DE1234796B - Schieberegister - Google Patents

Schieberegister

Info

Publication number
DE1234796B
DE1234796B DEJ19358A DEJ0019358A DE1234796B DE 1234796 B DE1234796 B DE 1234796B DE J19358 A DEJ19358 A DE J19358A DE J0019358 A DEJ0019358 A DE J0019358A DE 1234796 B DE1234796 B DE 1234796B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diode
current
shift register
tunnel
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEJ19358A
Other languages
English (en)
Inventor
Gordon William Neff
Hannon Stanley Yourke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE1234796B publication Critical patent/DE1234796B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/58Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being tunnel diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H03K3/315Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)

Description

BUNDESREPLBLIK DEUTSCHLAND
Ol
DEUTSCHES 4MtWGs^ PATENTAMT Int. CL.
GlIc
AUSLEGESCHRIFT
H03k
Deutsche Kl.: 21 al - 37/64
Nummer: 1 234 796
Aktenzeichen: J 19358 IX c/21 al
Anmeldetag: 2. Februar 1961
Auslegetag: 23. Februar 1967
Die Erfindung betrifft Schieberegister aus mehreren hintereinandergeschalteten Stufen. Bei der Großrechnertechnik bilden die Schieberegister wesentliche Bausteine für Speicherschaltungen, Addierwerke, Umsetzen von Serien- in Parallelbetrieb usw. Da diese Bausteine häufig vorkommen, sollten sie aus möglichst wenig Bauelementen bestehen. Dies gestattet auf der wirtschaftlichen Seite Einsparungen zu machen, kommt aber auch der höheren Schaltgeschwindigkeit der Schieberegister zugute. Wie allgemein bekannt ist, werden die Grenzfrequenzen von Schaltungen mit der Anzahl und Größe ihrer Ladespeicher kleiner.
Die bekannten Schaltungen für Schieberegister, die mit Geschwindigkeiten arbeiten, welche mit der Geschwindigkeit der erfindungsgemäßen Schaltung vergleichbar sind, besitzen einen höheren Aufwand an Schaltmitteln. Sie sind meist sehr temperaturabhängig und haben oft keine Verstärkereigenschaften. Das erfindungsgemäße Schieberegister vermeidet diese Nachteile, indem jede Stufe eine Tunneldiode enthält, deren Arbeitswiderstand im wesentlichen das richtungsabhängige Entkopplungsglied darstellt. Der Bereich, welcher bei Tunneldioden die beiden Schaltzustände voneinander trennt, ist extrem temperaturunabhängig, da er auf quantenmechanischen Vorgängen beruht. Das erfindungsgemäße Schieberegister macht sich auch die niederohmige Schalttechnik von Tunneldioden zunutze, welche hohen Grenzfrequenzen entgegenkommt. Außerdem benötigt das Register keine Zwischenverstärkung, da die Tunneldioden selbst verstärken.
Gemäß den neuartigen Prinzipien der Erfindung sind verschiedene Ausführungsbeispiele von Schaltungen gezeigt, die bistabil arbeitende, mit einem Blindwiderstand gekoppelte Tunneldioden verwenden. Sie dienen dazu, binäre Nachrichten in Schieberegistern zu übertragen, wobei die Informationsübertragung durch eine externe Taktimpulsquelle gesteuert wird. Der Taktimpuls spannt die Tunneldiode der Stufe in einen ersten stabilen Betriebszustand vor, der als Punkt in einem ersten Bereich der Diodenkennlinie definiert werden kann, welcher einen positiven Widerstand bei niederer Spannung und hohem Strom hat. Während der Taktimpuls angelegt wird, bewirkt ein mit diesem zusammenwirkendes Informationseingangssignal die Umschaltung der Diode in einen zweiten stabilen Betriebszustand. Der zweite stabile Zustand kann als Punkt jenseits eines zweiten Bereichs der Diodenkennlinie definiert werden, bei dem es sich um einen Bereich negativen Widerstandes handelt, der durch eine hohe Spannung und einen niederen Strom gekennzeichnet ist. Der Blindwiderstand, hier eine Schieberegister
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt,
Böblingen, Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Gordon William Neff, Mahopac, N. Y.;
Hannon Stanley Yourke,
Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 8. Februar 1960 (7333) - -
Induktivität, ist mit der Tunneldiode parallel geschaltet und erreicht bei der Umschaltung der Tunneldiode eine hohe magnetische Energie. Der Impuls für diese Stufe endet dann, während der für die darauffolgende Stufe beginnt. Die hohe magnetische Energie, welche die Induktivität erreicht, wird dann dadurch vernichtet, daß ein Stromsignal der nachfolgenden Stufe zusammen mit einem Taktimpuls zugeführt wird, um die Tunneldiode der folgenden Stufe in den zweiten stabilen Betriebszustand zu schalten. Da die Tunneldioden insofern dynamisch bistabil betrieben werden, als sie stets erregt sein müssen, um den einen oder den anderen Zustand aufrechtzuerhalten, ermöglicht die Verwendung einer Taktimpulsquelle die automatische Rückstellung der Dioden.
