DE1232614B - Halbleiterkippschaltung als Ersatz fuer ein Thyratron - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

H03k

Deutsche Kl.: 21 al -36/18

Nummer: 1232 614

Aktenzeichen: G 41811 VIII a/21 al

Anmeldetag: 19. Oktober 1964

Auslegetag: 19. Januar 1967

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterkippschaltung als Ersatz für ein Thyratron.

In der vorliegenden Erfindung wird ein mit drei Elektroden ausgestattetes Halbleiterschaltelement, beispielsweise eine steuerbare Siliciumzelle, benutzt. Steuerbare Halbleitergleichrichter haben Anode, Kathode und Steuerelektrode. In gleicher Weise wie beim Thyratron wird die Anode und Kathode als Hauptstrompfad benutzt, so daß durch das Halbleiterelement von Anode zu Kathode der Strom fließt. In gleicherweise wie beim Thyratron wird der steuerbare Halbleitergleichrichter über eine Steuerelektrode mittels eines Steuersignals geschaltet, und zwar von einem Zustand hoher in einen Zustand niedriger Impedanz.

Auf Grund der Gleichartigkeit der Wirkungsweise wird der steuerbare Halbleitergleichrichter oft als das Festkörperthyratron bezeichnet, weil auch die analogen Funktionen durch beide Elemente hervorgerufen werden können. Jedoch ist der direkte Ersatz eines Thyratrons durch einen steuerbaren Halbleitergleichrichter nicht ohne außergewöhnliche Schaltungsänderungen möglich.

Während das Gitter des Thyratrons einen sehr hohen Eingangswiderstand aufweist und ein niedriges Leistungssignal zur Zündung benutzt werden kann, zeigt der Steuerelektrodeneingangswiderstand der steuerbaren Halbleitergleichrichteranordnung einen relativ niedrigen Wert, der ein bedeutend höheres Steuersignal zur Zündung erforderlich macht.

Wegen dieses Unterschiedes in der Eingangscharakteristik der beiden Anordnungen konnte ursprünglich der steuerbare Halbleitergleichrichter nicht ohne weiteres als direkter Ersatz für das Thyratron benutzt werden. Die vorliegende Erfindung ermöglicht jetzt den direkten Ersatz eines Thyratrons durch eine Halbleiterkippschaltung. Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterkippschaltung mit den gleichen elektrischen Eigenschaften wie ein Thyratron.

Diese Vorteile werden erzielt in einer erfindungsgemäßen Anordnung, die einen Transistor für niedrige Leistung aufweist, der einen Eingangswiderstand der Größenordnung wie bei einem Thyratron zeigt, und zur Steuerung eines steuerbaren Halbleitergleichrichters, der einen relativ niedrigen Eingangswiderstand hat, dient. In dieser Weise wächst die Stromempfindlichkeit des steuerbaren Halbleitergleichrichters nahezu auf die Empfindlichkeit eines Thyratrons. Der Transistor, der steuerbare Halbleitergleichrichter und die entsprechend notwendigen Schaltungsbauelemente sind in einem Gehäuse, das mit äußeren Anschlüssen versehen ist, eingebaut.

Halbleiterkippschaltung als Ersatz
für ein Thyratron

Anmelder:

General Electric Company, New York, N. Y.

(V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Ing. W. Reuther, Patentanwalt,

Frankfurt/M. 70, Theodor-Stern-Kai 1

Als Erfinder benannt:

Tage Peter Sylvan, Liverpool, N. Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 18. Oktober 1963 (317 274)

Dieses Gehäuse kann in gleicher Weise ausgeführt sein wie die Röhre eines Thyratrons.

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterkippschaltung als Ersatz für ein Thyratron und besteht darin, daß sie einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit einer gegenüber einem Thyratron geringen und einen Transistor mit einer gegenüber dem steuerbaren HaIbleitergleichrichter hohen Eingangsimpedanz enthält, daß der Transistor zusammen mit einem Reihenwiderstand parallel zur Anode und Kathode des steuerbaren Halbleitergleichrichters geschaltet und die Emitter- oder Kollektorelektrode des Transistors direkt mit der Steuerelektrode des steuerbaren Halbleitergleichrichters elektrisch verbunden ist und daß die Anode des steuerbaren Halbleitergleichrichters, die Kathode des steuerbaren Halbleitergleichrichters und die Basiselektrode des Transistors einzeln mit je einem von drei Außenanschlüssen elektrisch verbunden sind.

