DE1272979B - Transistor-Kippschaltung mit komplementaeren Transistoren - Google Patents

Transistor-Kippschaltung mit komplementaeren Transistoren

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DE1272979B
DE1272979B DE1966L0054245 DEL0054245A DE1272979B DE 1272979 B DE1272979 B DE 1272979B DE 1966L0054245 DE1966L0054245 DE 1966L0054245 DE L0054245 A DEL0054245 A DE L0054245A DE 1272979 B DE1272979 B DE 1272979B
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resistor
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Hubert Roellecke
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

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Description

  • Transistor-Kippschaltung mit komplementären Transistoren Die Erfindung betrifft eine Transistor-Kippschaltung mit komplementären Transistoren, bei der in Reihe mit dem Ausgangstransistor ein Lastwiderstand geschaltet ist, zu denen weiter ein Spannungsteiler parallel liegt und bei der vom Eingangstransistor der Kollektor an die Basis des Ausgangstransistors angeschlossen ist und ein Rückkopplungswiderstand den Kollektor des Ausgangstransistors mit der Basis des Eingangstransistors verbindet.
  • Kippschaltungen dienen als Spannungsdiskriminatoren für Gleichspannungen, Wechselspannungen und Impulsspannungen. Sie geben ein Signal ab, sobald eine vorgegebene Ansprechspannung über- bzw. unterschritten wird.
  • Es ist bereits eine Kippschaltung mit komplementären Transistoren bekannt, bei der in Reihe mit dem Ausgangstransistor ein Lastwiderstand geschaltet ist, zu denen parallel ein Spannungsteiler zur Einstellung des Ansprechwertes liegt (Electro-Technology, April 1963, S. 108). Dabei stellt die Basis des Eingangstransistors, der ein Eingangswiderstand vorgeschaltet ist, den Eingang der Kippschaltung dar. Ferner ist zwischen dem Kollektor des Ausgangstransistors und der Basis des Eingangstransistors ein Rückkopplungswiderstand angeordnet. Eingangswiderstand, Rückkopplungswiderstand und Lastwiderstand bilden somit bei der bekannten Kippschaltung einen Spannungsteiler, über den der Eingangstransistor angesteuert wird. Dies bedeutet, daß nachteiligeiweise der Eingangswiderstand in das Halteverhältnis der Kippschaltung sowie in das Verhalten beim Durchschalten mit eingeht. Der Ein-` gangswiderstand ist daher bei der Auslegung der Rückkopplung mit zu berücksichtigen, womit sich eine entsprechende Begrenzung der Größe des Eingangswiderstandes ergibt. Eine weitere Begrenzung der Größe des Eingangswiderstandes ergibt sich durch die zu berücksichtigende Strom- und Spannungsdrift des Eingangstransistors. Der Ansprechstrom muß auch groß gegenüber temperaturbedingten Schwankungen des Eingangsstromes sein. Außerdem ist bei der bekannten Kippschaltung ungünstig, daß das Halteverhältnis nicht durch den Innenwiderstand der dem Eingang vorgeschalteten Signalquelle beeinflußt wird und daß sich bei angesprochener Kippschaltung - insbesondere bei Signalspannungsquellen mit großem Innenwiderstand - Rückwirkungen auf das Eingangssignal ergeben.
  • Weiter ist eine Transistor-Kippschaltung mit Parallelrückkopplung zwischen Ausgangs- und Eingangsstufe und einem dem Steuereingang der Eingangsstufe vorgeschalteten nichtlinearen Widerstand bekanntgeworden, bei der der nichtlineare Widerstand eine zur Eingangsstufe komplementäre Transistoranordnung ist. Durch die Anordnung einer zusätzlichen, von der komplementären Transistoranordnung gebildeten Verstärkerstufe lassen sich bei der bekannten Kippschaltung zwar ein hochohmiger Eingangswiderstand erzielen und Rückwirkungen auf das Eingangssignal vermeiden, jedoch wird trotzdem nicht die Beeinflussung des Halteverhältnisses durch den Lastwiderstand herabgesetzt, da der Rückkopplungswiderstand mit dem eigentlichen Eingang der Kippstufe verbunden ist.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Kippschaltung zu erstellen, deren Eingangswiderstand hochohmig sein kann, deren Halteverhältnis sich annähernd dem Wert Eins wählen läßt und deren Rückwirkung auf das Eingangssignal zu vernachlässigen ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei der eingangs genannten Kippschaltung dadurch gelöst, daß von dem Eingangstransistor die Basis an einen Abgriff des Spannungsteilers, der Emitter an einen Vorwiderstand angeschlossen sind.
