DE1067132B - - Google Patents
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- DE1067132B DE1067132B DENDAT1067132D DE1067132DA DE1067132B DE 1067132 B DE1067132 B DE 1067132B DE NDAT1067132 D DENDAT1067132 D DE NDAT1067132D DE 1067132D A DE1067132D A DE 1067132DA DE 1067132 B DE1067132 B DE 1067132B
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- sleeve
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines
Transistors.
Wenn auch das eigentliche Halbleitersystem einer Halbleiteranordnung, beispielsweise eines Transistors,
nicht in ein Vakuum eingebettet sein muß, so ist es jedoch hauptsächlich aus Gründen der Fernhaltung
der Feuchtigkeit notwendig, das eigentliche Halbleitersystem in ein gegen die Atmosphäre vollkommen
dichtes Gehäuse einzubringen. Es ist bereits bekannt, die Halbleitersysteme ähnlich der Röhrenbauweise
auf Glassockeln aufzubringen, die dann mit einer über das Halbleitersystem gestülpten Glasglocke
verschmolzen werden. Es ist weiter bekannt, Halbleitersysteme vollständig in Kunststoff einzubetten.
Solche Halbleiteranordnungen konnten sich jedoch bis jetzt in der Praxis nicht durchsetzen, da sie keinen
absoluten temperaturunabhängigen Abschluß gegen die Feuchtigkeit gewährleisten.
Es ist weiter bekannt, Halbleitersysteme auf einen Sockel aus Isoliermaterial aufzubauen und diesen
Sockel dann in einen Metallkörper einzupassen. Diese Anordnung hat, wie nahezu alle Anordnungen mit
besonderem Sockel, den Nachteil, daß sich eine gute Ableitung der im Halbleitersystem entstehenden
Wärme schlecht oder nur mit zusätzlichem Aufwand verwirklichen läßt.
Es ist bereits auch bekanntgeworden, auf eine Trägerplatte beiderseitig Gehäusekappen aufzubringen,
um diese mit der Trägerplatte zu verlöten bzw. die beiden Gehäusekappen selbst klammerartig miteinander
zu verbinden. Das Verlöten hat vor allem bei kleinen Systemen den Nachteil, daß der Halbleiterkristall
zu leicht durch Wärmeeinwirkung geschädigt wird. Der Aufbau und vor allem das Herstellungsverfahren
einer durch zwei Gehäusekappen und durch klammerartige Verbindung abgeschirmten Halbleiteranordnung
ist dagegen relativ umständlich.
Aufgabe, der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung aufzuzeigen,
bei dem die oben beschriebenen Nachteile nicht auftreten und welches durch einfache Mittel zu einer
leicht realisierbaren Halbleiteranordnung führt. Erfindungsgemäß wird daher vorgeschlagen, daß eine
Hülse an einem Ende mit einem sich nach innen erstreckenden Flansch versehen wird, daß ein Halbleiterträger
mit dem darauf befestigten Halbleiterkörper und mit zu beiden Seiten des Halbleiterkörpers
und des Halbleiterträgers vorgesehenen Verschlußkappen in die Hülse eingebracht werden, daß entweder
ein Halbleiterträger, der selbst aus einem Dichtungsmaterial besteht, benutzt wird, oder daß zwischen
die Berührungsflächen der beiden Verschlußkappen mit dem Halbleiterträger Dichtungsmaterial eingelegt
Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiteranordnung
einer Halbleiteranordnung
Anmelder:
Telefunken G.m.b.H.,
Berlin NW 87, Sickingenstr. 71
Berlin NW 87, Sickingenstr. 71
— . .
Dipl.-Ing. Werner Amersbach1 Ulm/Donau,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
wird, und daß an das offene Ende der Hülse ein Flansch nach innen so angedrückt wird, daß die
Einzelteile unter einem solchen Druck gegeneinandergepreßt werden, daß eine luftdichte Verbindung zwischen
dem Halbleiterträger und den Verschlußkappen entsteht.
