DE1254773B - Anschlusskoerper fuer Halbleiterbauelemente - Google Patents

Anschlusskoerper fuer Halbleiterbauelemente

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DE1254773B DES71091A DES0071091A DE1254773B DE 1254773 B DE1254773 B DE 1254773B DE S71091 A DES71091 A DE S71091A DE S0071091 A DES0071091 A DE S0071091A DE 1254773 B DE1254773 B DE 1254773B
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Dr Karl-Heinz Geyer
Dipl-Phys Goetz Von Bernuth
Hans-Juergen Nixdorf
August Meyer
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CI.:
HOlI
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer: 1254773
Aktenzeichen: S 71091 VIII c/21 g
Anmeldetag: 2. November 1960
Auslegetag: 23. November 1967
Bei Halbleiteranordnungen, wie Halbleiterflächengleichrichter, Transistoren oder Halbleiterstromtoren auf der Basis eines solchen Halbleiters, daß sie in der Lage sind, vorzugsweise große Ströme zu führen, wie einem solchen aus oder nach Art von Silizium oder Germanium oder einer intermetallischen Verbindung wird an der für die Dotierung des Halbleiterkörpers einlegierten Elektrode ein besonderer elektrischer Anschlußkörper bzw. -leiter befestigt. Es ist nun für ein einwandfreies und betriebsmäßig sicheres Arbeiten einer solchen Halbleiteranordnung wichtig, daß die mechanische Verbindung, welche zwischen einem solchen Anschlußleiter bzw. -elektrode und der einlegierten Elektrode hergestellt wird und dann besteht, auch bei den betriebsmäßig zu erwartenden Beanspruchungen, insbesondere thermischen Beanspruchungen, sicher erhalten bleibt, so daß auf diese Weise eine große Lebensdauer der Anordnung gewährleistet ist. Es muß nämlich an solchen Verbindungsstellen damit gerechnet werden, daß »o zufolge der thermischen Beanspruchungen und der gegebenenfalls verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der miteinander verbundenen Körper Ermüdungserscheinungen an der gegenseitigen Verbindungsstelle bzw. den Verbindungsflächen auftreten können. Es ist das insbesondere beispielsweise bei der Herstellung von Lötverbindungen der Fall. Es hat sich dann z. B. gezeigt, daß Weichlotverbindungen ermüden und dadurch Abtrennungsbzw. Abhebungserscheinungen auftreten können, die dann ihrerseits zu weiteren Schäden und zur Unbrauchbarkeit der Halbleiteranordnung führen.
Außer der Anwendung von Lötverbindungen entweder in Form von Weichlot- oder Hartlotverbindungen ist auch vorgeschlagen worden, diese Verbindungen in Form eines Verschweißungsprozesses bzw. eines Legierungsprozesses vorzunehmen, der durch eine elektrische Widerstandsverschweißung vorgenommen wird. Um bei dem Widerstandsverschweißungsprozeß Mängel auszuschließen, ist es bereits vorgeschlagen worden, diese Verschweißung dadurch vorzunehmen, daß auf die gleiche Fläche des anzuschweißenden Anschlußleiters nahe einander benachbart zwei Elektroden der Schweißeinrichtung aufgesetzt werden, so daß bei der elektrischen Widerstandsverschweißung der Stromweg von der einen Schweißelektrode über den anzuschweißenden Körper, den Körper, an den angeschweißt werden soll, und alsdann wieder durch den anzuschweißenden Körper sowie die zweite Schweißelektrode der Widerstands-Schweißeinrichtung verläuft. Auf diese Weise gelingt es also, eine Verschweißung vorzunehmen, ohne daß
Anschlußkörper für Halbleiterbauelemente
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dr. Karl-Heinz Geyer,
Dipl.-Phys. Götz von Bernuth, München;
Hans-Jürgen Nixdorf, Berlin-Lankwitz;
August Meyer, München
