DE1263933B - Transistor mit einem blaettchenfoermigen Halbleiterkoerper - Google Patents
Transistor mit einem blaettchenfoermigen HalbleiterkoerperInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1263 933
Aktenzeichen: G 25392 VIII c/21 g
Anmeldetag: 27. September 1958
Auslegetag: 21. März 1968
Die Erfindung betrifft einen Transistor mit einem blättchenförmigen Halbleiterkörper, auf dessen einer
Seite eine auf einem gut elektrisch und wärmeleitenden Metallsockel befestigte scheibenförmige Kollektorelektrode
und auf dessen anderer Seite eine aus einer kleinen Mittelscheibe und aus einem diese mit
radialem Abstand umgebenden Ring bestehende Basiselektrode und zwischen diesen beiden eine ringförmige
Emitterelektrode vorgesehen sind, wobei alle Elektroden koaxial zueinander liegen.
Ein derartiger Transistor mit Doppelbasiselektrode, ringförmigem Emitter und scheibenförmigem
Kollektor ist bereits bekannt. Es wurde jedoch festgestellt, daß die Gleichstromverstärkung in Abhängigkeit
vom Emitterstrom bei diesem bekannten Transistor einen ziemlich ungleichmäßigen Verlauf
hat, indem sie bei geringeren Emitterstromwerten stark ansteigt und nach Erreichen eines Maximums
wieder zu niedrigeren Werten abfällt.
Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Transistors der eingangs genannten Gattung, bei dem die
Gleichstromverstärkungskurve einen gleichmäßigeren Verlauf hat, der einer konstanten Gleichstromverstärkung
mehr angenähert ist.
Hierzu sieht die Erfindung vor, daß die Kollektorelektrode im wesentlichen den gleichen Durchmesser
wie der Außenumfang der ringförmigen Emitterelektrode hat. Es ist überraschend, daß diese gegenüber
dem bekannten Transistor relativ geringfügige Abänderung tatsächlich zu einer bedeutenden Glättung
der Gleichstromverstärkungskurve führt. Hierdurch werden dem Transistor gemäß der Erfindung weitere
Anwendungsgebiete erschlossen.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise an Hand der Zeichnung beschrieben. In dieser zeigt
F i g. 1 eine teilweise geschnittene Draufsicht eines
Transistors gemäß der Erfindung,
F i g. 2 einen Vertikalschnitt nach Linie 2-2 in Fig. 1,
F i g. 3 einen Vertikalschnitt nach Linie 3-3 in Fig. 1 und
F i g. 4 eine perspektivische Ansicht des Transistors gemäß der Erfindung mit in axialer Richtung
auseinandergezogenen Einzelteilen.
Der erfindungsgemäße Transistor gehört zu der bekannten Art der Legierungs-Flächentransistoren.
Er besteht nach der Zeichnung aus einer Scheibe aus Halbleitermaterial, wie z. B. Germanium, obwohl
auch andere Materialien verwendet werden können. Auf diese Scheibe ist an voneinander getrennten
Stellen ein zweites Material auflegiert, um in bekannter Weise Abschnitte mit verschiedenen elek-Transistor
mit einem blättchenförmigen
Halbleiterkörper
Halbleiterkörper
Anmelder:
General Motors Corporation,
Detroit, Mich. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr. W. Müller-Boro, Patentanwalt,
3300 Braunschweig, Am Bürgerpark 8
Als Erfinder benannt:
Donald Raymond Baird,
Greensberg, Pa. (V. St. A.)
Donald Raymond Baird,
Greensberg, Pa. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 30. September 1957
(686 908)
V. St. v. Amerika vom 30. September 1957
(686 908)
irischen Eigenschaften zu bilden, die dann ein Gleichrichterverhalten bewirken. Die Germaniumscheibe
ist bei 2 in F i g. 4 dargestellt. Auf die eine Seite der Germaniumscheibe 2 ist ein Indiumring 4
auflegiert, wodurch ein gleichrichtender Bezirk im Körper der Germaniumscheibe gebildet wird. Die
durch den Ring 4 gebildete Elektrode ist der Emitter des Transistors. Auf die entgegengesetzte Seite der
Scheibe 2 ist eine Indiumscheibe 6 auflegiert, wodurch eine weitere Gleichrichterzone in dem Germaniumkörper
erzeugt, die jedoch von der erstgenannten Zone getrennt ist. Diese Scheibe 6 dient als
Kollektorelektrode und hat wie in der Zeichnung dargestellt den gleichen Durchmesser wie der Außenumfang
der Emitterelektrode.
Durch eine leitende Ringelektrode 8, die den Emitterring 4 mit Abstand umgibt und auf die Oberfläche
der Scheibe 2 aufgelötet ist, wird der Basiskontakt gebildet. Schließlich bildet ein kleines rundes
leitendes Teil 10, das in der Mitte der Scheibe angebracht ist, einen weiteren zweiten Basisanschluß, der
ein verlängertes Anschlußteil 12 besitzt, das nach erfolgtem Zusammenbau umgebogen werden kann, wie
in F i g. 4 gestrichelt angedeutet ist. Nach dem Zusammenbau aller Teile, jedoch vor dem Umbiegen
des Teiles 12, bildet diese Einheit einen Transistor, der aus einem Emitter 4, einem Kollektor 6 und
einer Basiselektrode 8 besteht.
