselnd die Hochpunkte der ersten und der zweiten, die Tiefpunkte der zweiten und der dritten usw. zusammenschließt, und daß die Bedeutung der Stanzstellen zum Markieren einer L bzw. 0 in jeder Ringleitung gegenüber ihrer benachbarten Ringleitung vertauscht ist.

6. Speicher nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungszüge auf übereinanderliegenden Folienschichten zur Verminderung ihrer gegenseitigen Störungen durch Streukapazität gegeneinander versetzt sind.

7. Speicher nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung von Schleifen mit mehreren Windungen mehrere hintereinandergeschaltete Doppelschichten verwendet werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 909 521/472