DE1295310B - Aufdampfsteuerverfahren - Google Patents

Aufdampfsteuerverfahren

Info

Publication number
DE1295310B
DE1295310B DEF41923A DEF0041923A DE1295310B DE 1295310 B DE1295310 B DE 1295310B DE F41923 A DEF41923 A DE F41923A DE F0041923 A DEF0041923 A DE F0041923A DE 1295310 B DE1295310 B DE 1295310B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron
evaporation
voltage
vapor deposition
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEF41923A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Kazuo
Nakamura
Dipl-Ing Tadashi
Yamagishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of DE1295310B publication Critical patent/DE1295310B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/544Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/169Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy

Description

1 2
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren (3) Änderung der Anodenspannung zur Regelung zum Aufdampfen von Schichten konstanter Dicke der Elektronenstrahlenergie. mittels Elektronenstrahlen, bei dem die Energie des Da sich jedoch im Fall (1) die Elektronenbahn in Elektronenstrahls in Abhängigkeit von den Ände- Abhängigkeit von der Stromdichte des Elektronenrungen der Verdampfungsmenge geregelt wird. 5 Strahls ändert, unterliegen Brennweite und Größe des
Es ist geeignet, bei der Fertigung von Bauelementen Auftreffpunktes entsprechenden Änderungen. Außerwie Widerständen, Kondensatoren usw. oder beim dem geht die Kathodentemperaturveränderung mit Bedampfen von Schaltungsplatten mit leitendem, einer gewissen Trägheit vor sich, so daß die AnWiderstands- und/oder dielektrischem Material eine Sprechzeit verzögert wird.
vorbestimmte Materialmenge mit hinreichender Ge- io Im Fall (2) ändert sich die Elektronenbahn in Ab-
nauigkeit aufzudampfen. hängigkeit von der Spannung der Wehnelt-EIektrode
Die Verwendung eines Elektronenstrahls als und damit auch die Größe des Strahlauftreffpunktes.
Wärmequelle für die Aufdampfungsapparatur ist be- Im Fall (3) ergibt sich bei Anwendung einer elek-
kannt. Um jedoch nicht nur eine gleichbleibende tromagnetischen Fokussierungslinse das durch die
Güte, sondern auch die gewünschte Dicke der auf- 15 folgende Gleichung ausgedrückte Verhältnis zwischen
gedampften Schicht sicherzustellen, ist es erforder- Amperewindungszahl (Nf), Anodenspannung (Va)
lieh, die Verdampfungsmenge konstant zu halten und der Linse und Brennweite (f) der Linse:
den Aufdampfvorgang nach einer bestimmten Zeit- „
dauer abzubrechen. (iV7)2 = KVa ,
Beim Aufdampfen von Material mittels eines so /
Elektronenstrahls ist die Einhaltung einer bestimmten wobei r = Radius der Linsenöffnung,
Schichtdicke schwierig, da sich die Verdampfungs- K = PrOpOrtionalitätskonstante ist. menge in Abhängigkeit von Änderungen der Lage
und Größe des Elektronenstrahlauftreffpunktes, die Es geht daraus hervor, daß sich bei gleichbleiben-
wiederum durch den Temperaturanstieg in der Elek- 35 der Amperewindungszahl (NI) der Linse die Brenn-
tronenkanone und die Lageverschiebung der Elek- weite in Abhängigkeit von der Anodenspannung
troden hervorgerufen werden, ändert. ändert. Eine ähnliche Wirkung erzielt man bei Ver-
Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wendung einer statischen elektrischen Linse. Da sich
ist es jedoch verhältnismäßig leicht möglich, eine bei den drei obigen Methoden aus den erläuterten