In einem Ausführungsbeispiel ist die Tunneldiode das einzige verwendete nichtlineare Element, und die einzelnen Schaltungen arbeiten in zwei Richtungen. In diesem Ausführungsbeispiel stellt ein dreiphasiges Taktsystem den Informationsfluß in einer Richtung sicher. In anderen Ausführungen ist jedoch eine zweite nichtlineare Vorrichtung in jeder Stufe enthalten, z. B. eine herkömmliche Diode, eine Zenerdiode, eine Durchbruchsdiode, die Emitter-Basis-Diode von Transistoren, damit jede Stufe nur nach einer Seite arbeitet und so nur zwei Stufen für jedes Informationsbit nötig sind. Jede Esakidiodenstufe kann so konstruiert werden, daß sie eine Energieverstärkung aufweist, und da-
709 510/391
3 4
her kann jede Stufe der Übertragungsschaltungen oder jeder Esakidiode zugeordneten Kopplungszweigen;
Schieberegister mehrere gleichartige Stufen ansteuern z. B. sind für E2 die Kopplungszweige die Reihen-
und so mehrere Ausgangssignale erzeugen. Ebenso schaltung R2, E3 und die Reihenschaltung R1, E1. (Die
kann auch mit mehreren Eingangssignalen gearbeitet Widerstände R1 ... Rn sind viel größer als der Wider-
werden, indem die Schwellwertumschaltung jeder Stufe S stand der Esakidioden, so daß es genügt, die beiden
für die Ausführung von Summenlogik benutzt wird. erwähnten Kopplungszweige zu berücksichtigen; jede
Weitere Einzelheiten ergeben sich aus der Beschrei- weitere Parallelbelastung kann außer acht gelassen
bung sowie den nachstehend aufgeführten Zeich- werden.) Wie aus F i g. 1 hervorgeht, hat die Diode E
nungen. zwei stabile Gleichstrom-Arbeitspunkte P und Q, wo
F i g. 1 veranschaulicht die Kennlinie einer hier ver- io ein Strom ip bei einer Spannung vv für den stabilen
wendeten Tunneldiode; Zustand P und ein Strom ig bei einer Spannung vq für
F i g. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung; den stabilen Zustand Q aufrechterhalten werden. In
F i g. 3 stellt die zugehörigen Taktimpulse in Ab- F i g. 1 ist ein Vorspannungsstrom Ir dargestellt, der
hängigkeit von der Zeit dar, wie sie für die Ausführung den verschiedenen Stufen der Schaltung von F i g. 2
von Fi g. 2 verwendet werden; 15 durch die Quellen/λ, Ib und Ic zugeführt wird.
F i g. 4 ist eine weitere Kennlinie der verwendeten F i g. 3 zeigt das Impulsdiagramm und die zeitliche
Tunneldiode; Folge dieser Stromimpulse. Ein dreiphasiges System
F i g. 5 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der wird benutzt, um den Informationsfluß in einer Rich-
Erfmdung; tung zu erreichen, da die einzelnen Stufen der Schal-
F i g. 6 stellt in Abhängigkeit von der Zeit die ver- 20 tung von F i g. 2 an sich bilaterale Elemente sind und
schiedenen im Betrieb des Ausführungsbeispiels von als solche Informationen in beiden Richtungen weiter-
F i g. 5 verwendeten Taktimpulse dar; leiten können.