der Strom seinen Weg über den Halbleiterkörper nehmen muß, sondern vielmehr im wesentlichen nur innerhalb des Körpers der in den Halbleiterkörper einlegierten Elektrode verläuft. Es gelingt auf diese Weise auch, eine einwandfreie Verschweißung in nur sehr kurzen Zeiträumen vorzunehmen, so daß auch nicht eine nachteilige Ableitung der an der Schweißstelle entwickelten Wärme ihren Weg bis zu dem Halbleiterkörper und gegebenenfalls bis zu einem in diesem erzeugten pn-übergang nehmen kann. Es ist daher eine solche Verschweißung sowohl für die Befestigung eines drahtförmigen Anschlußleiters als auch für die Befestigung eines plattenartigen Anschlußleiters an einer einlegierten Elektrode vorgeschlagen worden, wobei gegebenenfalls an diesem plattenförmigen ZwischenanschlußkÖrper dann ein besonderer weiterer z. B. IitzenfÖrmiger Anschlußleiter befestigt werden kann. Im Fall eines solchen plattenförmigen Anschlußleiters werden dann an diesem vorzugsweise eine Vielzahl von Verschweißungsprozessen an nahe benachbarten Stellen zwischen dem Anschlußkörper und der einlegierten Elektrode oder gegebenenfalls einem besonders zunächst auf dieser aufgebrachten Zwischenkörper vorgenommen, der z. B. aus einem Material bestehen kann, das in seinem thermischen Ausdehnungskoeffizienten demjenigen des Halbleiterkörpers möglichst dicht benachbart liegt. Besteht der Halbleiterkörper aus Germanium oder Silizium, so können als Werkstoff für solche Zwischenkörper z. B. Molybdän, Wolfram oder Tantal oder deren Legierungen benutzt werden. Bei der Vornahme einer solchen Verschweißung muß aber oft bei dem Andrückprozeß, der zwischen dem zu verschweißenden Körper und den Schweißelektroden auf jeden Fall auftritt, damit gerechnet werden, daß
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an der einzelnen Schweißstelle eine gewisse Verformung des anzuschweißenden Körpers im Sinn einer Dehnung auftritt. Diesem Gesichtspunkt ist aber Beachtung zu schenken, wenn der gesamte Anschlußleiterkörper oder ein Teil desselben plattenförmigen Charakter haben und über diese Plattenform relativ großer Flächenausdehnung mit der einlegierten Elektrode oder einer Zwischenelektrode verbunden ist. So ist z. B. vorgeschlagen worden, einen Anschlußleiter zu benutzen mit einem plattenförmigen Teil, von dessen Umfang einzelne Streifen in radialer Richtung strahlenförmig ausladen, die bei dem Charakter des angeschweißten Anschlußleiters dann noch den Charakter biegsamer Leiter haben. Diese können in eine bestimmte Lage an dem plattenförmigen Teil abgebogen werden und auf diese Weise alle zusammen unter Belassung einer biegsamen Zwischenelektrode auf der Mantelfläche eines starren Bolzens als Anschlußleiter befestigt werden, der sich z. B. durch eine isolierte Durchführung an der Halbleiteranordnung als Anschlußleiter vom zweiten Pol des eingeschlossenen Halbleiterelementes erstreckt.
Wenn aber bei einem solchen elektrischen Verschweißungsprozeß an einer Vielzahl nahe benachbarter Stellen eines Anschlußleiters solche wenn auch nur geringe Verformungen des plattenförmigen Teiles des Anschlußleiters stattfinden, so werden an diesem verformten Körper insbesondere auch dann betriebsmäßig in thermischer Abhängigkeit mechanische Spannungen auftreten, die wiederum zu einer mechanischen Beanspruchung der Verbindungsstellen zwischen den beiden verschweißten Körpern führen können.
Die Erfindung bezieht sich auf einen solchen Anschlußkörper oder Zwischenanschlußkörper von mindestens anteilig platten- oder folienartiger Gestalt für elektrische Halbleiterbauelemente, der über eine Vielzahl selbständiger, nebeneinanderliegender, vorzugsweise punktartiger, durch elektrische Widerstandsschweißung erzeugter Stellen mit einem Elektrodenkörper des Halbleiterkörpers verbunden ist.
Durch die Erfindung sollen mechanischen Spannungen in dem Anschlußkörper und dadurch die mechanische Beanspruchung der einzelnen Schweißpunkte herabgesetzt werden.
Das läßt sich mit einem Anschlußkörper erreichen, der erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß die gesamte Plattenform oder der gesamte plattenförmige Anteil durch Einschnitte und/oder Aussparungen derart in voneinander bis auf Stege getrennte Flächenanteile unterteilt ist, daß bei der Herstellung der einzelnen Verbindungsstelle oder einer Mehrzahl von unmittelbar benachbarten Verbindungsstellen an einem solchen Flächenanteil auftretende Dehnungen oder Dehnungsbeanspruchungen auf andere benachbarte Anteile der Plattenform praktisch nicht übertragen werden können.