Schicht gleichbleibender Dicke aufzudampfen. Im 30 Gründen der Strahlauftreffpunkt verändert, sind diese
Inneren der Aufdampfkammer befindet sich ein Gerät Methoden deshalb sehr ungeeignet, weil sie zu Quali-
zur Messung des Aufdampfdrucks. Die von diesem tätsschwankungen infolge von unterschiedlichen
Gerät erzeugten Signale werden nach außen geleitet. Eigenschaften der aufgedampften Schicht führen
Für die Messung des Aufdampfdrucks sind verschie- können. Die Gründe dafür liegen in Schwankungen
dene Verfahrensweisen, die im folgenden aufgeführt 35 in der Zusammensetzung und Unterschieden in der
sind, bekannt: Verteilung des Verdampfungsdrucks, die auftreten,
1. Messung des Ionenstroms durch Ionisierung wenn sich die Größe des Strahlauftreffpunktes — des verdampfenden Materials in regelmäßigen besonders beim Aufdampfen von Legierungen oder Zeitabständen; chemischen Verbindungen — ändert.
2. Verwendung eines Massenspektrographen oder 40 Es wird daher erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß eines Massenfilters; die Energie des Elektronenstrahls in Abhängigkeit
3. Erkennung und Messung von Veränderungen von der Verdampfungsmenge durch Anlegen einer der spezifischen Resonanz eines Quarzkristalls pulsierenden Spannung an das Gitter oder die in Abhängigkeit von der auf die Oberfläche eines Wehnelt-EIektrode der Elektronenkanone zur Regu-Quarzgeneratorkristalls aufgedampften Masse; 45 lierung der Verdampfung in einem mit einem oder
4. Messung der Temperatur des durchscheinenden mehreren Elektronenstrahlen arbeitenden Verdamp-Lichtes, wobei der Niederschlag auf einem fungsgerät gesteuert wird.
durchscheinenden Kunststoff, z. B. einem Mylar- Aus der USA.-Patentschrift 3 071533 ist es beFilm, erfolgt; kannt, eine positive oder negative elektrische Span-
5. Verwendung eines mikroskopischen »micro- 50 nung an das Steuergitter anzulegen und den Elekbalancer«. Diese Methode betrifft die Umwand- tronenstrahlstrom durch die Änderung dieser Spanning der gemessenen Größe in eine elektrische nung zu steuern. Dieses bekannte Verfahren bewirkt Größe. Durch diese wird die Energie des Elek- durch die unvermeidbare Schwankung des an das tronenstrahls in Abhängigkeit von Verände- Steuergitter angelegten Potentials unerwünschte rungen des Dampfdrucks so geregelt, daß ein 55 Änderungen des Querschnitts des Elektronenstrahlenkonstanter Dampfdruck entsteht. bündeis.
Für die Regelung der Energie des Elektronen- Ein Beispiel für das erfindungsgemäße Verfahren
Strahls kommen die folgenden Methoden in Betracht: ist im folgenden dargestellt:
(1) Änderung der Temperatur der Elektronenquelle Beispiel 1 bezeichnet eine Methode zur Regu-(Kathode) zur Steuerung des Elektronenstrahl- 60 lierung der mittleren Energie des Elektronenstrahls Stroms, d. h. Verwendung der Elektronenkanone durch vorheriges Anlegen einer entsprechenden innerhalb des beschränkten Temperaturbereichs; negativen Spannung, d. h. einer Sperrspannung, an
(2) Anlegen einer positiven oder negativen Span- die Wehnelt-EIektrode und Änderung der Frequenz nung an die Wehnelt-EIektrode (strahlformende der positiven Spannungsimpulse, deren Amplitude Elektrode) oder das zwischen Kathode und 65 und Dauer konstant sind.
Anode liegende Gitter und Änderung der an- Beispiel 2 bezeichnet eine Methode zur Steue-
gelegten Spannung zur Steuerung des Elek- rung der Impulsdauer anstatt der Folgefrequenz tronenstrahlstroms; (s. Beispiel 1).