  • Der Eingangstransistor arbeitet also bei der erfindungsgemäßen Kippschaltung in Basis-Basis-Schaltung und wird über den Emitter angesteuert, während die Rückkopplung auf die nicht den Eingang bildende Basis des Eingangstransistors erfolgt. Der Ausgangstransistor wird in Basis-Emitter-Schaltung betrieben. Durch diese Schaltung wird erreicht, daß der Eingangswiderstand den Eingangsstrom der Kippschaltung bestimmt, sobald der Eingangstransistor aufgesteuert ist. Es liegt dann ein eingeprägter Strom im Kollektorkreis des Eingangstransistors vor. Temperaturbedingte Änderungen des Stromverstärkungsfaktors und die Stromdrift der Basis-Emitter-Strecke des Eingangstransistors können sich nicht auswirken, da der Emitter-Kollektor-Strom- vom Eingangswiderstand vorgegeben ist. Es verbleibt vom Eingangstransistor lediglich der Einfluß der Spannungsdrift. Diese läßt sich jedoch gegenüber der Stromdrift besser fassen und daher auch einfacher sowie genauer kompensieren. Durch diese Herabsetzung der driftbedingten Schwankungen ergeben sich genauere Ansprechwerte für die Kippschaltung. Eine Ansteuerung mit kleineren Strömen ist also möglich. Der Eingangswiderstand kann dementsprechend hochohmig sein.
  • Besonders vorteilhaft ist bei der erfindungsgemäßen Schaltung das Fehlen eines Einflusses -des Eingangswiderstandes und damit auch des Innenwiderstandes einer Signalquelle auf die Rückkopplung und das Halteverhältnis. Diese Unabhängigkeit ist eine Folge des -Anschlusses des Rückkopplungswiderstandes an die Basis des Eingangstransistors, die jedoch nicht den Eingang der Kippschaltung bildet. Der kückkopplungswiderstand kann dabei sogar hochohmig sein. Letzteres wiederum bedeutet, daß auch der Einfluß des Lastwiderstandes auf das Halteverhältnis gering bleibt. Es kann somit das Halteverhältnis bei der erfindungsgemäßen Schaltung in einem großen Bereich, der sich dem Halteverhältnis Eins sehr nähert, unabhängig vom Eingangs- und Lastwiderstand der Kippschaltung eingestellt werden.
  • Im folgenden soll die Erfindung an Hand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert werden, aus denen sich weitere Einzelheiten sowie auch weitere Vorteile ergeben. Dabei zeigt F i g. 1 eine Kippschaltung mit fest eingestelltem Ansprechwert und vorgegebenem Halteverhältnis, F i g. 2 eine Kippschaltung mit veränderlichem Ansprechwert; veränderlichem Halteverhältnis sowie leistungsarmer Stabilisierung der Versorgungsspannung, F i g. 3 eine Kippschaltung entsprechend F i g. 1 mit Temperaturkompensation des Ansprechwertes. Die in den Figuren dargestellten Kippschaltungen besitzen jeweils Eingangsklemmen 1, 2, Ausgangsklemmen 14, 15, eine Versorgungsleitung 11 und eine Bezugspotential führende Leitung 3. Zwischen den Leitungen 3, 11 ist ein Ausgangstransistor 9 in Reihe mit einem beispielsweise von einem Relais gebildeten Lastwiderstand 12 geschaltet. Parallel zu 12 liegt eine Freilaufdiode 13. Weiter liegt zu 9 und 12 ein Spannungsteiler 6, 7 bzw. in F i g. 2 6, 71, 72 parallel, der zur Einstellung des Ansprechwertes der Kippschaltung dient. An einem Abgriff des Spannungsteilers 6, 7 bzw. 6, 71, 72 ist die Basis eines Eingangstransistors 5 angeschlossen, dessen Emitter über einen Vorwiderstand 4 mit der Eingangsklemme 2 und dessen Kollektor an die Basis eines Vortransistors 8 und über die Basis-Emitter-Strecke des Vortransistors 8 an die Basis des Ausgangstransistors 9 angeschlossen ist. Der Kollektor von 8 ist mit der Leitung 11 verbunden. Der Vortransistor 8 dient zur Stromverstärkung. Er wird vor allem bei einem niederohmigen Lastwiderstand 12 im Kollektorkreis des Ausgangstransistors 9 vorgesehen. Weiter ist zwischen dem Kollektor von 9 und der Basis des Ein- i gangstransistors 5 ein Rückkopplungswiderstand 10 bzw. in F i g. 2101,102 angeordnet.
