DE1282601B - Verfahren zum Konstanthalten des Durchmessers des erzeugten Stabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents
Verfahren zum Konstanthalten des Durchmessers des erzeugten Stabes beim tiegelfreien ZonenschmelzenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
nmrASi ι & J
Int. Cl.:
Deutsche Kl.:
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
BOId
BOIj
12C-2
12 g-17/10
P 12 82 601.6-43 (M 63504)
15. Dezember 1964
14. November 1968
Beim Zonenschmelzen werden die behandelten Stoffe gereinigt, eine gleichmäßige Verteilung von
Verunreinigungen in den Stoffen bewirkt oder PoIykristalle in einen einkristallinen Stab umgeformt. In
anderen Fällen wird durch das Zonenschmelzen der Durchmesser eines Stabes geändert oder vergleichmäßigt.
Dabei soll der entstehende Stab vorherrschend einen gleichförmigen Durchmesser aufweisen, da
sonst beispielsweise der Stab nicht in Stücke gleichen Gewichtes unterteilt oder nur schwer als Keimkristall
bei der Züchtung von Einkristallstäben verwendet werden kann.
Man hat daher bereits beim Zonenschmelzen den Durchmesser des entstehenden Stabes von Hand oder
automatisch eingeregelt.
So ist ein Verfahren zum Konstanthalten des Durchmessers des erzeugten Stabes beim tiegelfreien
Zonenschmelzen bekannt, wobei vom Stab ausgehende Strahlung von einer die Strahlungsstärke *o
prüfenden Einrichtung, vorzugsweise einer photoelektrischen Zelle, aufgenommen und in Abhängigkeit
davon die Stauch-Streck-Bewegung der Stabenden geregelt wird.
Die Anwendung einer auf die Phasengrenze gerich- «5
teten Photozelle und die Steuerung der Stauch-Streck-Bewegung der Halterungen auf Grund von Abweichungen
des auf die Photozelle abgebildeten Helligkeitswertes, wobei der Durchmesser direkt gemessen
und korrigiert wird, ist ebenfalls bekannt.
Die Herstellung von Stäben kleineren Durchmessers — etwa von 4 bis 5 mm — ist hierbei jedoch
nicht vollständig zufriedenstellend, da die Durchmesserschwankungen kaum unter etwa 30 % gehalten
werden können.
Mit der Erfindung soll nun ein Verfahren und ein Gerät zum Herstellen zonengeschmolzener Halbleiterstäbe
von verhältnismäßig gleichförmigen Durchmessern geschaffen werden. Demgegenüber gelingt es
beim tiegelfreien Zonenschmelzen, wobei vom Stab ausgehende Strahlung von einer die Strahlungsstärke
prüfenden Vorrichtung, vorzugsweise einer photoelektrischen Zelle aufgenommen und in Abhängigkeit
davon die Stauch-Streck-Bewegung der Stabenden geregelt wird, den Durchmesser des erzeugten Stabes
konstant zu halten und auch bei sehr dünnen Stäben die Abweichung vom mittleren Durchmesser unter
10% zu halten, wenn erfindungsgemäß die Strahlung, die von der die Strahlungsstärke prüfenden Vorrichtung
gemessen wird, von der Phasengrenzfläche des erstarrenden Endes der Schmelzzone ausgesandt wird,
wenn diese sich an der gewünschten Stelle befindet, Verfahren zum Konstanthalten des
Durchmessers des erzeugten Stabes beim
tiegelfreien Zonenschmelzen
Durchmessers des erzeugten Stabes beim
tiegelfreien Zonenschmelzen
Anmelder:
Monsanto Company, St. Louis, Mo. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. H. Ruschke
und Dipl.-Ing. H. Agular, Patentanwälte,
8000 München 27, Pienzenauer Str. 2
Als Erfinder benannt:
William Francis Tucker,
Rathford, Creve Coeur, Mo. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 16. Dezember 1963
(330 671)
V. St. v. Amerika vom 16. Dezember 1963
(330 671)
wenn der so gemessene Wert als Sollwert benützt
und während des Zonenschmelzens über eine Regeleinrichtung bei einer Änderung der Strahlungsstärke
infolge Verschiebung der Phasengrenzfläche in bekannter Weise die Stauch-Streck-Bewegung so gesteuert
wird, bis der Sollwert wieder erreicht ist.
