DE1291140B - Schaltgeraet, das bei bestimmten Konzentrationen gasfoermiger Stoffe anspricht - Google Patents

Schaltgeraet, das bei bestimmten Konzentrationen gasfoermiger Stoffe anspricht

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DE1291140B
DE1291140B DEE29415A DEE0029415A DE1291140B DE 1291140 B DE1291140 B DE 1291140B DE E29415 A DEE29415 A DE E29415A DE E0029415 A DEE0029415 A DE E0029415A DE 1291140 B DE1291140 B DE 1291140B
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Description

Die Erfindung betrifft ein Schaltgerät, das bei be- Das Gerät ist z. B. sehr geeignet zur Steuerung der
stimmten Konzentrationen gasförmiger Stoffe an- Erzeugung von Metallcarbonylen, Schwefelwasserspricht. Das Gerät besteht aus einem elektronischen stoff, Kohlenmonoxyd, Wasser u. dgl. Das Steue-Oszillator, dessen frequenzbestimmendes Element ein rungssystem ist so angeordnet, daß ein Relais entpiezoelektrischer Kristall ist, und einem auf das Aus- 5 weder zum Einschalten oder zum Ausschalten gesetzen der Schwingungen des Oszillators ansprechen- bracht wird, wenn der beschichtete Kristall sich in den Relais. Gegenwart einer bestimmten Menge einer bestimm-
Schaltgeräte, die bei bestimmten Konzentrationen ten gasförmigen Komponente befindet, oder daß das gasförmiger Stoffe ansprechen, sind bekannt. In einer Relais sich ein- oder ausschaltet, wenn eine beälteren, nicht vorveröffentlichten Erfindung ist ferner io stimmte gasförmige Komponente in genügendem beschrieben, daß durch piezoelektrische Kristalle ge- Ausmaß aus der Umgebung des beschichteten Kristeuerte Schwingungskreise als äußerst empfindliche stalls verschwindet.
Analysiergeräte verwendet werden können, wenn der Die einfachsten Oszillatoren können so geplant
Kristall mit einer Reagenzschicht beschichtet ist, die sein, daß sie sich um den gewünschten Betrag entin selektiver Weise mit dem nachzuweisenden Stoff 15 fernt von dem Punkt des Aussetzens der Schwingunin Wechselwirkung tritt. Die Menge des mit der gen befinden, ohne daß eine weitere Einstellung oder Reagenzschicht reagierenden Stoffes wird durch die Nachstellung erforderlich ist. Dieser Betrag, um den Frequenzänderung des Kristalls und des zugehörigen der Oszillator sich von dem Punkt des Aussetzens Schwingungskreises gemessen, wobei diese Menge des der Schwingungen entfernt befindet, wird hier als mit der Reagenzschicht reagierenden Stoffes sich im ao »Einstellpunkt« bezeichnet. Kompliziertere Oszilla-Laufe der Zeit ändert. Je mehr von dem nachzuwei- toren können mit veränderlichen Stromkreiselemensenden Stoff von der auf dem Kristall befindlichen ten, wie Kondensatoren, Widerständen, Induktivitä-Reagenzschicht aufgenommen wird, desto niedriger ten u. dgl., versehen sein, die mit dem beschichteten ist die Frequenz, und umgekehrt. Die Reaktion kann Kristall in Reihe oder parallel geschaltet sind, um in einer Absorption, Chemisorption, in chemischen as den Einstellpunkt je nach den besonderen Erforder-Reaktionen usw. bestehen. nissen der Umgebung einstellen zu können. Auch die
Die Erfindung löst die Aufgabe, den Reaktionsver- Temperatur der Heizdrähte der Oszillatorröhre lauf bei Gasreaktionen in Abhängigkeit von dem u. dgl. kann so geändert werden, daß auch hierdurch Vorhandensein bestimmter Komponenten selbständig der Einstellpunkt gesteuert werden kann. Die Tempezu steuern. So kann beispielsweise die Umsetzung der 30 ratur des den Kristall umgebenden Gases kann eben-Gase von der genügenden Trocknung der Reaktions- falls zwecks Steuerung des Einstellpunktes geändert teilnehmer abhängig gemacht werden. Eine weitere werden.