809 519/506
Um gute Anschlußmöglichkeiten für diese verschiedenen Elektroden zu schaffen und zugleich für
eine möglichst schnelle Wärmeabfuhr vom Transistor und den Gleichrichteranschlüssen zu sorgen, ist in
bekannter Weise ein Kühl- oder Tragkörper mit guter Wärmeleitfähigkeit vorgesehen. Dieser Kühlkörper
besteht aus einer runden Plattform 14, auf der der Transistor innerhalb einer evakuierten Kammer
angebracht werden kann. Die Plattform 14 hat an ihrer Unterseite einen Gewindeansatz 16, der zur
Befestigung des fertigen Transistors auf dem Chassis dient. Die Oberseite der Plattform 14 besitzt in der
Mitte eine flache Erhebung 18 von genau dem gleichen Durchmesser wie die Kollektorelektrode 6, wobei
die Oberfläche der Kollektorelektrode 6 zur Befestigung der zusammengestellten Anordnung dient.
Die Verbindung des Transistors mit der tragenden Kühlfläche wird dadurch ermöglicht, daß die obere
Fläche des Teiles 18 mit Lot überzogen wird, wie in F i g. 2 bei 20 dargestellt ist, der Transistor daraufgelegt
wird und dann die Temperatur bis zum Fließen des Lotes erhöht wird, so daß die Verbindung
der beiden Teile miteinander auf der ganzen berührenden Oberfläche erfolgt.
Nachdem dies erfolgt ist, wird der Anschluß 22, bestehend aus einem Ringteil 24, mit einem Arm 26
durch Löten mit der Oberfläche der Emitterelektrode verbunden, wobei sich der Arm 26 in der endgültigen
Stellung nach einer Seite erstreckt, wo er mit einer Elektrode 28 verbunden wird, die in der isolierten
Glasdurchführung 30 einer Öffnung 31 des Kühlkörpers 14 angebracht ist. Das Auflöten des Anschlusses
22 auf den Emitter 4 kann auch vor dem Befestigen des Transistors auf dem Sockel 18 geschehen, wenn
es wünschenswert ist. Als nächstes wird dann der Arm 12 mit Abstand über das Ringteil 24 des Anschlusses
22 gebogen und zusammen mit einem kurzen Anschluß 32 mit der Kante des Basisringes 8
verlötet, wie bei 34 in F i g. 2 dargestellt ist. Der Anschluß 32 erstreckt sich in entgegengesetzter Riehtung
zu Anschluß 26 waagerecht bis zu einer zweiten Elektrode 36, mit der er verbunden wird und die in
der Glasdurchführung 38 einer zweiten Öffnung 39 im Kühlkörper 14 angebracht ist. Der Gewindestutzen
16 dient elektrisch als Kollektor-, die Elektrode 36 als Basis- und die Elektrode 28 als Emitteranschluß.
Eine Kappe 40 wird so über die Transistoreinheit gesetzt, daß ihr Flansch 42 auf der Randfläche 44
des Tragkörpers aufliegt. An der Unterseite des Flansches befindet sich eine kleine Sicke, die die
Hauptfläche des Flansches etwas von der Randfläche entfernt hält. Hierin wird der Schweißstrom beim
Anschweißen der Kappe konzentriert, worauf Kappe und Tragkörper zusammengepreßt werden, um beide
Oberflächen flach miteinander zu verschweißen. So wird eine geschlossene Kammer um den Transistor
herum gebildet, die zum Schluß durch das Rohr 46 hindurch evakuiert werden kann, das sich durch die
Öffnung 48 im Tragkörper in die Kammer erstreckt. Das Rohr 46 wird nach Erreichen des gewünschten
Vakuums zugeschmolzen und dient mit seinem Reststumpf als Kennzeichnungsstift für die Transistoranordnung
bei der Montage auf einem Chassis.
Claims (2)
- Patentanspruch:Transistor mit einem blättchenförmigen Halbleiterkörper, auf dessen einer Seite eine auf einem gut elektrisch und wärmeleitenden Metallsockel . befestigte scheibenförmige Kollektorelektrode und auf dessen anderer Seite eine aus einer kleinen Mittelscheibe und aus einem diese mit radialem Abstand umgebenden Ring bestehende Basiselektrode und zwischen diesen beiden eine ringförmige Emitterelektrode vorgesehen sind, wobei alle Elektroden koaxial zueinander liegen, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode (6) im wesentlichen den gleichen Durchmesser wie der Außenumfang der ringförmigen Emitterelektrode (4) hat.In Betracht gezogene Druckschriften:Deutsche Auslegeschrift Nr. 1007 438;deutsche Gebrauchsmuster Nr. 1751741,
1752080;französische Patentschrift Nr. 1141521;USA.-Patentschrift Nr. 2672528;»L'Oude Electrique«, Bd. 37, H. 360, S. 236;»Direct Curreut«, Bd. - 2, Dezember 1955, H. 7, S. 171 bis 180;»Nachrichtentechnische Fachberichte«, Beihefte
der NTZ, Bd. 1 (1955), S. 33 bis 36;»Radio und Fernsehen«, Bd. 5 (1956), H. 16,
S. 492/93.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen809 519/506 3.68 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US686908A US3089067A (en) | 1957-09-30 | 1957-09-30 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1263933B true DE1263933B (de) | 1968-03-21 |
Family
ID=24758231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG25392A Pending DE1263933B (de) | 1957-09-30 | 1958-09-27 | Transistor mit einem blaettchenfoermigen Halbleiterkoerper |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3089067A (de) |
DE (1) | DE1263933B (de) |
GB (1) | GB839176A (de) |
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Also Published As
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