DE1256803B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes

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DE1256803B
DE1256803B DE1959T0017238 DET0017238A DE1256803B DE 1256803 B DE1256803 B DE 1256803B DE 1959T0017238 DE1959T0017238 DE 1959T0017238 DE T0017238 A DET0017238 A DE T0017238A DE 1256803 B DE1256803 B DE 1256803B
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DE
Germany
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cooling cylinder
carrier plate
cooling
cylinder
semiconductor component
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE1959T0017238
Other languages
English (en)
Inventor
Alfred Bauer
Dipl-Ing Heinz Reitberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, insbesondere einen Leistungstransistor, bei dem die Trägerplatte für den Halbleiterkörper an einem hohlen Kühlzylinder befestigt wird.
  • Solche Kühlzylinder verwendet man gewöhnlich bei Leistungstransistoren, bei denen es auf große Leistungen ankommt. Die erzielbare Leistung wird bei diesen Typen dadurch erhöht, daß der Kühlzylinder einen relativ guten Wärmeübergang von der Trägerplatte zur Gehäusewand ermöglicht. Ein hohler Kühlzylinder ist bei bekannten Anordnungen an die Trägerplatte angeschweißt und derart bemessen, daß zwischen Gehäusewand und Kühlzylinder möglichst kein Luftspalt verbleibt. Da Luft bekanntlich ein schlechter Wärmeleiter ist, wird nämlich die erzielbare Leistung um so größer, je besser der Kühlzylinder in das Gehäuse eingepaßt ist.
  • Die mit Kühlzylindern erzielbaren Leistungen hängen aber auch sehr wesentlich von der Größe der Berührungsfläche zwischen Kühlzylinder und Trägerplatte ab. Nach der Erfindung wird ein besonders guter Wärmekontakt zwischen dem Kühlzylinder und der Trägerplatte dadurch erzielt, daß der Kühlzylinder durch Wärmeeinwirkung auf die Trägerplatte aufgeschrumpft wird oder daß der aus elastischem Material bestehende Kühlzylinder mittels Druck kurzzeitig oval verformt, über die Trägerplatte geschoben und nach Aufhebung des Druckes aufgeklemmt wird.
  • Abgesehen von dem verbesserten Wärmeübergang zwischen Trägerplatte und Kühlzylinder stellt diese Art der Verbindung des Kühlzylinders mit der Trägerplatte aber auch eine fertigungstechnische Vereinfachung dar und weist außerdem den Vorteil auf, daß durch den Verzicht auf den bei der Verbindung zwischen Trägerplatte und Kühlzylinder sonst üblichen Löt- oder Schweißprozeß das thermisch empfindliche Haltleitersystem geschont wird. Ein wesentlicher Vorteil gegenüber bekannten Systemen ist auch darin zu sehen, daß sich bei Verwendung von auf die Trägerplatte aufgebrachten Kühlzylindern die Höhe des Kühlzylinders und demzufolge auch die Gehäuseabmessungen gegenüber Systemen, bei denen der Kühlzylinder an das Ende der Trägerplatte angeschweißt ist, reduzieren lassen.
  • Zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach der Erfindung wird beispielsweise ein Kühlzylinder gewählt, dessen Innendurchmesser etwas geringer ist als die Breite der Trägerplatte. Erfolgt das Aufbringen des entsprechend gewählten Kühlhohlzylinders auf die Trägerplatte durch Aufschrumpfen, so wird der Kühlzylinder auf eine hohe Temperatur gebracht, bei der er infolge der mit der Erwärmung verbundenen Ausdehnung über die nicht erwähnte Trägerplatte geschoben werden kann. Bei der darauf erfolgenden Abkühlung des Kühlzylinders verringert sich sein Durchmesser, wodurch der bezüglich der Abmessungen der Trägerplatte knapp bemessene Kühlzylinder fest auf die Trägerplatte zu sitzen kommt. Dieses Wärmeaufschrumpfverfahren setzt allerdings voraus, daß die Toleranzen der aufeinander aufzuschrumpfenden Teile, d. h. also des Kühlzylinders und der Trägerplatte, außerordentlich klein sind, da es einerseits nicht möglich ist, den zweckmäßigerweise aus Kupfer bestehenden Kühlzylinder beliebig hoch zu erwärmen, und außerdem die durch Wärmeausdehnung erzielbaren Vergrößerungen der Abmessungen nur geringe Werte annehmen.
  • Erfolgt das Aufbringen des Kühlzylinders durch ovale Verformung, so wird der Kühlzylinder zunächst durch einen senkrecht zu seiner Mittelachse erfolgenden Druck oval verformt, so daß der anfänglich nicht auf die Trägerplatte passende Kühlzylinder infolge der durch die Druckeinwirkung entstehenden ovalen Verformung nunmehr auf die Trägerplatte geschoben werden kann. Wird der auf den Kühlzylinder ausgeübte Druck aufgehoben, so ist der Kühlzylinder infolge der Elastizität seines Materials bestrebt, an Stelle der durch den Druck bedingten ovalen Form wieder seinen ursprünglich vorhandenen kreisförmigen Querschnitt anzunehmen, so daß er infolge der damit verbundenen Querschnittsänderung fest auf die Trägerplatte aufgepreßt wird.