So läßt sich offenbar z. B. der Entstehung von Spannungen in tangentialer Richtung bzw. der Umfangsrichtung des plattenförmigen Körpers durch Einschnitte bzw. schlitzartige Aussparungen vorbeugen, welche sich von dem mittleren Teil nach dem Umfang des plattenförmigen Teiles zu erstrecken. Hat er Kreisflächenform, so können also zur Erreichung des Effektes z. B. radial bzw. diametral verlaufende Schlitze angebracht werden. Diese Schlitze gewährleisten dabei durch die Art ihrer Anbringung, daß der plattenförmige Teil des Anschlußkörpers
zwar noch einen einheitlichen, jedoch flächenmäßig unterteilten Körper darstellt. Die radial bzw. diametral verlaufenden Schlitze brauchen dabei auch nicht gleich lang zu sein. So können z. B. eine um die andere der in der Umfangsrichtung der Platte aufeinanderfolgenden schlitzförmigen Aussparungen sich bis zum mittleren Teil der Scheibe erstrecken, während zwischen den Aussparungen weitere Schlitze sich nur über eine kürzere Strecke vom Umfang oder
ίο einem bestimmten von dem Mittelpunkt entfernten Punkt in Richtung auf die Mitte der Scheibe zu erstrecken. Werden auf diese Weise tangentiale oder in der Umfangsrichtung entstehende mechanische Spannungen bei thermischen Dehnungen beherrscht, so daß sie sich nicht nachteilig auswirken können, so kann sinngemäß auch in radialer Richtung auftretenden mechanischen Spannungen vorgebeugt werden. Das läßt sich erreichen, indem Aussparungen oder Einschnitte vorgesehen werden, die z. B. nach Art
so von Kreissehnen oder -bögen verlaufen, also die Fläche des Anschlußleiters z. B. in radialer Richtung unterteilen. Schließlich können auch schlitzförmige Aussparungen vorgesehen werden, die einander in einer einheitlichen Figur zugeordnet sind, wie z. B.
as in Form eines Astes, von welchem aus sich seitliche Zweige erstrecken. Solche Zweigformen können auch derart als Aussparungsmuster an dem plattenförmigen Halbleiterkörper vorgesehen werden, daß sie mit ihren Zweigen ineinandergreifen.
Nach einer weiteren erfindungsgemäßen Lösung kann der plattenartige Teil auch mit bogenförmigen Ausschnitten versehen sein, von denen jeder in seiner Lage z. B. nur je einer später vorzunehmenden Verbindungsstelle bzw. Verschweißungsstelle zugeordnet ist. Wird die Verschweißung vorgenommen, so kann der von dem konvexen Bogen umschlossene Teil bei der durch die Verschweißung hervorgerufenen Verformung sich ohne weiteres seitlich ausdehnen, ohne dadurch in der gesamten Fläche des plattenförmigen Teiles irgendwelche unerwünschten mechanischen Spannungen hervorzurufen.
Es braucht bei der Erzeugung der Unterteilung der Berührungsflächen des Anschlußleiters auch nicht unbedingt Material aus der Platte herausgetrennt zu werden, sondern es kann auch ausreichend sein, daß an den in Frage kommenden Stellen lediglich Schnitte in dem plattenförmigen Teil erzeugt werden. Werden beispielsweise solche Einschnitte benutzt, die eine spätere Schweißstelle umschließen, so wird bei der Vornahme des einzelnen Schweißprozesses der eine an der Schnittstelle beteiligte Teil sich etwas in die Zwischenelektrode oder einlegierte Elektrode des Halbleiterelementes hineinsenken, so daß er mit seinem geschnittenen Rand aus der Ebene des ge~ genüberliegenden Randes der Schnittstelle heraus in eine zu dieser parallelen Ebene gelangt, die unter der anderen Ebene liegt. Befindet er sich in dieser Lage, so ist für ihn wieder die Möglichkeit gegeben, sich bei einer Verformung im Sinn einer Dehnung sowohl im Verlauf eines Verschweißungsprozesses als auch bei dem betriebsmäßigen Einsatz der Halbleiteranordnung unter den gegenüberliegenden anderen Rand darunterzuschieben.
In ähnlicher Weise kann auch unmittelbar mit der Erzeugung solcher eingeschnittener Bögen oder bogenförmiger Aussparungen eine leichte Durchwölbung eines der an der Schnittstelle beteiligten Flächenteile erzeugt werden. Wird beispielsweise angenommen,
daß der die konkave Schnittlinie aufweisende Flächenteil bei der Erzeugung des Schnittes etwas nach außen aus der Ebene der Platte durchgedrückt wird und die Verschweißung also an demjenigen Flächenteil vorgenommen wird, zu dem die konvexe Schnittlinie gehört, so kann sich wieder, wie bereits schon geschildert, dieser angeschweißte Teil unbedenklich verformen und unter den anderen konkaven Teil darunterschieben.
Eine weitere erfindungsgemäße Lösung läßt sich auch dadurch erreichen, daß andere als schlitzförmige Aussparungen in dem plattenförmigen Teil des Anschlußleiters vorgesehen werden. So kann beispielsweise der plattenförmige Teil mit Löchern von Kreis- oder anderer Form nach Art eines gestanzten Siebes versehen werden, wobei jede herzustellende Schweißstelle dann an den Stegteilen erzeugt wird, welche zwischen mehreren umschließenden Aussparungen oder Löchern an dem plattenförmigen Teil verblieben sind. Statt der kreisflächenförmigen Aussparungen können also z. B. auch kreuzförmige Aussparungen benutzt werden, die zu einer entsprechenden Unterteilung eines plattenförmigen Elektrodenteiles führen und wobei zwischen diesen Aussparungen die mechanischen Verbindungsstellen, z. B. elektrischen Verschweißungsstellen, mit dem anderen Körper bzw. Elektrodenkörper des Halbleiterelementes oder der Halbleiteranordnung erzeugt werden.