Während also bei dem bekannten Verfahren die Veränderung des Durchmessers des Stabes als Regelwert
benützt wird, wird bei dem neuen Verfahren die Veränderung der Strahlungsstärke an der Sollstelle
der Phasengrenze als Regelwert herangezogen und damit ein immer gleicher Abstand der Phasengrenze
von z. B. der Heizeinrichtung aufrechterhalten.
In den Zeichnungen ist
F i g. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Durchführung des beanspruchten Verfahrens,
mit der mittels eines Zonenschmelzvorganges aus einem Stab großen Durchmessers ein Stab kleinen
Durchmessers hergestellt wird,
F i g. 2 eine vergrößerte Ansicht der Schmelzzone mit den beiden benachbarten festen Stababschnitten
des Stabes, dessen Zone in dem Gerät nach Fig. 1
geschmolzen wird.
Das in F i g. 1 dargestellte Gerät hat eine untere Stabhaltevorrichtung 10, die das untere Ende eines
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3 4
aus Halbleitermaterial bestehenden Stabes 12 in lot- Eine Meßvorrichtung 72 prüft Änderungen im Abrechter
Stellung hält und die von einer lotrecht an- stand zwischen der Wiedererstarrungsgrenzfläche 68
geordneten Gewindespindel 14 getragen wird, welche und einer willkürlich gewählten Bezugsfläche, die
in einen mit Spindelgewinde versehenen Ring 16 ein- den Stab 12 in Querrichtung durchsetzt und die sich
geschraubt ist. 5 in bezug auf die Längsachse des Stabes mit einer
Der ein waagerecht angeordnetes Zahnrad 18 tra- Geschwindigkeit bewegt, die gleich der mittleren
gende Ring 16 ist auf einem Gestellteil 20 drehbar Bewegungsgeschwindigkeit der Schmelzzone 66 ist.
gelagert, der eine Bohrung zur Aufnahme der Spin- Zu Erläuterungszwecken ist eine Bezugsfläche willdel
14 hat. Das Zahnrad 18 steht im Eingriff mit kürlich gewählt worden, die der oberen Fläche der
einem zweiten Zahnrad22, das über ein übliches i° Heizspule62 entspricht und die in Fig. 1 mit der
Untersetzungsgetriebe (nicht dargestellt) von einem gestrichelten Linie »a« angedeutet ist. Der Abstand
Elektromotor 24 getrieben wird. Die Spindel 14 kann zwischen der gewählten Bezugsfläche und der Wiedersich
in lotrechter Richtung frei bewegen, wird aber erstarrungsgrenzfläche 68 ist mit »rf« bezeichnet. Das
gegen Drehung gehalten, so daß bei einer Drehung gewünschte Ergebnis kann leicht dadurch erreicht
des Zahnrades 18 die Spindel 14 und der Stabhalter 15 werden, daß die Meßvorrichtung 72 auf dem die
10 in gewünschter Weise lotrecht bewegt werden Heizspule 62 tragenden Tisch so angeordnet ist, daß
können. die Meßvorrichtung eine feststehende Stellung in be-
Eine zweite Stabhaltevorrichtung 26 besteht aus zug auf die Heizspule einnimmt.
zwei mit Rillen versehenen Rollen 28 und 30. Die Die dargestellte Meßvorrichtung 72 besteht aus
Rolle 28 sitzt auf einer Welle 32, die in zwei beid- so einer photoelektrischen Zelle 74, die in diesem Falle
seitig der Rolle 32 gelegenen Tragarmen 34 gelagert eine Cadmium-Selen-Zelle veränderlichen Widerstanist.
