DE1292757B

DE1292757B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen

Info

Publication number: DE1292757B
Application number: DES87068A
Authority: DE
Inventors: Wassermann Franz; Dr Guenter; Winstel
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1963-09-03
Filing date: 1963-09-03
Publication date: 1969-04-17
Also published as: NL6410280A; CH413117A; GB1035565A

Description

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Zum Herstellen von Halbleiterbauelementen ist ein standteile zerlegt wird, von denen einer mit der Oxid-Verfahren zum lokalisierten Eindiffundieren eines schicht unter Bildung einer gasförmigen Verbindung Dotierungsstoffes in einen Halbleiterkristall unter reagiert. Eine solche Substanz ist beispielsweise Verwendung einer lediglich die Diffusionsstelle frei Ammoniumfiuorid.

lassenden Abdeckschicht auf der Oberfläche des 5 Bei einer anderen Ausführungsform des Verfah-Halbleiterkristalls bekannt. Zu diesem Zweck wird rens gemäß der Erfindung ist vorgesehen, daß als die Oberfläche eines Halbleiterkörpers mit einer die Zusatzsubstanz ein Material beispielsweise Natrium-Eindiffusion von Dotierungsmaterial verhindernden fluorid (NaF) verwendet wird, das bei der Reaktion maskierenden Schicht versehen, in die anschließend mit dem Siliciumdioxid (SiO₂) nur teilweise in gasdie zu der Halbleiteroberfläche durchgehenden io förmige Bestandteile zerlegt wird. Diffusionsfenster eingeätzt werden. Die bekannten Das entsprechend der Reaktion

maskierenden Schichten bestehen aus Oxidschichten,

die auf verschiedene Weise, z. B. bei Silicium- siO, + 4 NaF -^ SiF₄ (gasf) + 2 Na₀O

kristallen durch eine oxydierende Wärmebehandlung

der Oberfläche in Gegenwart von Wasserdampf, er- 15 entstehende Natriumoxid (Na₂O) kann anschließend zeugt werden können. Zur Erzielung definierter Ver- mit Wasser abgewaschen werden, während das gashältnisse bedeckt man üblicherweise die Oxidschicht förmige Silicumtetrafluorid (SiF₄) entweicht, mit einer unbelichteten Fotolackschicht, belichtet Als Zusatzsubstanz kann ein Material verwendet

dann diese Fotolackschicht in definierter Weise und werden, das keine Dotierung des Halbleitermaterials erhält nach Entwicklung der Fotolackschicht ledig- 20 verursacht. Darüber hinaus besteht aber auch die lieh diejenigen Stellen der Oxidschicht von Fotolack Möglichkeit, daß als Zusatzsubstanz ein Material verunbedeckt, an denen die Oxidschicht von der Halb- wendet wird, das gleichzeitig eine Dotierung des lederoberfläche entfernt werden soll. Die Oxidschicht Halbleitermaterials bewirkt oder Rekombinationswird dann unter Anwendung eines den Fotolack Zentren erzeugt bzw. zur Getterung etwa vorhandener nicht angreifenden Ätzbades an den freigelegten 25 Schwermetallionen dient.

Stellen bis zur Halbleiteroberfläche entfernt, während Bei einer anderen Ausführungsform des vorliegen-

sie unter den mit Fotolack bedeckten Stellen erhalten den Verfahrens wird zusammen mit der für die Abbleibt. Der auf diese Weise behandelte Halbleiter- lösung des Oxids vorgesehenen Zusatzsubstanz eine kristall wird nach Entfernung der Fotolackschicht in weitere als Dotierungsmaterial, zur Erzeugung von üblicher Weise einem gasförmigen Dotierungsstoff 30 Rekombinationszentren oder als Getterungsmittel und der erforderlichen hohen Diffusionstemperatur dienenden Substanz aufgebracht, ausgesetzt. Für die Verwendung als Zusatzsubstanz sind in