F i g. 7 veranschaulicht ein weiteres Ausführungs- Es sei die Diode E2 zu dem Zeitpunkt betrachtet,
beispiel; wenn Ia = 0, Ib = Ir und Ic = 0 ist. Der Arbeits-
F i g. 8 zeigt die Kennlinien der in der Ausführung 25 punkt für E2 liegt bei P, und der größte Teil des
von F i g. 7 verwendeten Tunneldioden; Stroms Ir fließt durch E2, während entsprechend kleine
F i g. 9 stellt die in der Ausführung von F i g. 7 ver- Ströme durch L1 und L2 fließen. Nach dem Abklingen
wendeten Impulse in bezug auf die Zeit dar. der Einschwingvorgänge ist der Strom durch L2 gleich
In F i g. 1 ist der Strom I in Abhängigkeit von der ls — iP ,„ , „ , .. , . ,. . , ,.
Spannung U für eine typische Tunneldiode dargestellt, 30 ~^T ' Wenn der TaktimPuls/* endet> wird die und zwar enthält eine Kennlinie 10 einen ersten Bereich Quelle Ic angelegt und erhöht den Wert Ir so weit, zunehmender Ströme für steigende Spannungen und daß die Diode E3 in den P-Zustand vorgespannt wird, angrenzend an einen Spitzenstrom einen zweiten Jetzt entlädt sich L2 und schickt Strom durch die Bereich negativen Widerstandes und danach einen Diode E3. Aber der Arbeitspunkt P ist so beschaffen, dritten Bereich positiven Widerstandes. Durch diese 35 daß die Summe des Stroms Ir und des durch die EntKennlinie unterscheidet sich die Esaki- oder Tunnel- ladung von L2 entstehenden Stroms nicht ausreicht, diode von anderen Elementen. Sie wird in der Schal- um die Schaltschwelle von E3 zu übersteigen. Daher ist tung von F i g. 2 verwendet. der P-Zustand von E2 nach E3 übertragen worden.
F i g. 2 stellt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung Jetzt sei der Fall betrachtet, daß zu der Zeit, wenn dar, in dem mehrere gleichartige Stufen hintereinander- 10 IB = IR ist, eine Einströmung /ein an die Eingangsgeschaltet sind. Jede Stufe der Schaltung von F i g. 2 leitung 14 gelegt wird, wie in F i g. 2 dargestellt. Der enthält eine Tunneldiode E, deren eines Ende geerdet Arbeitspunkt für E2 folgt der Kurve 10 von P bis zum und deren anderes Ende an eine Klemme Γ ange- Beginn des Bereichs negativen Widerstandes. Bei Erschlossen ist. Eine Schaltung, die aus einem mit einer reichen dieses Bereichs schaltet E2 um, aber da sich der Induktivität L in Reihe geschalteten Widerstand R be- 45 Strom durch L2 und L3 nicht sofort ändern kann, geht steht, ist mit der Diode D und der Klemme T der der Arbeitspunkt kurzzeitig nach Qt. Wenn L1 und L2 folgenden Stufe parallel geschaltet. Außerdem ist eine ihren Einschwingvorgang beendet haben, geht der Taktimpulsquelle Ia, Ib und Ic vorgesehen, wobei die Betriebspunkt für E2 von Qt nach Q. Das an E2 erQuelle Ia eine Stufe, die Quelle Ib eine zweite nach- scheinende Potential ist dann Uq, und der Strom durch folgende Stufe und die Quelle Ic eine dritte Stufe 50 die Reihenschaltung von R2, L2, E3 ist dann gleich
erregen. Jede der Quellen/^, /^ und I0 ist an die l*-± Beendigung des TaktimpulsesIB sendet Klemme T der ihr zugeordneten Stufe parallel mit der 2 6 6 ν α
