DE1246136B - Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Koerpers - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Koerpers

Info

Publication number
DE1246136B
DE1246136B DEN13431A DEN0013431A DE1246136B DE 1246136 B DE1246136 B DE 1246136B DE N13431 A DEN13431 A DE N13431A DE N0013431 A DEN0013431 A DE N0013431A DE 1246136 B DE1246136 B DE 1246136B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
cadmium sulfide
cadmium
percent
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN13431A
Other languages
English (en)
Inventor
Hubertus Johannes Jozef Brech
Willem Van Gool
Johannes Gerrit Van Santen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1246136B publication Critical patent/DE1246136B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/26Measuring radiation intensity with resistance detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/233Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. (JL:
HOll
DeutscheKl.: 21g-29/01
Nummer: 1246136
Aktenzeichen: N13431 VIII c/21 g
Anmeldetag: 19. März 1957
Auslegetag: 3. August 1967
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Körpers, bei dem pulverförmiges Cadmiumsulfid durch Pressen zu dem Körper geformt wird und bei dem anschließend der Körper in einer Schutzatmosphäre bei 700 bis 1200° C gesintert wird. Ein Körper ist im Sinne der Erfindung strahlungsempfindlich, wenn sein elektrischer Leitwert durch auffallende korpuskulare oder elektromagnetische Strahlung geändert wird, insbesondere zunimmt.
Es ist bekannt, strahlungsempfindliche Körper, insbesondere Schichten, dadurch herzustellen, daß pulverförmiges Cadmiumsulfid durch Pressen zu dem Körper geformt wird und anschließend der Körper in. einer Schutzatmosphäre bei hoher Temperatur gesintert wird (deutsche Patentschrift Nr. 893 563). In den meisten Fällen wird dabei von aktiviertem Cadmiumsulfidpulver ausgegangen, das dadurch erzielt wird, daß Cadmiumsulfidpulver mit geringen Mengen von Aktivatoren, z. B. Kupfer und Gallium, kurzzeitig auf eine hohe Temperatur, z. B. 850° C, erhitzt wird.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß diese gesinterten, strahlungsempfindlichen Körper träge sind, insbesondere bei niedriger Beleuchtungsstärke. Für v'erschiedene Anwendungen solcher strahlungsemfindlicher Körper ist es aber von großer Wichtigkeit, daß der strahlungsempfindliche Stoff nach dem Verschwinden der anregenden Strahlung schnell in seinen ursprünglichen, nicht erregten Zustand zurückkehrt, d. h. eine kurze Abklingzeit hat. Unter Abklingzeit wird hier die Zeit verstanden, die zwischen dem Zeitpunkt des Verschwindens der anregenden Strahlung und dem Zeitpunkt verläuft, zu dem die Zahl · der erregten Ladungsträger auf Ve abgenommen hat, wobei e die Basis der natürlichen Logarithmen ist.
Es ist weiter bekannt, strahlungsempfindliche Körper statt aus gesintertem Pulver aus einkristallinen oder grobkristallinen Schichten von Chalcogeniden von Zinn, Cadmium oder Quecksilber oder einem Gemisch dieser Chalcogenide herzustellen (deutsche Patentschrift 838 693).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindliehen Körpers, bei dem pulverförmiges Cadmiumsulfid gepreßt und in einer Schutzatmosphäre gesintert wird, zu schaffen, das zu einem strahlungsempfindlichen Körper mit hoher Strahlungsempfindlich-Verfahren zum Herstellen
eines strahlungsempfindlichen Körpers
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
DipL-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Willem van Gool5
Johannes Gerrit van Santen,
Hubertus Johannes Jozef Brech,
Eindhoven (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 22. März 1956 (205 670)
keit und kurzer Abklingzeit führt.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß es möglich ist, durch Beifügen von Cadmiumoxydpulver zu Cadmiumsulfid die genannte Aufgabe zu lösen.
Gemäß der Erfindung werden vor dem Formen und Sintern des Körpers dem pulverförmigen Cadmiumsulfid 0,1 bis 10 Gewichtsprozent Cadmiumoxydpulver beigemischt.
Besonders gute Ergebnisse werden erzielt, wenn das Pulvergemisch nur 0,1 bis 5 Gewichtsprozent Cadmiumoxyd enthält.
Bei nach diesem Verfahren hergestellten gesinterten Körpern tritt gegenüber den bekannten gesinterten Körpern neben einer Abkürzung der Abklingzeit auf 1Ao bis V2Q eine Erhöhung der Strahlungsempfindlichkeit auf.
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert:
Ausgegangen wurde von Cadmiumsulfidpulver, das nach Zusatz von 2 · 10~4 g-Atom Cu und 2 - IO-4 g-Atom Ga pro Mol CdS als Aktivatoren 2 Stunden bei 850° C in einer H2S-Atmosphäre vorerhitzt worden war.
2 g dieses strahlungsempfindlichen CdS-Pulvers wurden unter einem Druck von 7000 kg/cm2 zu einer Tablette mit einem Durchmesser von etwa 3 cm und einer Dicke von 0,8 mm gepreßt, die danach Vi Stunde lang bei 950° C in einer Stickstoffatmosphäre gesintert wurde.
709 619/529