erfindungsgemäß gelöste Aufgabe besteht darin, bei Wie oben erwähnt, kann die Massenzunahme der
Umsetzungen, die mit giftigen Gasen arbeiten, den auf dem Kristall befindlichen Reagenzschicht auch Endpunkt der Reaktion zuverlässig anzuzeigen und 35 durch chemische Reaktion zustande kommen. Wenn das Austreten überschüssiger, nicht in Reaktion die Reagenzschicht z. B. ein Platinkatalysator ist, tretender Gase zu verhüten. kann das mit ihr reagierende Gas Wasserstoff oder
Die Erfindung ist im einzelnen in den Patentan- Sauerstoff sein, wodurch sich Wasser bildet. Sprüchen gekennzeichnet. Der Fortschritt der Erfin- Für die Zwecke der Erfindung sind piezoelek-
dung besteht in der außerordentlichen Empfindlich- 40 irische Kristalle jeder Art geeignet, keit der neuen Schaltung bei größter Sicherheit in der Die Reagenzschicht befindet sich auf dem Kristall
selbsttätigen Wirkungsweise. in ziemlich geringer Menge, und diese Menge kann
Die Erfindung macht von den Stabilitätsgrenzen je nach der Empfindlichkeit der Reagenzschicht der ungedämpften Schwingungen in einem durch gegen den mit ihr reagierenden Stoff variieren. Einige einen beschichteten piezoelektrischen Kristall ge- 45 der für die Bildung der Reagenzschicht verwendeten steuerten Oszillator Gebrauch, deren Resultat ein Stoffe, wie zerfließende Stoffe, absorbieren ein Vieleinfacher Aus- und Einschaltstromkreis ist, der auf faches ihres Eigengewichtes an Wasser und brauchen die Konzentration eines bestimmten gasförmigen daher nur in verhältnismäßig geringen Mengen ange-Stoffes in Gegenwart des piezoelektrischen Kristalls wandt zu werden. Andere Stoffe nehmen veranspricht. Beim Betrieb wird der beschichtete Kristall 50 hältnismäßig kleinere Stoffmengen je Gewichtsin dem Oszillator so voreingestellt, daß er sich für einheit der Reagenzschicht auf und müssen daher eine gegebene Bedingung der Reagenzschicht des in entsprechend größeren Mengen angewandt wer-Kristalls nahe an dem Punkt des Aussetzens der den.
Schwingungen befindet. Wenn der Aus- und Einschalter durch Wasser-
Wenn dann genügend weiteres Material mit der 55 dampf betätigt werden soll, kann man als geeignete Reagenzschicht des Kristalls reagiert, hören die zerfließliche Stoffe Lithiumchlorid, Calciumchlorid, Schwingungen des Oszillators auf, wodurch eine Kaliumfhiorid, Lithiumbromid, Lithiumjodid, Lithi-Unterbrechung des Stromflusses in dem Stromkreis umnitrat und Calciumnitrat verwenden. Hygroskozustande kommt, die ein Relais betätigt, welches pische Stoffe, wie Polyelektrolyte, Naturharze, Gele, seinerseits die Menge eines gasförmigen Bestandteils 60 Celluloseprodukte und Leime, können ebenfalls verim Bereich des piezoelektrischen Kristalls steuern wendet werden, jedoch in etwas größeren Mengen als kann. Das Gerät kann also zur Steuerung der An- die obengenannten zerfließlichen Stoffe. Wesenheit giftiger Verbindungen oder irgendwelcher Einzelheiten der verwendbaren Kristalle und Rea-
sonstiger Verbindungen verwendet werden, deren genzschichten bilden nicht den Gegenstand der ErGegenwart oder Abwesenheit gesteuert werden soll, 65 findung.