Esakidiode E und deren in Reihe liegendem Wider- nun die Taktimpulsquelle Ic Strom zur Vorspannung stand R und Induktivität L angeschlossen. Infor- der Diode E3 auf den Wert ip, und der E3 durchmationen werden der Schaltung durch geeignete Mittel 55 ffießende Strom näheft gich dem Weft +1^± zugeführt, z. B. eine Informationseingabeleitung 14, v 2
die an die Klemme T2 der zweiten Stufe angeschlossen als Folge des Entladungsstromes aus der Induktiviist. Diese Verbindung soll nur die Darstellung verein- tat L2. Dieser Strom reicht nun aus, um die Schaltfachen, schwelle von E3 zu übersteigen, und E3 schaltet in der-
Das Impulsdiagramm für die verschiedenen Takt- 60 selben Weise wie vorher E2 um. In diesem Falle ist der
impulsquellen Ia, Ib und Ic ist in F i g. 3 dargestellt ß-Zustand von E2 nach E3 übertragen worden. Diese
und wird bei der genauen Beschreibung der Schaltung Übertragungsschaltung arbeitet als Schieberegister,
von F i g. 2 benutzt. wenn sie in der beschriebenen Weise verwendet wird,
Gemäß F i g. 1 haben die Dioden E in der Schaltung und benötigt drei Stufen für jedes Informationsbit, von F i g. 2 jede die durch die Kurve 10 dargestellte 65 Durch Ausnutzung der Schaltschwellencharakteristik Strom-Spannungs-Kennlinie. Der Widerstand für jede der einzelnen Stufen und dadurch, daß jede Stufe verStufe bildet eine Arbeitsgerade 12 für jede der Di- stärken kann, lassen sich Summen- oder Kirchhoffoden E. Dieser Widerstand besteht aus den beiden Schaltungen aufbauen. Der Informationsfluß und die
5 6
Rückstellung jeder Stufe in den P-Zustand werden mit punkt von Kurve 18 und Kurve 14. Die resultierende
dem dreiphasigen Impulssystem erreicht. Spannung an E1 ist dann gleich UQ', wie in F i g. 5
F i g. 5 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel eines gezeigt. Der Strom durch L1 ist jetzt gleich IJ{ — ig', Schieberegisters nach der Erfindung. Auch hier sind und dieser Strom fließt durch E2 und läßt daran eine mehrere gleiche Stufen hintereinandergeschaltet, und 5 Spannung UEn auftreten. Wenn die Taktimpulsjede Stufe hat eine Tunneldiode E', eine Induktivität L' quelle Ij3 auf Ir geht und IA endet, entlädt L1' ihren und eine herkömmliche Diode D. Ein Ende der Tunnel- das magnetische Feld aufrechterhaltenden Strom diode E' jeder Stufe ist geerdet, und das andere ist an durch E2', der, wenn er zum Taktimpuls I^ addiert eine Klemme T' angeschlossen. Außerdem ist an die wird, I2' umschaltet, und wenn der Einschwingvor-Klemme 7" die mit der Induktivität L' in Reihe 10 gang von L2' abgeschlossen ist, wird E2 in den Zuliegende Diode D angeschlossen, und die Induktivi- stand Q' gebracht. Der g'-Zustand wird dann in dertät L' jeder Stufe ist weiter mit der Klemme T" der selben Weise jeweils eine Stelle nach rechts geschoben, nächsten Stufe verbunden. Es ist eine Taktimpuls- wenn die Taktimpulsquellen IA und I^ die Phase quelle I'A und /# vorgesehen, und jede Quelle dient ändern.