Die Erfindung ist also sowohl für plattenförmige Anschlußleiter anwendbar, die zwischen dem Grundplattenkörper und dem Halbleiterelement der Halbleiteranordnung benutzt werden, als auch für Zwischenkörper zwischen einem eventuell biegsamen Anschlußleiter und einem anderen Pol der Halbleiteranordnung.
Es können im Rahmen der Erfindung auch gemeinsam an dem gleichen plattenförmigen Teil des Anschlußleiters Einschnitte oder Aussparungen verschiedener spezieller Funktionen angebracht werden, d. h. solche, die radialen mechanischen Spannungen vorbeugen und solche, die tangentialen Spannungen vorbeugen. So können z. B. in Verbindung mit radialen Schlitzen am zentralen Teil bogenförmige einander zweckmäßig in der Umfangsrichtung überlappende Schlitze benutzt werden.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einiger Ausführungsbeispiele wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
In Fig. 1 ist ein Beispiel einer Halbleiteranordnung dargestellt, an welcher die Erfindung zur Anwendung gelangen kann. 1 bezeichnet einen Grundplattenkörper der Halbleiteranordnung, der mit einem von seiner unteren Fläche ausladenden Gewindebolzen la für die Befestigung der Halbleiteranordnung versehen ist. An der oberen Fläche dieser Grundplatte 1 ist ein Halbleiterflächengleichrichterelement 2 durch Hart- oder Weichlötung oder Anlegieren befestigt. Dieses Halbleiterelement besteht aus einem Halbleiterkörper 3, z. B. aus Silizium, einer oberen einlegierten Elektrode 4, einer unteren einlegierten Elektrode 5, einer an dieser durch Legierung befestigten Platte 6, z. B. aus kovarplattiertem Molybdän, aus Wolfram oder Tantal und einer an dieser befestigten Platte 7 aus Kupfer, die dann mit dem aus Kupfer bestehenden Grundplattenkörper 1 verlötet ist. An der oberen einlegierten Elektrode 4 ist ein Folienkörper 8 befestigt. Dieser besteht aus einem plattenförmigen Teil 9, wie es z. B. in F i g. 2 ver-
anschaulicht ist, von Kreisflächenform, wobei von dem Umfang dieser Kreisfläche strahlenförmige in F i g. 2 nur mit einem Teil ihrer Länge dargestellte Teile 10 ausladen, die dann nach oben zu einem tulpenförmigen Körper zusammengebogen und mit ihren Enden auf der Mantelfläche eines Hülsenkörpers oder Kappenkörpers 11, der auf das freie Ende des Litzenanschlußleiters 12 aufgepreßt ist, mittels eines besonderen Ringes 13 festgespannt sind, ίο Beim Gegenstand der Erfindung handelt es sich entweder um die Herstellung eines Anschlußleiters, der an der oberen einlegierten Elektrode oder auf einer nicht besonders dargestellten an dieser befestigten Zwischenelektrode befestigt ist oder um einen Körper 7, der zwischen -dem Grundplattenteil 1 und dem Halbleiterelement 2 eingeordnet ist. Wie bereits durch die vorausgehende Beschreibung angedeutet wurde, ist in F i g. 2 ein Anschlußelektrodenkörper in einer erfindungsgemäßen Darstellung veranschauao licht, der als Anschlußleiter 8 an er oberen einlegierten Elektrode 4 befestigt werden soll. Dieser Anschlußelektrodenkörper ist gemäß der Darstellung nach F i g. 2 mit Einschnitten bzw. Aussparungen 14 und 15 versehen, welche an dem plattenförmigen Teil 9, über welchen der Körper 8 an der einlegierten Elektrode 4 befestigt wird, in diametraler bzw. radialer Richtung verlaufen. Es sind, wie bereits angeführt, zwei verschiedene Arten von Schlitzen benutzt. Die mit 15 bezeichneten verlaufen vom Umfang des kreisförmigen Teiles nur bis zu einer gewissen radialen Tiefe. Die mit 14 bezeichneten erstrecken sich über den Kreisdurchmesser der Fläche von 9 bis in die Fläche der streifenförmigen TeilelO hinein. Durch diese Ausbildung der mit 14 bezeichneten Einschnitte bzw. Aussparungen wird erreicht, daß die gebogene Kante, welche sich beim Abbiegen eines Streifens 10 aus der Ebene von 9 ergibt, nicht mehr ein so starres Gebilde darstellt. Der Körper 8 wird an seinem plattenförmigen Teil 9 mit der einlegierten Elektrode 4 über punktförmige Verschweißungsstellen durch elektrische Widerstandsverschweißung verbunden, die vorzugsweise mittels eines Schweißwerkzeuges erzeugt werden, das aus zwei über eine isolierte Zwischenlage aneinander befestigten Schweißelektroden besteht, so daß dieses mit den beiden benachbarten Kontaktflächen der beiden Elektroden auf die obere Fläche eines plattenförmigen Körpers 8 aufgesetzt werden kann und dann an der gegenseitigen Berührungsfläche von 8 bzw. 9 und 4 eine punktartige Verschweißungsstelle erzeugt wird, indem der Schweißstrom durch die Platte 9, dann durch die Platte 4, dann aus dieser heraus wieder durch die Platte 9 und durch die zweite Schweißelektrode des Schweißelektrodenwerkzeuges seinen Weg nimmt. Diese Schweißstellen werden jeweils an dem plattenförmigen Teil 9 nebeneinander erzeugt, wie es z. B. durch die eingetragenen Kreise 16 veranschaulicht ist.