da es sich gegen das erste Auftreten solcher Verbin- Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf
düngen in einem System sehr empfindlich machen die Zeichnungen Bezug genommen, läßt. Fig. 1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer
3 4
Ausführungsform einer Vorrichtung, die von einem spannung wird von einer positiven Stromquelle (mit Transistorstromkreis Gebrauch macht; 150 Volt bezeichnet) geliefert, die an einem 25-kQ-
F i g. 2 zeigt Einzelheiten des Transistorstromkrei- Potentiometer liegt. Das 25-kQ-Potentiometer dient ses gemäß Fig. 1, und zwar den Oszillator und die zum Variieren der Anodenspannung.
Verbindung des Relais mit dem Oszillator; 5 Die negative Seite der Anodenstromversorgung ist
F i g. 3 zeigt einen Ein- und Ausschaltstromkreis mit einer gemeinsamen Rückleitung für alle Hochunter Verwendung üblicher Elektronenröhren; dieser frequenzanschlüsse verbunden (die als Erde bezeich-Stromkreis macht von dem Abfall der Gittervorspan- nee werden kann). Ein zwischen der Oszillatoranode nung Gebrauch, um an dem Punkt des Aussetzens und der gemeinsamen Leitung liegender 0,01-mF-der Schwingungen ein Relais zu betätigen; io Kondensator stellt einen Hochfrequenzweg von nie-
F i g. 4 zeigt schematisch eine andere bevorzugte driger Impedanz zur Verfügung, ohne Gleichstrom Ausführungsform eines Stromkreises, der zum Ein- zuleiten.
und Ausschalten verwendet werden kann, wobei der Was den Hochfrequenzstrom anbetrifft, befindet
Schaltvorgang durch Feuchtigkeit (Wasser) oder sich die Anode auf dem gemeinsamen Potential, oder einen anderen Stoff gesteuert wird; 15 sie ist mit einer Seite des Kristalls verbunden. Dem
F i g. 5 zeigt schematisch einen Stromkreis, der zur Kristall parallel geschaltete Kondensatoren mit 30 Gewinnung der Werte gemäß F i g. 6 verwendet und 100 μμΡ bilden einen Abgriff und einen Weg für wird; den umlaufenden Hochfrequenzstrom, dessen Fre-
F i g. 6 zeigt in graphischer Darstellung die Ab- quenz von einem beschichteten Kristall 15 bestimmt hängigkeit des Gitterstromes und der quadratischen ao wird.
mittleren Hochfrequenzspannung an der Anode von Der Anschluß zur Kathode an der Verbindungs-
der prozentualen relativen Feuchtigkeit sowie ent- stelle der beiden Kondensatoren stellt einen Rücksprechende Werte für einen 15 pF- (pF = Picofarad kopplungsweg dar, der es ermöglicht, daß der Kristall = miFarad) -Stromkreis. entweder von dem Anodenstrom der Vakuumröhre
Die in F i g. 1, 2, 4 und 5 dargestellten Oszillatoren 25 gesteuert wird oder seinerseits den Gitterstrom der machen von einer einzigen Vakuumröhre oder einem Röhre steuert. Ein l-kQ-Widerstand in dem Katho-Transistor Gebrauch und nutzen die Tatsache aus, denstromkreis stellt einen Gleichstromweg dar, durch daß die Ausgangs-Hochfrequenzspannung viel den Strom zur Kathode fließen kann, und bildet schneller abfällt als der Gitterstrom. Dies führt zu gleichzeitig einen hinreichend hohen Scheinwidereiner ausgezeichneten Ausschaltcharakteristik, was 30 stand, so daß kein Hochfrequenzkurzschluß entstehen für ein Ein- und Ausschaltgerät wünschenswert ist. kann. (Der l-kß-Widerstand ist durch einen
In Fig. 1 befindet sich ein mit Lithiumchlorid be- lOO-i^iF-Kondensatornebengeschlossen,der 160Ohm schichteter Kristall 10 innerhalb eines porösen Schir- bei 9000 kHz darstellt.)