An Hand der in den Fig. 1 bis 5 dargestellten Ausführungsbeispiele wird die erfindungsgemäße Anordnung in ihrem Aufbau und in ihrer Wirkungsweise beschrieben. In

F i g. 1 ist ein Aufriß der Konstruktion, in
Fig.2 in schematischer Form das Schaltbild der Halbleiterkippschaltung, und in

F i g. 3 bis 5 sind in schematischer Ausführung Ausführungsbeispiele dargestellt.

In F i g. 1 ist im besonderen der mechanische Aufbau eines Gerätes mit einer Halbleiterkippschaltung

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gezeigt, der geeignet ist, direkt als Ersatz eines Thyra- baren Halbleitergleichrichters SCR₁ verbundene KoI-trons eingesetzt zu werden. Die Anordnung selbst lektor 13 des Transistors T₁ liegt am Kathodenbesteht aus einem steuerbaren Halbleitergleichrichter anschluß 6. Die Basiselektrode 14 des Transistors T₁ SCR₁, der durch einen normalen pnp-Transistor T₁ ist über den Widerstand R₂ an den Steuerelektrodenmit einer Eingangsimpedanz der Größenordnung der 5 anschluß 7 der gesamten Anordnung geschaltet. Zwi-Gittereingangsimpedanz des Thyratrons gesteuert sehen der Basiselektrode 14 und der Emitterelektrode wird. Der steuerbare Halbleitergleichrichter SCR₁ 12 des Transistros T₁ ist eine Diode D₁ gelegt, um und der Transistor T₁ sind in das Gehäuse 1 eingebaut die Sperrspannung an der Basis des Transistors f estmit den entsprechenden Schaltungsbauelementen, zuhalten. Die Diode D₁ ist dann unnötig, wenn die wobei die Verbindung vorteilhaft durch eine ge- ίο maximal auftretende Eingangsspannung zwischen druckte Schaltungsplatte 2 durchgeführt wird. Diese dem Anodenanschluß 8 und dem Steuerelektrodea*- gedruckte Schaltungsplatte 2 wird in dem Röhren- anschluß 7 die Emitterbasisdurchbruchsspannung des kanal durch das Halteglied 3 gehaltert. Das Ge- Transistors T₁ nicht überschreitet, häuse 1 ist mit einem Grundteil 4 und einem Deck- Die Halbleiterkippschaltung wirkt in der Weise, teil 5, der das Halteglied 3 aufnimmt, gebildet. Die 15 daß ein positives Signal, wie es normalerweise zur elektrischen Anschlüsse 6 und 7 sind durch das Zündung von Thyratronen benutzt wird, am Steuer-Grundteil 4 hindurchgeführt, in das Innere des Ge- elektrodenanschluß 7 angelegt, die Zündung des häuses 1, und mit dem Transistor T₁ elektrisch ver- steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR₁ verursacht bunden sowie direkt zur Kathode und Steuerelek- Ist die Spannung am Steuerelektrodenanschluß 7 in trode geführt. Ein Anodenanschluß ist auf der ent- 20 bezug auf den Kathodenanschluß 6 genügend negativ, gegengesetzten Seite der Gehäuseanordnung mit der ist Transistor T₁ in Sättigung, und der Strom fließt Verbindung 8, die auf den abschließenden Teil 5 durch den Widerstand A₁ über den Transistor zum aufgesetzt ist, gegeben. Von diesem Anschluß 8 wird Kathodenanschluß 6. Auf diese Weise wird der Strom eine elektrische Verbindung zur Anode des Steuer- von der Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleibaren Halbleitergleichrichters SCR₁ hergestellt, so 25 tergleichrichters SCR₁ abgehalten, und dieses EIedaß der Anodenanschluß 8 direkt dem Anodenan- ment verbleibt in seinem Zustand hoher Impedanz. Schluß des Thyratrons entspricht. Der Grundteil 4 Dieser Zustand bleibt so lange erhalten, solange die enthält die Verbindungsdurchführungen wie bei der Sättigungsspannung des Transistors unter dem Mini-Thyratronröhre, so daß der Anschluß nach außen mum des Steuerelektrodenzündstroms der steuergewährleistet ist. 30 baren Siliciumzelle SCR₁ liegt. Wächst die Spannung

