DE1294931B - Verfahren zum Herstellen eines homogenen, rissfreien Koerpers aus einer Halbleiterlegierung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines homogenen, rissfreien Koerpers aus einer Halbleiterlegierung

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DE1294931B
DE1294931B DE1965S0097497 DES0097497A DE1294931B DE 1294931 B DE1294931 B DE 1294931B DE 1965S0097497 DE1965S0097497 DE 1965S0097497 DE S0097497 A DES0097497 A DE S0097497A DE 1294931 B DE1294931 B DE 1294931B
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/04—Homogenisation by zone-levelling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3060065A (en) * 1959-08-06 1962-10-23 Theodore H Orem Method for the growth of preferentially oriented single crystals of metals

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US3060065A (en) * 1959-08-06 1962-10-23 Theodore H Orem Method for the growth of preferentially oriented single crystals of metals

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