DE1244897B - Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen - Google Patents

Description

DEUTSCHES WfflRm PATENTAMT DeutscheKl.: 21c-2/34

AUSLEGESCHRIFT

Nummer: 1 244 897

Aktenzeichen: P 26542 VIII d/21 c

1 244 897 Anmeldetag: 8.Februar 1961

Auslegetag: 20. Juli 1967

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen auf einem isolierenden Träger.

Die bisher bekanntgewordenen Verfahren zum Herstellen gedruckter Leiterplatten auf nicht metallkaschierten IsolierstofFoberfiachen können den folgenden Gruppen zugeordnet werden:

Zum Herstellen gedruckter Leiterzüge auf nicht metallkaschierten Isolierstoffoberflächen wird die Isolierstoffoberfläche zunächst entsprechend dem ge- ίο wünschten Leitermuster mit einer Schicht versehen, die entweder selbst in gewissem Umfange leitende Eigenschaften aufweist, oder durch eine Nachbehandlung leitend gemacht werden kann. Hierzu kann beispielsweise eine Druckfarbe benutzt werden, die feinverteilte Metallpartikeln enthält und durch Spritzen oder Siebdrucken aufgebracht wird. Ebenso ist es bekanntgeworden, beispielsweise im Offsetdruck eine Klebeschicht aufzudrucken und diese anschließend mit einem Metallpuder zu bestäuben. Derartige Leiterplatten weisen stets eine geringe und für die praktische Verwendung ungenügende Haftfestigkeit zwischen Leiterzügen und Isolierstoffoberfläche auf. Ebenso ist in der Regel die Leitfähigkeit der so gebildeten Leiterzüge zu gering und auch das nachträgliche Verstärken durch galvanische Abscheidung geeigneter Metalle bereitet beträchtliche Schwierigkeiten: einmal verringert die in galvanischen Schichten auftretende innere Spannung die Haftfestigkeit noch mehr, und zum anderen bewirkt die relativ geringe Leitfähigkeit der aufgedruckten Schichten eine große Ungleichmäßigkeit der Abscheidungen. Diese Verfahren konnten sich daher nicht in der Praxis einführen.

Ein anderes bekanntgewordenes Verfahren besteht darin, die gewünschten Leiterzüge mit einer Druckfarbe, zumeist im Siebdruckverfahren, herzustellen, die Partikeln enthält, welche Keime für die Abscheidung von Metallschichten bilden, und zwar in sogenannten stromlos abscheidenden Bädern. Derartige Druckfarbenschichten führen zu weitgehend gleichmäßigen Metallabscheidungen auf der gewünschten Oberfläche und können auch ohne große Schwierigkeiten nachträglich durch galvanische Metallabscheidung bis zur gewünschten Leiterdicke verstärkt werden Verfahren zum Herstellen gedruckter
Schaltungen

Anmelder:

Photocircuits Corporation,
GIen Cove, N. Y. (V.StA.)

Vertreter:

Dipl.-Ing. H. Seiler und Dipl.-Ing. J. Pfenning,
Patentanwälte, Berlin 19, Oldenburgallee 10

Als Erfinder benannt:

Frederick W. Schneble jun., Oysterbay, N. Y.;
Rudolph J. Zeblisky, Wyandanch, N. Y.;
John Francis McCormack, Roslyn, N. Y.;
Joseph Polichette,

South Farmingdale, N. Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 31. Mai 1960 (33 361)

aufzubauen und sodann von dieser auf die endgültige Isolierstoffoberfläche zu übertragen. Dieses Verfahren ist nicht nur vergleichsweise sehr kostspielig, sondern weist darüber hinaus, was das Vermeiden von Dimensionsabweichungen durch den Übertragungsvorgang angeht, beträchtliche Schwierigkeiten auf. Es eignet sich daher auch nicht für das Herstellen von Leiterplatten besonders geringer Abmessungen, wie sie im Zuge der Miniaturisation notwendig geworden sind.