Die Prozesse der Erzeugung und definierten besonderer Weise bei der Verwendung von Silicium-Ätzung der Oxidschicht müssen bei jedem Halb- dioxid als Abdeckmittel Fluoride geeignet. An erster leiterkörper, der auf die beschriebene Weise behan- 35 Stelle sind die Alkalifluoride wie Lithiumfluorid, delt werden soll, angewendet werden. Handelt es sich Natriumfluorid oder Ammoniumfluorid zu nennen, aber in einem solchen Fall um eine Serienfertigung, Eine weitere Möglichkeit besteht in der Verwendung bei der stets das gleiche geometrische Muster auf die von Fluoriden von Elementen der Gruppe III des Oxidschicht übertragen werden soll, ist es vorteilhaft, Periodensystems der Elemente, beispielsv/eise von die für jeden einzelnen Halbleiterkörper erforder- 40 Aluminiumfluorid. Außerdem können als Zusatzliche Herstellung der Ätzmaske zu vermeiden und substanzen Gemische von Fluoriden aus mehreren dennoch in allen Fällen gleiche reproduzierbare Ver- Gruppen verwendet werden, beispielsweise Natriumhältnisse zu erhalten. Diese Aufgabe liegt der vor- fluorid und Aluminiumfluorid in einem Mischungsliegenden Erfindung zugrunde, verhältnis, das der Zusammensetzung des Kryoliths

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum 45 entspricht. Weiterhin können an Stelle der Fluoride Herstellen von Halbleiterbauelementen, bei dem zur Fluoroverbindungen verwendet werden, wie beiErzeugung von begrenzten Bereichen unterschied- spielsweise Alkali- bzw. Ammoniumfluorotitanate liehen Leitungstyps und/oder unterschiedlicher Leit- bzw. -ferrate od. dgl.

fähigkeit mit Hilfe einer Oxidmaske Dotierungs- Die Zusatzsubstanz wird entweder durch Aufmaterial in den Halbleiterkristall eindiffundiert wird, 50 dampfen unter Anwendung einer Abdecktechnik auf welches gemäß der Erfindung so ausgebildet ist, daß die für die Eindiffusion der Leitungstyp bzw. Leitauf die Oberfläche des Halbleiterkristalls zunächst fähigkeit beeinflussenden Diffusionsmaterialien voreine durchgehende Oxidschicht aufgebracht wird, gesehenen Bereiche der Oxidschicht aufgebracht oder daß anschließend in den für die Eindiffusion vorge- aber durch Kathodenstrahlzerstaubung gleichfalls sehenen Bereichen der Halbleiteroberfläche auf die 55 unter Anwendung einer Abdecktechnik auf die dafür Oxidschicht mindestens eine Zusatzsubstanz in fester vorgesehenen Bereiche der Oxidschicht aufgebracht. Form aufgebracht wird, die mit dem Oxid bei einer Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Zusatzhöheren Temperatur, die ihrerseits kleiner oder substanz in gelöster Form auf die dafür vorgesehenen gleich der Diffusionstemperatur ist, unter Bildung Bereiche der Oxidschicht aufzubringen, einer gasförmigen Verbindung reagiert und deren 60 Bei einer Ausführungsform des Verfahrens nach Menge so gewählt wird, daß das Oxid auf der Halb- der Erfindung ist vorgesehen, daß die Halbleiteroberleiteroberfläche in diesen Bereichen vollständig ent- fläche mit einer Schicht aus einem Oxid des HaIbfernt wird, und daß gleichzeitig oder anschließend das leitergrundmaterials überzogen wird, die beispiels-Dotierungsmaterial aufgebracht und in den Halb- weise durch anodische oder thermische Oxydation leiterkristall eindiffundiert wird. 65 hergestellt wird. Diese Ausführungsform ist beson-

Insbesondere ist dabei vorgesehen, daß als Zusatz- ders bei der Verwendung von Silicium als Halbleitersubstanz ein Material verwendet wird, das bei der grundmaterial geeignet. Für andere Halbleitergrund-Reaktionstemperatur vollständig in gasförmige Be- materialien, wie beispielsweise Germanium oder