  • Der Wärmekontakt zwischen Trägerplatte und Kühlzylinder läßt sich noch weitgehend verbessern, wenn man zwischen der Innenwandung des Kühlhohlzylinders und der Trägerplatte eine verhältnismäßig weiche, duktile Metallschicht, z. B. Zinn oder Indium, vorsieht. Das Aufbringen dieser Schicht kann beispielsweise galvanisch oder bei Verwendung von Zinn durch Feuerverzinnung vorgenommen werden.
  • Zur Erzielung eines guten Wärmekontaktes zwischen Trägerplatte und Kühlzylinder empfiehlt es sich, die Kanten der Trägerplatte an den Berührungsflächen mit der Innenwand des Kühlzylinders entsprechend der Wölbung des Kühlzylinders abzurunden und damit eine größere Anlegefläche zu erreichen. Die Höhe des Kühlzylinders wird zweckmäßig der Länge der Trägerplatte angepaßt.
  • Da die Verwendung eines Kühlzylinders immer auf die Verbesserung der Wärmeabfuhr abzielt, soll natürlich auch der Außendurchmesser des Kühlzylinders selbst möglichst genau auf den Innendurchmesser der Gehäusekapsel abgestimmt sein, so daß auch zwischen Kühlzylinder und Gehäusekapsel ein guter Wärmeübergang gewährleistet ist. Ein eventuell zwischen Kühlzylinder und Gehäusewand auftretender Luftspalt ist durch geeignete Mittel zu überbrücken.
  • Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
  • Die F i g. 1 zeigt von einem Transistor den Gehäusesockel 1, die für den Halbleiterkörper erforderliche Trägerplatte 4 sowie den Kühlhohlzylinder 3. Nach der Erfindung wird der zwischen der Trägerplatte 4 und dem Kühlzylinder 3 erforderliche gute Wärmekontakt durch Aufschrumpfen des Kühlzylinders auf die Trägerplatte oder durch kurzzeitige ovale Verformung des Kühlzylinders bis zum überschieben auf die Trägerplatte erzielt.
  • In der F i g. 1 ist der Kühlzylinder 3 nur zum Teil über die Trägerplatte 4 geschoben. Die F i g. 2 zeigt die Anordnung in Draufsicht. Der Kühlzylinder 3 ist bei der Anordnung nach der F i g. 2 bereits über die Trägerplatte 4 geschoben. Zur Verbesserung des Wärmekontaktes zwischen der Trägerplatte und dem Kühlzylinder sind die Kanten 5 der Trägerplatte 4 abgerundet. Der Sitz zwischen der Trägerplatte und dem Kühlzylinder ist im Ausführungsbeispiel der F i g. 1 und 2 nicht zentrisch, sondern etwas exzentrisch, da sich bei dieser Ausführungsform die Abrundung der Kanten besser auf die Wölbung der Innenwandung des Kühlzylinders abstimmen läßt. Zur Verbesserung des Wärmekontaktes zwischen der Trägerplatte und dem Kühlzylinder ist gemäß den F i g.1 und 2 auf die Innenwandung des Kühlzylinders 3 noch eine Schicht 2 aus duktilem Material, z. B. Zinn, aufgebracht.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere eines Leistungstransistors, bei dem die Trägerplatte für den Halbleiterkörper an einem hohlen Kühlzylinder befestigt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Trägerplatte und dem Kühlzylinder ein guter Wärmekontakt dadurch erzielt wird, daß der Kühlzylinder durch Wärmeeinwirkung auf die Trägerplatte aufgeschrumpft wird oder daß der aus elastischem Material bestehende Kühlzylinder mittels Druck kurzzeitig oval verformt, über die Trägerplatte geschoben und nach Aufhebung des Druckes aufgeklemmt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Innendurchmesser des Kühlzylinders kleiner als die Breite der Trägerplatte gewählt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe des Kühlzylinders etwa gleich der Länge der Trägerplatte gewählt wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanten der Trägerplatte entsprechend der Wölbung der Innenwand des Kühlzylinders zur Vergrößerung der Anlegefläche abgerundet werden.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Trägerplatte und dem Kühlzylinder duktiles Material, z. B. Zinn oder Indium, angebracht wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1784 807.
DE1959T0017238 1959-09-18 1959-09-18 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes Withdrawn DE1256803B (de)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1784807A1 (de) * 1968-09-20 1971-11-11 Strabag Bau Ag Stossverbindung fuer Bewehrungseinlagen von vorgefertigten Bauwerksteilen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1784807A1 (de) * 1968-09-20 1971-11-11 Strabag Bau Ag Stossverbindung fuer Bewehrungseinlagen von vorgefertigten Bauwerksteilen

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