DE1258481B

DE1258481B - Radioempfangsschaltung mit Regelung

Info

Publication number: DE1258481B
Application number: DE1956N0012069
Authority: DE
Inventors: Jan Principe Frederic L Claude
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1956-04-07
Filing date: 1956-04-07
Publication date: 1968-01-11

Description

Radioempfangsschaltung mit Regelung Die Erfindung bezieht sich auf eine Radioempfangsschaltung mit gekoppelter selbsttätiger Lautstärke- und Bandbreitenregelung mittels einer dem Zwischenfrequenzsignal entsprechenden Regelgröße, die der Steuerelektrode eines mit einem Transistor bestückten Zwischenfrequenz-Verstärkers zugeführt wird und durch Änderung des Eingangswiderstandes den Verstärkungsgrad regelt. Es sind derartige Schaltungen mit einem in seiner Verstärkung regelbaren Transistor bekannt. Diese gestatten jedoch nur eine verhältnismäßig schwache Regelung und erfordern eine ziemlich starke Änderung der Regelgröße. Da in der Praxis vielfach ein sehr weiter Regelbereich notwendig ist und für eine gute Konstanz des Ausgangssignals eine starke Regelung schon bei geringen Änderungen auftreten soll, sind derartige Schaltungen vielfach unzureichend.
Die erwähnten Nachteile werden vermieden, wenn gemäß der Erfindung die dem Eingangs- und Ausgangskreis gemeinsame Elektrode des Transistors oder sein Ausgangskreis einerseits mit einem kapazitiv überbrückten Widerstand, an dem eine vom Verstärkungsgrad abhängige Regelspannung entsteht, verbunden ist und andererseits über einen spannungsabhängigen Widerstand, vorzugsweise einen Trockengleichrichter, mit einem Zwischenfrequenz-Resonanzkreis, an den der Ausgangskreis des Transistors angekoppelt ist, wobei diese Schaltung so bemessen ist, daß mit abnehmendem Verstärkungsgrad des Transistors eine zunehmende Dämpfung des Zwischenfrequenzkreises bewirkt wird.
Es ist an sich bekannt, Schaltungen zur Regelspannungserzeugung anzuwenden. Auch eine Verstärkungsregelung durch eine einem Schwingungskreis parallelliegende Dämpfungsdiode hat schon Anwendung gefunden.
Weiterhin ist bereits eine Schaltung vorgeschlagen worden, bei der eine in Serie zur Induktivität des Parallelresonanzkreises liegende Diode durch eine der Ausgangsamplitude proportionale Regelspannung geregelt wird. Ein Nachteil dieser Schaltung ist, daß der Resonanzkreis außer durch die Kapazitätsänderung der Diode auch durch deren Widerstandsänderung verstimmt wird, weil die Diode in Serie zur Induktivität liegt.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.
F i g. 1 zeigt ein erstes und F i g. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung.
F i g. 1 zeigt den Zwischenfrequenz- und Detektorteil eines Radioempfängers. Er enthält zwei Zwischenfrequenzverstärker 1 und z in Kaskadenanordnung und eine Signal-Detektordiode 3, die gleichfalls zur Erzeugung des Stromes für die selbsttätige Verstärkungsregelung verwendet wird. Der nach Glättung mittels des Kondensators 4 erhaltene Regelstrom wird der Basiselektrode des Transistors 1 zugeführt und regelt bekanntlich die Größe des Emittervorstromes und daher die Größe des Eingangswiderstandes des Transistors 1.
Das über den Resonanzkreis 5 dieser Basiselektrode zugeführte Zwischenfrequenzsignal erzeugt somit im Transistor 1 einen von diesem Eingangswiderstand abhängigen Signalstrom, so daß also die Signalverstärkung dieses Transistors vom Regelstrom gesteuert wird. Anstatt dieser Steuerung kann man auch bekanntlich einen ziemlich großen, für die Zwischenfrequenz entkoppelten Kollektorwiderstand verwenden, so daß der Regelstrom eine entsprechende Kollektorvorspannungsänderung und dadurch eine Verstärkungsänderung des Transistors bewirkt.
Zur Vergrößerung der Verstärkungsregelung und zur gleichzeitigen Zwischenfrequenz-Bandbreitenregelung ist im Emitterkreis des Transistors 1 ein entkoppelter Widerstand 6 von z. B. etwa 3 kOhm eingeschaltet, über dem eine dem Regelstrom entsprechende Spannung erzeugt wird. Dieser Widerstand ist über einen Trockengleichrichter 7, der als spannungsabhängiger Widerstand arbeitet, mit einem Zwischenfrequenz-Resonanzkreis 8 verbunden, der mit dem Kollektorkreis des Transistors 1 gekoppelt ist. Bei wachsender Signalstärke wird der vom Gleichrichter 3 dem Transistor 1 zugeführte. Regelstrom kleiner, so daß der über dem Widerstand 6 erzeugte Spannungsabfall auch kleiner wird. Durch Anlegen einer geringen Vorwärtsspannung an der Klemme 9 wird somit der Gleichrichter 7 stets besser leitend, so daß der Resonanzkreis 8 stärker gedämpft wird und seine Selektivität sowie seine Resonanzimpedanz herabgesetzt werden.
Auf diese Weise kann eine große zusätzliche Stärkeregelung, verknüpft mit einer ausreichenden Bandbreiteregelung, erreicht werden. Damit die Bandbreite nicht zu groß wird, kann z. B. ein zusätzlicher, nicht geregelter Resonanzkreis 10 vorgesehen werden, der die Gesamtdurchlaßbreite beschränkt. Auch kann zu diesem Zweck der Effekt benutzt werden, daß die Selektivität des Kreises 5 bei wachsender Signalstärke, infolge der Zunahme des. Eingangswiderstandes des Transistors 1 größer wird. Die Kreise 11 und 12 sind zur Neutrodynisierung der Transistoren 1 und 2 vorgesehen.
Die Schaltung nach F i g. 2 unterscheidet sich nur dadurch von der nach F i g. 1, daß die erwähnte Regelspannung über einem Kollektorwiderstand 16 des Transistors 1 erzeugt wird, wobei die Widerstände 17 und 18 eine Rückwärtsspannung für den Gleichrichter 7 erzeugen. Der Emitterwiderstand 6 dient jetzt lediglich noch zur Arbeitspunktstabilisierung des Transistors 1 gegen Temperaturänderungen und ist somit viel kleiner bemessen (z. B. 500 Ohm). Infolgedessen wird auch die Gegenkopplung für die vom Gleichrichter 3 erzeugte Regelgröße herabgesetzt.
Der Kollektorwiderstand 16 kann, falls gewünscht,. verhältnismäßig groß gewählt werden. Infolge der Wirkung des Gleichrichters 7 wird ja die Kollektorvorspannung etwa auf den durch die Widerstände 17 und 18 bedingten Wert stabilisiert. Durch geeignete Wahl der Widerstände 16, 17 und 18 kann man eine verzögerte Stärkeregelung und/oder eine Stummabstimmung für sehr schwache Signale erhalten. Der Regelstrom ist dann ja so groß, daß infolge des entsprechenden Spannungsabfalls über dem Widerstand 16 der Gleichrichter 7 gesperrt und die Kollektorvorspannung so weit herabgesetzt wird, daß die Gesamtverstärkung des Transistors 1 konstant bleibt oder sogar wieder abnimmt. Im letzteren Fall wird das schon schwache Eingangssignal noch abgeschwächt und bewirkt gleichzeitig noch eine Zunahme des an der Basis des Transistors 1 zugeführten Regelstroms, so daß bei geeigneter Bemessung die Verstärkung plötzlich aufhören kann.
Gute Ergebnisse können erhalten werden mit einem Kondensator 4 von 25 liF und mit Widerständen 16, 17, 18 und 21 von 1500, 500, 2000 bzw. 50 000 Ohm.