Sollten die bei der gezeigten Ausführung im zentralen Teil des plattenförmigen Anschlußleiterteiles vorhandenen Spitzen sich als mechanisch unerwünscht empfindlich erweisen, so können diese auch fortgelassen werden. Es würde also dann im zentralen Teil, beispielsweise in einem solchen plattenförmigen Körper, eine entsprechende, kreisflächenförmige Aussparung vorgesehen werden, wie sie gestrichelt angedeutet ist.
An diesem Körper 8 ist somit zu erkennen, daß nach seinem Einbau in eine Halbleiteranordnung ge-
maß F i g. 1 an ihm an seinem plattenförmigen Teil 9 bei thermischen Beanspruchungen in der Umfangsrichtung stets nur relativ kurze Strecken eine Dehnung erfahren und der absolute Wert dieser Dehnung an der einzelnen Strecke, da er proportional der gesamten Länge des sich ausdehnenden Körpers ist, nur relativ kleine Werte annehmen kann. Durch eine solche Herstellung einer Anschlußleiterplatte bzw. -elektrode können also in der Umfangsrichtung sich ergebende thermische Dehnungen und damit verbundene Verformungen der Platte auf ein relativ kleines wirkungsmäßig unmerkliches Maß beschränkt werden.
In F i g. 3 ist eine Lösung veranschaulicht, nach welcher statt radial verlaufender Aussparungen bzw. Einschnitte an der Kontaktplatte, die über eine Fläche mit einer Elektrode des Halbleiterelementes bzw. z. B. der Grundplatte der Halbleiteranordnung verschweißt oder verlötet wird, bogenförmig verlaufende Aussparungen 18 vorgesehen sind. Auf diese Weise gelingt es, in radialer Richtung für nur kurze Strecken an dem plattenförmigen Anschlußkörper 9 zu sorgen, so daß sich also in radialer Richtung stets nur geringe absolute Dehnungen an dem Körper ergeben können und somit dem Auftreten wesentlicher Spannungen in radialer Richtung vorgebeugt ist. Die Ausbildung des plattenförmigen Teiles 18 nach F i g. 3 könnte für jede der Anschlußelektroden bzw. Zwischenelektroden 8 bzw. 7 nach F i g. 1 benutzt werden. Nach F i g. 3 ist nur eine kreisflächenförmige Scheibe gezeigt, also unmittelbar zunächst nur eine ihrer Umfangsform nach für eine Zwischenelektrode 7 geeignete Ausführung.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 4 sind an einem plattenförmigen Körper 19 Aussparungen bzw. Einschnitte 20 benutzt, welche in der Richtung von Kreissehnen verlaufen. Es liegen also in diesem Fall Einschnitte vor, welche, bezogen auf die radiale Richtung und die tangentiale Richtung bzw. Umfangsrichtung, diese schneiden. Somit wird also hinsichtlich des nach der Erfindung angestrebten Effektes eine kombinierte Wirkung für die Vorbeugung von nachteiligen Dehnungen und erzeugten mechanischen Spannungen erreicht, welche in radialer Richtung bzw. in tangentialer Richtung verlaufen. An jedem der in den F i g. 2 bis 4 dargestellten plattenförmigen Körper werden nach deren Anlegen dieser Teile an eine Elektrode des Halbleiterelementes bzw. einer Fläche der Halbleiteranordnung, wenn der plattenförmige Teil mit dieser Fläche durch elektrische Widerstandsverschweißung verschweißt werden soll, die einzelnen Schweißstellen mittels eines Schweißelektrodenwerkzeuges erzeugt, welches aus zwei nebeneinander und einander räumlich dicht benachbarten angeordneten Schweißelektroden besteht. Diese können einen solchen gegenseitigen Abstand haben, der z. B. lediglich durch eine zwischen beiden eingelegte isolierte Folie geringer Dicke von z. B. etwa 0,2 mm bestimmt ist, über welche die beiden Schweißelektroden mechanisch zusammengespannt sind. Der Strom bei dem einzelnen Schweißprozeß verläuft dann von der einen Elektrode des Schweißwerkzeuges über den anzuschweißenden plattenförmigen Körper, denjenigen Körper, an welchen er angeschweißt werden soll, also z. B. die in den Halbleiterkörper einlegierte Elektrode oder eine mit dieser verbundene Zwischenelektrode, eine zweite Stelle des anzuschweißenden Körpers und schließlich über die zweite Elektrode des Schweißwerkzeuges der elek-
trischen Widerstandsschweißanordnung. Diese einzelnen Schweißstellen werden also jeweils wieder zwischen den Aussparungen bzw. Einschnitten an dem plattenförmigen Anschlußleiter in einer geeigneten gewünschten Dichte nebeneinander erzeugt. Verformungen, welche sich an der einzelnen Schweißstelle an dem plattenförmigen Körper ergeben, bleiben aber dabei in ihrer Auswirkung auf Strecken des plattenförmigen Körpers beschränkt, die nur eine kurze
ίο Länge haben.
