DE1246037B

DE1246037B - Transistorverstaerker mit Kollektorschwingkreis und mit Regelung des Verstaerkungsgrades durch eine Gleichspannung

Info

Publication number: DE1246037B
Application number: DE1965T0029627
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Hermann Schurath
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1965-10-21
Filing date: 1965-10-21
Publication date: 1967-08-03

Description

Transistorverstärker mit Kollektorschwingkreis und mit Regelung des Verstärkungsgrades durch eine Gleichspannung Die Erfindung betrifft einen Transistorverstärker mit Kollektorschwingkreis, einer an den Kollektor des Transistors angeschlossenen Diode und mit Regelung des Verstärkungsgrades durch eine Gleichspannung, insbesondere für Bildzwischenfrequenzverstärker in Fernsehempfängern.
Geregelte Transistoren beeinflussen durch die Änderung der Ein- und Ausgangsleitwerte bei Regelung in unerwünschter Weise die vor- und nachgeschalteten Abstimmkreise. Die Beeinflussung äußert sich unter anderem als Verstimmung der Resonanzfrequenz des Kreises.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Nachteil zu vermeiden.
Die Erfindung besteht darin, daß zwischen Kollektor und Masse eine Kapazitätsdiode angeschlossen ist, deren .Kapazität bei wachsender Kollektorausgangsgleichspannung abnimmt.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Kapazitätsdiode im Transistorgehäuse selbst zwischen Kollektor und Gehäuse, insbesondere dem Masseanschluß angeordnet.
Es ist zwar bekannt (Valvo-Brief, April 1965, S. 4, Bild 3), daß in das System eines Silizium-Planar-Transistors eine Diode eingeschlossen ist, doch dient die bekannte Anordnung einem anderen Zweck und kann auch nicht die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe lösen.
Das gilt auch für eine bekannte Schaltung zur Korrektur des Eingangswiderstandes einer Verstärkerstufe, bei der einer Vorstufe eine Diode zugeordnet ist, die eine Stromteilung bewirkt. Dabei wird nämlich die Diode in Durchlaßrichtung betrieben.
Zur näheren Erläuterung wird die Erfindung an Hand der Zeichnungen näher beschrieben.
F i g. 1 zeigt eine bekannte Transistorverstärkerschaltung mit einem Transistor 1, dem an seiner Basis das zwischenfrequente Fernsehsignal zugeführt wird. Der Emitter ist über eine Kapazität 2 nach Masse und über einen Widerstand an eine negative Betriebsspannung von z. B: -12 V angeschlossen. Die Kollektorelektrode ist über einen Schwingkreis aus einer Induktivität 4 und einer Kapazität 5 sowie die Parallelschaltung eines Kondensators 6 und eines Widerstandes 7 nach Masse geschaltet. Über den Sekundärkreis der Induktivität 4 werden die Ausgangssignale abgenommen und an die folgende Schaltung weitergeleitet.
Bei der soweit beschriebenen Schaltung vermindert sich bei aufwärts geregeltem Strom die Kollektoremitterspannung. Diese Spannungsabnahme unterstützt die Regelung wesentlich. Nachteilig ist dabei jedoch, daß die Ausgangskapazität des Transistors größer wird und den Ausgangskreis verstimmt. Dies ist in F i g. 1 durch die regelbar dargestellte Kapazität 9 angedeutet.
F i g. 2 zeigt eine Schaltung, bei der dieser Nachteil vermieden ist. Gleiche Schaltungselemente wie in F i g. 1 sind in F i g. 2 mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Schaltung nach F i g. 2 unterscheidet sich im wesentlichen von der Schaltung nach F i g.1 darin, daß zwischen Kollektor und Masse eine Kapazitätsvariationsdiode 10 eingeschaltet ist. Die Kapazität dieser Kapazitätsvariationsdiode nimmt mit steigender Spannung an ihren Elektroden ab. Bei Regelung des Transistors steigt nun die zwischen Kollektor und Masse liegende Gleichspannung infolge eines Spannungsabfalls am Widerstand 7 an. Dadurch wirkt die Änderung der Kapazität der Diode der Änderung der Transistorsausgangskapazität bei Regelung entgegen. Bei entsprechender Bemessung des Kapazitätsbereiches der Kapazitätsdiode und des Spannungshubes durch den Widerstand 7 kann die Transistorausgangskapazität vollständig oder wenigstens nahezu vollständig kompensiert werden.
F i g. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel wie die Einschaltung der Kapazitätsvariationsdiode 10 besonders günstig gelöst werden kann. In dieser Figur sei B die Basis, E der Emitter und C der Kollektor des Transistors 1. Der Halbleiterkörper sei mit 11 angegeben, das Transistorgehäuse mit 12. Außer den Anschlußfahnen für Basis, Emitter und Kollektor weist das Transistorgehäuse noch einen Masseanschluß 13 auf. Innerhalb des Gehäuses 12 ist zwischen Kollektor und Gehäuse die Kapazitätsvariationsdiode 10 angeordnet. Diese Diode tritt nach außen daher überhaupt nicht in Erscheinung. Die Kapazitätsvariationsdiode 1(f kann auch als Teil des Halbleiterkörpers 11 ausgebildet werden.

Claims

Patentansprüche: 1. Transistorverstärker mit Kollektorschwingkreis und mit Regelung des Verstärkungsgrades durch eine Gleichspannung, bei dem an den Kollektor des Transistors eine Diode angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwisehen Kollektor und Masse eine Kapazitätsdiode eingeschaltet ist, deren Kapazität bei wachsender Kollektorausgangsgleichspannung abnimmt.
2. Transistorverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazitätsdiode im Transistorgehäuse zwischen Kollektor und Gehäuse angeordnet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1166 274; »Funkschau«, 1959, Heft 21, S. 514.