Eine nach dem vorliegenden Verfahren hergestellte Anordnung hat den Vorteil, daß der Aufwand bei
ihrer Herstellung nur gering ist gegenüber den bisher bekannten Verfahren. Als besonders vorteilhaft erweist
sich, daß die Einzelteile der Anordnung, wie vor allem Halbleiterträger und Isolierteile, in einer durchgehenden
und somit nicht unterteilten Hülse untergebracht sind. Die flanschartige Verbindung durch
Andrücken der an den Hülsenenden vorgesehenen Flansche an die beiderseitig des Halbleiterträgers
und des Halbleiterkörpers macht jegliche Lötverbindung überflüssig und vermeidet somit die bei Lötverbindungen
und Glaseinschmelzungen auftretenden Temperaturen.
An Hand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele soll die Erfindung näher erklärt
werden.
In der Fig. 1 ist mit 1 ein zylindrisches Rohr bezeichnet, das zunächst an der einen Seite einen
Flansch 2 besitzt und das an der entgegengesetzten Seite geöffnet ist. In dieses Rohr wird zunächst eine
beispielsweise mit einer Bohrung versehene Isolierscheibe 4 eingebracht. Auf diese Isolierscheibe wird
eine Ringscheibe 6 aufgelegt, die aus einem kaltlötenden oder anderem dichtenden Material guter Leitfähigkeit
besteht. Auf diese Scheibe wird der scheibenförmige Halbleiterträger 7 aufgebracht, der den Halbleiterkörper
12 mit der Emitterelektrode 13 und der Kollektorelektrode 14 trägt. Auf diesen Halbleiterträger
wird dann wieder eine Ringscheibe 8 aus dem gleichen Material wie die Scheibe 6 und darauf eine
zweite Isolierscheibe 5 aufgebracht. Die Isolicr-
909 638/286
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Hülse an einem Ende mit einem sich nach innen erstreckenden
Flansch versehen wird, daß ein Halbleiterträger mit dem darauf befestigten Halbleiterkörper und
mit zu beiden Seiten des Halbleiterkörpers und des Halbleiterträgers vorgesehenen Verschlußkappen
in die Hülse eingebracht werden, daß entweder ein Halbleiterträger, der selbst aus einem
Dichtungsmaterial besteht, benutzt wird, oder daß zwischen die Berührungsflächen der beiden Verschlußkappen
mit dem Halbleiterträger Dichtungsmaterial eingelegt wird, und daß zum Schluß an
das offene Ende der Hülse ein Flansch nach innen so· angedrückt wird, daß die Einzelteile unter einem
solchen Druck gegeneinander gepreßt werden, daß eine luftdichte Verbindung zwischen dem Halbleiterträger
und den Verschlußkappen entsteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Dichtungsmaterial kaltlötendes
Material benutzt wird und daß durch den Druck eine Kaltlötverbindung des Halbleiterträgers sowohl
mit den Verschlußkappen als auch mit der Hülse hergestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Hülse aus wärme- und
elektrisch leitendem Material benutzt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschlußkappen
mit Bohrungen zur Durchführung der Zuleitungsdrähte versehen werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß an die Innenseiten
der Verschlußkappen von außen elektrisch zugängliche Federn zur Kontaktierung der Halbleiterelektroden
angebracht werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Verschlußkappen aus
Isoliermaterial, insbesondere Keramik, benutzt werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötflächen der
Verschlußkappen metallisiert werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Hülse in der
Ehene des Halbleiterträgers mit einer öffnung versehen wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß an den Halbleiterträger
eine Anschlußfahne angebracht wird, die durch die öffnung der Hülse hindurchgesteckt und
mit der Hülse, beispielsweise durch Löten, verbunden wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentanmeldung S 41978 VIIIc/21g (bekanntgemacht am 16.8. 1956);
Deutsche Patentanmeldung S 41978 VIIIc/21g (bekanntgemacht am 16.8. 1956);
französische Patentschrift Nr. 1 149 240.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909638/386 10.5»
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0015540 | 1958-08-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1067132B true DE1067132B (de) | 1959-10-15 |
Family
ID=7547945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1067132D Pending DE1067132B (de) | 1958-08-23 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1067132B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1241536B (de) * | 1961-10-24 | 1967-06-01 | Siemens Ag | In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung |
-
0
- DE DENDAT1067132D patent/DE1067132B/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1241536B (de) * | 1961-10-24 | 1967-06-01 | Siemens Ag | In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung |
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