Die Rolle 30 sitzt in ähnlicher Weise auf einer des sein kann, und aus einem Linsensystem 76. Das
Welle 36, die in zweT beidseitig der Rolle 30 gelege- Linsensystem 76 erzeugt auf der Oberfläche der Zelle
nen Tragarmen 38 gelagert ist. Die Tragarme 34 und 74, wie F i g. 2 zeigt, das Bild eines Flächenabschnit-38
werden von zwei Wellen 40 bzw. 42 getragen, die as tes des Stabes 12, wobei dieses Bild die angrenzenden
in einem Träger 44 ^drehbar gelagert sind. Die Trag- , Oberflächenteile des oberhalb der Grenzfläche 68 gearme 34 und 38 drehen sich auf der Welle 40 bzw. legenen festen Stababschnittes und einen Teil der
42, jedoch ist die Relativbewegung zwischen den Schmelzzone 66 zeigt. Bei dieser Anordnung ergibt
Tragarmen und den Wellen aus nachstehend be- die lotrechte Bewegung der Grenzfläche 68 in bezug
schriebenen Gründen vorzugsweise nicht reibungs- 3° auf die Bezugsfläche »α« eine Änderung der von der
frei. ;. Oberfläche der Zelle 74 aufgenommenen Bestrahlung,
An dem einen Ende der Rolle 28 ist ein Zahnrad wobei diese Änderung auf einem Unterschied in der
46 befestigt, das im Eingriff mit einem auf der Welle Bestrahlungsstärke beruht, die aus der festen Fläche
40 befestigten Zahnrad 48 steht. In gleicher Weise ist des Stabes und aus der geschmolzenen Fläche des
auf dem einen Ende der Rolle 30 ein Zahnrad 49 be- 35 Stabes ausgestrahlt wird.
festigt, das im Eingriff mit dem auf der Welle 42 be- . Die Zelle 74 ist über elektrische Leiter mit einem
festigten Zahnrad 50 steht, das mit dem Zahnrad 48 Magnetverstärker 78 verbunden, der über Leiter 79
kämmt, so daß das Zahnrad 48 beide Rollen 28 und und 80 mit einer Wechselstromquelle in Verbindung
30 in entgegengesetzten Richtungen dreht. Ein Elek- steht. Die Zelle 74 ist mit dem Magnetverstärker 78
tromotor 52 treibt über ein übliches Untersetzungs- 4° so verbunden, daß eine Abnahme der von der Fläche
getriebe (nicht dargestellt) die das Zahnrad 48 trei- der Zelle 74 über das Linsensystem 76 aufgenommebende
Antriebswelle 40. nen Strahlungsmenge eine Zunahme des Widerstan-
Die Haltevorrichtung 26 ist auf einem Drehtisch des der Zelle 74 zur Folge hat, wodurch sich wieder-54
angeordnet. Es ist zwar nicht notwendig, daß der um ein verstärkter Widerstand oder eine Impedanz
Drehtisch 54 gedreht wird, jedoch wurde festgestellt, 45 in bezug auf den Wechselstromdurchfluß in den
daß die Drehung der einen Haltevorrichtung oder Leitern 79 und 80 über den Magnetverstärker ergibt,
beider Haltevorrichtungen, die die Enden des Halb- Im Leiter 79 liegt zwischen der Stromquelle und dem
leiterstabes halten, erwünscht ist und bessere Ergeb- Magnetverstärker ein Widerstand 82. Mit dem Leiter
nisse erzielt. Eine von einem Elektromotor 58 getrie- 79 ist zwischen dem Widerstand 82 und dem Magnetbene
kleine Riemenscheibe 56 dreht den Drehtisch 54 5° verstärker 78 ein Leiter 84 verbunden. Bei dieser
über einen Riemen 59, der in einer Umfangsrille des Anordnung ändert sich die Spannung zwischen den