Beispiel 3 bezeichnet eine Methode zur Regulierung des Mittelwertes des Elektronenstrahls durch vorheriges Anlegen einer entsprechenden konstanten und positiven Vorspannung und Veränderung der Frequenz der negativen Impulse konstanter Amplitude und Dauer dergestalt, daß der Elektronenstrahlstrom gesperrt wird.
Beispiel 4 bezeichnet eine Methode zur Veränderung der Impulsdauer anstatt der Folgefrequenzen (s. Beispiel 3).
Bei den Methoden nach den Beispielen 1 und 2 steht der Elektonenstrahl nur so lange, wie die pulsierende Spannung an die Wehnelt-Elektrode angelegt bleibt, während bei den Methoden nach den Beispielen 3 und 4 der Elektronenstrahl während der Zeit, wo die pulsierende Spannung angelegt ist, unterbrochen bleibt. In jedem Fall bleibt, da beim Fließen des Elektronenstrahlstroms das Potential der Wehnelt-Elektrode konstant ist, die Größe des Strahlauftreffpunktes ebenfalls konstant, auch wenn sich die Energie des Elektronenstrahls ändert.
Im folgenden wird nun die Erfindung an Hand eines aus der Zeichnung ersichtlichen Anwendungsbeispiels erläutert.
Die Zeichnung stellt den Fall dar, daß als Quelle des Elektronenstrahls eine »pears«-Elektronenkanone dient. Ebenso könnte aber auch eine »tele-focus«, eine »gradient«, eine »troidal« oder irgendeine andere Elektronenkanone verwendet werden.
In der Zeichnung ist 1 ein Heizfaden zur Erzeugung des notwendigen Elektronenstromes zum Beschüß der Kathode 2. 3 ist eine elektronenstrahlformende Elektrode (Wehnelt-Elektrode), die im Prinzip eine ähnliche Funktion erfüllt wie das Gitter einer Triode. 4 stellt eine Anode dar, die normalerweise unmittelbar mit dem Verdampfer verbunden ist und an der das gleiche Potential liegt wie am Verdampfer, der geerdet ist. Im weiteren Verlauf erhält die Kathode ein gegenüber der Anode 4 oder dem Verdampfer negatives Potential. 5 ist die fokussierende elektromagnetische Linse. 6 ist die Ablenkspule für den Elektronenstrahl. 7 ist der Halter für die Trägerplatte. 7' ist eine Trägerplatte. 8 ist der Halter für die Aufdampfungsmaske. 8' ist die Aufdampfungsmaske. 9 ist das aufzudampfende Material. 18 ist der Aufdampfungsverschlußschieber.
10 ist der Aufdampfkontrollkopf zur Messung der Verdampfungsdichte, wie weiter oben erläutert. Das vom Kontrollkopf kommende elektrische Signal wird vom Verstärker 11 verstärkt und mit dem Signal des Bezugssignalgebers 12, durch das die Verdampfungsdichte auf dem gewünschten Wert gehalten wird, verglichen. Es gelangt dann zum Zweck der Steuerung des Impulsgebers, der die zur Steuerung der Elektronenstrahlenergie benötigten Amplituden-(Spannungs-)Impulse erzeugt, zum Impulsfrequenzwandler oder zum Impulsdauerwandler 13.
Die gesteuerten Impulse vom Impulsgeber 14 erreichen über einen Kopplungskondensator oder einen Kopplungsimpulsumformer die Wehnelt-Elektrode 3.
Dieses Anwendungsbeispiel, bei dem ein Köpplungskondensator Verwendung findet, betrifft einen Fall des erwähnten Beispiels 1, d. h., die Elektronenkanone wird durch das vorherige Anlegen der Vorspannungsquelle »BG« an die Wehnelt-Elektrode 3 im Sperrzustand gehalten. 15 ist ein sogenannter Programmierer, der den Bezugssignalgeber 14 auf einen gewünschten Wert einstellt und die Aufdampfungszeit festlegt. Er sperrt die Elektronenkanone sofort nach Erreichen der gewünschten Aufdampfschichtdicke und schließt den Aufdampfverschlußschieber 18 nach Bedarf. Bei diesem Anwendungsbeispiel wird die Elektronenkanone sofort gesperrt, wenn 14 keine Impulse mehr aussendet.
