DE2608026B1 - Monolithisch integrierte schaltung fuer einen rc-oszillator - Google Patents
Monolithisch integrierte schaltung fuer einen rc-oszillatorInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Schaltung für einen ÄC-Oszillator, dessen Kondensator
zwischen zwei der maximalen und der minimalen Oszillatorspannung entsprechenden Spannungswerten
aufgeladen bzw. entladen wird und einerseits mit dem Schaltungsnullpunkt und andererseits mit einem Anschluß
der integrierten Schaltung sowie über eine Stromquelle mit dem spannungsführenden Pol der
Betriebsspannungsquelle verbunden ist und der eine Schaltstufe mit einem der maximalen Oszillatorspannung
entsprechenden Schwellwert aufweist, wobei dem Kondensator die Kollektor-Emitter-Strecke eines über
die Schaltstufe bei Gleichheit der Spannung am Kondensator und des Schwellwertes der Schaltstufe
leitend gesteuerten Schalttransistors parallel geschaltet ist.
Ein solcher ÄC-Oszillator ist im Prinzip aus der
DT-OS 19 21 035 bekannt.
Die erwähnte Schaltstufe mit einem der maximalen Oszillatorspannung entsprechenden Schwellwert ist
beim bekannten ÄC-Oszillator allerdings als zwei Schaltschwellen aufweisende Schwellwertschaltung
ausgebildet, die die Entladeschaltung einschaltet, wenn die Kondensatorspannung die obere Ansprechschwelle
erreicht, und abschaltet, wenn die Kondensatorspannung die untere Ansprechschwelle erreicht. Bei einer
Ausgestaltung des bekannten /?C-Oszillators enthält die
dortige Schwellwertschaltung einen Spannungsteiler, der die Spannung der oberen Ansprechschwelle
bestimmt, wobei im Ansprechaugenblick der Schwellwertschaltung einem Teilwiderstand ein weiterer
Widerstand parallel geschaltet wird, der wieder abgeschaltet wird, wenn die Kondensatorspannung die
so entstandene untere Schaltschwelle erreicht.
Derartige Schwellwertschaltungen, deren Schwellwerte mittels eines Spannungsteilers vorgegeben
werden, bestehen üblicherweise aus einem Differenzverstärker, an dessen einem Eingang der Spannungsteilerabgriff
angeschlossen ist. Die untere Grenze für die untere Ansprechschwelle ist dabei durch die
Basis-Emitter-Schwellspannung des am Abgriff liegenden Differenzverstärkertransistors bestimmt. Insbesondere
bei Schaltungen mit nur einer Betrjebsspannungsquelle liegt die minimale Ansprechschwelle aufgrund
des beiden Differenzverstärkertransistoren gemeinsamen Emitterwiderstandes jedoch höher.
Es ist daher mit der bekannten Schaltung nicht möglich, den vollen Betriebsspannungsbereich für die
Oszillatorspannung auszunutzen, da die minimale Oszillatorspannung nicht nahe genug an das Potential
des Schaltungsnullpunktes abgesenkt werden kann. Dieser Nachteil fällt um so mehr ins Gewicht, je kleiner
die zur Verfügung stehende Betriebsspannung ist, d. h., speziell in batteriebetriebenen Geräten verschlechtert
sich das Verhältnis von erreichbarem Hub der
Oszillatorspannung zu Batteriespannung gegen kleinere Batteriespannungen hin zusehends.
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine monolithisch integrierte Schaltung für einen /?C-Oszillator
entsprechend dem Oberbegriff des Patenten-Spruchs I so auszubilden, daß sie die erwähnte
Beschränkung hinsichtlich des die minimale Oszillatorspannung bestimmenden unteren Schwellwertes nicht
mehr aufweist und daß somit bei entsprechender Wahl des oberen Schwellwertes ein möglichst großer Hub der
Oszillatorspannung wählbar ist.
Diese Aufgabe wird durch die Maßnahmen des kennzeichnenden Teils des Patentanspruchs 1 gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nun anhand der Figur der Zeichnung näher erläutert, die das Prinzipschaltbild
einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der ÄC-Oszillator nach der Figur enthält den frequenzbestimmenden
Kondensator I1 der mit seinem einen Anschluß am Schaltungsnullpunkt liegt, und die
Stromquelle 2, die beispielsweise als an die Betriebsspannungsquelle Ui angeschlossener Widerstand 3
realisiert sein kann. Über die Stromquelle 2, die mit ihrem einen Anschluß am spannungsführenden Pol der
Betriebsspannungsquelle Ub und mit ihrem anderen Anschluß am schaltungsnullpunktabgewandten Anschluß
des Kondensators 1 liegt, wird dieser aufgeladen.
