DE1285581B

DE1285581B - Traeger mit einer Mikroschaltung und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE1285581B
Application number: DEN31981A
Authority: DE
Inventors: Neuhuys Thierry Jean Paul
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1967-01-27
Filing date: 1968-01-18
Publication date: 1968-12-19
Also published as: NL6701294A; BE709891A; GB1211412A; AT286416B; DE1285581C2; CH483774A; FR1553301A

Description

1 2

Die Erfindung bezieht sich auf einen Träger für Hybrid-Schaltung aufgesetzt werden. Diese Kontakte eine oder mehrere Mikroschaltungen mit einem müssen noch mit den Kontaktleitern auf dem er- oder mehreren Elementen, insbesondere Halbleiter- wähnten Hybrid-Schaltungssubstrat verbunden werelementen, sowie auf ein Verfahren zu seiner Her- den. Dies kann mit sehr dünnen Golddrähten erfolstellung. 5 gen, wobei je Draht zwei Lötvorgänge erforderlich

Die Technik hat sich in der letzten Zeit derart sind. Ein solcher Draht muß mit einem Ende mit entwickelt, daß eine vollständige elektronische Schal- dem Kontakt auf dem Träger für den kleinen Trantung auf einem Substrat mit einem Flächeninhalt sistor und mit dem anderen Ende mit dem entvon z. B. 2 · 3 cm angebracht werden kann. Zu die- sprechenden Kontakt auf dem Substrat für die sem Zweck werden zunächst die Widerstände der io Hybrid-Schaltung verlötet werden. Dies ist eine verSchaltung auf dieses Substrat aufgedampft, wonach hältnismäßig komplizierte Bearbeitung, die sich die Leiterzüge, welche die Verbindungen der Schal- schlecht zur Automatisierung eignet, tungselemente miteinander und mit den Zuleitungen Dieser Nachteil kann dadurch behoben werden,

des Substrats bilden, aufgedampft werden. Auf diesem daß ein bekannter Träger benutzt wird, dessen eine Substrat mit dem aufgedampften Muster werden so- 15 Seite mehrere Ansätze enthält, deren Enden leitend wohl die anderen Elemente, wie die Transistoren, und von den Enden der anderen Ansätze isoliert als auch die Zuleitungen an das Leitermuster ange- sind und zwischen denen auf der gleichen Seite der lötet. Das Substrat mit dieser Schaltung wird ge- Platte die Schaltung mit den Elementen angebracht gebenenfalls durch eine schützende Kunststoff- ist, deren Zuleitungen mit den leitenden Enden der schicht bedeckt. Die Halbleiterelemente werden 20 Ansätze verbunden sind. Eine bekannte Ausfühdurch Diffusion in eine Halbleiterscheibe erhalten. rungsform ist ein Träger, der die Gestalt eines um-Mit Hilfe bekannter Photoätzgrundverfahren werden gekehrten Tisches hat, der an den Ecken der Platte mehrere tausend Transistoren auf einer Scheibe her- (Flächeninhalt 1,5 · lmm) mit kurzen starken Beinen gestellt, so daß jedes einzelne Element, nachdem es versehen ist. Die Enden dieser Beine sind mit einer durch Ritzen und Brechen aus der Scheibe erhalten 35 leitenden Schicht versehen. Zwischen den Tischbeinen ist, sehr geringe Abmessungen hat (z. B. einen wird ein Mikrotransistor (z. B. mit einem Flächen-Flächeninhalt von 200 · 200 μτα und eine Dicke von inhalt von 200 · 200 μπι und einer Dicke von 70 μΐη) 70 μΐη). Diese kleinen Elemente müssen auf dem befestigt, und die Aluminiumkontakte auf dem Tran-Leitermuster jedes Substrats befestigt werden. Der- sistor (Basis Kollektor und Emitter) werden mit den artige Schaltungen, die aus aufgedampften Schaltun- 30 leitenden Enden verbunden. Zwischen die Beine kann gen auf einem Substrat bestehen, an das die Halb- weiter ein schützender Tropfen eines härtenden leiterelemente angelötet sind, werden manchmal als Kunststoffs gegeben werden. Der Tisch kann nunmehr hybride integrierte Schaltungen bezeichnet. umgekehrt werden und mit den Beinen unten an den