Im allgemeinen Teil der Beschreibung ist auch bereits darauf hingewiesen worden, daß z. B. bei der Unterteilung der gesamten Fläche des plattenförmigen Teiles geradlinig verlaufende Einschnitte mit bogenförmigen kombiniert werden können. So könnten sich die radialen Einschnitte nach F i g. 2 in Richtung auf die Mitte zu nur bis zu einem gewissen Abstand vom Mittelpunkt erstrecken, so daß zunächst noch ein in sich einheitlicher, kreisflächenförmiger Körper bleibt. Auf diesem kreisflächenförmigen Teil können entsprechende bogenförmige Aussparungen vorgesehen sein, die auf zueinander konzentrischen Kreislinien liegen, wobei die Bogenstücke auf den verschiedenen Kreisen in der Umfangsrichtung derart gegeneinander versetzt sind, daß die Lücke zwischen zwei Aussparungen auf der einen Kreislinie durch einen Bogen auf einer Kreislinie anderen Durchmessers umschlossen bzw. abgedeckt ist.
In F i g. 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel veranschaulicht, nach welchem ein kreisflächenförmiger Anschlußkörper 21 mit bogenförmigen Aussparungen bzw. Einschnitten 22 versehen ist. Innerhalb jedes der von einem Bogen umschlossenen Flächenteiles wird z. B. für die mechanische Verbindung des plattenförmigen Anschlußkörpers mit einer Elektrode des Halbleiterelementes eine punktartige Schweißstelle 22 a durch elektrische Widerstandsverschweißung erzeugt.
Nach dem Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 6 ist der plattenförmige Anschlußleiter 23 mit Löchern 24 versehen worden, so daß er den Charakter eines Siebkörpers erhält. An den Flächenteilen, welche zwischen den Löchern 24 bestehenbleiben, werden jeweils wieder entsprechende punktartige Schweißstellen 24 a durch elektrische Widerstandsverschweißung erzeugt. Die Aussparungen müssen dabei sinngemäß z. B. derart auf zueinander konzentrischen Kreisen verschieden verteilt sein, daß die Aussparungen auf dem einen Kreis die Lücke zwischen zwei Aussparungen des anderen Kreises in radialer Richtung abdecken. Außerdem müssen die Durchmesser der konzentrischen Kreise unter Berücksichtigung des Durchmessers bzw. der Flächenausdehnung der einzelnen Aussparungen derart gewählt werden, daß jede der Aussparungen, in der Umfangsrichtung des Kreises betrachtet, den Steg zwischen den Aussparungen zweier benachbarter konzentrischer Kreise abdeckt.
In F i g. 7 ist ein Ausführungsbeispiel gezeigt, wonach der plattenförmige Anschlußleiter lediglich die Form eines Kreisringes 27 hat. Auch durch einen solchen einfachen Aufbau wird bereits eine Wirkung im Sinn der erfindungsgemäßen Zielsetzung erreicht, indem die in radialer Richtung verlaufenden Strecken auf ein unteres Maß herabgesetzt sind.