Alle diese Nachteile dei bislang bekanntgewordenen Verfahren sollen durch die vorliegende Erfindung vermieden werden. Aufgabe der Erfindung ist es, gedruckte 40 Leiterplatten herzustellen, deren Leiterzüge außerordentlich fest mit dem Isolierstoff des Trägermaterials verbunden sind, also eine hohe Haftfestigkeit der Leiterzüge zur Isolierstoffoberfläche aufweisen, sowie Leiterzüge von extremer Kleinheit bei voller Aufrecht-Der Hauptnachteil derartiger Leiterplatten liegt darin, 45 erhaltung der Dimensionsgenauigkeit herzustellen,
daß insbesondere bei Schüttelbeanspruchung oftmals Gelöst wird die Aufgabe mit einem Verfahren, bei Leiterunterbrechungea auftreten. Diesewerdendadurch dem gemäß der Erfindung als Träger für das Leiterbewirkt, daß die Metallschicht der Leiter ungenügend muster ein Isolierstoff verwendet wird, der zumindest

mit dem Untergrund verbunden ist und so bei stärkeren, mechanischen Belastungen zur Rißbildung neigt.

Weiterhin ist es bereits bekannt, die Leitungszüge auf einer geeigneten Zwischenträgerplatte galvanisch auf seiner Oberfläche bzw. an den mit Leitungszügen zu versehenden Oberflächenteilen ein Gemisch aus Isoliermaterial und darin feinverteilten Kupfer(I)-oxydpartikeln enthält, wobei der Gewichtsanteil an

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Cu₂O in diesem Gemisch zwischen 0,25 und 80 °j'„, der Gewichtsanteil an Isoliermaterial zwischen 99,75 und 20% beträgt, und die Partikeln mit dem Isolierstoff durch Aushärten fest verbunden sind, und daß die Kupfer(I)-Oxydpartikeln an der dem gewünschten Leitermuster entsprechenden Oberfläche durch Einwirken einer Säure zu Kupfer reduziert werden und die so behandelten, dem Leitermuster entsprechenden Oberflächen nachfolgend in an sich bekannter Weise einem stromlos metallabscheidenden Bad ausgesetzt werden, um darin die Leiterzüge aufzubauen. Untersuchungen haben ergeben, daß die Kupfer(I)-oxydpartikeln einer Vielzahl von Trägerstoffen beigesetzt werden können. Als Isoliergrundmaterial können vorzugsweise modifizierte Harzmaterialien benutzt werden. Das Kupfer(I)-oxyd, das in feiner, zerteilter Form benutzt wird, kann dem Kunstharz beispielsweise durch Mahlen auf Walzwerken oder in anderer üblicher Weise zugesetzt werden. Hiernach wird das Harzgemisch oder KunststofFgemisch in Form gebracht und ausgehärtet.

Es ist auch möglich, lediglich eine Schicht aus einem geeigneten Kunstharz, das mit Kupfer(I)-Oxydpartikeln beladen ist, auf die Oberfläche eines geeigneten Trägermaterials aufzubringen, dann auszuhärten und so mit dem Trägermaterial fest zu verbinden.

Ferner kann das Kupfer(I)-oxyd auch auf die Oberfläche eines nicht ausgehärteten, noch klebrigen Kunstharzträgermaterials aufgebracht, beispielsweise aufgestaubt werden, und anschließend das Kunstharz oder der Kunststoff ausgehärtet werden, wodurch gleichfalls die Partikeln fest mit dem Kunstharz verbunden werden.

Zur Ausbildung von Leiterplatten nach der vorliegenden Erfindung wird ein Basismaterial, das mindestens auf einer seiner Oberflächen eine Schicht hat, in der feinverteilt Kupfer(I)-oxydpartikeln enthalten sind, mit dem Negativ der gewünschten Leitungsmuster bedruckt. Als Druckfarbe dient hierbei eine solche, die geeignet ist, den weiterhin benutzten Badlösungen zu widerstehen, und auf der sich weder stromlos noch galvanisch oder, falls ein anderes Verfahren zum Leiterauf bau benutzt wird, noch bei diesem Verfahren Metall abscheidet. Anschließend wird die bedruckte Oberfläche reduziert, z. B. durch Behänd- . lung mit Schwefelsäure. Hierdurch wird das an der Oberfläche liegende Kupfer(I)-oxyd, soweit es nicht durch die aufgedruckte Farbschicht abgedeckt ist, in metallisches Kupfer verwandelt. Anschließend wird die Oberfläche sorgfältig gespült und sodann, wie an j sich bekannt, in ein stromlos Kupfer abscheidendes Bad gebracht. Statt dessen kann auch ein anderes, ein geeignetes Metall abscheidendes Bad benutzt werden. Es ist möglich, die ganze Leiterstärke stromlos aufzubauen oder aber, eine nur relativ dünne ScMcht ; stromlos niederzuschlagen und die Leiterzüge sodann in an sich bekannter Weise galvanisch zu verstärken. Ebenso ist es möglich die Leiterzüge durch Tauchlöten zu verstärken.