Der gemeinsame Anschluß von Kondensator 1 und Stromquelle 2 liegt an einem der äußeren Anschlüsse 4
der monolithisch integrierten Schaltung. Über diesen Anschluß 4 ist dem von außen an die integrierte
Schaltung angeschlossenen Kondensator 1 die Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors 5 parallel
geschaltet, über den in seinem leitenden Zustand der Kondensator 1 entladen wird.
Die Spannung am Kondensator 1 und somit auch am Anschluß 4 kann so lange ansteigen, bis sie praktisch
dieselbe Amplitude erreicht hat wie diejenige Spannung, die am Abgriff des über der Betriebsspannungsquelle
liegenden und aus den Widerständen 6, 7 bestehenden Spannungsteilers vorhanden ist. Dieser
Abgriff und der Anschluß 4 liegen an den beiden Eingängen des als Schaltstufe 8 wirkenden Differenzverstärkers
aus den Transistoren 9, 10. Die Basis des Transistors 9 liegt dabei am Kondensator 1 und am
Anschluß 4, während die Basis des Transistors 10 am Abgriff des Spannungsteilers liegt. Die Transistoren 9,
10 sind mit den Kollektorwiderständen 11, 12 und dem gemeinsamen Emitterwiderstand 13 versehen, die
sämtliche auch in bekannter Weise durch Konstantstromquellen ersetzt sein können.
Der Ausgang der Schaltstufe 8, der mit dem Kollektor des Transistors 9 identisch ist, liegt am S-Eingang des
/?S-Flipflops 14, das somit gesetzt wird, wenn die Spannung am Kondensator 1 den mit dem Spannungsteiler
6, 7 eingestellten Schwellwert erreicht bzw. überschreitet.
Mit dem zum 5-Eingang des Ä5-Flipflops 14 gehörenden Ausgang ist die Basis des Schalttransistors
5 verbunden, so daß dieser durch das infolge des Setzens des ßS-Flipflops 14 an ihm entstehende Signal leitend
gesteuert wird und somit, wie bereits erwähnt, den Kondensator 1 entlädt.
Der Basis-Kollektor-Strecke des Schalttransistors 5 ist die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 15 parallel
geschalte^, der so betrieben wird, daß er bei in Sättigung gesteuertem Schalttransistor 5 leitend gesteuert ist. Der
Kollektor des Transistors 15 liegt über den Widerstand 16 an der Betriebsspannung Ub. Wird der Kondensator
1 durch den Schalttransistor 5 so weit entladen, daß an diesem nur noch seine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
abfällt, so wird der Transistor 15 leitend gesteuert und setzt das /?S-FIipflop 14 über dessen
Ä-Eingang zurück, wodurch der Schalttransistor 5 wiederum gesperrt wird. Damit kann die Aufladung des
Kondensators 1 über die Stromquelle 2 wieder beginnen. Als der minimalen Oszillatorspannung entsprechender
Schwellwert dient die Sättigungsspannung des Schalttransistors 5.
Um zu erreichen, daß der Transistor 15 leitend gesteuert wird, wenn der Schalttransistor 5 in Sättigung
gerät, gibt es mehrere Möglichkeiten. So kann über den mit den beiden Basen und dem zum 5-Eingang
gehörenden Ausgang des ÄS-FIipflops 14 verbundenen
Widerstand 17 bei entsprechender Bemessung ein den Schalttransistor 5 übersteuernder Strom in dessen Basis
eingespeist werden, so daß seine Basis-Emitter-Schwellspannung derart erhöht wird, daß der Transistor 15
sicher aufgesteuert wird. Andererseits kann die Basis-Emitter-Schwellspannung des Transistors 15 im
Vergleich zur Basis-Emitter-Schwellspannung des Schalttransistors 5 dadurch erniedrigt werden, daß
dessen Basis-Emitter-pn-Übergangsfläche größer, z. B. um eine Größenordnung größer, bemessen wird als die
des Schalttransistors 5. Durch diese alternativen Maßnahmen, die insbesondere bei npn-Transistoren
sinnvoll sind, wie sie in der Figur für die Transistoren 5, 9, 10, 15 gezeigt sind, läßt sich erreichen, daß die
Basis-Emitter-Schwellspannung des Transistors 15 kleiner wird als die um die Sättigungsspannung des
Schalttransistors 5 verminderte Basis-Emitter-Schwellspannung dieses Transistors, so daß der Transistor 15
bei Sättigungsbetrieb des Schalttransistors 5 leitend ist.
