DE1269303B - Widerstandsmassen fuer elektrische Widerstaende, bestehend aus einem hochschmelzenden, isolierenden Grundstoff, und Verfahren zur Herstellung solcher Massen - Google Patents

Widerstandsmassen fuer elektrische Widerstaende, bestehend aus einem hochschmelzenden, isolierenden Grundstoff, und Verfahren zur Herstellung solcher Massen

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DE1269303B DE19591269303 DE1269303A DE1269303B DE 1269303 B DE1269303 B DE 1269303B DE 19591269303 DE19591269303 DE 19591269303 DE 1269303 A DE1269303 A DE 1269303A DE 1269303 B DE1269303 B DE 1269303B
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Description

  • Widerstandsmassen für elektrische Widerstände, bestehend aus einem hochschmelzenden, isolierenden Grundstoff, und Verfahren zur Herstellung solcher Massen Durch die österreichische Patentschrift 137 832 sind Widerstände bekanntgeworden, bei denen die eigentliche Widerstandsmasse als Oberflächenschicht auf einen Isolierträger aufgebracht ist und diese Oberflächenschicht aus einer Glasur besteht, in der Leiterteilchen oder Halbleiterteilchen eingelagert sind.
  • Durch die USA: Patentschrift 2 837 487 sind ferner elektrische Widerstandsmassen bekanntgeworden, die aus einer Glasur und aus einem geringen Anteil an feinverteiltem Silber bestehen und außerdem Metalloxide enthalten.
  • Widerstandsmassen für elektrische Widerstände aus einem hochschmelzenden, isolierenden Grundstoff, die aus einer Glasur und aus mindestens einem edlen Metall bestehen, sind gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsmassen aus etwa 84 bis 98 Gewichtsprozent Glasur, 1 bis 15 Gewichtsprozent eines oder mehrerer edler Metalle und außerdem aus 1 bis 3 Gewichtsprozent eines Halbleiters bestehen, der ein Titanat, Stannat, Vanadat, Arsenat, Antimonat, Molybdat oder Manganat der Metalle Cu, Zn, Cd, Pb und Fe oder ein Gemisch dieser Verbindungen ist.
  • Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung derartiger Widerstandsmassen besteht gemäß der Erfindung darin, daß eine Glasurmasse, bestehend aus einer Mischung aus feingemahlenem Glas, mindestens einer organischen Verbindung eines edlen Metalls, mindestens einem Halbleiter und einem organischen flüssigen Trägerstoff, hergestellt und erhitzt wird, so daß die organischen Bestandteile sich verflüchtigen, die trockene Mischung zu einem Pulver vermahlen und gebrannt wird, das gebrannte Pulver mit einer flüchtigen Flüssigkeit zu einer zähen Masse angemischt und noch feiner vermahlen wird und diese Masse auf einem hitzebeständigen elektrisch isolierenden Körper aufgebrannt wird, wobei die organische Verbindung des edlen Metalls zweckmäßigerweise ein Resinat ist-Gemäß der Erfindung werden als Halbleiterzusatz bestimmte Metalloxide, nämlich komplexe bzw. binäre Metalloxide verwendet. Die erfindungsgemäß gewählten Metalloxide wirken sich in besonderer Weise auf den sich ergebenden Ohmschen Widerstand und dessen Temperaturkoeffizienten aus, es lassen sich sowohl positive als auch negative Temperaturkoeffizienten als auch verschwindend kleine Temperaturkoeffizienten erzielen.
  • Der Ausdruck »Oxide mit Halbleitercharakter« soll im nachfolgenden binäre oder komplexe Oxide des polaren Typs bezeichnen, bei denen elektropositive und elektronegative Komponenten zu unterscheiden sind und die Verbindung als ein fester Körper mit einem Ionengitter anzusehen ist. Mindestens einige der Metallionen der Oxidverbindungen leiten sich aus einem oder mehreren Elementen der übergangsgruppen des Periodischen Systems ab, d. h. von Elementen, die zwischen Titan und Zink im Periodischen System liegen. Solche Oxide mit Halbleiterverhalten werden in der keramischen Technik in weitem Umfang für verschiedene Zwecke in gesinterter Form verwendet. Bei hohen Sintertemperaturen ergeben sich Reaktionen der festen Phasen, wobei Ionen der genannten Elemente mit verschiedener Wertigkeit an äquivalenten Punkten des Ionengitters gebildet werden. Typische Beispiele von oxydischen Halbleitern werden nachstehend erörtert und bestehen beispielsweise aus Kupfer- oder Zinkstannaten oder -antimonaten.