Das Kupfer(I)-oxyd, das dem Kunstharz beige- ( mischt wird, soll vorzugsweise so fein verteilt sein, daß es mindestens durch ein Sieb mit 200 Maschen geht. Der Gehalt an Kupfer(I)-Oxydpartikeln kann zwischen 0,25 und 80% des Gesamtgewichtes von Kupfer(I)-oxyd und Kunststoff betragen. (

Wenn der Gehalt an Kupfer(I)-oxyd hoch ist, werden die äußersten Partikeln nur von vernachlässigbaren Mengen Kunstharz bedeckt. In diesem Fall

werden sie ohne Schwierigkeit von der Säure, die zum Umwandeln in Kupfer benutzt wird, erreicht, so daß zumindest teilweise ohne weiteres die Umwandlung stattfindet. Entsprichthingegen derGehalt anKupfer(I)-5 oxyd mehr den Werten am niedrigen Ende des angegebenen Bereiches, so kann es erforderlich werden, die Oberfläche leicht abzureiben, um so die Partikeloberfläche freizulegen, damit die zur Umwandlung benutzte Säure an sie heran kann. An sich ist auch bereits die ίο durch Abreiben frei gelegte Partikeloberfläche geeignet, um als Keim für eine stromlose Metallabscheidung zu dienen. Die Abscheidung setzt jedoch ohne weitere Vorbehandlung nur sehr langsam ein und läßt zumeist 2 bis 4 Stunden auf sich warten.
Jedenfalls muß das Abreiben vor dem Aufdrucken des Leitermusternegativs erfolgen, weil andernfalls die Gefahr besteht, daß die Druckfarbenschicht beschädigt wird. Die Druckfarbenschicht, die als Schablone wirkt, kann, falls zweckmäßig, getrocknet oder ausgehärtet oder einer anderen Nachbehandlung unterzogen werden, um sie genügend widerstandsfähig zu machen.

Die so vorbereitete Materialtafel wird, wie bereits erwähnt, einer Säure ausgesetzt, um die Partikeln ganz oder teilweise, soweit sie an der Oberfläche liegen, zu Kupfer zu reduzieren. Sodann wird die Oberfläche gespült und in ein stromloses Metall abscheidendes Bad, beispielsweise ein solches, das Kupfer, Nickel oder ein anderes geeignetes Metall aufbaut, gebracht. Vorteilhafterweise wird die mit Säure reduzierte Oberfläche ohne Verzögerung weiterverarbeitet und in das Abscheidungsbad gebracht, da anderenfalls die Gefahr besteht, daß das metallische Kupfer unter dem Einfluß der Atmosphäre oxydiert.
Falls erwünscht, kann der stromlos ausgebaute Belag in Form des Leitermusters durch Anschluß an eine Stromquelle in einem geeigneten Bad weiter verstärkt oder mit geeigneten Oberflächenschichten ausgestattet werden.
Besonders vorteilhaft ist, daß die stromlose Ab-4.0 scheidung der Metallschicht auf der vorbereiteten Oberfläche etwa achtmal schneller in Gang kommt als bei üblichen stromlosen Abscheidungen von Metallen und daß die erzeugte Metallabscheidung außerordentlich fest mit dem Untergrund verbunden ist und eine sehr gleichmäßige Beschaffenheit aufweist. Schwefelsäure ist das bevorzugte Reduktionsmittel, aber auch andere Säuren, so beispielsweise Phosphorsäure, Essigsäure sowie Fluorwasserstoffsäure, können mit Erfolg benutzt werden. Auch Salpetersäure ist verwendbar, so ist jedoch wesentlich weniger vorteilhaft als die anderen Säuren, da diese Säure das gebildete Kupfer relativ schnell wieder auflöst. Die übrigen Halogenwasserstoffsäuren bilden eher Halogenverbindungen als freies Kupfer und sind deshalb nicht empfehlenswert.

'⁵ Beispiell

Zum Herstellen des Basismaterials werden 155 g eines Reaktionsprodukts von Bisphenot und Epichlorhydrin mit einer Viskosität von 4500 cP und einem Epoxyäquivalent von 0,38 mit der gleichen Gewichtsmenge Kupfer(I)-oxyd einer Partikelgröße, die durch ein Sieb mit 200 Maschen geht, innig durch Mahlen 2 bis 3 Minuten vermengt. Dieses Gemisch ist von relativ großer Gleichmäßigkeit und kann entweder

>5 sofort weiterverarbeitet werden oder aber auch zum späteren Gebrauch bereitgestellt werden.