Drehtisches geführt ist. Zum Verhindern von Rütte- Leitern 84 und 80 mit den Änderungen der von der
lungen und zum Halten des oberen festen Teiles des Zelle 74 aufgenommenen Bestrahlungsmenge. Ein
Stabes 12 in richtiger Fluchtstellung sind innerhalb mit dem Leiter 79 verbundener Leiter 86 führt zudes
Drehtisches 54 zwei frei drehbare Führungsrollen 55 sammen mit dem Leiter 84 Strom einem verstellbaren
60 und 61 angeordnet, die elastisch federnd gegen- Transformator 88 zu, der mit einem Vollweggleichemander
gedrückt werden, um einen Spalt zu bilden, richter 89 verbunden ist. Der Gleichrichter 89 führt
durch den der Stab 12 hindurchgeführt wird. über Kommutatorringe (nicht dargestellt) und über
Eine übliche Hochfrequenz-Heizspule 62 ist um Leiter 90 und 91 dem Motor 52 eine geregelte geden
Stab 12 angeordnet. Die Heizspule 62 ist mit 60 richtete Spannung zu. Die dem Motor 52 zugeführte
einer Hochfrequenzquelle, z.B. mit einem Hoch- Spannung kann am Transformator88 von Hand gefrequenzerzeuger
64, verbunden. Beim Stromdurch- regelt werden und wird bei Änderungen der auf die
gang durch die Spule 62 wird eine Schmelzzone 66 Fläche der Zelle 74 geworfenen Lichtmenge autoim
aufrechten Stab 12 geschaffen. Die Schmelzzone matisch geändert.
66 ist an ihrem oberen Ende von einer querverlaufen- 65 Bei Verwendung des Gerätes wird ein dicker Stab
den Wiedererstarrungsgrenzfläche 68 und an ihrem aus Halbleitermaterial in den Stabhalter 10 eingeunteren
Ende von einer querverlaufenden Schmelz- setzt und in lotrechter Stellung richtig ausgerichtet,
grenzfläche 70 begrenzt. < Die lotrechte Stellung kann dadurch geprüft werden,
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daß der Stabhalter 10 gedreht und das Ausmaß der mittels des Motors 24 nach oben geschoben wird,
Seitenbewegung am oberen Ende des Stabes 12 fest- erfolgt das Abziehen des oberen festen Endes von
gestellt wird. In den meisten Fällen ist es erwünscht, Stab 12 aus der Schmelzzone heraus durch den Moein Stückchen Molybdän oder ein anderes elektrisch tor 52 mit solcher Geschwindigkeit, daß die beiden
leitfähiges Material in den Stabhalter 10 zusammen 5 festen Abschnitte des Stabes ständig gegenseitig zumit
dem Stab 12 einzusetzen, damit dieses Stückchen rückweichen und der Stab großen Durchmessers in
als Vorerwärmer dient, da die reinen Halbleiterstoffe einen Stab kleineren Durchmessers umgeformt wird,
für gewöhnlich bei niedrigen Temperaturen so Da das untere feste Ende des Stabes 12 ständig in
schlechte Wärmeleiter sind, daß eine wirksame Kopp- die Schmelzzone 66 vorgeschoben wird und da der
lung mit einer Hochfrequenzerhitzerspule nicht er- io obere starre Teil des Stabes 12 ständig aus der
folgen kann, und ein Segment des Halbleiters auf Schmelzzone 66 herausgezogen wird, ist die Schmelzeine verhältnismäßig hohe Temperatur, bei der der zone an ihrem unteren Ende durch die erwähnte
Halbleiter leitend wird, erhöht werden müßte, ehe Schmelzgrenzfläche und an ihrem oberen Ende durch
eine wirksame Kopplung erfolgt. die erwähnte Wiedererstarrungsgrenzfläche begrenzt.