zur Erregung jeder zweiten Stufe des Registers und ist 15 Fig. 7 stellt ein anderes Ausführungsbeispiel der
an deren Klemme T' angeschlossen. Erfindung dar, indem nur eine einzige Taktimpuls-
In F i g. 4 sind die Strom-Spannungs-Kennlinien für quelle Id für das Verschieben nötig ist. Es sind ver-
jede der Tunneldioden E' dargestellt, und zwar gleicht schiedene Paare von Tunneldioden E" gegeneinander-
die Kurve 10' der Kurve 10 von F i g. 1. Die Last an geschaltet, und zu jedem solchen Paar liegt eine Schal-
jeder Tunneldiode E' in der Schaltung von F i g. 5 20 tung parallel, die aus einer Diode D' in Reihe mit einer
besteht aus einem Zweig parallel zur Tunneldiode E', Induktivität L" besteht. Eine gleichartige Schaltung
der die herkömmliche Gleichrichterdiode D, die In- ist außerdem an eine Klemme T" zwischen je zwei
duktivität L' und die nachfolgende Tunneldiode E' Tunneldioden E" angeschlossen, und außerdem ist die
umfaßt. letzte Diode E" des letzten beschriebenen Dioden-
In F i g. 5 ist also E1' mit D1, L1' und Ez' belastet. 25 paares durch einen Widerstand J? ersetzt, und die Eine Kurve 16 in F i g. 4 stellt die Arbeitskurve der Schaltung ist dann geerdet. Jede der Tunneldioden E" DiodeD allein dar, während die Kurve 18 die Last- der Schaltung hat dieselbe Z-tZ-Kurve, wie in Fig. 8 kurve der Diode D und den Reihenwiderstand der durch die Kurve 10" dargestellt,
nächsten Tunneldiode E' darstellt und die Tunnel- Gemäß F i g. 8 gleicht die Gleichstromkennlinie für diodenkurve 10' an den Punkten P' und Q' kreuzt. 30 jede Diode E" der in F i g. 5 für die Schaltung von Am Betriebspunkt Q' ist ein Stromwert iQ' bei einer F i g. 4 beschriebenen, und zwar ist wieder eine nichtSpannung von Uq dargestellt, während der Arbeits- lineare Arbeitskurve 18' dargestellt, die die Kennpunkt P' eine Spannung Up' bei einem Strom von 1% linie 10" der Tunneldiode E" an den Punkten P" aufweist, wobei Ir die Größe des Stroms ist, der von und Q" kreuzt. Außerdem ist eine Gerade 20 dargeden Taktimpulsquellen I'A und geliefert wird. Die 35 stellt. Die Tunneldiode E" erscheint als reiner Wider-Arbeitskurve 18 ist daher als nichtlineare Arbeitskern- stand, solange die Kurve 20 mit der Kurve 10" zulinie dargestellt, und wegen der Gleichrichtereigen- sammenfällt, und daher stellt die Kurve 20 die Stromschaften der Dioden D1 bis Dn sind die einzelnen Spannungs-Gerade eines Widerstandes dar.
Stufen des Schieberegisters unilaterale Vorrichtungen. Die Taktimpulsquelle Id, die die Schaltung von Daher ist das in der Schaltung von F i g. 2 benutzte 4° F i g. 7 steuert, ist in F i g. 7 dargestellt, und ihr Dreiphasen-Taktsystem unnötig. Statt dessen wird ein Impulsdiagramm ist in F i g. 9 gezeigt. Gemäß F i g. 9 Zweiphasen-Taktsystem verwendet, das die Aufgabe ist während der positiven Halbwelle Id gleich + /κ'» hat, den Informationsfluß zeitlich zu steuern und jede während der negativen Halbwelle gleich —1^ ist. Stufe zurückzustellen. Die Impulse und die zeitliche Die Bezugszeichen +/#' und —1% sind in Fig. 8 Folge der Taktimpulsquellen IA und entsprechen 45 dargestellt.