  • Bei der Widerstandsmasse nach der Erfindung bildet der Glasuranteil den größten Teil der Masse, während nur ein verhältnismäßig geringer Anteil aus dem Metall besteht und die oxydiscben Halbleiter wiederum gegenüber dem Metall einen geringen Anteil bilden. Hierbei sieht die Erfindung vor, daß das Widerstandsmaterial in der Weise erzeugt wird, daß Metallpartikeln kolloidal oder molekular in der Glasurmasse verteilt werden und die Glasurmasse bei einer Temperatur geschmolzen wird, die unterhalb des Schmelzpunktes des Metalls und der oxydischen Halbleiter liegt. Die Erfindung sieht ferner vor, daß die Widerstandsmasse einen Metallanteil hat, der höchstens 15 Gewichtsprozent der Widerstandsmasse beträgt, während der Anteil der oxydischen Halbleiter höchstens 3 Gewichtsprozent beträgt. Vorzugsweise beträgt die Stärke der Widerstandsschicht eines erfindungsgemäßen Widerstandes 0',01 bis 0,08 mm.
  • Die spezielle Zusammensetzung der Glasur ist nicht kritisch im Rahmen der Erfindung, und es sind weite Schwankungen in der Zusammensetzung zulässig, um eine gewünschte Schmelztemperatur, einen gewünschten thermischen Ausdehnungskoeffizienten, eine gewünschte Fließfähigkeit oder Lösungsfähigkeit od. dgl. zu erzielen. Glasuren, die sich im Rahmen der Erfindung eignen, sind Blei-Borosilikat-Gläser. Als ein Beispiel wird nachstehend die Zusammensetzung eines sich im Rahmen der Erfindung eignenden Glases wiedergegeben, wobei darauf zu verweisen ist, daß auch andere Glaszusammensetzungen für die Durchführung der Erfindung geeignet sind.
    Glas A
    Rohzusammensetzung (Anteile)
    Mennige ....................... 67,4
    Zinkoxid ...................... 5,4
    Borsäure ............... ....... 15,9
    Flint . ........ ............... 16,1
    Keramischer Trübungsstoff ...... 3,8
    Geschmolzene Masse
    Bleiglätte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65,70%
    Zinkoxid . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5,40()/o
    Borsäure ....................... 8,98°/o
    Siliziumdioxid . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17,49 %
    Zirkonoxid ...... . . . . . . . . . . . . . . . 2,390/0
    Die Glasur kann in beliebiger Weise hergestellt werden, zweckmäßigerweise jedoch wird ein Verfahren benutzt, welches möglichst hohe Homogenität liefert. Eine derartige Methode besteht darin, im trockenen Zustand eine bestimmte Menge der Grundstoffe miteinander zu vermischen, sodann in keramischen Tiegeln zu schmelzen, so daß eine klare flüssige Glasschmelze entsteht, und diese Masse durch Eingießen in kaltes Wasser abzuschrecken; darauf werden die Glasteilchen in Methanol oder einer ähnlichen Flüssigkeit so weit vermahlen, bis man ein sehr feines Pulver erhält, in welchem die Teile weniger als 0,04 mm Durchmesser besitzen.
  • Das in der Mischung verwendete Metall bzw. die in der Mischung verwendeten Metalle dürfen mit den anderen Komponenten bei der Herstellung der homogenen Mischung nicht reagieren und bei erhöhten Temperaturen in normaler Atmosphäre nicht oxydieren. Zu diesen Metallen gehören die edlen Metalle, wie Gold, Silber, Palladium, Platin, Rhodium und Iridium. Es können auch Mischungen und Legierungen solcher edlen Metalle Verwendung finden.