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A¹¹¹B^v-Verbindungen, ist es vorteilhaft, die Halb- F i g. 3 dargestellt — die Fenster 5 in der Oxidleiteroberfläche mit einer aus einem Fremdoxid be- schicht 2 entstehen.

stellenden Schicht zu überziehen. Dies geschieht in Bei der nachfolgenden Diffusion der Diffusions-

besonders vorteilhafter Weise durch Aufdampfen, materialien beispielsweise der Dotierungsstoffe, ent-

beispielsweise von Siliciummonoxid, das anschließend 5 stehen dann — wie in F i g. 4 dargestellt — die

oder während des Aufdampfvorganges in bekannter dotierten Bereiche 6.

Weise zu Siliciumdioxid oxydiert wird. Für eine Bei einem Ausführungsbeispiel, bei dem zur Frei-Reihe von Zusatzmaterialien, insbesondere für solche, legung definierter Bereiche der Halbleiteroberfläche die bei der Reaktionstemperatur nur teilweise in gas- eine Zusatzsubstanz verwendet wird, die bei der förmige Bestandteile zerlegt werden, ist es zweck- io Reaktionstemperatur vollständig in gasförmige Bemäßig, die Reaktion zwischen Zusatzsubstanz und standteile zerlegt wird, geht man wie im folgenden Oxid in einer Atmosphäre durchzuführen, die die beschrieben vor. Ein aus einkristallinem n-dotiertem Bildungsreaktion der gasförmigen Verbindung kata- Silicium bestehender Halbleiterkörper wird durch lysiert und die Bildung unerwünschter Verbindungen thermische Oxydation mit einer Oxidschicht überder nicht flüchtigen Reaktionsprodukte verhindert, 15 zogen. Die Dicke der Siliciumdioxidschicht beträgt beispielsweise in einer Kohlendioxidatmosphäre. So ungefähr 1 um. Dann wird auf die für die Diffusion ist es beispielsweise möglich, bei der Verwendung der Dotierungsstoffe vorgesehenen Bereiche eine anvon Natriumfluorid als Zusatzsubstanz das bei der nähernd 1 μΐη dicke Schicht aus Ammoniumfluorid Reaktion entstehende Natriumoxid beim Entstehen aufgedampft. Die Menge des verwendeten Ammoniumin Natriumcarbonat überzuführen. Das Natrium- 20 fluorids wird durch die Menge des aufzulösenden carbonat bildet dann bei der Diffusionstemperatur Siliciumdioxids bestimmt. Bei der Reaktionstempeauf der Halbleiteroberfläche eine durchlässige ratur wird das Ammoniumfluorid in Ammoniak und Schmelze und ist überdies bedeutend weniger Fluorwasserstoff zerlegt. Der Fluorwasserstoff reaaggressiv als das bei der Reaktion in oxydierender giert mit Siliciumdioxid unter Bildung von Silicium-Atmosphäre entstehende Natriumoxid. 25 tetrafluorid. Dieses dampft ebenfalls wie das bei der

Das vorliegende Verfahren ist auch für eine mehr- Zersetzung des Ammoniumfluorids entstehende

fache Diffusion geeignet. Man verfährt dabei wie bei Ammoniak ab. Durch das in der Oxidschicht ent-

den herkömmlichen Oxidmaskierungsverfahren, bei standene Fenster werden in dem darauffolgenden

denen die Freilegung der Halbleiteroberfläche durch Diffusionsschritt p-Leitfähigkeit erzeugende Mate-

Abätzen in flüssigen Ätzmitteln erfolgt. 30 rialien in den Halbleiterkörper eindiffundiert. Die

Als besonders vorteilhaft bei diesem Verfahren ist Stärke der Dotierung wird durch die Dauer des

die Tatsache zu werten, daß die Freilegung der Ober- Diffusionsvorgangs und durch die Konzentration des

fläche des Halbleiterkristalls ohne Verwendung von Dotierungsstoffes bestimmt.