Sobald sich der Stab 12 in der richtigen Stellung 15 Es wurde bereits erwähnt, daß die Bewegung der
befindet, wird ein Keimstab kleinen Durchmessers Arme 34 und 38 in bezug auf die Welle 40 bzw. 42
zwischen die Rollen 28 und 30 geschoben und ge- vorzugsweise nicht reibungsfrei ist. Der Grund da-
senkt, bis dieser Stab etwas oberhalb des oberen für ist folgender: Beim üblichen Arbeiten werden
Endes des von dem Stabhalter 10 getragenen Stabes durch die Reibung zwischen der Welle 40 und dem
12 liegt. Das Gerät wird dann dicht eingeschlossen, s° Arm 34 und zwischen der Welle 42 und dem Arm
so daß der Zonenschmelzvorgang nach Wunsch in 38 die Rollen 28 und 32 gegeneinandergedrängt,
einer inerten Atmosphäre oder in einem Vakuum so daß der obere feste Teil des Stabes 12 kräftiger
ausgeführt werden kann. erfaßt wird. Hierdurch wird ein Schlupf zwischen
Zu Beginn des Zonenschmelzvorganges wird die dem Stab 12 und den Rollen 28 und 30 verringert
Heizspule 62 gesenkt oder der Stabhalter 10 wird ge- 25 und das Ausmaß verkleinert, über das die Rollen 28
hoben, bis die Heizspule in der gleichen Ebene mit und 30 durch Federn gegeneinandergedrückt werden
dem Molybdän od. dgl. liegt, das von dem Stabhalter müssen.
10 getragen wird. Das Molybdän wird beim Durch- Sobald die richtige Abzugsgeschwindigkeit eingegang
von Hochfrequenzstrom durch die Spule 62 auf stellt ist, d. h. die Geschwindigkeit, mit der das obere
eine hohe Temperatur erhitzt und erwärmt wiederum 30 starre Ende des Stabes 12 aus der Schmelzzone 66
das untere Ende des Stabes 12 auf eine so hohe herausgezogen werden muß, wird das Linsensystem
Temperatur, daß der Stab elektrisch leitend wird. 76 scharf auf die Wiedererstarrungsfläche 68 einge-Silicium
wird hierbei auf Rotwärme erwärmt. Bei stellt, so daß ein entsprechendes Bild dieses Oberweiter fortgesetztem Durchfluß des Hochfrequenz- flächenteils von Stab 12 auf die Fläche der Zelle 74
stromes durch die Heizspule 62 wird dann die Heiz- 35 geworfen wird. Die richtige Einstellung des Linsenspule
62 mit sehr geringer Geschwindigkeit in bezug systems 76 kann vor dem Einleiten des Zonenauf
den Stabhalter 10 nach oben bewegt, so daß die Schmelzvorganges ausgeführt werden, da bei einem
zwischen der Heizspule und dem Stab 12 hergestellte gewählten Durchmesser des Stabes und des Erzeug-Kopplung
nicht unterbrochen wird. Auf diese Weise nisses die Stellung der Wiedererstarrungsgrenzfläche
kann der erhitzte Abschnitt des Stabes 12 vom unte- 40 genau bestimmt werden kann. Tritt aus irgendeinem
ren Stabende zum oberen Stabende bewegt oder ver- Grunde, z. B. bei Schwankungen im Durchmesser des
lagert werden. Sobald sich die Heizspule annähernd in die Schmelzzone 66 eingeführten unteren Endes
in der gleichen Ebene mit dem oberen Ende des von von Stab 12 oder bei Schwankungen in dem der Heizdem
Stabhalter 10 getragenen Stabes 12 befindet, spule 62 zugeführten Strom, eine Bewegung der
