DE1248172B

DE1248172B - Verfahren zum Herstellen eines Gehaeuses fuer Halbleiteranordnungen

Info

Publication number: DE1248172B
Application number: DE1962T0022357
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Heinz Beckenbach; Alfred Bauer
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1962-06-23
Filing date: 1962-06-23
Publication date: 1967-08-24

Description

Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für Halbleiteranordnungen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für Halbleiteranordnungen, insbesondere für Transistoren, welches aus plattenförmigen Teilen zusammengesetzt ist, die durch Glasschichten voneinander getrennt sind. Die Erfindung besteht bei einem solchen Verfahren darin, daß das Glas zunächst auf die einander zugewandten Oberflächen der plattenförmigen Teile aufgesprüht wird und daß die plattenförmigen Teile mit den aufgesprühten Glasschichten durch Verschmelzen der Glasschichten miteinander verbunden werden.
Dieses Verfahren hat sich vor allem bei der Herstellung von Gehäusen mit kleinsten Abmessungen bewährt. Es empfiehlt sich, die plattenförmigen Teile aus den im Handel unter den Namen Vacon oder Vacovit bekannten Stoffen herzustellen.
Die plattenförmigen Teile sind vorzugsweise ringförmig ausgebildet, so daß Durchführungen für Elektrodenzuleitungen entstehen. Die ohmsche Kontaktierun- der Basiszone des Transistors kann durch eine seitlich aus dem Gehäuse herausführende Kontaktfahne erfolgen, mit der die Trägerplatte versehen ist. Es besteht auch die Möglichkeit, eine oder mehrere der auf die Trägerplatte aufgebrachten plattenförmigen Teile als Kontaktflansch auszubilden und gegebenenfalls mit einer oder mehreren Bohrungen zur Befestigung auf einem Gerätechassis zu versehen. Weiterhin kann mindestens einer der auf die Trägerplatte aufgebrachten plattenförmigen Teile mit Kühlrippen versehen sein.
Die durch die Bohrungen der plattenförmigen Teile geführten Elektrodenzuleitungen sind im allgemeinen mit den plattenförmigen Teilen vakuumdicht verlötet.
Sind nur die unmittelbar auf die Trägerplatte aufgebrachten Platten mit zentralen Bohrungen versehen, so können die äußeren Metallplatten als Kontaktplatten zur Kontaktierung der Emitter- und Kollektorelektroden verwendet werden, beispielsweise unter Verwendung eines Federkontaktes oder durch Verlöten der Legierungspillen mit der Kontaktplatte nach Art der bekannten Kollektorkühlung. Die Kontaktierung der Halbleiterelektroden kann aber auch durch einen in die Kontaktplatte eingebrachten MetaIlstift erfolgen.
Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Das Gehäuse des in den F i g. 1 und 2 dargestellten Subminiaturtransistors ist aus fünf Platten 1, 2, 3, 4 und 5 zusammengesetzt. Die mittlere (3) dieser Platten ist die sogenannte Trägerplatte, auf die der mit der Emitterpille 6 und der Kollektorpille 7 versehene Halbleiterkörper 8 aufgelötet ist. Die auf die Trägerplatte 3 beidseitig aufgebrachten Platten 1, 2, 4 und 5 sind durch eine isolierende Glasschicht 9 voneinander getrennt. Sowohl die mittlere Trägerplatte 3 als auch die auf die Trägerplatte aufgebrachten äußeren Platten sind ringförmig ausgebildet. Die bei ringförmiger Ausbildung vorhandenen Bohrungen in den äußeren Platten sind als Drahtdurchführungen 10 erforderlich.
Bei Verwendung einer isolierenden Glaszwichenschicht können die ringförmigen Abschlußplatten z. B. aus Vacovit hergestellt werden. Um die Vacovitrin'ge durch eine Glasschicht voneinander zu isolieren, werden die Vacovitringe zunächst gesäubert und auf einer Oberfläche mit Glaspaste besprüht. Die Glaspaste muß so dick aufgesprüht werden, daß bei dem nachfolgenden Aufschmelzen eine gleichmäßige und nichtunterbrochene Glashaut entsteht. Das Aufschmelzen der aufgesprühten Glaspaste auf die Vacovitringe erfolgt in einer nicht oxydierenden Gasatmosphäre bei ungefähr 950' C. Bei dieser Temperaturbehandlung kommt die aufgesprühte Glasschicht zum Fließen und geht mit den Vacovitringen eine feste Verbindung ein.
Nach dem Aufbringen der Glasschichten auf die Vacovitringe werden diese mit ihren Glasflächen aufeinander gelegt und in entsprechenden Kohleformen zu Doppelringen verschmolzen, so daß eine vakuumdichte und gleichzeitig isolierende Verbindung zwischen je zwei Vacovitringen entsteht.
Anschließend werden die durch das Verschmelzen der Glasschichten gewonnenen Doppelringe durch einen Beizprozeß gereinigt, damit die metallisch gebliebenen Oberflächen von etwaigen Verunreinigungen befreit werden. Dies ist erforderlich für den sich anschließenden Lötprozeß, bei dem die Doppelringe unter Verwendung des Weichlotes 11 beidseitig auf die Trägerplatte aufgelötet werden. Die Kontaktierung der Emitter- und Kollektorelektroden6 und 7 erfolgt durch die Drähte12 und 13, die durch die Durchführungen 10 hindurchgeführt und mit den Legierungspillen verlötet werden. Nach erfolgter Kontaktierung werden Zuleitungsdrähte 12 und 13 mit den oberflächenverzinnten Metallscheiben verlötet. Die Basiskontaktierung erfolgt mit Hilfe der Anschlußfahne 15, mit der die Trägerplatte versehen ist.

Claims

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für Halbleiteranordnungen, insbesondere für Transistoren, welches aus plattenförmigen Teilen zusammengesetzt ist, die durch Glasschichten voneinander getrennt sind, d a d u r c h g e k e n n - z e i c h n e t, daß das Glas zunächst auf die einander zugewandten Oberflächen der plattenförmigen Teile aufgesprüht wird, und daß die plattenfönnigen Teile mit den aufgesprühten Glasschichten durch Verschmelzen der Glasschichten miteinander verbunden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmigen Teile aus Eisen-Nickel-Kobalt-Legierungen (Vacon) oder Eisen-Nickel-Chrom-Legierungen (Vacovit) bestehen. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1098 618; USA.-Patentschrift Nr. 2 999 964; Buch von Ch. Mönch, Hochvakuumtechnik, Halle, 1959, S. 266 und 267, 279.