Eine solche kompakte vollständige Anordnung auf dem Steuerelektrodenanschluß 7 an, so wird der

wird in ein herkömmliches Thyratrongehäuse ein- Basisstrom des Transistors T₁ vermindert, und der

gepaßt und kann als direkter Ersatz für ein Thyratron Transistor kommt aus seinem Sättigungszustand, wo-

dienen. Das gezeigte Ausführungsbeispiel, bei dem bei ein Strom durch den Widerstand R₁ zur Steuer-

die Anodenkappe als Anodenanschluß verwendet 35 elektrode 11 des steuerbaren Halbleitergleichrichters

wird, ist besonders geeignet für relativ hohe Span- SCR₁ fließt und der steuerbare Halbleitergleichrichter

nungen. In anderen Anordnungsfällen, beispielsweise in seinen niederohmigen Zustand übergeführt wird,

bei Thyratronen für niedrige Spannungen, ist der Der Wert des Widerstandes R₁ wird so gewählt, daß

Anodenanschluß vom Grundteil der Anordnung in der zum Zünden des steuerbaren Halbleitergleichrich-

gleicher Entfernung wie der Steuerelektroden- und 40 ters SCR₁ erforderliche Steuerstrom bei einer mög-

der Kathodenanschluß. liehst geringen Spannung zwischen Anode und

In F i g. 2 wird eine schaltungstechnische Ausfüh- Kathode des Halbleitergleichrichters fließen kann, rung einer solchen Anordnung gezeigt, die als direk- Wird die Spannung am Steuerelektrodenanschluß 7 ter Ersatz für ein Thyratron in das Gehäuse eingebaut positiver als die Spannung am Kathodenanschluß 6, werden kann. Für gleiche Elemente sind in beiden 45 so wird der Emitter 12 des Transistors T₁ in Sperrich-Figuren die gleichen Bezugszeichen benutzt. Der tung beaufschlagt, und der Transistor wird damit steuerbare Halbleitergleichrichter SCR₁ ist ein Gleich- vollständig ausgeschaltet, so daß der gesamte Strom richter mit äquivalentem Leistungsverhalten wie das über den Widerstand R₁ zur Steuerelektrode 11 des zu ersetzende Thyratron. Die Kathode 9 und die steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR₁ fließt. Anode 10 des steuerbaren Halbleitergleichrichters 50 Daraus ergibt sich, daß der Halbleiterschalter nach SCR₁ sind, wie für Fig. 1 beschrieben, mit dem Fig.2 durch ein niedriges positives Signal gezündet Kathodenanschluß 6 und dem Anodenanschluß 8 werden kann, so wie es zur Zündung eines Thyratrons verbunden. Der Pfeil im Symbol für den steuerbaren benutzt wird, und daß die Schaltung nach F i g. 2 als Halbleitergleichrichter SCR₁ und für die Diode zei- ein direkter Ersatz für ein Thyratron benutzt werden gen in Durchlaßrichtung des jeweiligen Elementes. 55 kann.

Der normale Stromfluß durch den steuerbaren Halb- Die notwendige Spannung an der Steuerelekleitergleichrichter SCR₁ ist demnach vom Anoden- trode 7, die zur Zündung des steuerbaren Halbleiteranschluß 8 zum Kathodenanschluß 6 gerichtet. gleichrichters SCR₁ dient, entspricht einer Funktion

Die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleiter- der Anodenspannung und der Stromverstärkung des

gleichrichters SCR₁ ist an den Emitter 12 eines pnp- 60 Transistors, und zwar in Übereinstimmung mit der

Transistors T₁ geschaltet. Dieser Transistor ist jeweils Gleichung:

so ausgewählt, daß seine Empfindlichkeit und seine η I V \

Eingangsimpedanz näherungsweise den Eigenschaften Vgf = —— (—— Igf) . (1)

eines Thyratrons entsprechen. Der Emitter 12 des "fe \ Ri I

Transistors T₁ ist über einen geeigneten Strombegren- 65

zungswiderstand R₁ an die Anode 8 des steuerbaren In dieser Gleichung bedeutet V_GP die Spannung Halbleitergleichrichters und damit an den Anodenan- zwischen Steuerelektrodenanschluß 7 und Kathodenschluß geschaltet. Der mit der Kathode 10 des Steuer- anschluß 6, bei welcher der steuerbare Halbleiter-