Claims (5)

Bei einer Beleuchtungsstärke von 10 Lux wurdedie Strahmngsempfindlichkeit gemessen. Dabei ergab sich eine Abklingzeit von 10 Sekunden. In einem zweiten Versuch wurden 2 g des gleichen strahlungsempfindlichen Cadmiumsulfidpulvers mit 3 Gewichtsprozent Cadmiumoxydpulver gemischt. Das Gemisch wurde, in der gleichen Weise gepreßt und gesintert. Die Messung bei gleicher Beleuchtungsstärke ergab, daß die Strahlungsempfindlichkeit um den Faktor 3 zugenommen hatte, während die Abklingzeit nur 0,5 Sekunden betrug. Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Körpers, bei dem pulverförmiges Cadmiumsulfid durch Pressen zu dem Körper geformt wird und bei dem anschließend der Körper in einer Schutzatmosphäre bei 700 bis 1200° C gesintert wird, dadurch ge kennzeichnet, daß vor dem Formen und Sintern des Körpers dem pulverförmigen Cadmiumsulfid
0,1 bis 10 Gewichtsprozent Cadmiumoxydpulver beigemischt werden. ■
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem pulverförmigen Cadmiumsulfid 0,1 bis 5 Gewichtsprozent Cadmiumoxydpulver beigemischt'werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das' pulverförmige Cadmiumsulfid aktiviert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet! daß als Aktivator 2 · IO-4 g-Atom Kupfer und 2 · IO-4 g-Atom Gallium pro Mol Cadmiumsulfid verwendet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem pulverförmigen Cadmiumsulfid 3 Gewichtsprozent Cadmiumoxydpulver beigemicht werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 567 523, 623 488, 693, 893 563, 918 098;
USA.Patentschrift Nr. 2 651700.
709 619/529 7.67 © Bundesdruckelei Berlin
DEN13431A 1956-03-22 1957-03-19 Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Koerpers Pending DE1246136B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL205670 1956-03-22
NL221827 1957-10-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1246136B true DE1246136B (de) 1967-08-03

Family

ID=26641600

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN13431A Pending DE1246136B (de) 1956-03-22 1957-03-19 Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Koerpers
DEN15742A Pending DE1276231B (de) 1956-03-22 1958-10-18 Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Koerpers

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN15742A Pending DE1276231B (de) 1956-03-22 1958-10-18 Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Koerpers

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2957152A (de)
CH (2) CH365152A (de)
DE (2) DE1246136B (de)
FR (2) FR1169851A (de)
GB (2) GB817918A (de)
NL (4) NL205670A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3324299A (en) * 1967-06-06 Photo-electric cell comprising a pressed and sintered photosensitive body
US3229158A (en) * 1962-02-21 1966-01-11 Honeywell Inc Electronic photographic flash apparatus with photosensitive capacitor charge monitoring
US3443103A (en) * 1966-03-16 1969-05-06 Weston Instruments Inc Photoconductive cell having high stability and dark resistance
DE2014871A1 (de) * 1970-03-26 1971-10-14 Agfa Gevaert Ag Fotowiderstand
DE2419452C2 (de) * 1974-04-23 1982-12-02 Schweizerische Aluminium AG, 3965 Chippis Schutzüberzug für Gießbänder in Bandstranggießmaschinen für Aluminium
NL7602597A (nl) * 1976-03-12 1976-05-31 Oce Van Der Grinten Nv Werkwijze voor het doteren van fotogeleidende cadmiumverbindingen.