Im allgemeinen sind die Abmessungen der auf- rechten Platz auf die entsprechenden Kontakte der gedampften Schaltung auf dem Substrat viel größer 35 Hybrid-Schaltung gestellt werden, wonach sämtliche als die Abmessungen der Kontakte auf dem Halb- Kontakte festgelötet werden. Diese Bearbeitung ist lehrelement, das mit dieser Schaltung verbunden somit sehr einfach.

werden muß. Deshalb müssen entweder auf dem Wegen der komplizierten Gestalt dieses bekannten

Substrat die aufgedampften Kontakte, die mit den Trägers ist seine Herstellung jedoch verhältnismäßig Kontakten des Halbleiterelements verbunden wer- 40 kostspielig.

den, äußerst fein und genau ausgebildet werden, was Die Erfindung bezweckt, einen ähnlichen Träger

sehr schwer durchführbar ist, oder das Halbleiter- zu schaffen, der ebenfalls leicht an der Hybrid-Schalelement muß mit größeren Kontakten versehen wer- tang befestigt und dennoch leicht hergestellt werden den. Im letzteren Fall ist es besonders erwünscht, kann.

große Transistoren mit großen Kontakten zur Ver- 45 Gemäß der Erfindung besteht jeder Ansatz des fügung zu haben, die mit geringer Mühe auf das Trägers aus einer elektrolytisch verdickten Leiter-Substrat aufgesetzt und festgelötet werden können. schicht, der höher als das Element bzw. die Elemente Wenn man jedoch von größeren Transistoren aus- ist. Dabei kann man für die Herstellung eines tischgeht, können weniger Transistoren aus einer Halb- förmigen Trägers z. B. von einer ebenen rechteckigen leiterscheibe hergestellt werden, so daß die Her- 50 Platte ausgehen, auf die die Verbindungsleiter der Stellungskosten ansteigen. Transistorkontakte zu den Ecken der Platte auf-

Es empfiehlt sich somit, einen oder mehrere kleine gedampft werden, wobei an diesen Ecken kurze Transistoren auf einem eigenen Träger mit größeren starke Beine elektrolytisch angebracht werden. Der-Abmessungen anzubringen. Dieser Träger ist eine artige Träger lassen sich leicht in großen Mengen nichtleitende Platte, auf der verhältnismäßig große 55 aus einer großen Platte herstellen, auf der sämtliche Kontakte vorgesehen sind, die je mit einem der klei- Transistoren an die richtigen Plätze gestellt und nen Kontakte des Transistors bzw. der Transistoren festgelötet werden. Dieser Träger kann erforderverbunden sind. Ein solcher Träger mit größeren lichenfalls eine verhältnismäßig komplizierte Tran-Abmessungen und größeren Kontakten bildet, wenn sistorschaltung mit mehr als einem Transistor, Widerer mit Transistoren versehen ist, gleichsam einen 60 ständen und Verbindungsleitern enthalten. Diese großen Transistor, der verhältnismäßig leicht auf der Schaltung kann eine elementare vielbenutzte Schalhybriden Schaltung an den rechten Platz gestellt und tang sein, z. B. eine bistabile Schaltung, wie sie festgelötet werden kann. Die zu verlötenden Kon- mengenmäßig an Hybrid-Schaltungen, z. B. dekatakte des Trägers und des Transitors befinden sich dische Zählerstufen, angelötet werden muß. Dieses dabei auf der gleichen Seite des Trägers. Weil der 65 Verfahren eignet sich somit im allgemeinen zur Transistor eine gewisse Dicke aufweist (ζ. B. 70 μΐη), Herstellung einzelner Träger mit elektrolytisch angemuß der Träger mit dem Transistor oben und somit brachten Ansätzen oder Beinen, auf deren jedem auch den Kontakten des Trägers oben auf die eine Mikroschaltung mit einem oder mehreren elek-