wird der die Heizspule 62 durchströmende Strom 45 Grenzfläche 68 in bezug auf die Heizspule 62 auf, so
erhöht, so daß das obere Ende des Stabes 12 ge- daß eine Änderung der Größe »d« erfolgt, dann anschmolzen
wird. Zu dieser Zeit wird der von den dert sich die von der Fläche der Zelle 74 aufgenom-Rollen
28 und 30 gehaltene Stab aus Halbleitermate- mene Strahlungsmenge, so daß sich der Widerstand
rial so weit gesenkt, daß er das obere geschmolzene der Zelle 74 ändert und die Drehzahl des Motors je
Ende des Stabes 12 berührt. Das Gerät ist nun zum 50 nach dem Umstand erhöht oder verringert wird. Hier
automatischen Arbeiten und zur Herstellung eines sei darauf hingewiesen, daß die Strahlung aus der
Stabes bereit, der einen kleineren Durchmesser hat Fläche der Schmelzzone 66 je Flächeneinheit niedals
der in dem Stabschalter 10 getragene Stab großen riger ist als aus den nahe den festen Stababschnitten
Durchmessers. gelegenen Flächen. Wird daher die Belichtung der
Sobald der von den Rollen 28 und 30 gehaltene 55 Zelle 74 der Abwärtsbewegung der Grenzfläche 68
Stab an dem geschmolzenen oberen Ende des Stabes erhöht, dann wird die Drehzahl des Motors 52 in-
12 anliegt, werden die Motoren 58, 24 und 52 einge- folge der Verringerung des Widerstandes der Zelle 74
schaltet und die Arbeitsgeschwindigkeiten der Mo- erhöht, und die Spannung an den Leitern 84 und 80
toren 24 und 52 werden so abgestimmt, daß die Auf- nimmt zu. Wird dagegen die Belichtung der Zelle 74
wärtsbewegung des unteren festen Endes von Stab 60 infolge der relativen Aufwärtsbewegung der Grenz-
12 in bezug auf die Geschwindigkeit der Aufwärts- fläche 68 verringert, dann wird die Drehzahl des
bewegung des oberen ersten Endes von Stab 12 so Motors 52 herabgesetzt und dadurch die Zug- oder
groß ist, daß ein im Durchmesser kleinerer Stab des Reckgeschwindigkeit verringert. Wie bereits erwähnt,
gewünschten mittleren Durchmessers aus der Schmelz- wurde festgestellt, daß bei Vorhandensein von Fak-
zone 66 herausgezogen wird. Das obere feste Ende 65 toren, die eine abwärts gerichtete Relativbewegung
des Stabes 12 wurde anfangs von dem zwischen den der Grenzfläche 68 zur Folge haben, eine Zunahme
Rollen 28 und 30 liegenden Stab gebildet. Während im Durchmesser des aus der Schmelzzone 66 abge-
das untere Ende des Stabes 12 in die Schmelzzone 66 zogenen Stabsegmentes erfolgt, wobei jedoch eine
leicht erkennbare Bewegung der Grenzfläche 68 oberhalb der Schraelzzone vor dem Auftreten einer wesentlichen
Änderung des Stabdurchmessers erfolgt. Faktoren, die für gewöhnlich eine Zunahme im Stabdurchmesser bewirken, können also unter günstigen
Umständen korrigiert werden, ehe eine wesentliche Durchmesservergrößerung auftritt. In gleicher Weise
können unerwünschte Verkleinerungen des Stabsegmentdurchmessers oberhalb der Schmelzzone 66
so geregelt werden, daß durch Festigen der Schmelzzone ein Stabsegment erhalten wird, das nur innerhalb
enger Grenzen von einem ausgewählten Durchmesser abweicht.