16 ist ein Heiztransformator. Die Beschußstromversorgung »ßC« wird zwischen dem Heizfaden 1 und der Kathode 2 (Elektronenquelle) angelegt. ίο Grundsätzlich wäre hier gar keine Kathode, sondern nur der Heizfaden erforderlich; in diesem Anwendungsbeispiel wurde jedoch eine Kathode verwendet, um einen guten Elektronenstrahl zu gewährleisten.
y>BA<n ist die Anodenstromversorgung, deren positive Seite (+) gewöhnlich geerdet und deren negative Seite (—) an die Kathode angeschlossen ist.
Der durch eine gestrichelte Linie eingerahmte Teil stellt die Verdampfungskammer 17 dar. Sie wird durch ein Unterdrucksystem hinreichend auf Unterao druck gehalten.
Die Kennwerte der in diesem Anwendungsbeispiel verwendeten Impulse lauten wie folgt:
Impulsdauer Folgefrequenzbereich
10 μβ
50 μβ
100 μβ
3ο 500 μβ
1 ms
100 Hz bis 75 kHz
100 Hz bis 15 kHz
100 Hz bis 75 kHz
1 Hz bis 15 kHz
1 Hz bis 750 Hz
Zur Steuerung des Elektronenstrahls sind Rechteckimpulse mit steilen Flanken zu verwenden. Impulsdauer und Folgefrequenz richten sich nach der Art des aufzudampfenden Materials und des verwendeten Steuersystems.
Wie weiter oben erläutert, ist es mit Hilfe dieser Erfindung möglich, durch eine verhältnismäßig einfache Steuerschaltung die Verdampfungsmenge sehr genau zu regulieren, d. h., die Ansprechzeit der Steuerschaltung ist kurz und kann genau eingehalten werden. Die aufzudampfende Schicht kann daher z. B. mit einer Genauigkeit von 1 % aufgebracht werden. Da die Energie des Elektronenstrahls ohne Größenänderung des Strahlauftreffpunktes reguliert werden kann, ist es möglich, Unregelmäßigkeiten während des Aufdampfvorgangs auf ein Mindestmaß zu beschränken.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Aufdampfen von Schichten konstanter Dicke mittels Elektronenstrahlen, bei dem die Energie des Elektronenstrahles in Abhängigkeit von den Änderungen der Verdampfungsmenge geregelt wird, dadurchgekennzeichnet, daß die Energie des Elektronenstrahls in Abhängigkeit von der Verdampfungsmenge durch Anlegen einer pulsierenden Span- nung an das Gitter oder die Wehnelt-Elektrode der Elektronenkanone zur Regulierung der Verdampfung in einem mit einem oder mehreren Elektronenstrahlen arbeitenden Verdampfungsgerät gesteuert wird.
2. Aufdampfungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsfolgefrequenz der pulsierenden Spannung zum Zwecke der Verdampfungsregelung verändert wird.
3. Aufdampfungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsdauer bzw. das Tastverhältnis der pulsierenden Spannung zum Zwecke der Verdampfungsregelung verändert wird.
4. Aufdampfungsverfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wehnelt-EIektrode bzw. das Gitter der Elektronenkanone eine solche Vorspannung erhält, daß kein Elektronenstrom fließt und durch Anlegen der pulsförmigen Regelspannung ein getasteter Elektronenstrom erzeugt wird.
5. Aufdampfungsverfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wehnelt-EIektrode oder das Gitter der Elektronenkanone eine solche Vorspannung erhält, daß ein Elektronenstrom fließt, der durch Anlegen der pulsförmigen Spannung getastet wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEF41923A 1963-02-05 1964-02-05 Aufdampfsteuerverfahren Pending DE1295310B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP543963 1963-02-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1295310B true DE1295310B (de) 1969-05-14