Flußsäure, die häufig stark verunreinigt ist, möglich Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die

ist. Die als Ätzmittel verwendeten Fluoride bzw. 35 Zusatzsubstanz nur teilweise in gasförmige Bestand-

Fluoroverbindungen lassen sich mit sehr viel größerer teile zerlegt. Der zurückbleibende, nicht flüchtige

Reinheit herstellen, da sie als kristallisierte Verbin- Bestandteil bewirkt jedoch keine Dotierung des dar-

dungen vorliegen und nach den bekannten Reini- unterliegenden Halbleitermaterials. Man geht bei

gussverfahren gereinigt werden können. Außer- diesem Ausführungsbeispiel so vor, daß auf einen

dem haben diese Verbindungen den Vorteil, daß sie 40 η-dotierten Halbleiterkörper aus Silicium, der in der

nicht so aggressiv wie die Flußsäure sind, wodurch vorher beschriebenen Weise mit einer Silicium-

eine Verunreinigung durch die Gefäßmaterialien dioxidschicht überzogen worden ist, in den für die

weitgehend unterbunden wird. Eindiffusion der Dotierungsstoffe vorgesehenen Be-

Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß es wesent- reichen eine entsprechende Menge Natriumfluorid lieh einfacher ist, eine Aufdampfung auf sehr kleine 45 aufgedampft wird. Zweckmäßigerweise geschieht definierte Bereiche vorzunehmen, als solche Bereiche dies unter Anwendung einer Abdecktechnik. Bei durch Ätzen auszuschließen. Vor allem ist es vorteil- dieser Ausführungsform ist es zweckmäßig, die Reakhaft, daß bei diesem Verfahren auf die Anwendung tion zwischen Zusatz und Oxid in einer Kohlender Fotolithographie verzichtet werden kann. dioxidatmosphäre vorzunehmen, da auf diese Weise

Nähere Einzelheiten der Erfindung gehen aus der 50 die Entstehung des unerwünschten Natriumoxids verBeschreibung der Fig. 1 bis 4 und aus den Aus- hindert wird. Das bei der Zersetzung des Natriumführungsbeispielen hervor. fluorids entstehende Natrium verbindet sich dann mit

In F i g. 1 ist ein Halbleiterkristall 1 dargestellt, der dem Kohlendioxid zu Natriumcarbonat, das auf der mit einer Oxidschicht 2 versehen ist; in den für die Halbleiteroberfläche bei der Diffusionstemperatur Eindiffusion der Diffusionsmaterialien vorgesehenen 55 eine Schmelze bildet. Der frei werdende Fluorwasser-Bereichen 3 ist diese Oxidschicht abgetragen. Die stoff reagiert analog der im vorhergehenden Ausfüh-Größe dieser Bereiche läßt sich bei Anwendung eines rungsbeispiel beschriebenen Weise mit den darunter-Verfahrens gemäß der Erfindung genau festlegen und liegenden Siliciumdioxid. Die Diffusion der Dotieeinhalten. rungsstoffe wird ebenfalls in entsprechender Weise

Wie in den F i g. 2 und 3 angedeutet ist, werden 60 vorgenommen.

diese Bereiche in der Weise erzeugt, daß auf den Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel, bei dem Halbleiterkristall 1 eine Oxidschicht 2 aufgebracht die verwendete Zusatzsubstanz gleichzeitig als wird. Auf diese Schicht wird dann in den für die Ein- Dotierungsstoff vorgesehen ist, wird ein aus n-dotierdiffusion der Diffusionsmaterialien vorgesehenen tem Silicium bestehender Halbleiterkörper in der Bereichen — wie aus F i g. 2 zu ersehen ist — eine 65 bereits beschriebenen Weise mit einer ungefähr 1 μΐη zusätzliche Substanz 4 aufgebracht, die bei der Reak- starken Schicht aus Siliciumdioxid überzogen. Dann tionstemperatur mit dem Oxid unter Bildung einer wird auf die für die Eindiffusion der Diffusionsgasförmigen Verbindung reagiert, so daß — wie in materialien vorgesehenen Bereiche Lithiumfluorid