Claims

. ' Patentansprüche: 1. Radioempfangssehaltung mit gekoppelter selbsttätiger Lautstärke- und Bandbreitenregelung mittels einer dem Zwischenfrequenzsignal entsprechenden Regelgröße, die der Steuerelektrode eines mit einem Transistor bestückten Zwischenfrequenz-Verstärkers zugeführt wird und durch Änderung des Eingangswiderstandes dessen Verstärkungsgrad regelt, d a d u r c h g e k e n n -zeichnet, daß die dem Eingangs- und Ausgangskreis gemeinsame Elektrode des Transistors (1) oder sein Ausgangskreis einerseits mit einem kapazitiv überbrückten Widerstand (6 bzw. 16), an dem eine vom Verstärkungsgrad abhängige Regelspannung entsteht, verbunden ist und andererseits über einen spannungsabhängigen Widerstand, vorzugsweise einen Trockengleichrichter (7), mit dem Zwischenfrequenz-Resonanzkreis (8), an den der Ausgangskreis des Transistors angekoppelt ist, wobei diese Schaltung so bemessen ist, daß mit abnehmendem Verstärkungsgrad des Transistors (1) eine zunehmende Dämpfung des Zwischenfrequenzkreises (8) und damit eine Vergrößerung der Bandbreite bewirkt wird.
2. Schaltung nach Anspruch 1 mit einem Transistor in Emitterschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß das Zwischenfrequenzsignal einem mit dem Basiskreis des Transistors gekoppelten Parallelresonanzkreis zugeführt wird und eine verstärkte Regelspannung über dem in Kollektor-bzw. Emitterkreis angeordneten Widerstand erzeugt wird, welcher Widerstand über den vorgespannten Trockengleichrichter mit einem mit dem Kollektorkreis gekoppelten Zwischenfrequenz-Resonanzkreis verbunden ist.
3. Schaltung nach Anspruch 2, wobei der Widerstand im Kollektorkreis angeordnet ist und. die Gleichrichter-Vorspannung in der Sperrichtung angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Widerstand und diese Vorspannung so bemessen sind, daß eine verzögerte Regelung und/ oder eine Unterdrückung sehr schwacher Signale (Stummabstimmung) erhalten wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 690 807, 691721, 692149, 726 513; britische Patentschriften Nr. 413 383, 414187, 438 565, 467190; USA.-Patentschrift Nr. 1949 848; »Proceedings of the IRE«, Juli 1954, S. 1063; R. F. S h e a, »Principles of Transistor Circuits«, 1953,S.472; Pitsch, »Lehrbuch der Funkempfangstechnik«, 1948, S. 571 ff.