irischen Elementen, insbesondere Halbleiterelementen, angebracht ist.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist beim erfindungsgemäßen Träger das Halbleiterelement als ein Block mit herausragenden Zuleitungen ausgebildet, die sich in einer Ebene erstrecken, in der eine der Seitenflächen des Blocks liegt, wobei die Zuleitungen unmittelbar mit auf dem Träger angebrachten, z. B. aufgedampften, Leitern verbunden sind, die in einem von den Verbindungsstellen entfernten Teil elektrolytisch zu Ansätzen verdickt sind. Solche Blöcke haben eine geringe Höhe und eignen sich somit gut zur Anbringung zwischen den beinförmigen, durch Wachsen erhaltenen Ansätzen des Trägers; dabei sind diese Ansätze sehr kurz und nur etwas länger als die Höhe des Blocks.

Als Substrat für den Träger wird vorzugsweise eine Glasplatte benutzt, auf die sich unterschiedliche Leitermuster gut aufdampfen lassen.

Die Erfindung bezweckt weiter, ein Verfahren zur Herstellung der beschriebenen Träger anzugeben.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß zunächst auf ein gemeinsames nichtleitendes Substrat sämtliche Schaltungen nebeneinander aufgedampft werden, wonach die erwähnten Ansätze dadurch gebildet werden, daß die dazu bestimmten Stellen der Schaltungen elektrolytisch auf eine Dicke gebracht werden, die erheblich größer ist als die Dicke jedes der anzubringenden Halbleiterelemente, wonach jede Schaltung mit den erforderlichen Halbleitern versehen wird, die elektrisch mit ihm verbunden werden, und schließlich das gemeinsame Substrat in Teile getrennt wird, die je eine Schaltung mit den zugehörigen Ansätzen aufweisen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt

F i g. 1 eine Hybrid-Schaltung mit Widerständen und Halbleitern und den diese Elemente miteinander verbindenden Leitern,

F i g. 2 und 3 einen Mikrotransistor und die Art, in der er in der Hybrid-Schaltung untergebracht wird,

F i g. 4 einen Mikrotransistor auf einem eigenen Träger mit größeren Kontakten sowie die Art, in der diese mit der Hybrid-Schaltung verbunden werden,

F i g. 5 eine bekannte Ausführungsform des Trägers eines Transistors,

F i g. 6 und 7 perspektivisch bzw. in der Draufsicht eine verbesserte Ausführungsform des Trägers nach F i g. 5,

F i g. 8 und 9 zwei Zwischenstufen des erfindungsgemäßen Verfahrens.

F i g. 1 zeigt eine Schaltung mit drei Transistoren. Diese Schaltung besteht in diesem Fall aus Widerständen und Transistoren, die miteinander durch Leiter verbunden und auf einem Substrat in Form einer Platte 1 aus keramischem Material oder Glas angebracht sind. Auf dieses Substrat werden die Widerstände, z. B. der Widerstand 2, in Form dünner Schichten im Vakuum aufgedampft. Zu diesem Zweck findet üblicherweise eine unter dem Namen Nichrom bekannte Nickel-Chrom-Legierung Verwendung. Dann werden die Leiter, z. B. der Leiter 3, gleichfalls als dünne Schichten aus Aluminium oder Gold aufgedampft. Diese Leiter verbinden die anzubringenden Transistoren mit dem übrigen Teil der Schaltung.