Zum Gebrauch wird dem Gemisch ein Härter, in diesem Falle 70 g Diäthylentriamin zugesetzt und durch

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sorgfältiges, etwa 2 Minuten währendes Mischen und Kneten gleichmäßig verteilt. Sodann kann die Masse in eine Form gebracht werden und der Aushärtevorgang durch zugeiührte Wärme so beschleunigt werden, daß er in etwa einer Stunde beendet ist.

Sodann wird eine Oberfläche des so hergestellten Basismaterials mit einer Schutzschicht versehen, die ein Negativ des gewünschten Leitungsmusters darstellt. Anschließend wird die Oberfläche für etwa 10 Minuten einer wäßrigen Schwefelsäurelösung von 30°Be ausgesetzt. Die Stärke der Schwefelsäurelösung ist nicht sehr kritisch, und Konzentrationen zwischen 5 und 40°Be haben sich als gut brauchbar erwiesen. Die Einwirkungszeit ist gleichfalls nicht sehr kritisch und liegt zumeist zwischen 5 und 20 Minuten. Nach dem Reduktionsvorgang muß die Säure durch sorgfältiges Nachspülen entfernt werden. Sodann wird die Oberfläche ohne große Verzögerung in ein übliches Bad zur stromlosen Abscheidung von Metallen wie Kupfer oder Nickel gebracht. In diesem Bad wird durch Metallabscheidung auf der Kupferoberflache der Partikeln das Leiterinuster weiter ausgebaut und verstärkt. Wird ein besonders genaues Leiterbild verlangt, so kann nach einer gewissen Zeit der weitere Leiterauf bau durch galvanische Abscheidung zweckmäßig fortgesetzt werden.

Beispiel 2

Wie bereits weiter oben beschrieben, ist es oftmals vorzuziehen, lediglich eine relativ dünne Schicht von Kupfer(I)-oxyd beladenem Kunstharz auf der Oberfläche des eigentlichen Isolierstoff-Trägermaterials anzubringen. Als eigentliches Basismaterial dient ein Harnstoff-Foi maldehyd-Harz, auf dessen sorgfältig gereinigte Oberfläche eine Schicht der Mischung nach Beispiel 1, beispielsweise mit einer Dicke von 0,2 mm aufgetragen und anschließend ausgehärtet wird. Die Schicht kann auch jede andere gewünschte Dicke erhalten. Beispielsweise hat sich eine solche von 2,5 mm als besonders vorteilhaft erwiesen.

Die weiteren Verfahrensschritte sind die gleichen wie im Beispiel 1 ausführlich beschrieben.

Beispiel 3

Wie gleichfalls bereits beschrieben, ist es zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens auch möglich, ein geeignetes Kunstharzgemisch in die gewünschte Form zu bringen und, solange es noch eine . aushärtbare, klebrige Oberfläche besitzt, mit Kupfer(I)-oxydpartikeln zu bestäuben. Ein geeignetes Harzgemisch ist beispielsweise ein solches aus 100 g Vinylchlorid- Vinylacetat-Copolymerisationsprodukt, vermischt mit 40 g Dioctylphthalat-Weichmacher und 150 g Methyläthylketon. Diese Mischung wird in eine geeignete Form gebracht und die Oberfläche mit Kupfer(I)-oxydstaub eingestäubt, und zwar solange sie noch klebrig ist. Nach dem Trocknen wird zweckmäßig das gewünschte Leitermuster als Negativmaske aufgebracht, vorzugsweise aufgedruckt und sodann das freiliegende Kupfer(I)-Oxyd in der beschriebenen Weise durch Einwirken von 5 bis 50% Säure zu Kupfer reduziert. Der weitere Aufbau der Leiterzüge kann dann in beschriebener Weise geschehen. Die Verwendung von Organosolen als Träger zum Einbetten des Kupfer(I)-Oxyds erweist sich wegen der großen Variationsbreite der Eigenschaften wie Flexibilität, Zugfestigkeit und sonstiger mechanischer Eigenschaften als besonders zweckmäßig.

