DE1289190B - Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Sperrschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Sperrschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem

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DE1289190B
DE1289190B DEN13978A DEN0013978A DE1289190B DE 1289190 B DE1289190 B DE 1289190B DE N13978 A DEN13978 A DE N13978A DE N0013978 A DEN0013978 A DE N0013978A DE 1289190 B DE1289190 B DE 1289190B
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Germany
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diffused
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DEN13978A
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German (de)
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Beale Julian Robert Anthony
Whitehall Wraysbury
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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ES (1) ES237031A1 (https=)
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