Die Transistoren werden getrennt durch ein Diffusionsverfahren hergestellt, bei dem sich viele Halbleiterblöcke aus der gleichen Halbleiterscheibe ergeben. Jeder Halbleiterblock4 (Fig. 2) hat die Abmessungen 200 · 200 · etwa 70 μηα. Drei Kontakte 5, 6 und 7 auf dem Halbleiterblock müssen auf die auf die Platte aufgedampften Kontakte 8, 9 bzw. 10 aufgesetzt und mit diesen verlötet werden. Die Lage eines solchen Transistors auf den Kontakten 8, 9 und 10 des Substrats ist in F i g. 3 stark

ίο vergrößert dargestellt. Die Genauigkeit beim Aufdampfen der Kontakte 8, 9 und 10 muß dabei fast ebenso groß wie die Genauigkeit bei der Herstellung der Transistoren selbst sein. Infolgedessen sind die Hersteller solcher dünnen Schichten gezwungen, die gleiche Herstellungsgenauigkeit einzuhalten wie die Hersteller, von denen sie die Transistoren beziehen. Dies läßt sich nunmehr dadurch vermeiden, daß die Transistoren, nachdem sie auf einem größeren Träger 11 angebracht und festgelötet worden sind, geliefert werden (F i g. 4). Dieser Träger besteht aus einem nichtleitenden Material, z. B. Glas oder einem keramischen Material. Auf diesen Träger sind Kontakte 12, 13 und 14 aufgedampft. Diese Kontakte sind mit den vorerwähnten Kontakten 8, 9 und 10 vergleichbar und müssen somit an den zugespitzten Enden mit der gleichen Genauigkeit aufgedampft werden. Das andere Ende bildet einen verhältnismäßig großen Transistorkontakt. Das aus dem Träger mit den aufgedampften Kontakten 12,13 und 14 und dem Transistor 15 bestehende Ganze steht dem Dünnschichthersteller zur Verfügung.

F i g. 4 zeigt stark vergrößert, was auf der in F i g. 1 durch die gestrichelte Linie 16 umrahmten Fläche vorhanden ist. Die größeren Kontakte 12, 13 und 14 werden mit einem Leiterdraht, z.B. einem Golddraht, mit breiten Kontaktleitern 17, 18 und 19 verbunden.

Zur Vermeidung schwieriger Lötvorgänge mit

Kontaktierungsdrähten ist es bekannt, Träger nach F i g. 5 zu benutzen, welche die Form eines umgekehrten Tisches mit vier starken Beinen 21, 22, 23 und 24 an den Ecken aufweisen. Die Oberfläche dieses Tisches ist mit einer leitenden Schicht 40 überzogen, und zwar derart, daß die leitenden oberen Flächen der Beine 21 und 22 voneinander und von den leitenden oberen Flächen der Beine 23 und 24 isoliert sind. Die beiden letzteren Flächen sind miteinander und mit der leitenden Fläche 25 verbunden. Auf diese Fläche 25 wird ein aus einem Siliziumblock mit eindiffundierten Zonen bestehender Transistor 26 aufgelötet und durch dünne Drähte 27 und 28 mit den leitenden Enden der Beine 22 und 21 verbunden. Der Siliziumblock und die Drähte werden durch eine schützende Kunststoffmasse bedeckt. Ein derartiger Träger kann nach Umkehrung leicht auf die Kontakte einer auf ein Substrat aufgedampften Schaltung aufgesetzt und an ihnen befestigt werden. Dabei läßt sich verhältnismäßig leicht prüfen, ob sich die Kontakte an den richtigen Plätzen befinden.

Die Herstellung dieser tischförmigen Träger ist jedoch teuer.

Die Erfindung bezweckt, eine neue Ausführungsform dieser Träger zu schaffen, deren Herstellung einfacher ist. Diese Ausführungsform ist in den F i g. 6 und 7 dargestellt. Der Träger besteht aus einer Platte 29 aus nichtleitendem Material, z. B. Glas. Auf dieser Platte werden vier kurze dicke Beine 30, 31, 32 und 33 elektrolytisch bis zu einer Dicke von etwa 100 μΐη niedergeschlagen, welche Dicke größer