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gleichrichter SCR₁ gezündet wird. /<#.■ ist der Steuer- lieh durch den Einsatz eines npn-Transistors an Stelle elektrodenstrom, der zum Zünden des steuerbaren eines pup-Transistors T₁. Die Wirkung ist dabei so, Halbleitergleichrichters SCR₁ erforderlich ist. V_AC ist daß ein positives Signal, wie es zur Zündung der zu die momentane Anoden-Kathoden-Spannung, die zur ersetzenden Thyratrone benutzt wird, am Gitteran-Zündung des steuerbaren Halbleitergleichrichters 5 Schluß 7 angelegt, die Zündung des steuerbaren HaIb-SCi?₃ notwendig ist, und h_PE ist die Stromverstärkung leitergleichrichters SCR₁ bewirkt. Liegt ein solches des Transistors. Es ist natürlich möglich, das Gerät Signal am Steuerelektrodenanschluß 7 nicht vor, dann nach F i g. 2 unabhängig von der Anodenspannung zu ist der Transistor T₂ ausgeschaltet. Das Anlegen machen, indem eine Zenerdiode zwischen einen Mit- eines positiven Signals am Steuerelektrodenantelabgriff des Widerstandes JR₁ und den Kathoden- io schluß 7 bewirkt die Überführung des Transistors T₂ abschluß 6 geschaltet wird, um eine Bezugsspannung in den leitenden Zustand, wobei ein positiver Impuls über den Transistor T₁ herzustellen. Außerdem ist in der Lastimpedanz A₄ entsteht, der wiederum an gezeigt, daß der Transistor T₁ nur eine sehr geringe die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleiter-Spannung braucht, wenn die maximale Spannung gleichrichters SCR₁ gelangt und dort die Einschalüber dem Transistor auf einem niedrigen Niveau 15 tung des steuerbaren Halbleitergleichrichters in seigehalten wird. nen niederohmigen Zustand hervorruft.

Eine solche erfindungsgemäße Halbleiterkippschal- In F i g. 4 ist eine Halbleiterkippschaltung gezeigt,

tung dient als direkter Ersatz für ein Thyratron, bei wie sie bereits gemäß F i g. 2 beschrieben wurde,

dem die unerwünschten Eigenschaften eines Thyra- wobei jedoch ein npn-Transistor benutzt wird an

trons in Wegfall kommen, wie beispielsweise die für 20 Stelle eines pnp-Transistors. Die Schaltung in F i g. 4

die Heizung erforderliche Leistung, die Zerbrechlich- wird dadurch gesteuert, daß ein negatives Signal am

keit und der relativ hohe Durchlaßspannungsabfall. Steuerelektrodenanschluß 7 angelegt wird, im Gegen-

Die erfindungsgemäße Schaltung ergibt einen viel satz zur Schaltung nach F i g. 2, die durch ein posi-

größeren Wirkungsgrad und weist eine größere Le- tives Signal gesteuert wird. Ein negatives Signal kann

bensdauer als ein äquivalentes Thyratron auf. 25 jedoch zur Aussteuerung eines Thyratrons nicht

In den F i g. 3 bis 5 sind Weiterbildungen der erfin- benutzt werden, so daß die erfindungsgemäße Schaldungsgemäßen Anordnung gezeigt, die in Wirkung tung in dieser Hinsicht eine Erweiterung des Anwen- und Funktion mit der Anordnung in F i g. 2 überein- dungsbereiches zuläßt. Die Steuerelektrode 11 des stimmen. In diesen Fig.3 bis 5 sind die den in steuerbaren Halbleitergleichrichters SCjR₁ wird am F i g. 2 entsprechenden Bauelemente mit den gleichen 30 Kollektor 18 des npn-Transistors T₃ angeschlossen. Bezugszeichen belegt. Der Kollektor des Transistors T₃ ist über einen geeig-

In F i g. 3 ist eine schematische Darstellung gezeigt, neten Strombegrenzungswiderstand R₅ an den Anoin der ein steuerbarer Halbleitergleichrichter SCR₁ denanschluß 8 geschaltet, während der Emitter 19 mit den notwendigen Schaltungszusätzen als Ersatz des Transistors T₃ am Kathodenanschluß 6 liegt. Die eines Thyratrons dient. Die Anode 9 und die Kathode 35 Basis 20 des Transistors T₃ ist über einen Wider-10 des steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR₁ sind stand R₂ in der bereits unter Bezugnahme auf F i g. 2 zum Anodenanschluß 8 und zum Kathodenan- beschriebenen Weise an den Steuerelektrodenanschluß 6 geführt, wie bereits in F i g. 2 beschrieben. schluß 7 geschaltet.