Family

ID=11611214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEF41923A Pending DE1295310B (de) 1963-02-05 1964-02-05 Aufdampfsteuerverfahren

Country Status (2)

Country Link
US (1) US3347701A (de)
DE (1) DE1295310B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4284708A (en) 1979-03-24 1981-08-18 Agfa-Gevaert Aktiengesellschaft Photographic film unit for the production of colored transfer images

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3636916A (en) * 1966-03-14 1972-01-25 Optical Coating Laboratory Inc Coating apparatus and system
CH427744A (de) * 1965-11-26 1967-01-15 Balzers Patent Beteilig Ag Verfahren für die thermische Verdampfung von Stoffgemischen im Vakuum
US3426174A (en) * 1965-12-09 1969-02-04 United Aircraft Corp Electron reflection seam tracker
US3414655A (en) * 1966-01-26 1968-12-03 Nat Res Corp Apparatus for evaporation of low temperature semiconductor material by electron beam impingement on the material and comprising means for draining electric charge from the material
DE1521251B2 (de) * 1966-05-03 1970-03-26 Farbenfabriken Bayer Aktiengesellschaft, 5090 Leverkusen Vorrichtung und Verfahren zum gleichmäßigen Verdampfen und Auftragen von hochschmelzenden Materialien, insbesondere Quarz
US3467057A (en) * 1966-07-27 1969-09-16 Hitachi Ltd Electron beam evaporator
CH491509A (fr) * 1967-07-19 1970-05-31 Raffinage Cie Francaise Procédé pour déposer sur un support une couche mince d'un électrolyte solide céramique pour pile à combustible
DE1916818A1 (de) * 1968-06-28 1970-03-12 Euratom Verfahren und Vorrichtung zur Vakuumaufdampfung monokristalliner Schichten
US3590777A (en) * 1969-03-13 1971-07-06 United Aircarft Corp Ingot feed drive
US3570449A (en) * 1969-03-13 1971-03-16 United Aircraft Corp Sensor system for a vacuum deposition apparatus
US3709192A (en) * 1970-06-01 1973-01-09 Sierracin Corp Coating control system
US3667421A (en) * 1970-09-17 1972-06-06 United Aircraft Corp Mechanism for controlling the thickness of a coating in a vapor deposition apparatus
US3664295A (en) * 1970-11-02 1972-05-23 Gte Sylvania Inc Means for achieving a controlled gradient density coating on a light attenuation medium
US4034126A (en) * 1970-12-29 1977-07-05 Takeda Chemical Industries, Ltd. Process for coating granular materials
US3734620A (en) * 1971-04-01 1973-05-22 Ibm Multiple band atomic absorption apparatus for simultaneously measuring different physical parameters of a material
US3980042A (en) * 1972-03-21 1976-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Vapor deposition apparatus with computer control
US3780256A (en) * 1972-08-08 1973-12-18 Atomic Energy Commission Method for producing spike-free electron beam partial penetration welds
AT312121B (de) * 1972-10-09 1973-12-27 Boris Grigorievich Sokolov Elektronenstrahlanlage zur Warmbehandlung von Objekten durch Elektronenbeschuß
FR2218652B1 (de) * 1973-02-20 1976-09-10 Thomson Csf
US3908183A (en) * 1973-03-14 1975-09-23 California Linear Circuits Inc Combined ion implantation and kinetic transport deposition process
US3877413A (en) * 1973-06-18 1975-04-15 Eastman Kodak Co Auto bias control apparatus
US3903839A (en) * 1973-11-12 1975-09-09 Upjohn Co Apparatus for applying a material to small granules
US3851618A (en) * 1974-01-14 1974-12-03 Ransburg Corp Electrostatic coating apparatus
DE2412729C3 (de) * 1974-03-16 1982-04-29 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und Anordnung zur Regelung der Verdampfungsrate und des Schichtaufbaus bei der Erzeugung optisch wirksamer Dünnschichten
GB1454196A (en) * 1974-07-04 1976-10-27 Sokolov B G Electron beam apparatus
US4127762A (en) * 1974-09-24 1978-11-28 Paton Boris E Method for controlling and stabilizing fusion depth in electron-beam welding and device for effecting same
US3950187A (en) * 1974-11-15 1976-04-13 Simulation Physics, Inc. Method and apparatus involving pulsed electron beam processing of semiconductor devices
JPS5947287B2 (ja) * 1975-03-31 1984-11-17 シャープ株式会社 ツイストネマテイツク液晶表示素子の製造方法
GB1540064A (en) * 1975-07-08 1979-02-07 Atomic Energy Authority Uk Laser removal of material from workpieces
JPS60225422A (ja) * 1984-04-24 1985-11-09 Hitachi Ltd 薄膜形成方法およびその装置
US4731537A (en) * 1985-06-13 1988-03-15 Sony Corporation Electron beam gun
JPH02258689A (ja) * 1989-03-31 1990-10-19 Canon Inc 結晶質薄膜の形成方法
US5296274A (en) * 1989-05-10 1994-03-22 Movchan Boris A Method of producing carbon-containing materials by electron beam vacuum evaporation of graphite and subsequent condensation
US11174711B2 (en) * 2017-02-17 2021-11-16 Chevron U.S.A. Inc. Methods of coating a sand screen component
DE102021120913B3 (de) * 2021-08-11 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zum Analysieren und/oder Bearbeiten einer Probe mit einem Teilchenstrahl und Verfahren