5 6

als die des an die Platte gelöteten Transistors 34 ist. getrennt. Es stellt sich heraus, daß die Träger dabei Die aufgedampften Leiter 35, 36 und 37 stellen die genauer begrenzt sind, als dies beim Trennen durch Verbindung zwischen den Kontakten auf dem Tran- Anreißen und Brechen der Glasplatte erzielbar ist. sistor und den Beinen 30, 31, 32 und 33 her. Dieser Diese Träger lassen sich einfach an den richtigen Träger läßt sich in einfacher Weise in großen Zahlen 5 Plätzen auf einer Schaltung anbringen,
wie folgt herstellen. Auf eine Seite einer nichtleiten- Es sind offensichtlich auch andere Verfahren zum

den Platte aus Glas oder keramischem Material mit Erhalten elektrolytisch aufgewachsener Beine mögeiner Oberfläche von z. B. 4 · 2 cm wird durch eine lieh. Man kann z. B. die elektrolytische Schicht voll-Metallmaske eine erste leitende dünne Schicht eines ständig auf die ganze Oberfläche der Platte auffest an der Platte haftenden Materials aufgedampft. io wachsen lassen und die Stellen, an denen die Beine Es kann eine Glasart benutzt werden, die besonders gebildet werden müssen, mit Hilfe einer durch ein zum Aufdampfen dünner Schichten Verwendung Photoätzgrundverfahren angebrachten Maske elektrofindet, z. B. ein Glas auf der Grundlage von Boro- lytisch mit einer Goldschicht überziehen. Nach Entsilikat. Auch emaillierte keramische Materialien fernung der Maske wird dann die Platte in eine können Verwendung finden. Die Maske weist eine 15 HNO₃-Lösung gebracht, in der das Kupfer an den derartige Form auf, daß ein Muster nach F i g. 8 nicht durch die Goldschicht bedeckten Stellen wegaufgedampft wird. Dieses Muster enthält mehrere in geätzt wird. Nach dem Ätzvorgang bleiben dabei Zeilen und Spalten angeordnete Figuren, von denen die Beine und auch die leitenden Figuren nach F i g. 8 F i g. 8 sechs darstellt. Jede Figur entspricht einem auf der Platte zurück, weil HNO₃ die erste Nickelherzustellenden Träger. Die aufgedampfte Schicht 20 Chrom-Schicht nicht wegätzt. In dieser Weise ergeben kann z. B. aus einer 1 bis 2 μπι dicken Aluminium- sich ebenfalls mehrere Träger, die durch die Glas-Chrom-Schicht bestehen, auf der eine äußerst dünne platte miteinander verbunden sind (Fig. 9). Auf Chromschicht (200 Ä) angebracht ist. diesen Trägern werden in der bereits beschriebenen

Die ganze Seite der Platte mit den Figuren wird Weise die kleinen Transistoren nach F i g. 2 angenunmehr mit einer fest an der Aluminium-Chrom- 25 ordnet, angelötet und mit Kunstharz bedeckt, wonach Schicht haftenden zweiten aufgedampften Schicht, die Träger durch Sägen voneinander getrennt werden, z. B. aus Kupfer, überzogen. Auf dieser Kupferschicht Bei den beschriebenen Ausführungsformen bestand