der Darstellung von F i g. 6, auf die nachstehend bei Nun sei bei der Schaltung von F i g. 7 angenommen,
der Beschreibung der Arbeitsweise von F i g. 5 Bezug daß die Quelle Id den Wert +/# hat und Strom in
genommen wird. den Knotenpunkt der Tunneldiode JE1" und der
Es sei die Wirkungsweise der Schaltung von F i g. 5 Diode D1" fließen läßt. Da die Dioden D2' und D4' betrachtet, wenn IA = 1% und I^ = 0. Die Tunnel- 50 jetzt in Sperrichtung vorgespannt sind, fließt kein diode E1' ist im P'-Zustand, bei dem die Diode D1 sehr Strom durch JL2", D2', L4" und D4'. Durch die Tunnelhochohmig ist. Daher fließt nahezu kein Strom dioden E2" und £4" fließt ein solcher Strom, daß sie in durch L1' und E2'. Ebenso ist die Diode D2 hochohmig Sperrichtung vorgespannt werden, und daher er- und leitet keinen Strom. Wenn die Taktimpulsquelle /# scheinen die Tunneldioden E2" und El' als lineare dem Wert Ir gleich ist und IA endet, geht die Tunnel- 55 Widerstände. Die Last an E1" ist dann dieser Reihendiode E2' in den P'-Zustand, und aus L1' liegt kein widerstand von E2" und die Parallelschaltung der Entladungsstrom vor. Stromquelle -\-Ir und des ZweigesD1', L1". Fig. 8
Nun sei angenommen, daß zur Zeit IA = /it', /# = 0 zeigt eine Kurve 22, die die Kurve der Tunneldiode E1"
ein Strom zem der Klemme T1 der ersten Stufe züge- in Reihe mit dem in Sperrichtung vorgespannten
führt wird, wie in F i g. 5 gezeigt, /em ist so groß, daß 60 Widerstand der Tunneldiode E2" darstellt. Die Last
der Summenstrom durch E1 genügt, um den Schwell- der Diode D1' und der Induktivität L1" ist dann der
wert zu überschreiten. Der ganze Strom /ein fließt Kurve 22 überlagert dargestellt, und der Schnittpunkt
durch E1, weil D2 hochohmig ist. Der Arbeitspunkt liegt an den Punkten Pn und Qd- Der Widerstand R in
für E1 springt zum Punkt S auf der Kurve 10' von der Schaltung läßt die Tunneldiode E5" identisch mit
F i g. 4, und wenn /em endet, kehrt der Arbeitspunkt 65 den vorhergehenden Stufen erscheinen. Die Strom-
zu gy zurück. und Spannung für den Punkt Po werden durch /#'
Wenn L1 vollständig eingeschwungen ist, bewegt und Upa definiert, und der Punkt Qd hat die ent-
sich der Arbeitspunkt von Q? nach Q', dem Schnitt- sprechenden Werte iaa und Uaa.
Beim Fließen des Stroms +IJ.' befinden sich die Esakidioden E1", E3" und E5" am Punkt Pd, und es kann nahezu kein Strom durch D1', D3 und D5' fließen, weil sie hochohmig sind. E2" und El' befinden sich an dem durch — IR' definierten Betriebspunkt, und D1' und D4' können keinen Strom leiten, weil sie herkömmliche Gleichrichterdioden sind, die in Sperrichtung vorgespannt sind.
Wenn nun der Stromgenerator auf Id = -Ir übergeht, kehrt sich die Richtung des Stromflusses in der Schaltung um und erzeugt ähnliche Bedingungen, wobei E2", El' im Zustand Pd und E1", E3" und E5" in Sperrichtung vorgespannt sind, so daß kein Strom durch eine der herkömmlichen Dioden D' fließt.
Nun sei angenommen, daß zur Zeit Id = +Ir die Diode E1" zum Punkt S" geschaltet wird. Die Umschaltung von E1" erfolgt durch Einführung eines umlaufenden Stroms in die aus E1", E2", L1", D1 bestehende Schleife. Die Größe dieses umlaufenden Stroms liegt nicht unter dem in F i g. 8 gezeigten Wert Zein, und er hat eine solche Richtung, daß der Strom +Ir dadurch verstärkt wird. Der Strom /ein kann auf verschiedene Weise eingeführt werden. Eine Art der Einführung ist in F i g. 7 dargestellt und besteht aus einer Transformatorkopplung durch die Induktivität L1".
Wenn sich der Arbeitspunkt von E1" anfangs bei S" befindet, bewegt sich dieser Arbeitspunkt nach der Beendigung von iem nach Punkt Q£, und die Spannung an D1' genügt, um Strom fließen zu lassen, wodurch L1" auf einen Strom von IH — iad aufgeladen wird und E" danach im Zustand Qd bleibt. Die Dioden D3' und D5' sind noch hochohmig, so daß der Strom +Ir durch E3", El' und E5" fließt und sie unverändert läßt. Wenn Id auf —//" umgeschaltet wird, werden E1", E3" und E5" zurückgestellt, und El' geht in den Ρχι-Zustand. Die Induktivität L1" entlädt sich durch E2" und erhöht so den Strom — IR\ um Ez" in den ^-Zustand und schließlich in den Qd-Zustand zu schalten. Der ga-Zustand wird bei aufeinanderfolgenden Umkehrungen von Id jeweils nach rechts verschoben.