In F i g. 8 ist ein Ausführungsbeispiel wiedergegeben, nach welchem in dem Plattenkörper 25 bäumchenförmige Aussparungen bzw. Einschnitte 26 erzeugt worden sind, d. h. Figuren, die sich aus Ein-

Claims (6)

schnitten bzw. Aussparangen zusammensetzen, welche in verschiedenen Richtungen verlaufen. In diesem Ausführungsbeispiel ist auch gleichzeitig gezeigt, daß diese die Aussparungen bzw. Einschnitte bildenden Figuren gegebenenfalls mit ihren Elementen an der Fläche des plattenförmigen Körpers 25 ineinandergreifen können. Werden in einer Ausführungsform, wie z. B. nach F i g. 5, nur bogenförmige Einschnitte benutzt, so kann es sich als zweckmäßig erweisen, wie in F i g. 9 gezeigt ist, diese schuppenförmigen Teile 28 aus der Ebene der Platte 29 heraus in eine andere, also z. B. parallelliegende Ebene zu verformen. Wird an dem einzelnen schuppenförmigen Teil 28 die Schweißstelle erzeugt, so daß er also das Bestreben hat, sich in thermischer Abhängigkeit auszudehnen, so wird derjenige Teil, an welchem die Schweißstelle erzeugt wird und der somit in thermischer Abhängigkeit eine Dehnung bzw. Verformung erfährt, sich dann unter oder über denjenigen Teil schieben können, dem die konkave Begrenzungslinie zu eigen ist. Aus einer solchen Verformung des einzelnen schuppenförmigen Teiles kann im Rahmen der Erfindung in verschiedener Weise Nutzen gezogen werden. So kann an sich der einzelne schuppenförmige Teil, wenn die Platte 29 auf den Körper 30 aufgelegt wird, mit welchem sie verschweißt werden soll, durchaus noch in der Ebene dieser Platte liegen. Es ist nämlich bereits weiter oben darauf hingewiesen worden, daß bei dem elektrischen Schweißvorgang gegebenenfalls in Rechnung gestellt werden muß bzw. kann, daß durch die örtliche Erweichung des Werkstoffes des Körpers 30, mit welchem der plattenförmige Teil verschweißt wird, der einzelne schuppenförmige Teil 29 etwas in diesen Körper eingedrückt wird. Es kann sich nun auf Grund von Erfahrungswerten ergeben, daß diese Verlagerung des einzelnen schuppenförmigen Teiles aus der Ebene des plattenförmigen Körpers bereits einen solchen Betrag annimmt, daß dadurch der schuppenförmige Teil in eine zur unteren Ebene des plattenförmigen Teiles 29 parallelliegende Ebene verformt wird, so daß der schuppenförmige Teil sich dann bereits auf Grund dieser beim Schweißvorgang entstehenden Verformung unter den anderen Teil der Plattenform 29 darunterschieben kann. Diesen Effekt veranschaulicht die Fig. 9. Nun kann aber auch im Rahmen der Erfindung vorgegangen werden, wie es die F i g. 10 veranschaulicht. In diesem Fall sind die schuppenförmigen Teile 32 nach oben aus der Ebene des plattenförmigen Körpers 31 heraus verformt worden. Die von der konkaven Schnittlinie begrenzten Teile des plattenförmigen Körpers 31 kommen also an dem Körper 30 zur Anlage, und an ihnen werden die Schweißstellen erzeugt. Dehnen sie sich durch eine Verformung parallel zur Fläche des Körpers aus, mit welchem sie verschweißt werden, so können sie sich offensichtlich in Richtung auf den des unter der benachbarten Schuppe 30 vorhandenen Hohlraumes ausdehnen. Was die Anbringung eines erfindungsgemäßen plattenförmigen Anschlußleiters bzw. Anschlußzwischenkörpers zwischen der Grundplatte bzw. der Fassung der Halbleiteranordnung und dem Halbleiterelement anbetrifft, so kann die mechanische Verbindung zwisehen einem solchen erfindungsgemäßen Körper und der Grundplatte bzw. der Fassung der Halbleiteranordnung einerseits sowie dem Halbleiterelement andererseits in verschiedener Weise erfolgen. Der erfindungsgemäß benutzte Zwischenanschlußkörper kann z. B. entweder an dem Fassungskörper der Halbleiteranordnung oder an einer Träger elektrode des Halbleiterelementes durch eine elektrische Widerstandsverschweißung, die mittels einer Mehrzahl punktartiger Verschweißungen erzeugt wird, verbunden werden. An der jeweils anderen gegenüberliegenden Fläche kann der erfindungsgemäße Zwischenelektrodenkörper dann durch eine Hart- oder Weichlötverbindung mit der Fläche des jeweiligen anderen benachbarten Teiles des Aufbaus der Halbleiteranordnung verbunden werden. Im Rahmen der Erfindung liegt es aber auch, an beiden einander gegenüberliegenden Oberflächen eines erfindungsgemäßen Zwischenelektrodenkörpers je eine Hart- oder Weichlötverbindung zu benutzen. Im Fall jeder dieser Verbindungsarten oder der verschiedenen Kombinationen derselben bleibt der nach der Erfindung angestrebte vorteilhafte technische Effekt für die Halbleiteranordnung bestehen bzw. wird er erreicht. Patentansprüche:
1. Anschlußkörper oder Zwischenanschlußkörper für elektrische Halbleiterbauelemente von mindestens anteilig platten- oder folienartiger Gestalt, der über eine Vielzahl selbständiger nebeneinanderliegender, vorzugsweise punktartiger, durch elektrische Widerstandsverschweißung erzeugter Stellen mit einem Elektrodenkörper des Halbleiterkörpers verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Plattenform oder der gesamte plattenförmige Anteil durch Einschnitte und/oder Aussparungen derart in voneinander bis auf Stege getrennte Flächenanteile unterteilt ist, daß bei der Herstellung der einzelnen Verbindungsstelle oder einer Mehrzahl von unmittelbar benachbarten Verbindungsstellen an einem solchen Flächenanteil auftretende Dehnungen oder Dehnungsbeanspruchungen auf andere benachbarte Anteile der Plattenform praktisch nicht übertragen werden können.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an dem plattenförmigen Körper von seinem äußeren Umfang in Richtung auf seine innere Fläche verlaufende Einschnitte oder schlitzförmige Aussparungen vorgesehen sind.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Anschlußleiter mit kreisflächenförmigem Plattenteil in radialer bzw. diametraler Richtung verlaufende Einschnitte oder Aussparungen vorgesehen sind.