mes 11. Der Kristall 10 ist elektrisch mit einem Tran- Das Gitter der Vakuumröhre wirkt, wenn es durch
sistorstromkreis 12 verbunden, der als Blockdia- 35 die Wechselstromspannung von dem Kristallschwinggramm dargestellt ist. Ein Relais 13 ist elektrisch mit kreis gesteuert wird, als Einweggleichrichter. Die dem Transistorstromkreis 12 und einem (nicht darge- gleichrichtende Wirkung verhindert größere Auswanstellten) Stromkreis zur Steuerung der Feuchtigkeit derungen der Spannung nach der positiven Richtung verbunden. Ein Einstellknopf 14 ist mit einem ver- hin zwischen dem Gitter und der Kathode,
änderlichen Element in dem Transistorstromkreis 12, 40 Vollständig negative Spannungsschwingungen finwie einem Kondensator, einem Widerstand usw., ver- den infolge eines Stromflusses mit negativem Vorbunden, zeichen durch zwei 15-kQ-Gitterwiderstände statt.
Beim Betrieb wird der Einstellpunkt grob durch Der dem Oszillatorgitter am nächsten befindliche die Menge der hygroskopischen Reagenzschicht, z. B. 15-kß-Widerstand bildet einen Gleichstromweg und Lithiumchlorid, auf dem Kristall eingestellt. Die 45 verhindert den Fluß von Hochspannungsstrom, der Feineinstellung erfolgt durch Drehen des Einstell- den Kristallschwingungskreis zerstören würde. Ein knopfes, so daß der Oszillator ausgedämpft wird, dem zweiten 15-kQ-Widerstand parallel geschalteter wenn die Reagenzschicht auf dem Kristall weiteres 0,01-mF-Kondensator verhindert die Rückwirkung Wasser absorbiert. Die Dicke der Reagenzschicht jeglicher Hochfrequenz auf das Gitter der Relaisrichtet sich nach dem Oszillator, der Feuchtigkeit 50 röhre.
und ähnlichen Bedingungen, liegt aber bei zerfließ- Die an dem zweiten 15-kß-Widerstand entwickelte
liehen anorganischen Salzen im allgemeinen in der Spannung erscheint infolge des Gitterstromes des Größenordnung von 50 bis 2000 A, vorzugsweise von Oszillators als negative Gittervorspannung für eine 100 bis 1000 A. Relaisröhre. Die Relaisröhre ist eine Triode mit einer
Fig. 2 zeigt im einzelnen einen typischen Tran- 55 positiven Anodenversorgungsspannung. Der Anodensistor-Oszillator. In diesem Oszillator sind die Basis strom dieser Röhre fließt durch das Anodenrelais. Ein und der Emitter in einer abgeänderten Pierce-Schal- dem Anodenanschluß vorgeschalteter l-kQ-Widertting miteinander verbunden. Der Kollektorstrom- stand kann auch fortgelassen werden,
kreis ist auf die Grundschwingung oder eine Harmo- Solange genügend negative Spannung an dem