  • Die oxydischen Halbleiter werden zu der aus Glasmasse und edlen Metallen bestehenden Mischung zugegeben, um die elektrischen Eigenschaften des sich ergebenden Widerstandsmaterials zu beeinflussen. Derartige oxydische Halbleiter besitzen keine erhebliche Leitfähigkeit, wenn sie in einer Glasur verteilt auftreten und edle Metalle abwesend sind. Es treten jedoch unerwartete und noch nicht vollständig erklärte Eigenschaften auf, wenn es sich um eine Mischung handelt, die gemäß der Erfindung aus einer edle Metalle und oxydische Halbleiter enthaltenden Glasur besteht. Offenbar werden die oxydischen Halbleiter in Form kolloidaler Partikeln zwischen und um die Metallpartikeln herum verteilt und beeinflussen den Übergang der Elektronen zwischen den Metallteilchen in der Glasur. Oxydische Halbleiter, die bei Widerstandsmassen gemäß der Erfindung Verwendung finden, sind Metallstannate und Metallantimonate, es können jedoch auch Metalltitanate, -manganate, -vanadate, -arsenate, -molybdate und Mischungen derselben oder Mischungen mit Metallstannaten oder Metallantimonaten verwendet werden. Als ein Beispiel oxydischer Halbleiter, die im Rahmen der Erfindung zweckmäßig zu verwenden sind, können die nachfolgenden Stannate und Antimonate genannt werden, wobei dieselben sowohl für sich als auch in Mischung Verwendung finden können: Kupferstannat, Zinkstannat, Ferrostannat, Ferristannat, Kadmiumstannat und Manganostannat; Kupferantimonat, Zinkantimonat, Ferroantimonat, Ferriantimonat, Kadmiumantimonat, Bleiantimonat und Manganantimonat. Die Zugabe solcher Materialien zu den edlen Metallen der Glasmasse beeinflußt die elektrischen Eigenschaften. Die Zugabe von Ferristannat vergrößert den ohmschen Widerstand und verändert den Temperaturkoeffizienten des Widerstandes in Richtung positiver Werte. Zinkstannat vergrößert den ohmschen Widerstand und bedingt nur wenig Änderung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes. Kupferstannat vergrößert den ohmschen Widerstand und verschiebt den Koeffizienten des Widerstandes in Richtung negativer Werte. Kupferantimonat vergrößert den ohmschen Widerstand und erzeugt einen stark positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstandes. Gleichzeitige Verwendung von Metallstannat und Metallantimonat ist unter Umständen besonders zweckmäßig.
  • Die aus Glas, edlem Metall und oxydischem Halbleiter gebildete, bei der Herstellung des Widerstandsmaterials verwendete Mischung ergibt in erster Linie ein Glas mit geringem Anteil edlen Metalls und höchstens 3 Gewichtsprozent oxydischer Halbleiter. Da ein prozentualer Anteil eines oxydischen Halbleiters von weniger als 10% in einer gegebenen Mischung nur wenig Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften besitzt, wird zweckmäßigerweise ein Anteil zwischen 1 bis 3 Gewichtsprozent verwendet. Wenn hier auf Gewichtsprozentsätze Bezug genommen wird, so wird darunter der gewichtsmäßige Anteil in der fertigen Widerstandsmasse nach dem Erhitzen verstanden, wobei flüchtige Bestandteile, die sich in verschiedenen Phasen der Herstellung der Masse ergeben, nicht berücksichtigt werden. Bei der Herstellung der Widerstandsmasse gemäß der Erfindung wird vorzugsweise Kupferstannat in Mischung mit Kupferantimonat verwendet, und es ist ferner zweckmäßig, daß die oxydischen Halbleiter, welcher Form sie auch sein mögen, 41 bis 69 Gewichtsprozent, bezogen auf den Gehalt an edlem Metall, bilden.
  • Der im einzelnen zu wählende Anteil bei einer bestimmten Widerstandsmasse hängt von dem gewünschten Widerstand und dem Temperaturkoeffizienten ab. Im allgemeinen liegt der prozentuale Bereich für die Glaskomponente bei 84 bis 98 Gewichtsprozent und für das edle Metall bei 1 bis 15 Gewichtsprozent. Bei den meisten Widerstandsmaterialien gemäß der Erfindung liegt der Gewichtsbereich der Glaskomponente bei 91 bis 97% und des Metalls bei 2 bis 8%_ Es hat sich gezeigt, daß die Einführung von Spuren eines oder mehrerer schwer schmelzbarer Metalloxide als Trübungsmittel in die Mischung der Glasur mit den oxydischen Halbleitern den Übergangswiderstand zwischen beweglichen Kontakten des Widerstandes und der Oberfläche der Glasur erleichtert. Wenn solche Trübungsmittel in einem geringen Prozentsatz einer Glasur zugesetzt werden, so verteilen sie sich in gleichförmiger Weise als kolloidale oder Schwebeteilchen, wenn die Glasurmasse geschmolzen und danach abgekühlt wird; auf diese Weise ergibt sich eine gleichmäßigere Verteilung der Metallteilchen in der Widerstandsmasse. Beispiele für solche Trübungsmittel sind: Zinnoxid, Antimonoxid, Zirkonoxid, Molybdänoxid und Chromoxid. Es werden daher bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung nicht mehr als 0,5 Gewichtsprozent eines oder mehrerer Trübungsmittel in der aus Glasur, edlem Metall und oxydischem Halbleiter bestehenden Mischung verwendet, insbesondere wenn es sich um die Herstellung von Widerstandsmaterial für ein Potentiometer handelt.