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Beispiel 4

Es kann auch ein Kiipfer(I)-Oxyd-Kunstharz-Gemisch einer solchen Konsistenz hergestellt werden, daß dieses Gemisch beispielsweise durch Drucken auf geeignete isolierende Trägermaterialien aufgebracht werden kann. Beispielsweise eignet sich als Trägermaterial ein Polymethylmethacrylat und eine geeignete Zusammensetzung für die druckfähige Kunstharz-Kupfer(I)-oxyd-Mischung, bestehend aus

60 Teilen alkohollöslichem Phenol-Formaldehyd-Harz,

40 Teilen Polyvinylbutyralharz, 150 Teilen Kupfer(I)-oxydpartikeln, 100 Teilen Äthanol,

SiO₃-Pulver in einer solchen Menge, daß sich zusammen mit einer entsprechenden Menge Methylisobutylketon eine Viskosität von 200 Poise ergibt.

Zweckmäßigerweise wird diese druckfähige Mischung beispielsweise im Siebdruck auf die Oberfläche des Isolierstoffes in Form des gewünschten Leitermusters aufgebracht und sodann ausgehärtet. Dadurch verbindet sich die aufgebrachte Schicht permanent mit dem Untergrund und erhält selbst entsprechend hohe mechanische Qualitäten. Anschließend werden die Kupfer(I)-Oxydpartikeln durch Einwirkung einer Säure, wie beieits in den anderen Beispielen beschrieben, zu Kupfer reduziert und die so gebildeten Leiterzüge werden in gleichfalls in den anderen Beispielen beschriebener Weise aufgebaut.

Beispiel 5

Eine siebdruckfähige Mischung mit relativ geringem Gehalt an Kupfer(I)-oxyd kann nach der folgenden Rezeptur hergestellt werden:

Gewichtsteile

Butadien-Acrylnitril-Copolymer, mittelhoher Acrylnitrilgehalt 23

Phenol-Formaldehyd-Harz 10

Zirkonsilikat 107

Kupfer(I)-Oxyd 0,5

SiO₂ (20 μ) 4

Isophoron 90

Xylol 31

Das Phenol-Formaldehyd-Harz besteht aus 5 Teilen wärmehärtbarem festem Harz mit einem Fp. von 62 bis 72° C und 5 Teilen alkohollöslichem, wärmeaushärtbarem festem Harz mit einem Fp. von 65 bis 74° C.

Der Gummi und das Phenolharz werden je in einem Teil der Lösungsmittel gelöst. Sodann werden die beiden Lösungen und das Kupfer(I)-Oxyd auf einer Dreiwalzenmühle vermengt. Sodann wird mit dieser Druckmasse die gewünschte Leiteranordnung im Siebdruck auf ein Epoxylaminat gedruckt und ausgehärtet. Die ausgehärtete Oberfläche wird in 20 °Be Schwefelsäure gebracht und in diesem Bad für 10 Minuten belassen. Danach wird säurefrei gewaschen und beispielsweise in einem üblichen, der stromlosen Metallabscheidung dienenden Bad ein Metallfilm entsprechend dem gewünschten Leitungsmuster zur Abscheidung gebracht. Dies dauert beispielsweise in üblichen Kupferbädern etwa 4 Stunden. Anschließend wird beispielsweise die Dicke der Leiterzüge galvanisch verstärkt.

Claims (7)