nische des Kristalls abgestimmt, wodurch die für den 60 zweiten 15-kQ-Widerstand liegt, ist der Anodenstrom Relaisstromkreis erforderliche Hochfrequenz erhalten der Relaisröhre so niedrig, daß er das Relais nicht wird. C1 oder C2 können Kapazitäten von 10 bis betätigt, und die normalerweise geschlossenen Relais-100 pF haben, und einer von ihnen oder beide kön- kontakte bleiben geschlossen,
nen variierbar sein, um den Einstellpunkt einzu- Wenn die Schwingungen des Oszillators aussetzen,
stellen. 65 sinkt die Gittervorspannung an der Relaisröhre ab,
In F i g. 3 enthält der Oszillator eine Triode (Dop- und das Relais tritt in Tätigkeit,
peltriode 12 AU 7), die in einem abgeänderten Eine Veränderung der Anodenspeisespannung der
Pierce-Kristalloszillatorkreis arbeitet. Die Anoden- Oszillatorröhre ändert den Gesamtverstärkungsgrad
(oder die Empfindlichkeit des Stromkreises). Eine höhere Anodenspannung bewirkt eine höhere Verstärkung und Aussteuerung, ermöglicht dem Kristall, sich in einem weniger wirksamen Arbeitszustand (infolge des Wassers) zu befinden, und gestattet die Steuerung des »Aussetz«-Punktes des Oszillators. Eine bevorzugte Spannung, um einen verhältnismäßig trockenen, beschichteten Kristall in Schwingungen zu versetzen, beträgt z. B. 11 bis 12 Volt. Wenn der beschichtete Kristall sich in einer Umgebung von sehr hoher Feuchtigkeit befindet, kann die zur Erzeugung von Schwingungen erforderliche Spannung in der Größenordnung von 25 Volt liegen. Wenn diese Spannung nicht zur Verfügung steht, hören die Schwingungen des Oszillators auf.
Fig. 4 zeigt einen Stromkreis für eine andere Ausführungsform. In diesem Stromkreis kann ein weiterer Bereich und eine schärfere Abschaltung erzielt werden, wenn ein l-kQ-Widerstand eine Drossel und ein 10-kQ-Widerstand ein auf den beschichteten Kristall abgestimmter Oszillatorschwingkreis ist.
Beispiel 1
Der schematisch in F i g. 5 dargestellte Stromkreis wird als Normalteststromkreis verwendet, um Arbeitswerte beim Betrieb nach dem Ein- und Ausschaltprinzip zu gewinnen. Der Oszillator ist ein elektronengekoppelter Pierce-Oszillator, wie er häufig für die Nachrichtenübermittlung verwendet wird. Das Steuergitter und das Schirmgitter arbeiten in der gleichen Weise wie ein Gitter und eine Anode in einer Pierce-Oszillatortriode. Der von dem Pierce-Oszillator erzeugte schwingende Elektronenstrom wird auf die Anode der Röhre mit nur sehr geringer Wechselwirkung übertragen.
Der piezoelektrische Kristall ist mit Lithiumchlorid ig beschichtet. Die Lastkapazität wird durch Veränderung von Cit und CLo geändert, und die Streukapazität sowie die Röhrenkapazität werden zusammen gemessen.
Die bei zwei verschiedenen Lastkapazitäten unter ao Verwendung des Stromkreises gemäß F i g. 5 erhaltenen Werte sind in der nachstehenden Tabelle zusammengefaßt.