Die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleiter- Zwischen den Anodenanschluß 8 und die Basisgleichrichters SCjR₁ ist mit dem Emitter 15 des npn- 40 elektrode des Transistors T₃ ist ein Widerstand R₆ Transistors T₂ zusammengeschaltet. Der Transistor geschaltet, der dafür sorgt, daß bei Fehlen eines Einist so gewählt, wie bereits in bezug auf Fig.2 be- gangssignals am Steuerelektrodenanschluß 7 der schrieben, daß seine Empfindlichkeit und seine Ein- Transistor T₃ in Sättigung gehalten wird. Eine Diode gangsimpedanz denen des zu ersetzenden Thyratrons D₅ wird zwischen die Basis 20 und den Emitter 19 entsprechen. Der Transistor T₂ wird als Emitterstufe 45 des Transistors T₅ geschaltet, um eine Sperrspanverwendet, wobei der Kollektor 16 an dem Anoden- nungsbeanspruchung des Transistors vom Emitter zur anschluß 8 über einen entsprechenden Strombegren- Basis zu verhindern.
Zungswiderstand R₃ gelegt ist. Die Wirkungsweise der in F i g. 4 gezeigten Schal-

Der Emitter 15 ist mit der Steuerelektrode 11 des tung ist gleich der in F i g. 2 gezeigten und untersteuerbaren Halbleitergleichrichters SCjR₁ und über 50 scheidet sich lediglich durch die Verwendung eines einen Widerstand i?₄ mit der Kathode 10 des Steuer- negativen Signals zur Steuerung. Bei Fehlen eines baren Halbleitergleichrichters SCR, verbunden. Die solchen negativen Steuerimpulses an der Steuerelek-Basis 17 des Transistors T₂ wird über einen Wider- trode 7 ist der Transistor T₃ gesättigt und überbrückt stand R₂ an den Steuerelektrodenanschluß 7 der Ge- damit die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbsamtanordnung gelegt. Zwischen den Emitter 15 und 55 leitergleichrichters SCR₁. Wird ein negatives Signal die Basis 17 ist eine Diode D₂ geschaltet, die zum an die Steuerelektrode 7 angelegt, so wird der Tran-Schutze des Transistors dient und eine Sperrspan- sistor T₃ ausgeschaltet und dadurch der Stromfluß nungsbeanspruchung zwischen Emitter und Basis durch den Widerstand R₅ zur Steuerelektrode 11 des nicht zuläßt. Zwei in Reihe geschaltete Dioden D₃ steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR₁ bewirkt und D₄ liegen zwischen dem Kollektor 16 des Tran- 60 und dieses Element in seinen niederohmigen Zustand sistors T₂ und dem Kathodenanschluß 6 und dienen übergeführt.

zur Begrenzung der Kollektorspannung. An Stelle der In F i g. 5 ist eine Schaltungsanordnung gezeigt,

Dioden D₃ und D₄ kann auch eine einzelne Zener- die der in F i g. 3 entspricht, worin ein pnp-Transistor

diode (nicht dargestellt) in Antiparallelschaltung zum benutzt wird, und zwar vorteilhafter als ein npn-Tran-

Transistor T₂, d. h. entgegen der Polarität der gezeig- 65 sistor, wie in F i g. 3 beschrieben. Zur Steuerung der

ten Dioden D₃ und D₄, geschaltet werden. Schaltung nach F i g. 5 wird wieder, wie in bezug