Die Induktivitäten L", die eine vorübergehende Speicherung vollführen, könnten durch Kapazitäten ersetzt werden bei entsprechender Änderung im Taktimpulssystem. In diesem Falle werden die aufeinanderfolgenden Esakidioden in der Kettenschaltung in abwechselnd entgegengesetzter Polarität in ihre Schaltungen eingesetzt, und die angelegten Taktimpulse sind von abwechselnd entgegengesetzter Polarität, so daß jede Esakidiode in Durchlaßrichtung vorgespannt wird, wenn ihr Taktimpuls aktiv wird. Die Kopplungskondensatoren werden während der Zeit aufgeladen, in der Esakidiode, die sie belasten, im Zustand höherer Spannung ist. Wenn diese Diode abgeschaltet wird, durch die Beendigung ihres Stromtaktimpulses, entlädt sich der Kondensator und erzwingt so einen Stromfluß in der Richtung, die dem Strom, der ihn aufgeladen hat, entgegengesetzt ist. Dieser Entladungsstrom fließt in die nächstfolgende Esakidiode, und da diese die der ersten entgegengesetzte Polarität hat, erfolgt die Umkehrung der Stromrichtung durch den
ίο Kondensator in einer solchen Richtung, daß der Vorspannungsstrom der zweiten Esakidiode verstärkt und diese umgeschaltet wird. Ein Nachteil dieses Mittels zur vorübergehenden Speicherung besteht darin, daß die Komplemente der oben besprochenen Mehrphasen-Taktimpulssysteme nötig sind.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Schieberegister aus mehreren hintereinandergeschalteten, aus Zweipolen mit teilweise fallender Kennlinie gebildeten Stufen mit je einem Arbeitswiderstand, die mit Hilfe von Serienschaltungen, gebildet aus einer speichernden Reaktanz und einem richtungsabhängigen Entkopplungsglied, miteinander gekoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, daß jede Stufe eine Tunneldiode enthält, deren Arbeitswiderstand im wesentlichen das richtungsabhängige Entkopplungsglied darstellt.
2. Schieberegister nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Blindwiderstand ein Entkopplungsglied in Reihe geschaltet ist.
3. Schieberegister nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Entkopplung aus einem Widerstand (R) besteht.
4. Schieberegister nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Entkopplungsglied eine Diode (D) vorgesehen ist.
5. Schieberegister nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß dann, wenn der Blindwiderstand eine Induktivität ist, alle Tunneldioden stets mit der gleichen Elektrode an Masse liegen.