4. Verfahren nach Ansprach 3, dadurch gekennzeichnet, daß in dem plattenförmigen Teil Einschnitte oder Aussparungen vorgesehen sind, welche in der Richtung von Kreissehnen oder -bögen verlaufen.
5. Verfahren nach Ansprach 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an dem plattenförmigen Teil des Anschlußleiters Aussparungen oder Einschnitte vorgesehen sind, die sich aus mehreren Teilen zusammensetzen, die in verschiedenen Richtungen verlaufen.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die aus verschiedenen Aussparungen oder Einschnitten gebildeten Figuren an dem plattenförmigen Teil ineinandergreifen.
709 589/361
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3546543A (en) * 1968-08-30 1970-12-08 Nat Beryllia Corp Hermetically sealed electronic package for semiconductor devices with high current carrying conductors
EP0022359A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-14 Westinghouse Brake And Signal Company Limited Halbleiterkontakt-Beilegefolie, Verfahren zur Befestigung und Halbleiteranordnung mit einer Kontakt-Beilegefolie
US5739556A (en) * 1995-02-17 1998-04-14 Asea Brown Boveri Ag Pressure contact housing for semiconductor components
DE10335111A1 (de) * 2003-07-31 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Montageverfahren für ein Halbleiterbauteil
DE102009039227B4 (de) * 2008-08-28 2015-06-18 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103056639B (zh) * 2012-12-31 2015-04-22 中国科学院自动化研究所 径向张开装置作用件的定位方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT187598B (de) * 1954-04-07 1956-11-10 Int Standard Electric Corp Kristallgleichrichter oder Kristallverstärker
FR1205947A (fr) * 1957-04-18 1960-02-05 Siemens Ag Procédé de réalisation d'une connexion entre un conducteur électrique de jonction et l'électrode d'un élément semi-conducteur et élément semi-conducteur fabriqué d'après ce procédé, avec un conducteur de jonction
FR1213484A (fr) * 1958-08-04 1960-04-01 Thomson Houston Comp Francaise Milieu conducteur non isotrope pour flux thermique intense

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT187598B (de) * 1954-04-07 1956-11-10 Int Standard Electric Corp Kristallgleichrichter oder Kristallverstärker
FR1205947A (fr) * 1957-04-18 1960-02-05 Siemens Ag Procédé de réalisation d'une connexion entre un conducteur électrique de jonction et l'électrode d'un élément semi-conducteur et élément semi-conducteur fabriqué d'après ce procédé, avec un conducteur de jonction
FR1213484A (fr) * 1958-08-04 1960-04-01 Thomson Houston Comp Francaise Milieu conducteur non isotrope pour flux thermique intense

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3546543A (en) * 1968-08-30 1970-12-08 Nat Beryllia Corp Hermetically sealed electronic package for semiconductor devices with high current carrying conductors
EP0022359A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-14 Westinghouse Brake And Signal Company Limited Halbleiterkontakt-Beilegefolie, Verfahren zur Befestigung und Halbleiteranordnung mit einer Kontakt-Beilegefolie
WO1981000172A1 (en) * 1979-07-04 1981-01-22 Westinghouse Brake & Signal Semiconductor contact shim and attachment method
US5739556A (en) * 1995-02-17 1998-04-14 Asea Brown Boveri Ag Pressure contact housing for semiconductor components
DE10335111A1 (de) * 2003-07-31 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Montageverfahren für ein Halbleiterbauteil
DE10335111B4 (de) * 2003-07-31 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Montageverfahren für ein Halbleiterbauteil
US7323359B2 (en) 2003-07-31 2008-01-29 Infineon Technologies Ag Mounting method for a semiconductor component
DE102009039227B4 (de) * 2008-08-28 2015-06-18 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

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