Die in F i g. 3 gezeigte Halbleiterkippschaltung auf F i g. 4 bereits beschrieben, ein negatives Signal

unterscheidet sich von dem in F i g. 2 gezeigten ledig- verwendet, im Gegensatz zu der mit positiver Steue-

rung arbeitenden Schaltung in F i g. 3. Der pnp-Transistor T₄ ist in Emitterschaltung angeordnet. Dabei ist der Kollektor 21 des Transistors T₄ an die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR₁ geschaltet und über einen geeigneten niedrigen Widerstand R₁ an den Kathodenanschluß 6 gelegt. Der Emitter 22 des Transistors T₄ wird über einen geeigneten Strombegrenzungswiderstand R₈ an die Anode 8 in der Weise geschaltet, wie bereits unter Bezug auf die vorangehenden Figuren beschrieben wurde. Die Basis 23 des Transistors T₄ ist über einen Widerstand R₂ zum Steuerelektrodenanschluß 7 geführt und gleichzeitig auch über die Diode D₆ zum Emitter 22 geschaltet. Wie bereits unter Bezugnahme auf die Ausführung in F i g. 3 beschrieben, wird eine Reihenschaltung aus den Dioden D₇ und D₈ zwischen den Emitter 22 des Transistors T₄ und den Kathodenanschluß 6 der Anordnung zur Begrenzung der Spannung am Transistor geschaltet.

Die Wirkung der Schaltungsanordnung in F i g. 4 ist derjenigen in F i g. 3 gleich, jedoch ist zur Zündung am pnp-Transistor T₄ ein negatives Signal notwendig. Dieser Transistor wird normalerweise durch ein positives Signal am Steuerelektrodenanschluß 7 ausgeschaltet. Das Anlegen eines negativen Steuerimpulses an die Basis 23 des Transistors T₄ bewirkt die Überführung des Transistors T₄ in den leitenden Zustand. Dadurch wird ein positiver Steuerimpuls im Lastwiderstand R₇ erzeugt und der Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR₁ zugeführt, wodurch dieses Element in seinen niederohmigen Zustand geschaltet wird.

Claims (9)

Patentansprüche: 35

1. Halbleiterkippschaltung als Ersatz für ein Thyratron, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR₁) mit einer gegenüber einem Thyratron geringen und einen Transistor (J₁) mit einer gegenüber dem steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR₁) hohen Eingangsimpedanz enthält, daß der Transistor (T₁) zusammen mit einem Reihenwiderstand (R₁) parallel zur Anode (9) und Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR₁) geschaltet und die Emitter- oder Kollektorelektrode (12, 13) des Transistors (T₁) direkt mit der Steuerelektrode (11) des steuerbaren Halbleitergleichrichters elektrisch verbunden ist und daß die Anode (9) des steuerbaren Halbleitergleichrichters, die Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters und die Basiselektrode (14) des Transistors (T₁) einzeln mit je einem von drei Außenanschlüssen (8, 6, 7) elektrisch verbunden sind.

2. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie in ein Gehäuse (1), vorzugsweise in Form einer Thyratronröhre, eingebaut ist, das mindestens drei Außenanschlüsse (6, 7, 8) aufweist.

3. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (T₁) ein pnp-Transistor ist, dessen Emitterelektrode (12) über einen Widerstand (U₁) mit der Anode (9) und dessen Kollektorelektrode (13) mit der Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR₁) verbunden ist.

4. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (!F₁) beim Anlegen eines positiven Signals an die Basiselektrode (14) vom leitenden in den nichtleitenden Zustand übergeht und dabei den steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR₁) zündet.

5. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein pnp-Transistor (T₄) ist, dessen Emitterelektrode (22) über einen Widerstand (i?₈) an die Anode (9) und dessen Kollektorelektrode (21) einmal direkt mit der Steuerelektrode (11) und zum anderen über einen weiteren Widerstand (R₁) mit der Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR₁) verbunden ist.

6. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor (T₅) beim Anlegen eines negativen Signals an die Basiselektrode (23) vom nichtleitenden in den leitenden Zustand übergeht und dabei den steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR₁) zündet.

7. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein npn-Transistor (T₃) ist, dessen Kollektorelektrode (18) über einen Widerstand (R_s) mit der Anode (9) und dessen Emitterelektrode (19) mit der Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR₁) verbunden ist.

8. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein npn-Transistor (T₂) ist, dessen Kollektorelektrode (16) über einen Widerstand (R_s) mit der Anode (9) und dessen Emitterelektrode (15) über einen weiteren Widerstand (R₄) mit der Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR₁) verbunden ist.

9. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Transistors (T₁ bzw. T₂ bzw. T₃ bzw. T₄) eine Diode (D₁ bzw. D₂ bzw. D₅ bzw. D₆) liegt.

"10. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors (T₂ bzw. T₄) eine Diodenschaltung, vorzugsweise'aus einer oder mehreren Zenerdioden (D₃, D₄ bzw. D₇, D₃) liegt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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