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3071533A (en) * 1958-09-11 1963-01-01 Varo Mfg Co Inc Deposition control means

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2700626A (en) * 1949-12-09 1955-01-25 Bell Telephone Labor Inc Secondary electron emissive electrodes
US3046936A (en) * 1958-06-04 1962-07-31 Nat Res Corp Improvement in vacuum coating apparatus comprising an ion trap for the electron gun thereof
US3118050A (en) * 1960-04-06 1964-01-14 Alloyd Electronics Corp Electron beam devices and processes
NL293028A (de) * 1962-06-05
BE554195A (de) * 1964-04-15

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3071533A (en) * 1958-09-11 1963-01-01 Varo Mfg Co Inc Deposition control means

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4284708A (en) 1979-03-24 1981-08-18 Agfa-Gevaert Aktiengesellschaft Photographic film unit for the production of colored transfer images

Also Published As

Publication number Publication date
US3347701A (en) 1967-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1295310B (de) Aufdampfsteuerverfahren
EP0282835B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels Magnetronkatoden
DE1044295B (de) Ionenquelle
DE1515295B1 (de) Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten aus dem Material einer Zerstäubungskathode auf eine senkrecht zu einer Anode angeordnete Unterlage
EP0048864A2 (de) Korpuskularstrahl-Austastsystem
DE1521573A1 (de) Regelanlage fuer Bedampfungsapparate
DE4218671C2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Dünnschichten
DE863534C (de) Vorrichtung zur Erzeugung von Roentgenstrahlen
DE1648808C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen einer Dampfdichte
DE2918390C2 (de) Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen
DE2420656C3 (de) Vorrichtung zur Elektronenstrahlverdampfung
DE1295311B (de) Vorrichtung zum Herstellen von Metallueberzuegen durch Vakuumaufdampfen
DD285463A5 (de) Verfahren zur regelung der brennfleckpostion bei einem vakuumbogenverdampfer
WO1997030186A1 (de) Verfahren und einrichtung zur regelung von plasmagestützten vakuumbeschichtungsprozessen
DE1915933A1 (de) Einrichtung zum Aufdampfen von Metallbelaegen auf laufende Isolierstoffbaender im Vakuum
DE3817604A1 (de) Ionenstrahlgenerator
DE19605315C1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses
DE916561C (de) Kippschaltung mit Mehrgitterroehre
DE102018222811B3 (de) Verfahren zum Betreiben eines radiometrischen Messgeräts und radiometrisches Messgerät
DE2522072A1 (de) Gasentladungselektronenstrahlerzeugungssystem zum erzeugen eines elektronenstrahls mit hilfe einer glimmentladung
DE2904865A1 (de) Vorrichtung mit einer fernsehkameraroehre und fernsehkameraroehre fuer eine derartige vorrichtung
DE102004024980A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum reaktiven Beschichten von Objekten
DE1811505C3 (de) Meßschaltung für einen Elektroneneinfangdetektor
DE1589699C3 (de) Vorrichtung zum Erzeugen von Korpuskularstrahlimpulsen, insbesondere von Neutronenimpulsen. Ausscheidung aus: 1464878
DE2231954C3 (de) Ionografisches Aufzeichnungsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung desselben