unter Anwendung einer Abdeckmaske aufgedampft. Der bei der Zersetzung des Fluorids entstehende Fluorwasserstoff reagiert wiederum mit dem Siliciumdioxid unter Bildung von gasförmigem Siliciumtetrafluorid. Ein Teil des zurückbleibenden Lithiums diffundiert in den Halbleiterkörper ein und bewirkt eine Dotierung des Diffusionsbereiches.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel, bei dem die verwendete Zusatzsubstanz ebenfalls gleichzeitig als Dotierungsmaterial vorgesehen ist, wird auf dem mit einer Siliciumdioxidschicht überzogenen Halbleiterkörper ein Gemisch von Aluminiumfluorid und Natriumfluorid unter Anwendung einer Abdeckmaske aufgedampft. Das Mischungsverhältnis entspricht der Zusammensetzung von Kryolith. Bei der Reaktionstemperatur erfolgt eine Zersetzung des entstehenden Natrium-Aluminium-Fluorids, wobei als gasförmiger Bestandteil Fluorwasserstoff entsteht, das in gleicher Weise wie bei den vorhergehenden Ausführungsbeispielen mit dem Siliciumdioxid unter so Bildung von gasförmigem Siliciumtetrafluorid reagiert. Zurückbleibendes Aluminium diffundiert an den freigelegten Bereichen in den Halbleiterkörper ein und bewirkt eine Dotierung im Diffusionsbereich. Auch bei dieser Ausführungsform ist es günstig, in einer Kohlendioxidatmosphäre zu arbeiten, um die Bildung von Natriumoxid zu verhindern.

Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel, bei dem beabsichtigt ist, die Zusatzsubstanz gleichzeitig zur Erzeugung von Rekombinationszentren in Halbleiterkörpern zu verwenden, wird als Zusatzsubstanz eine Fluoroverbindung eines Schwermetalls verwendet. Als besonders geeignet sind Alkalihexafluoroniccolat und Alkalipentafluoroferratzu nennen. Durch den bei der Reaktionstemperatur frei werdenden Fluorwasserstoff wird die Siliciumdioxidschicht in den dafür vorgesehenen Bereichen abgelöst, und Nickel bzw. Eisen diffundieren in den darunterliegenden Halbleiterkristall.

In gleicher Weise ist es möglich, als Zusatzsubstanz ein Material zu wählen, das zur Getterung im Halbleiterkörper vorhandener Schwermetallionen geeignet ist. Hierzu zählen die Fluorverbindungen des vierwertigen Bleis.

Wird an Stelle von Silicium Germanium oder eine A^mB^v- bzw. AⁿB^VI-Verbindung verwendet, dann ist es erforderlich, den Halbleiterkörper mit einer Fremdoxidschicht zu versehen. Als günstig hat es sich hierbei erwiesen, zunächst Siliciummonoxid auf die Halbleiteroberfläche aufzudampfen und durch Weiterbehandlung in einer oxydierenden Atmosphäre zu Siliciumdioxid aufzuoxydieren. Die Freilegung definierter Bereiche der Halbleiteroberfläche erfolgt dann in der oben beschriebenen Weise.