  • Wie aus den Figuren ersichtlich,. ,arbeitet der Eingangstransistor 5 der Kippschaltung in Basis-Basis-Schaltung, während der Ausgangstransistor 9 in 1 Emitter-Basis-Schaltung betrieben wird. Die Rückkopplung vom Ausgangstransistor 9 über den Widerstand 10 bzw. in F i g. 2 die Widerstände 101, 102 auf den Eingangstransistor 5 erfolgt jedoch nicht auf den Eingang der Kippschaltung - also hier den Emitter von 5 -, sondern auf dessen Basis. Bei einem Ansprechen der Rückkopplung wird daher zwar das Potential der Basis verändert, so daß die Kippschaltung in ihren jeweils anderen Schaltzustand kippt, jedoch ergibt sich dabei praktisch keine Wechselwirkung mit dem Eingangskreis. Der Eingangswiderstand 4 sowie der Innenwiderstand eines an die Klemmen 1, 2 - angeschlossenen Signalgebers beeinflussen daher weder das Halteverhältnis der Kippschaltung, noch ergibt sich umgekehrt eine nennenswerte Rückwirkung der Kippschaltung auf das Eingangssignal.
  • Weiter ist günstig, daß der Rückkopplungswiderstand 10 bzw. in F i g. 2101, 102 und auch der Spannungsteiler 6, 7 bzw. 6, 71, 72 relativ hochohmig ausgeführt werden können. Bei einem hochohmgen Rückkopplungswiderstand bleibt der Einfluß des Lastwiderstandes 12 auf das Halteverhältnis gering. Ein hochohmiger Spannungsteiler ergibt eine geringere Belastung für die Stromversorgung der Kippschaltung.
  • Die Kippschaltung nach F i g. 1 arbeitet wie folgt: Ist die zu messende, an den Klemmen 1, 2 anliegende Spannung kleiner als die am Spannungsteiler 6, 7 über die Basis des Eingangstransistors 5 abgegriffene Spannung, so sind alle Transistoren 5, 8, 9 der Kippschaltung gesperrt. Sobald jedoch die zu messende Spannung die abgegriffene Spannung um den Betrag der Schleusenspannung der Emitter-Basis-Diode des Eingangstransistors 5 überschreitet, fließt ein Strom über den Widerstand 4, durch den die Transistoren 8, 9 angesteuert werden. Dadurch wird weiter über den Widerstand 10 ein Rückkopplungssignal auf die Basis des Eingangstransistors 5 gegeben, so daß 5 und damit auch die weiteren Transistoren 8, 9 voll durchgesteuert werden. Die Schaltung ist dann in ihren angesprochenen Zustand gekippt.
  • Im angesprochenen Zustand bestimmt praktisch nur der Eingangswiderstand 4 den über die Klemmen 1, 2 fließenden Strom, da die Transistoren 5, 8, 9 durchgesteuert sind. Temperaturbedingte oder auch sonstige Änderungen des Stromverstärkungsfaktors des Eingangstransistors 5 sowie die Stromdrift der Basis-Emitter-Strecke von 5 können sich daher günstigerweise nicht auswirken. Es ergeben sich somit genauere Ansprechwerte. Der Eingangswiderstand 4 kann also hochohmiger als bei bekannten Kippschaltungen ausgeführt werden. Es verbleibt praktisch nur der Einfluß der Spannungsdrift. Diese läßt sich jedoch gegenüber der Stromdrift besser erfassen und auch besser kompensieren.
  • Weiter ist bei der erfindungsgemäßen Kippschaltung günstig, daß der jeweils zum Ansprechen erforderliche Strom von der Einstellung des mit der Basis des Eingangstransistors 5 verbundenen Abgriffes des Spannungsteilers 6, 7 unabhängig ist. Eine Veränderung des Ansprechwertes führt auch zu keiner Änderung des Eingangswiderstandes.