Beispiel 6 Eine gießfähige Abmischung kann beispielsweise wie folgt zubereitet werden: Teile Epoxyharz (Reaktionsprodukt von Bisphenol-A und Epichlorhydrin mit einem Epoxygehalt von 180 bis 200 und einem durchschnittlichen Molekulargswi cht von 350 bis 400) 30 Kupfer(I)-Oxydpartikeln 10 Polyamidharz (Kondensationsprodukt von dimerisierten Fettsäuren oder trimerisierten Fettsäuren mit Acryl- oder Alkylpolyaminen mit einem Aminwert zwischen 210 und 230) 60 Zirkonsilikat 98 SiO2 (20 μ) 4 Das Epoxyharz, das Kupfer(I)-Oxyd und die Pig- ao mente werden auf einem Dreiwalzenmischwerk innig vermischt, sodann wird diese Mischung mit dem Polyamid durch Kneten und Vermengen (etwa 5 Minuten) vermischt, wobei das Polyamid so weit erwärmt wird, daß es gut verarbeitbar ist. Die fertige Mischung wird in die Gießform gebracht und darin 45 Minuten bei 121° C ausgehärtet. Anschließend wird das erfindungsgemäße Verfahren weiter ausgeführt, wie es im Beispiel 1 beschrieben ist. Hierbei bildet sich im stromlos abscheidenden Kupferbad bereits nach etwa 10 Minuten ein voll entwickelter Kupferfilm, der z. B. durch weitere stromlose Abscheidung oder in anderer Weise verstärkt werden kann. Der Gehalt der Harzmischung an Kupfer(I)-oxyd kann innerhalb des angegebenen Bereiches beliebig gewählt werden, um jedoch eine möglichst schnell einsetzende, stromlose Metallabscheidung zu erreichen, ohne zu unwirtschaftlich hohen Zuschlägen zu kommen, hat sich eine Gewichtsmenge von 10 bis 20 % als besonders vorteilhaft erwiesen. Bei einer solchen tritt die erste Kupferabscheidung beispielsweise in etwa 2 bis 10 Minuten ein. Die Zeichnungen dienen der näheren Erläuterung der Erfindung, und es zeigt als Beispiel F i g. 1 ein Basis-Isolierstoffmaterial 1, das gleichmäßig verteilt die Kupferoxydulpartikeln 2 enthält, Fig. 2 ein Basismaterial aus Isolierstoff3, dessen Oberfläche mit einer Schicht aus Isoliermaterial 1 versehen ist, die gleichmäßig verteilt Kupferoxydulpartikeln enthält, F i g. 3 ein Basis-Isolierstoffmaterial 3, dessen Oberfläche mit Kupferoxydulpartikeln 2 bestäubt worden ist, die in die Isolierstoffmasse eingebaut sind, und F i g. 4 ein Isolierstoff-Basismaterial 3, auf dessen Oberfläche Kupferoxydulpartikeln 2 als Füllstoff 2 einer druckfähigen Farbe 4 angebracht worden sind. Die Zeichnungen entsprechen den Produkten, wie sie bei Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens auftreten, und zwar entspricht F i g. 1 dem Beispiel 1, F i g. 2 dem Beispiel 2, F i g. 3 dem Beispiel 3 und F i g. 4 dem Beispiel 4. Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von gedruckten Schaltungen auf einem isolierenden Träger, dadurch gekennzeichnet, daß als Träger für das Leitermuster ein Isolierstoff verwendet wird, der zumindest auf seiner Oberfläche bzw. an den mit Leitungszügen zu versehenden Oberflächenteilen ein Gemisch aus Isoliermaterial und darin feinverteilten Kupfer(I)-Oxydpartikeln enthält, wobei der Gewichtsanteil an Cu₂O in diesem Gemisch zwischen 0,25 und 80 %> der Gewichtsanteil an Isoliermaterial zwischen 99,75 und 20% beträgt, und die Partikeln mit dem Isolierstoff durch Aushärten fest verbunden sind, daß die Kupfer(I)-oxydpartikeln an der dem gewünschten Leitermuster entsprechenden Oberfläche durch Einwirken einer Säure zu Kupfer reduziert werden und die so behandelten, dem Leitermuster entsprechenden Oberflächen nachfolgend, in an sich bekannter Weise einem stromlos metallabscheidenden Bad ausgesetzt werden, um darin die Leiterzüge weiter aufzubauen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ausgebildeten Leiterzüge durch galvanische Abscheidung, Tauchlöten oder ein anderes bekanntgewordenes Verfahren weiter verstärkt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsmittel für das Kupfer(I)-Oxyd Schwefelsäure benutzt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gemisch aus Isolierstoff und darin feinverteilten Kupfer (I)-oxydpartikeln auf die Oberfläche eines Trägers in jenen Bezirken, vorzugsweise im Siebdruck, aufgebracht wird, die dem gewünschten Leitermuster entsprechen.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ganze Oberfläche eines Trägers mit einem Gemisch aus Isoliermaterial und darin feinverteilten Kupfer(I)-Oxydpartikeln überzogen wird, diese Oberfläche sodann, vorzugsweise im Siebdruck, mit einer dem Negativ des gewünschten Leitermusters entsprechenden Maske versehen wird und anschließend die nicht von der Maske bedeckten Oberflächengebiete vermittels eines Säurebades behandelt und einem stromlos Kupfer abscheidenden Bade ausgesetzt werden.

6. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger in seiner vollen Stärke mit feinverteilten Kupfer(I)-oxydpartikeln durchsetzt ist.

7. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Isoliermaterial ein wärmeaushärtbarer Kunststoff oder ein thermoplastischer Kunststoff oder ein Gemisch aus solchen ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

709 617/342 7.67 © Bundesdruckerei Berlin