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Konstanthalten des Durchmessers des erzeugten Stabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen, wobei vom Stab ausgehende Strahlung von einer die Strahlungsstärke prüfen- aoden Vorrichtung, vorzugsweise einer photoelektrischen Zelle aufgenommen und in Abhängigkeit davon die Stauch-Streck-Bewegung der Stabenden geregelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlung, die von der die Strahlungsstärke prüfenden Vorrichtung gemessen wird, von der Phasengrenzfläche des erstarrenden Endes der Schmelzzone ausgesandt wird, wenn diese sich an der gewünschten Stelle beifindet, daß der so gemessene Wert als Sollwert benutzt und während des Zonenschmelzens über eine Regeleinrichtung bei einer Änderung der Strahlungsstärke infolge Verschiebung der Phasengrenzfläche in bekannter Weise die Stauch-Streck-Bewegung so gesteuert wird, bis der Sollwert wieder erreicht ist.In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 992 311;
französische Patentschrift Nr. 1 340 483.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen809 637/1195 11.63 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33067163A | 1963-12-16 | 1963-12-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1282601B true DE1282601B (de) | 1968-11-14 |
Family
ID=23290791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEM63504A Pending DE1282601B (de) | 1963-12-16 | 1964-12-15 | Verfahren zum Konstanthalten des Durchmessers des erzeugten Stabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3428436A (de) |
DE (1) | DE1282601B (de) |
GB (1) | GB1060630A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3870477A (en) * | 1972-07-10 | 1975-03-11 | Tyco Laboratories Inc | Optical control of crystal growth |
US4186173A (en) * | 1975-04-11 | 1980-01-29 | Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg | Apparatus for producing monocrystals |
US4078897A (en) * | 1975-04-11 | 1978-03-14 | Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg | Apparatus for producing monocrystals |
US4185076A (en) * | 1977-03-17 | 1980-01-22 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Apparatus for controlled growth of silicon and germanium crystal ribbons |
US4184907A (en) * | 1977-03-17 | 1980-01-22 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Control of capillary die shaped crystal growth of silicon and germanium crystals |
DK371977A (da) * | 1977-08-22 | 1979-02-23 | Topsil As | Fremgangsmaade og apparat til raffinering af halvledermateriale |
US4267151A (en) * | 1978-06-14 | 1981-05-12 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Apparatus for crystal growth control |
US4317799A (en) * | 1979-03-12 | 1982-03-02 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Belt-roller crystal pulling mechanism |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2992311A (en) * | 1960-09-28 | 1961-07-11 | Siemens Ag | Method and apparatus for floatingzone melting of semiconductor rods |
FR1340483A (fr) * | 1961-12-07 | 1963-10-18 | Siemens Ag | Dispositif pour exécuter les procédés de fusion par zone sur les barreaux semiconducteurs |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1153908B (de) * | 1958-04-22 | 1963-09-05 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen mit Abstandsaenderung der Stabenden |
NL255530A (de) * | 1959-09-11 | |||
GB904100A (en) * | 1959-09-11 | 1962-08-22 | Siemens Ag | A process for zone-by-zone melting of a rod of semi-conductor material using an induction coil as the heating means and an automatic arrangement for controlling the current through the coil |
NL113566C (de) * | 1960-06-25 | |||
US3136876A (en) * | 1960-10-26 | 1964-06-09 | Clevite Corp | Indicator and control system |
US3190728A (en) * | 1960-10-27 | 1965-06-22 | Ronette Piezo Electrische Ind | Apparatus for melting material by means of a flame of elevated temperature |
-
1963
- 1963-12-16 US US330671A patent/US3428436A/en not_active Expired - Lifetime
-
1964
- 1964-12-15 GB GB51023/64A patent/GB1060630A/en not_active Expired
- 1964-12-15 DE DEM63504A patent/DE1282601B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2992311A (en) * | 1960-09-28 | 1961-07-11 | Siemens Ag | Method and apparatus for floatingzone melting of semiconductor rods |
FR1340483A (fr) * | 1961-12-07 | 1963-10-18 | Siemens Ag | Dispositif pour exécuter les procédés de fusion par zone sur les barreaux semiconducteurs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1060630A (en) | 1967-03-08 |
US3428436A (en) | 1969-02-18 |
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