AF0 = 1 kHz; LiCl 6 Monate bei 50%iger relativer Feuchtigkeit Anode,
Wechselstrom
Schwingung setzt aus aus 0 0 Frequenz ohne Änderung gealtert 10 pF Anode,
Wechselstrom
Relative Lastkapazität 32 pF V aus 0 0 kHz Lastkapazität V
Feuchtigkeit
des Probegases
Frequenz 1,12 aus 0 0 9012,938 1,24
°/o kHz 1,08 aus 0 0 9011,530 1,20
trocken 9008,841 0,97 aus 0 0 9010,860 1,17
18 9007,420 0,87 9010,720 1,15
36 9006,750 0,76 9010,575 1,13
43 9006,640 9010,417 1,12
47 9006,460 9010,204 1,09
50 Gitter 9010,058 1,07
55 μΑ 9009,845 1,00
60 61 9009,696 0,90
63 39 aus 0
67 14
71 7,0
3,0 Gitter
μΑ
141
111
71
61
53
44
33
27
16
7
0
Als Kristall wird ein piezoelektrischer Quarzkristall mit Goldelektroden mit einem Durchmesser von 7,9 mm verwendet. Auf jeder Elektrode wird durch Vakuumbedampfung Lithiumchlorid abgeschieden. Die Menge des auf jeder Seite des Kristalls abgeschiedenen Lithiumchlorides reicht aus, um die Eigenfrequenz des Kristalls um 1 kHz zu vermindern. Der beschichtete Kristall behält seine Empfindlichkeit verhältnismäßig lange bei. Bei der Bestimmung der oben angegebenen Werte war der beschichtete Kristall z. B. 6 Monate alt; die Werte waren aber praktisch die gleichen wie die unmittelbar nach der Beschichtung des Kristalls gemessenen Werte,
Die Werte der obigen Tabelle und weitere, bei einer Lastkapazität von 15 pF gewonnene Werte werden in ein Diagramm eingetragen, welches die Abhängigkeit des Gitterstromes und des quadratisehen Mittelwertes der Spannung von der prozentualen relativen Feuchtigkeit zeigt. Dieses Diagramm ist in F i g. 6 dargestellt.
Aus Fig. 6 ergibt sich, daß bei verschiedenen relativen Feuchtigkeiten sowohl die Anodenspannungen als auch der Gitterstrom den Wert 0 annehmen. Hierdurch wiederum kann je nach der gewünschten Steuerung ein Relais entweder ein- oder ausgeschaltet werden. Zu beachten ist, daß die Anodenspannung stärker abfällt als der Gitterstrom. Auch der Einfluß der Lastkapazität auf den Abschaltpunkt ist bemerkbar.

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Schaltgerät, das bei bestimmten Konzentrationen gasförmiger Stoffe anspricht, gekennzeichnetdurchdie Kombination aus
(a) einem elektronischen Oszillator, dessen frequenzbestimmendes Element ein piezoelektrischer Kristall ist, der an seiner Oberfläche mit einer Reagenzschicht versehen ist, die mit dem gasförmigen Stoff in Wechselwirkung tritt, und mit einer derartigen Ausbildung des Oszillators, daß die Schwingungen bei einem bestimmten Ausmaß der Wechselwirkung zwischen der Reagenzschicht und dem gasförmigen Stoff aussetzen, und
(b) einem auf das Aussetzen der Schwingungen ansprechenden Relais.
2. Schaltgerät nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einstellvorrichtung, mit deren Hilfe der Oszillator auf einen Punkt eingestellt
werden kann, der für eine gegebene Bedingung des beschichteten piezoelektrischen Kristalls nahe am Punkt des Aussetzens der Schwingungen liegt.
3. Schaltgerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einstellvorrichtung zum Einstellen des Oszillators ein Potentiometer ist.
4. Schaltgerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einstellvorrichtung zum Einstellen des Oszillators ein veränderlicher Kondensator, eine veränderliche Induktivität, ein veränderlicher Widerstand, eine veränderliche Temperatursteuerung oder eine Kombination solcher Vorrichtungen ist.
5. Schaltgerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator ein Transistoroszillator ist.
6. Schaltgerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator ein Vakuumröhrenoszillator ist.
7. Schaltgerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reagenzschicht auf dem Kristall zerfließlich ist.
8. Schaltgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zerfließliche Reagenzschicht aus Lithiumchlorid, Calciumchlorid, Lithiumbromid, Lithiumiodid, Lithiumnitrat, Calciumnitrat oder Gemischen dieser Stoffe besteht.
9. Schaltgerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reagenzschicht für Wasser, Schwefelwasserstoff, Kohlenmonoxyd oder Metallcarbonyle selektiv ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
909512/1375
DEE29415A 1964-06-01 1965-05-31 Schaltgeraet, das bei bestimmten Konzentrationen gasfoermiger Stoffe anspricht Pending DE1291140B (de)

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