Das Verfahren gemäß der Erfindung läßt sich auf die Herstellung praktisch aller Halbleiterbauelemente, wie Transistoren, Gleichrichter u. dgl., sowie für Festkörperschaltkreise verwenden.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, bei dem zur Erzeugung von begrenzten Bereichen unterschiedlichen Leitungstyps und/oder unterschiedlicher Leitfähigkeit mit Hilfe einer Oxidmaske Dotierungsmaterial in den Halbleiterkristall eindiffundiert wird, dadurchgekennzeichnet, daß auf die Oberfläche des Halbleiterkristalls zunächst eine durchgehende Oxidschicht aufgebracht wird, daß anschließend in den für die Eindiffusion vorgesehenen Bereichen der Halbleiteroberfläche auf die Oxidschicht mindestens eine Zusatzsubstanz in fester Form aufgebracht wird, die mit dem Oxid bei einer höheren Temperatur, die ihrerseits kleiner oder gleich der Diffusionstemperatur ist, unter Bildung einer gasförmigen Verbindung reagiert und deren Menge so gewählt wird, daß das Oxid auf der Halbleiteroberfläche in diesen Bereichen vollständig entfernt wird, und daß gleichzeitig oder anschließend das Dotierungsmaterial aufgebracht und in den Halbleiterkristall eindiffundiert wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der Zusatzsubstanz in stöchiometrischem Verhältnis zur Menge des Oxids auf der Halbleiteroberfläche gewählt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Material verwendet wird, das bei der Reaktion mit Siliciumdioxid vollständig in gasförmige Bestandteile zerlegt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Material verwendet wird, das bei der Reaktion mit Siliciumdioxid teilweise in gasförmige Bestandteile zerlegt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Material verwendet wird, bei dem der nichtflüchtige Bestandteil keine Dotierung des Halbleitermaterials bewirkt.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Material verwendet wird, bei dem der nichtflüchtige Bestandteil gleichzeitig als Dotierungsmaterial wirkt.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Material verwendet wird, bei dem der nichtflüchtige Bestandteil gleichzeitig zur Erzeugung von Rekombinationszentren dient.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Material verwendet wird, bei dem der nichtflüchtige Bestandteil gleichzeitig zur Getterung etwa vorhandener Schwermetallionen dient.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig; mit der für die Ablösung des Oxides vorgesehenen Zusatzsubstanz eine weitere als Dotierungsmaterial oder zur Erzeugung von Rekombinationszentren oder als Getterungsmateriai dienende Substanz auf die den Halbleiterkristall bedeckende Oxidschicht aufgebracht wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Fluorid verwendet wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Alkalifluorid verwendet wird, beispielsweise Lithiumfluorid, Natriumfluorid oder Ammoniumfluorid.

12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch ge-

kennzeichnet, daß ein Fluorid eines Elementes der Gruppe III des Periodensystems, beispielsweise Aluminiumffuorid, verwendet wird.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz ein Gemisch aus Fluoriden aus verschiedenen Gruppen des Periodensystems verwendet wird, beispielsweise Natriumfluorid und Aluminiumfluorid in einem Mischungsverhältnis, das der Zusammensetzung von Kryolith entspricht.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatzsubstanz Fluoroverbindungen verwendet werden, beispielsweise Alkalifiuoroniccolate oder Alkalifluoroferrate.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzsubstanz durch Aufdampfen auf die für die Eindiffusion der Leitungstyp und/oder Leitfähigkeit beeinflussenden Dotierungsmaterialien vorgesehenen Bereiche der Oxidschicht aufgebracht wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzsubstanz durch Kathodenstrahlzerstäubung auf die für die Eindffusion vorgesehenen Bereiche aufgebracht wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzsubstanz in gelöster Form auf die für die Eindiffusion vorgesehenen Bereiche der Oxidschicht aufgebracht wird.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche mit einer Schicht aus einem Oxid des Halbleitergrundmaterials überzogen wird, beispielsweise durch anodische oder thermische Oxydation.

19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche mit einer aus einem Fremdoxid bestehenden Schicht überzogen wird.

20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktion zwischen Zusatzsubstanz und Oxid in einer Atmosphäre durchgeführt wird, die die Bildungsreaktion der flüchtigen Verbindung katalysiert und gleichzeitig die Bildung unerwünschter Verbindungen der nichtflüchtigen Reaktionsprodukte verhindert, beispielsweise in einer Kohlendioxidatmosphäre.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 909516/1054