wird eine Maske aus Photolack angebracht, die be- die Platte aus Glas oder einem keramischem Material, stimmte Figuren enthält, die durch ein bekanntes die erste Schicht mit den Figuren nach F i g. 8 aus Photoätzgrundverfahren erhalten werden. Auf dieser 30 Nickel-Chrom und die Beine aus Kupfer, das mit Platte mit der Maske wird weiter eine Elektrode einer dünnen Goldschicht überzogen war. Es können zur Elektrolyse an die Kupferschicht gelötet, wonach jedoch auch andere Materialien Verwendung finden, das Ganze in ein elektrolytisches Bad getaucht wird. Auf einer Platte aus Glas oder einem keramischen In diesem Fall enthält dieses Bad eine CuSO₄- Material können die Kontaktfiguren nach Fig. 8 Lösung, aus der an den nicht durch die Photolack- 35 auch aus mit einer dünnen Goldschicht überzogenem maske bedeckten Stellen Kupfer auf der Kupfer- Chrom bestehen. Die Beine 30, 31, 32 und 33 schicht niedergeschlagen wird. Es sind dies die (Fig. 6 und 7) sind dabei wieder aus Kupfer. Auf Stellen, an denen die leitenden Beine des Trägers eine Seite der Platte wird eine erste Chromschicht angebracht werden müssen, wie F i g. 9 zeigt. Diese aufgedampft, die elektrolytisch mit einer dünnen Beine ruhen auf einem Teil der gut haftenden ent- 40 Goldschicht überzogen wird. Das Ganze wird dann sprechenden Aluminium-Chrom-Figur nach Fig. 8 mit einer durch ein Photoätzgrundverfahren angeauf. In einem zweiten Bad kann auf die so gebil- brachten Maske bedeckt und in ein Ätzbad aus deten Beine eine 2,5 μπι dicke Goldschicht aufge- Königswasser (einem Gemenge von HNO₃ und HCI) bracht werden. Nach der Entfernung der Maske wird gegeben. Nach dem Ätzen und der Entfernung der die dünne Kupferschicht, welche die Platte noch 45 Maske ergeben sich die Figuren nach F i g. 8 aus völlig bedeckt und auf die die Beine der einzelnen Chrom und Gold. An diesen können die weiteren Träger aufgewachsen sind, weggeätzt. Diese Kupfer- erforderlichen Bearbeitungen durchgeführt werden, schicht, die für die Ableitung des Elektrolysestroms Es ergibt somit für den Fachmann mehrere Mittel, erforderlich ist, wird überall um die Beine herum um die verschiedenen Stufen der erfindungsgemäßen weggeätzt. Das Kupfer unter den Beinen selbst wird 50 Bearbeitungen zu verwirklichen. Diese Stufen sind nicht weggeätzt; erstens ist die Ätzzeit viel zu kurz stets: das Aufdampfen und gegebenenfalls Vergolden und zweitens sind die Beine mit einer Goldschicht der Figuren nach Fig. 8, das durch Elektrolyse überzogen. Die Ätzflüssigkeit kann eine HNO₃- Anbringen der Beine, wodurch sich das Muster nach Lösung sein, die zwar die Kupferschicht, jedoch nicht F i g. 9 ergibt, das Anbringen der Halbleitervorrichdie Aluminium-Chrom-Schicht angreift. Das Ergebnis 55 tungen und das Anlöten derselben an die erwähnten ist in F i g. 9 dargestellt. Figuren, das gegebenenfalls mit einem Kunststoff

In dieser Weise ergibt sich eine Vielzahl von Überziehen und das Trennen der Träger voneinander. Trägern, die durch die gemeinsame Glasplatte ver- Für den Träger eines Transistors sind auch andere

einigt sind. Die Transistoren können zeilenweise an Ausführungsformen möglich. Die Figuren nach die Träger gelötet werden. Um jede Figur an ihren 60 F i g. 8 können entsprechend der Gestalt der anzurichtigen Platz unter einem Heftgerät mit dem der bringenden Halbleitervorrichtung anders ausgebildet Mikrotransistor befestigt wird, zu bringen, ist dabei sein. Diese Halbleitervorrichtung kann gegebenennur eine wiederholte Translationsbewegung um falls eine monolithische integrierte Schaltung sein, jeweils die gleiche Strecke erforderlich. Das Löten die nicht drei, sondern fünf Kontaktstreifen von der kann durch Ultraschall erfolgen. Jeder befestigte und 65 Art wie die Kontakte 5, 6 und 7 nach den F i g. 2 festgelötete Transistor kann mittels einer Nadel mit und 3 aufweist. In diesem Fall muß der Träger auch einer Kunstharzschicht überzogen werden. Schließ- mindestens fünf Beine entsprechend den Beinen 30, lieh werden die Träger durch Sägen voneinander 31, 32 und 33 aufweisen, während die leitenden