  • Die Mischung aus Glasmasse, Edelmetall und oxydischen Halbleitern, die zur Herstellung der Widerstandsmasse gemäß der Erfindung verwendet wird, kann innerhalb weiter Grenzen verschieden zusammengesetzt sein, um verschiedene elektrische Eigenschaften zu erzielen. Als Beispiele werden im nachfolgenden verschiedene Mischungen angegeben, wobei der in der vorletzten Zeile angegebene Widerstand an einer Widerstandsschicht von 0,04 mm Dicke erzielt wurde. Die in der Tabelle angegebenen Widerstandswerte sind der sogenannte Quadratflächenwiderstand, der nicht von der Seitenlänge des Quadrats, sondern nur von der zur Anwendung gebrachten Schichtstärke von 0,04 mm abhängt. Die Temperaturkoeffizienten sind in 10-e pro ° C angegeben.
    Zusammensetzung Nr.
    1 I 2 3 4 I 5
    Glas ......................... . ............ 85,48 93,03 94,44 91,42 92,86
    Gold ..................................... 3,62 2,85 2,24 4,98 2,36
    Platin .................................... 1,46
    Palladium ................................ 1,93 1,62 1,27 1,63
    Rhodium ................................. 0,08 0,06 0,05 0,04 0,05
    Silber ..................................... 5,98
    Kupferstannat ............................. 2,35 2,00 1,65 1,88 2,48
    Kupferantimonat .......................... 0,27
    Wismutoxid .... » ... . ...................... 0,40 0,32 0,25 0,22 0,25
    Zinnoxid ................................. 0,08 0,06 0,05 0,05
    Chromoxid ................................ 0,08 0,06 0,05 0,05
    Quadratflächenwiderstand 9 ....... .. ....... 55 415 557 20 4180
    Temperaturkoeffizient 10-8/° C .... . . . . . . . . . 0 0 +79 I +384 -204
    Zusammensetzung Nr.
    6 7 I 8 9 I 10
    Glas .... .............................. 92,92 , 93,21 93,06 92,42 92,95
    Gold ..................................... 2,24 .2,69 2,69 5,16 2,76
    Platin .................................... 1,29
    Palladium ................................ 2,24 1,79 1,79 1,84
    Rhodium ................................. 0,05 0,05 0,05 0,04 0,06
    Silber..................................... i
    Kupferstannat ............................. 1,98 1,70 1,23 1,49
    Kupferantimonat .... . ..................... 0,22 0,19 0,81 0,93 0,90
    Wismutoxid .............. . ................ 0,25 0,27 0,27 0,16
    Zinnoxid . . . . ............................. 0,05 0,05 0,05
    Chromoxid ........................ . ....... 0,05 0,05 0,05
    Quadratflächenwiderstand 9 .... . ........... 2567 1294 38633 41 7500
    Temperaturkoeffizient 10-8/° C . . . . . . . . . . . . . +344 I +-39,6 -400 , +2,49 -22,4
    Zweckmäßigerweise wird bei der erfindungsgemäßen Herstellung der Widerstandsmasse das edle Metall oder dessen Mischung bzw. Legierung in Form einer löslichen Metallverbindung eingeführt, die sich unter der Einwirkung der Wärme zersetzt und kolloidale oder molekulare Partikeln erzeugt. Organische Metallverbindungen, wie Metallresinate, die in Ölen gelöst kommerziell zur Verfügung stehen, eignen sich besonders gut. Kommerziell verfügbare Metallresinatlösungen enthalten im allgemeinen Zinnoxid, Chromoxid und Wismutoxid in Bruchteilen eines Prozentes als Verunreinigungen; diese Oxide können im vorstehend erörterten Sinne als Trübungs-und Flußmittel wirken.