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE623488C (de) *
DE567523C (de) * 1933-01-05 Theodore Willard Case Lichtempfindliche Zelle, bestehend aus einem mit inertem Gas gefuellten Gefaess, in das allein ein seinen elektrischen Leitungswiderstand bei Bestrahlung durch eine ausserhalb des Gefaesses befindliche Lichtquelle aendernder Stoff luftdicht eingeschlossen ist
DE838693C (de) * 1949-05-07 1952-05-12 Immanuel Broser Dr Ing Verfahren zur Regelung des Lumineszenz- und Leitvermoegens an Einkristall- und Grobkristallschichten
US2651700A (en) * 1951-11-24 1953-09-08 Francois F Gans Manufacturing process of cadmium sulfide, selenide, telluride photoconducting cells
DE893563C (de) * 1940-11-30 1953-10-15 Patra Patent Treuhand Verfahren zur Herstellung von Photowiderstaenden
DE918098C (de) * 1936-08-21 1954-10-25 Siemens Ag Reduktionshalbleiter mit kuenstlicher Sperrschicht

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB695936A (en) * 1951-04-20 1953-08-19 France Etat Improvements in the manufacture of activated cadmium sulphide cells
US2654852A (en) * 1951-06-01 1953-10-06 Rca Corp Photoconductive target for cathode-ray devices
US2742438A (en) * 1953-03-31 1956-04-17 Rca Corp Method of producing crystals

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE623488C (de) *
DE567523C (de) * 1933-01-05 Theodore Willard Case Lichtempfindliche Zelle, bestehend aus einem mit inertem Gas gefuellten Gefaess, in das allein ein seinen elektrischen Leitungswiderstand bei Bestrahlung durch eine ausserhalb des Gefaesses befindliche Lichtquelle aendernder Stoff luftdicht eingeschlossen ist
DE918098C (de) * 1936-08-21 1954-10-25 Siemens Ag Reduktionshalbleiter mit kuenstlicher Sperrschicht
DE893563C (de) * 1940-11-30 1953-10-15 Patra Patent Treuhand Verfahren zur Herstellung von Photowiderstaenden
DE838693C (de) * 1949-05-07 1952-05-12 Immanuel Broser Dr Ing Verfahren zur Regelung des Lumineszenz- und Leitvermoegens an Einkristall- und Grobkristallschichten
US2651700A (en) * 1951-11-24 1953-09-08 Francois F Gans Manufacturing process of cadmium sulfide, selenide, telluride photoconducting cells

Also Published As

Publication number Publication date
FR1169851A (fr) 1959-01-07
NL205670A (de)
NL93763C (de)
GB817918A (en) 1959-08-06
US2957152A (en) 1960-10-18
NL221827A (de)
CH365152A (de) 1962-10-31
GB836541A (en) 1960-06-01
DE1276231B (de) 1968-08-29
NL103462C (de)
FR74303E (fr) 1960-11-07
CH405519A (de) 1966-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1246136B (de) Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfindlichen Koerpers
GB1148165A (en) Improvements in methods of making alloy powders and in the corresponding powders
DE1912252A1 (de) Verfahren fuer die Herstellung von Gemischt-Oxyden
US2856365A (en) Method of producing ferrites
DE1216499B (de) Auf Eisen oder Eisenlegierungen aufgebrachtes Email mit hoher Dielektrizitaetskonstante
DE2039972C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines feinteiligen magnetischen Pulvers aus einer intermetallischen Verbindung mit einem Seltenen Erdmetall
US2999778A (en) Antimonide coated magnetic materials with lead and lead-antimony matrices
US3505059A (en) Method for forming fine and uniform dispersion of thorium dioxide in tungsten powder
GB1086674A (en) Method of manufacturing magnetic material having high permeability
DE3015886A1 (de) Siliziumcarbidkoerper und verfahren zu ihrer herstellung
DE1936508B2 (de) Verfahren zur Stabilisierung der Koerzitivkraft von Pulver für Dauermagneten
DE819690C (de) Verfahren zur Gewinnung eines Eisenpulvers fuer pulvermetallurgische Zwecke
DE1234993B (de) Verfahren zur Herstellung der intermetallischen Verbindung Vanadium-Gallium (VGa)
DE1471403B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Körpers aus Lithiumferrit
DE973960C (de) Verwendung von Cer-haltigen Sintermagnetlegierungen als Werkstoff fuer Dauermagnete
DE2030654B2 (de) Verfahren zur herstellung von gesinterten oxiden mit unter stoechiometrischem sauerstoffgehalt
US2848360A (en) Method of treating nickel-beryllium alloys
SU418544A1 (de)
AT218278B (de) Verfahren zum Herstellen von gesinterten Halbleiterkörpern
DE1187232B (de) Verfahren zur Herstellung von Pulvern von Urancarbid, Urannitrid oder Uransilicid
DE1544213A1 (de) Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
Bartuska Electron Microscopic Investigation of Aging Processes in an Al-30 At. per cent Zn Alloy at 201 C
DE1148663B (de) Verfahren zur Herstellung von Kernreaktor-Brennelementen aus einem Uranoxydgemisch
DE1197439B (de) Verfahren zum Herstellen von heisspress-faehigem und an feuchter Luft bestaendigem Aluminiumnitrid
US2848325A (en) Fuel elements for nuclear reactors and process of making