6. Schieberegister nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß dann, wenn als Blindwiderstand eine Kapazität verwendet wird, die Tunneldioden abwechselnd mit entgegengesetzten Elektroden an Masse liegen.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 969 088;
deutsche Auslegeschrift T 9226 VIII a/21 a1 (bekanntgemacht am 9. 8.1956).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 510/391 2.67 © Bundesdruckerei Berlin
DEJ19358A 1960-02-08 1961-02-02 Schieberegister Pending DE1234796B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7333A US3209158A (en) 1960-02-08 1960-02-08 Tunnel diode shift registers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1234796B true DE1234796B (de) 1967-02-23

Family

ID=21725555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEJ19358A Pending DE1234796B (de) 1960-02-08 1961-02-02 Schieberegister

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3209158A (de)
JP (1) JPS3926665B1 (de)
DE (1) DE1234796B (de)
GB (1) GB894180A (de)
NL (2) NL260915A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444751A (en) * 1993-09-24 1995-08-22 Massachusetts Institute Of Technology Tunnel diode shift register utilizing tunnel diode coupling
US7586427B1 (en) 2008-04-24 2009-09-08 Northrop Grumman Corporation Sequential triggering of series-connected resonant tunneling diodes

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE969088C (de) * 1953-09-24 1958-04-30 Standard Elek K Ag Schaltungsanordnung fuer Zaehlketten unter Verwendung von Schaltelementen mit teilweise fallender Strom-Spannungs-Kennlinie

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2522402A (en) * 1946-06-18 1950-09-12 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance repeater system
US2614141A (en) * 1950-05-26 1952-10-14 Bell Telephone Labor Inc Counting circuit
US2585571A (en) * 1950-09-14 1952-02-12 Bell Telephone Labor Inc Pulse repeater
GB746490A (en) * 1953-05-22 1956-03-14 Standard Telephones Cables Ltd Electrical circuits using two-electrode devices
US2933620A (en) * 1954-05-27 1960-04-19 Sylvania Electric Prod Two-input ring counters
US2912598A (en) * 1956-03-29 1959-11-10 Shockley Transistor Corp Shifting register
US2975377A (en) * 1956-08-07 1961-03-14 Ibm Two-terminal semiconductor high frequency oscillator
US3033714A (en) * 1957-09-28 1962-05-08 Sony Corp Diode type semiconductor device
US2986724A (en) * 1959-05-27 1961-05-30 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance oscillator
NL256639A (de) * 1959-10-08
US3096445A (en) * 1959-11-13 1963-07-02 Rca Corp Square wave generator compristing negative resistance diode and mismatched delay line producing steep edge pulses

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE969088C (de) * 1953-09-24 1958-04-30 Standard Elek K Ag Schaltungsanordnung fuer Zaehlketten unter Verwendung von Schaltelementen mit teilweise fallender Strom-Spannungs-Kennlinie

Also Published As

Publication number Publication date
JPS3926665B1 (de) 1964-11-24
US3209158A (en) 1965-09-28
GB894180A (en) 1962-04-18
NL260915A (de)
NL135796C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3904901A1 (de) Integrierte gegentakt-ausgangsstufe
DE2314015C3 (de) Signalverstärker
EP0494713B1 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer höheren Gleichspannung
DE2851111C2 (de) Zweidimensionale Analog-Speicheranordnung
DE2811188C3 (de) Josephson-Schaltkreis mit automatischer Rückstellung
DE2301855A1 (de) Pegelumsetzer
DE1807105B2 (de) Treiberschaltung für Flip-Flops
EP2110950A1 (de) Schaltung und Verfahren zur Signalspannungsübertragung innerhalb eines Treibers eines Leistungshalbleiterschalters
DE1234796B (de) Schieberegister
DE10305361B4 (de) Elektronischer Hochfrequenz-Schalter
DE2329009A1 (de) Logische schaltung aus bistabilen widerstaenden
DE1182296B (de) Schaltungsanordnung zur Realisierung logischer Funktionen
DE1159018B (de) íÀWeder-Nochí -Schaltung
DE2039606A1 (de) Elektrisches,dynamisch betriebenes Speicherelement
DE2424808C2 (de) Supraleitendes Schieberegister mit Josephson-Elementen
DE1938468C3 (de) Dynamische Schaltungsanordnung
DE1193991B (de) NODER-Schaltung
DE1915700C3 (de) Schieberegister
DE1282707B (de) Magnetkernspeicher
DE2651492A1 (de) Einrichtung zur befreieung elektrischer oder elektronischer einwegschalter von hoher verlustleistungsbeanspruchung waehrend des einschaltens und ueberhoehter sperrspannungsbeanspruchung beim ausschalten
DE2406352C3 (de) Statisches MOS-Speicherelement und Verfahren zu dessen Betrieb
DE2058753C3 (de) Bistabile, die Stromrichtung in einem Verbraucher umschaltende Kippschaltung
DE2536371C3 (de) Zerhackernetzgerät
DE1199811B (de) Kryotron-Schaltung zur impulsgesteuerten schrittweisen UEberleitung des einen Stromzweig durchfliessenden Stromes auf einen Parallelzweig
DE1462698A1 (de) Impulsverzoegerungsschaltung