  • Die oxydischen Halbleiter werden in Methanol pulverisiert, getrocknet, zu Pulver zerkleinert und ungefähr bei 1100° C für mindestens 2 Stunden gebrannt. Die gebrannten Massen werden dann in einer Kugelmühle bei Anwesenheit von Methanol gemahlen, so daß eine Teilchengröße von 0,04 mm erhalten wird. Die Glasurmasse wird, wie zuvor erörtert, gemahlen, die Metallresinatlösung und die oxydischen Halbleiter werden getrennt eingewogen, um das gewünschte Verhältnis herzustellen, und dann gemeinsam gründlich gemahlen, so daß jedes Partikel der Glasur und der gebrannten Masse vollkommen mit der Metallresinatlösung befeuchtet wird.
  • Die flüssige Mischung wird dann in einem Porzellanbehälter auf eine elektrische Heizplatte od. dgl. gesetzt, wobei zweckmäßigerweise ein Rührmechanismus die Lösung ständig in Bewegung hält. Bei mäßiger Hitze wird das Lösungsmittel verdampft, und die Hitze wird allmählich gesteigert, so daß die Resinate zerfallen und kolloidale Teilchen an jedem Glaspartikeln erzeugen. Die Mischung wird dann zu einem feinen Pulver gemahlen und bei ungefähr 450° C erhitzt, so daß der aus den Resinaten oder aus dem Lösungsmittel stammende Kohlenstoff verbrennt. Darauf wird die Masse in Methanol gemahlen, so daß sich eine Teilchengröße von 0,04 mm ergibt: Diese Masse kann beliebig lange ohne Gefahr der Zersetzung aufbewahrt werden.
  • Bei der Herstellung eines Widerstandes wird die Widerstandsmasse auf einen geeigneten, schwer schmelzenden Grundkörper aufgebracht. Das Material des Grundkörpers kann aus einem beliebigen nicht elektrisch leitenden Stoff bestehen, der die hohen Temperaturen verträgt, welche zum Aufschmelzen des Widerstandsmaterials erforderlich sind. Hierfür eignen sich verschiedene Keramiken. Durch die aufgeschmolzene Glasur ergibt sich eine gegen Wasser und andere Flüssigkeiten undurchlässige Oberfläche. Speckstein, Forsterit, gesinterte oder geschmolzene Aluminiumoxid- und Zirkonporzellane können vorzugsweise als Grundwerkstoff Anwendung finden. Das Widerstandsmaterial kann aufgebürstet, aufgespritzt, aufgedruckt oder unter Anwendung von Seidennetzen aufgebracht werden. Das vorbereitete pulverisierte Widerstandsmaterial kann, beispielsweise in einer Mühle, mit einem geeigneten organischen Trägermaterial vermischt werden, wie dies in der Farbtechnik oder im Netzdruck üblich ist. Die Zusammensetzung und das Mischen solcher Präparate im Hinblick auf einen bestimmten Anwendungszweck sind an sich bekannt.
  • Nachdem die Schicht des Widerstandsmaterials auf den Grundwerkstoff aufgebracht wurde, wird der Gegenstand in umlaufender warmer Luft getrocknet, bis die flüchtigen Lösungsmittel verdampft sind. Die Träger- und Lösungsmittel enthalten im allgemeinen hinreichend viele organische Bindemittel, so daß nach dem Trocknen die Oberfläche des Widerstandsmaterials hinreichend hart ist, so daß ohne Beschädigung die Widerstände gehandhabt werden können.
  • Nach dem Trocknen wird das Widerstandsmaterial gebrannt, so daß die Glasur einen kontinuierlichen Schmelzüberzug bildet. Die Brenntemperatur darf nicht zu niedrig sein, damit sich nicht etwa Fehlstellen in dem gewünschten homogenen Glaskörper ergeben; es muß sich eine harte gleichmäßige Oberfläche ergeben. Andererseits darf die Temperatur nicht so hoch sein, daß sich Blasen und Zusammenballungen der Metallpartikeln ergeben. Die Zeit und der Temperaturverlauf beim Brennprozeß sind im übrigen nicht von sehr kritischem Einfluß, und es ist für einen Fachmann, der mit keramischen Arbeiten vertraut ist, einfach, verschiedene geeignete Brennprogramme aufzustellen.