  • Die Wirkungsweise der in F i g. 2 bzw 3 dargestellten Kippschaltung ist die gleiche wie bei der Kippschaltung nach F i g.1.
  • In F i g. 2 ist jedoch die Basis des Eingangstransistors 5 über einen einstellbaren Widerstand 103 mit dem Abgriff des einstellbaren Widerstandes 71 verbunden, der zusammen mit einem Widerstand 72 und den Widerstand 6 den Spannungsteiler bildet. Durch den Widerstand 103 erscheint der Spannungsteiler 6, 71, 72 für die Rückkopplung - gebildet von den Widerständen 101,102 - hochohmiger, womit auch die Widerstände 101,102 entsprechend hochohmiger gewählt werden können. Andererseits braucht der Widerstand 103, durch dessen Einstellung das Halteverhältnis verändert werden kann, nicht so hochohmig wie die Rückkopplungswiderstände 101,102 gewählt zu werden. Damit wird die Auswahl der für 103 verwendbaren Potentiometer erheblich erleichtert. Die vorstehend beschriebene Schaltung . ermöglicht insgesamt -vorteilhafterweise eine gesonderte Einstellung des Ansprechwertes und des Halteverhältnisses der Kippschaltung, wobei sich .die Ein-. stellungen nicht auf den Eingangskreis, in°shesondere auf den Eingangswiderstand der Kippschaltung, auswirken. Die Werte können sogar innerhalb großer Bereiche gewählt werden.
  • Außerdem sind bei der Kippschaltung nach F i g. 2 parallel zum Ausgangstransistor 9 und Lastwiderstand 12 ein Widerstand 16 und eine Zenerdiode 17 geschaltet, wobei die Zenerdiode 17 parallel zum Spannungsteiler 6, 71, 72 liegt. Dadurch ergibt sich eine leistungsarme Stabilisierung der Versorgungsspannung für die Kippschaltung, deren wesentlichster Verbraucher, der Lastwiderstand 12, nicht an die stabilisierte Spannung angeschlossen ist. Außerdem kann der Temperaturkoeffizient der Zenerdiode 17 derart gewählt werden, daß für eine bestimmte Ansprechspannung der Kippschaltung der Temperaturgang der Ansprechspannung kompensiert wird.
  • Um noch verbleibende Einwirkungen von Schwankungen der Versorgungsspannung auf den Ansprechwert auszuschalten, die diesen über die Rückkopplung beeinflussen könnten, sind zwei hintereinandergeschaltete Rückkopplungswiderstände 101,102 vorgesehen, zwischen deren Verbindungspunkt und dem Anschlußpunkt der Zenerdiode 17 an den Widerstand 72 des Spannungsteilers 6, 71, 72 eine Diode 18 angeordnet ist. Die Diode 18 ist so gepolt, daß bei gesperrtem Transistor 9 über den Lastwiderstand 12, den Widerstand 101 und die Diode 18 ein sehr kleiner Strom fließt, der zwar einerseits die stabilisierte Spannung nicht beeinträchtigt, andererseits jedoch ausreichend ist, um die Spannung am Verbindungspunkt der Diode 18 mit den Widerständen 101, 102 konstant zu halten. Schwankungen der Versorgungsspannung wirken sich dadurch nicht mehr auf den Ansprechwert aus.
  • Bei großen Unterschieden zwischen der an 15 anliegenden Versorgungsspannung und der durch die Zenerdiode 17 stabilisierten Spannung würde allerdings die Rückkopplung wegen der Diode 18 erst bei entsprechend stärkerer Ansteuerung des Transistors 9 wirksam werden. Um jedoch trotzdem ein unverzügliches Einsetzen der Rückkopplung und damit ein schnelles Kippen der Schaltung zu erzielen, sobald der Ansprechwert erreicht ist, liegt vorteilhafterweise parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Ausgangstransistors 9 ein Widerstand 19. Außerdem ist zwischen der Basis von 9 und dem Emitter des Eingangstransistors 5 ein Kondensator 23 geschaltet. Bei Erreichen des Ansprechwertes der Kippschaltung - also dem Leitendwerden der Transistoren 5, 8, 9 - wird über den Kondensator 23 ein Rückkopplungsimpuls auf den Eingang des Eingangstransistors 5 gegeben, durch den dieser sowie die weiteren Transistoren 8, 9 schnell aufgesteuert werden. Dadurch wird weiter - trotz Diode 18 - auch die Rückkopplung über die Widerstände 101, 102 schnell wirksam, und die Schaltung verhält sich dann, da die Diode 18 bei leitendem Transistor 9 sperrt, als ob die Diode 18 nicht vorhanden ist.