Figuren auf dem Träger der Gestaltung der Kontaktstreifen und der Beine angepaßt werden müssen. Die Abmessungen der Beine können verhältnismäßig beliebig gewählt werden; sie sind nur wenigen Beschränkungen unterworfen: Die Dicke der elektrolytisch angebrachten Schicht muß größer als die Dicke des Transistors 34 sein, so daß der Träger unbedenklich umgekehrt und auf eine Hybrid-Schaltung z. B. nach Fig. 1 gestellt werden kann. Wenn die Halbleitervorrichtungen jedoch im Gegensatz zum Transistor nach den F i g. 2 und 3 keine Kontaktstreifen, sondern Aluminiumkontaktflächen auf den Halbleiterkörper selbst aufweisen, müssen diese Körper mit den Kontaktflächen oben auf dem Träger angeordnet und diese Flächen mittels dünner Golddrahte mit den Leitern auf dem Träger verbunden werden. Dabei muß die elektrolytische Schicht so dick sein, daß, wenn der Halbleiterkörper und diese Drähte mit einem Kunststofftropfen bedeckt worden sind, die Beine noch über dem Tropfen hervorstehen. Wenn die Beine durch Wegätzen der elektrolytischen Kupferschicht erhalten sind, greift die Ätzflüssigkeit an den Seiten der Beine unter der schützenden Goldschicht an. Die Beine müssen deshalb breit sein. Ihre Form liegt nicht von vornherein fest, aber sie as müssen jedenfalls die Form von Ansätzen aufweisen. Die F i g. 6 und 7 zeigen einen Träger, der nur die Aufgabe hat, kleine Kontaktstreifen des Transistors 34 mit den größeren Kontaktbeinen 30, 31, 32 und 33 zu verbinden. Der Träger kann jedoch auch selbst eine Schaltungsfunktion erfüllen, indem er z. B. zwei Transistoren trägt, die über Leiter und Widerstände zu einer bistabilen Schaltung vereinigt sind, deren herauszuführende Kontakte mit den Beinen des Trägers verbunden sind. Ein derartiger Träger kann somit selbst als Träger für eine Mikroschaltung dienen.

Claims

Patentansprüche:

1. Träger mit einer oder mehreren Mikroschaltungen mit je einem oder mehreren Elementen, insbesondere Halbleiterelementen, der aus einer nichtleitenden Platte besteht, deren eine Seite mehrere Ansätze aufweist, deren Enden leitend und von den Enden eines oder mehrere weitere Ansätze isoliert sind und zwischen denen auf der gleichen Seite der Platte die Schaltung mit den Elementen angebracht ist, deren Zuleitungen mit den leitenden Enden der Ansätze verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Ansatz (30, 31, 32, 33) aus einer elektrolytisch verdickten Leiterschicht besteht und höher als das Element bzw. die Elemente ist.

2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement die Form eines Blocks mit vorstehenden Zuleitungen (5, 6, 7) aufweist, die sich in einer Ebene erstrecken, in der eine der Flächen des Blocks liegt, wobei die Zuleitungen unmittelbar mit auf dem Träger

, angebrachten, z. B. aufgedampften, Leitern (35, 36, 37) verbunden sind, die auf einem von den Verbindungsstellen entfernten Teil elektrolytisch zu den Ansätzen (30, 31, 32, 33) verdickt sind.

3. Träger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (29) aus Glas besteht.

4. Verfahren zum Herstellen von Trägern nach Anspruch 1, 2 oder 3, auf denen mindestens eine Mikroschaltung mit einem oder mehreren elektrischen Elementen, insbesondere Halbleiterelementen, angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst auf ein gemeinsames nichtleitendes Substrat (29) sämtliche Schaltungen nebeneinander aufgedampft werden, wonach die erwähnten Ansätze (30, 31, 32, 33) dadurch gebildet werden, daß die entsprechenden Stellen auf den Schaltungen elektrolytisch auf eine Dicke verdickt werden, die erheblich größer als die Dicke jedes der anzubringenden Halbleiterelemente (34) ist, wonach jede Schaltung mit den erforderlichen Halbleiterelementen, die elektrisch mit ihr verbunden werden, versehen wird, und schließlich das gemeinsame Substrat in Teile getrennt wird, die je eine Schaltung mit zugeordneten Ansätzen aufweisen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 809(548/1745