  • Zweckmäßigerweise wird der Silikatüberzug nach einem zweistufigen Brennprogramm aufgeschmolzen; es wird der Grundwerkstoff mit der aus Widerstandsmasse bestehenden Schicht in einen Ofen gebracht und die Temperatur auf 550° C gesteigert, wobei pro Stunde eine Zunahme von 200° C erfolgt. Die Temperatur wird dann bei 550° C ungefähr 30 Minuten gehalten, so daß sämtliche flüchtigen und organischen Bestandteile der Mischung entfernt werden; man stellt zugleich dadurch sicher, daß eine gleichmäßige Wärmeverteilung in dem Grundwerkstoff und der Widerstandsschicht besteht, bevor der Schmelzvorgang des Glases einsetzt. Die Temperatur des Ofens wird dann auf 810° C gesteigert, wobei pro Stunde eine Temperaturzunahme von 110° C stattfindet. Die Temperatur von 810° C wird ungefähr 30 Minuten eingehalten, so daß eine gleichmäßige Wärmeverteilung erreicht wird; am Ende dieser Programmstufe läßt man den Ofen wieder auf Raumtemperatur durch normale Wärmeabstrahlung abkühlen. Der Brennvorgang vollzieht sich in einer üblichen oxydierenden Atmosphäre. Die Temperaturzuführung und die Endtemperatur können innerhalb weiter Grenzen verschieden gewählt werden, wie es den verschiedenen Glasurzusammensetzungen entspricht und den verschiedenen Ofenarten angepaßt ist.
  • Die Widerstandsschicht ist nach dem Brand im kalten Zustand fest mit dem Grundmaterial in Form einer glatten schwarzen Glasurschicht verbunden.
  • Die Schichten aus Widerstandsmaterial können auf den Grundwerkstoff in beliebiger, vom Anwendungszweck abhängender Form aufgebracht werden. Die Stärke des Widerstandsfilms liegt zwischen einem Bruchteil eines hundertstel Millimeters bis zu einigen hundertstel Millimetern; ein zweckmäßiger Bereich liegt zwischen 0,01 und 0,08 mm. Die meisten Überzüge, die zur Zeit unter Ausnutzung des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt werden, haben eine Schichtdicke von 0,03 mm. Da die Stärke der Widerstandsschicht, verglichen mit aufgestäubten oder aufgedampften Metallschichten, verhältnismäßig groß ist, ist bei einer erfindungsgemäßen Widerstandsmasse das Einhalten der gewünschten Schichtstärke weniger kritisch.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Widerstandsmassen für elektrische Widerstände, bestehend aus einem hochschmelzenden, isolierenden Grundstoff, der eine Glasur und mindestens ein edles Metall enthält, d a d u r c h gekennzeichnet, daß die Widerstandsmassen aus 84 bis 98 Gewichtsprozent Glasur, 1 bis 15 Gewichtsprozent eines oder mehrerer edler Metalle und außerdem aus 1 bis 3 Gewichtsprozent eines oxydischen Halbleiters bestehen, der ein Titanat, Stannat, Vanadat, Arsenat, Antimonat, Molybdat oder Manganat der Metalle Cu, Zn, Cd, Pb und Fe oder ein Gemisch dieser Verbindungen ist.
  2. 2. Widerstandsmassen nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Anteil an oxydischen Trübungsmitteln bis zu 0,5 Gewichtsprozent.
  3. 3. Widerstandsmassen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallpartikeln kolloidale Partikeln oder Partikeln molekularer Größe sind.
  4. 4. Widerstandsmassen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der Widerstandsmassen 0,01 bis 0,08 mm beträgt.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung einer Widerstandsmasse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung aus feingemahlenem Glas, mindestens einer organischen Verbindung eines edlen Metalls, mindestens einem Halbleiter und einem organischen flüssigen Trägerstoff hergestellt und so weit erhitzt wird, bis die organischen Bestandteile verflüchtigt sind, die trockene Mischung alsdann zu einem Pulver vermahlen und zur Entfernung des gebildeten Kohlenstoffes auf etwa 450° C gebrannt wird, das gebrannte Pulver mit einer flüchtigen Flüssigkeit zu einer zähen Masse angemischt und noch feiner vermahlen wird und diese Masse auf einen hitzebeständigen elektrischen isolierenden Körper aufgebrannt wird, wobei die organische Verbindung des edlen Metalls zweckmäßigerweise ein Resinat ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 872 089; österreichische Patentschrift Nr. 137 832; USA.-Patentschrift Nr. 2 837 487.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT137832B (de) * 1931-03-05 1934-06-11 Siemens Ag Drahtloser elektrischer Widerstand.
DE872089C (de) * 1941-05-24 1953-03-30 Siemens Ag Elektrischer Widerstand fuer hohe Betriebstemperaturen
US2837487A (en) * 1956-01-25 1958-06-03 Du Pont Resistor enamel and resistor made therefrom

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