  • F i g. 3 zeigt eine Kippschaltung entsprechend F i g. 1, wobei jedoch der Eingangswiderstand 4 an den Emitter eines weiteren, zum Eingangstransistor 5 nicht komplementären Transistors 21 angeschlossen ist. Die Emitter-Kollektor=Strecke von 21 liegt parallel zum Eingangstransistor 5 und den Bäsis-gmitter-Strecken der- Transistdren-8, 9. Weiter sind die Basis von 21 über einen Widerstand 22 mit der Eingang5klemme 2 und der Emitter von 21 über einen 'Widerstand 20 mit der Leitung 11 verbunden. Durch den Transistor 21 wird eine weitgehende Kompensation des Temperaturganges des Ansprechwertes der Kippschaltung erreicht. Die sonstige Wirkungsweise der Schaltung nach F i g. 3 entspricht derjenigen nach F i g. 1 und braucht daher nicht nochmals erläutert zu werden.
  • Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß eine Kippschaltung mit hochohmigem Eingangswiderstand sowie gut erfaßbarer und damit einfach kompensierbarer Temperaturdrift geschaffen wurde. Weiter ist günstig, daß sich der Ansprechwert ohne Beeinflussung des Eingangswiderstandes und des Halteverhältnisses einstellen läßt.

Claims (7)

  1. Patentansprüche: 1. Transistor-Kippschaltung mit komplementären Transistoren, bei der in Reihe mit dem Ausgangstransistor ein Lastwiderstand geschaltet ist, zu denen weiter ein Spannungsteiler parallel liegt und bei der vom Eingangstransistor der Kollektor an die Basis des Ausgangstransistors angeschlossen ist und ein Rückkopplungswiderstand den Kollektor des Ausgangstransistors mit der Basis des Eingangstransistors verbindet, d a -durch gekennzeichnet, daß von dem Eingangstransistor (5) die Basis an einen Abgriff des Spannungsteilers (6, 7; 6, 71, 72), der Emitter an einen Vorwiderstand (4), angeschlossen sind.
  2. 2. Transistor-Kippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kollektor des Eingangstransistors (5) und der Basis des Ausgangstransistors (9) die Basis-Emitter-Strecke eines Vortransistors (8) angeordnet ist.
  3. 3. Transistor-Kippschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Eingangstransistors (5) über einenWiderstand (103) mit dem Abgriff des Spannungsteilers (6, 71, 72) verbunden ist.
  4. 4. Transistor-Kippschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (103) einstellbar ist. ,
  5. 5. Transistor-Kippschaltung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Abgriff des Spannungsteilers (6, 71, 72) einstellbar ist.
  6. 6. Transistor-Kippschaltung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zum Ausgangstransistor (9) und Lastwiderstand (12) ein Widerstand (16) und eine Zenerdiode (17) geschaltet sind, wobei die Zenerdiode (17) parallel zum Spannungsteiler (6, 71, 72) liegt und daß eine Diode (18) zwischen dem Verbindungspunkt von zwei Widerständen (1Q1, 102) des - Rückkopplungszweiges und dem Anschlußpunkt der Zenerdiode (17) an den Spannungsteiler (6, 71, 72) angeordnet ist.
  7. 7. Transistor-Kippschaltung nach Anspruch 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet; daß parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Ausgangstransistors (9) ein Widerstand (19) liegt und daß zwischen der Basis des Ausgangstransistors (9) und dem Emitter des Eingangstransistors (5) ein Kondensator (23) geschaltet ist. B. Transistor-Kippschaltung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangswiderstand (4) an den Emitter eines zum Eingangstransistor (5) nicht komplementären Transistors (21) angeschlossen ist, dessen Emitter-Kollektor-Strecke parallel zum Eingangstransistor (5) und zur Basis-Emitter-Strecke des Ausgangstransistors (9) liegt. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1193 989.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1193989B (de) * 1963-12-20 1965-06-03 Landis & Gyr Ag Kippschaltung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1193989B (de) * 1963-12-20 1965-06-03 Landis & Gyr Ag Kippschaltung

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