Werden die Transistoren 5, 15 als pnp-Transistoren realisiert, so ist es besonders vorteilhaft, beide
Transistoren mittels eines speziellen einzigen Lateraltransistors mit zwei Kollektoren zu realisieren, wobei
der Kollektor des Transistors 15 bezüglich des Stromflusses »hinter« dem Kollektor des Schalttransistors
5 angeordnet, also diesem nachgeordnet bzw. nachgeschaltet sein muß. Zum Beispiel ist der Kollektor
des Schalttransistors 5 vom Kollektor des Transistors 15 geschlossen umgeben. Ein derartiger Lateraltransistor
hat die Eigenschaft, daß, wenn der zum »vor« dem Kollektor des anderen Kollektors angeordneten bzw.
zum umschlossenen Kollektor gehörende Transistor in die Sättigung gerät, dieser Kollektor als Emitter des
zum »hinter« dem Kollektor des anderen Kollektors angeordneten bzw. zum umschließenden Kollektor
gehörenden Transistors wirkt, d.h. also, daß bei Sättigung des Schalttransistors 5 der Transistor 15
Strom zu führen beginnt. In diesem Fall kann auch auf den Kollektorwiderstand 16 des Transistors 15 verzichtet
werden und der Ä-Eingang des ÄS-FIipflops 14
direkt vom umschließenden Kollektor angesteuert werden.
Werden die Transistoren 5, 15 als npn-Transistoren realisiert, so können sie zu einem Doppelemittertransistor
zusammengefaßt werden, dessen erster Emitter am Schaltungsnullpunkt und dessen zweiter Emitter am
Kollektorwiderstand 16 nach der Figur, der jetzt natürlich als Emitterwiderstand zu bezeichnen ist, und
am ^-Eingang des /?S-Flipflops 14 liegt. Sobald der dem
Schalttransistor 5 entsprechende Teiltransistor in Sättigung gerät, wirkt der zweite Emitter als Kollektor
eines invers betriebenen Teiltransistors, der den Ä-Eingang ansteuert.
Ferner ist es zweckmäßig, das /?S-Flipflop 14 in der
sogenannten ^L-Technik zu realisieren, während die restlichen Bauelemente in üblicher Standard-Bipolar-Technik
ausgeführt werden. Die Abkürzung PL entstammt der englischen Bezeichnung »Integrated
Injection Logic« und meint eine spezielle Realisierung von bipolaren Logikschaltungen, vgl. »Elektronikpraxis«,
Oktober 1975, Seiten 7 bis 10, und »Philips Technische Rundschau«, Bd. 33 (1973/74), Nr. 3, Seiten
82 bis 91.
Die monolithisch integrierte Schaltung nach der Erfindung weist eine gute Frequenzkonstanz auf, die
insbesondere unabhängig von Schwankungen der Betriebsspannung ist. Die Schaltung ist schon bereits bei
Betriebsspannungen von 0,8 V funktionsfähig, so daß sie insbesondere als Tonoszillator von batteriebetriebenen
Weckeruhren ohne weiteres verwendet werden kann. Da derartige Weckeruhren üblicherweise mit Batterien
von 1,5 V Nennspannung betrieben werden, die während ihrer Lebensdauer auf etwa 1 V absinkt, sind
mit der integrierten Schaltung nach der Erfindung ausgerüstete Weckeruhren bis zum Ende der Lebensdauer
der Batterie arbeitsfähig.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Monolithisch integrierte Schaltung für einen ÄC-Oszillator, dessen Kondensator zwischen zwei ">
der maximalen und der minimalen Oszillatorspannung entsprechenden Spannungswerten aufgeladen
bzw. entladen wird und einerseits mit dem Schaltungsnullpunkt und andererseits mit einem
Anschluß der integrierten Schaltung sowie über eine Stromquelle mit dem spannungsführenden Pol der
Betriebsspannungsquelle verbunden ist und der eine Schaltstufe mit einem der maximalen Oszillatorspannung
entsprechenden Schwellwert aufweist, wobei dem Kondensator die Kollektor-Emitter- '5
Strecke eines über die Schaltstufe bei Gleichheit der Spannung am Kondensator und des Schwellwertes
der Schaltstufe leitend gesteuerten Schalttransistor parallel geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet,
daß als der minimalen Oszillatorspannung entsprechender Schwellwert die Sättigungsspannung des Schalttransistors (5) dient, daß der
Ausgang der Schaltstufe (8) mit dem 5-Eingang eines ÄS-FIipflops (14) verbunden ist, daß die Basis des
Schalttransistors (5) mit dem zum 5-Eingang gehörenden Ausgang des /?S-FIipflops (14) verbunden
ist und daß der Basis-Kollektor-Strecke des Schalttransistors (5) die Basis-Emitter-Strecke eines
bei in Sättigung gesteuertem Schalttransistor (5) leitend gesteuerten Transistors (15) gleicher Leitungsart
parallel geschaltet ist, dessen Kollektor mit dem Ä-Eingang des /?S-Flipflops(14) verbunden ist.
2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (15) bei in
Sättigung gesteuertem Schalttransistor (5) dadurch leitend gesteuert ist, daß die Basis-Emitter-pn-Übergangsfläche
des Schalttransistors (5) kleiner bemessen ist als die des Transistors (15).
3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Emitter-pn-Übergangsfläche
des Schalttransistors (5) um eine Größenordnung kleiner bemessen ist als die des
Transistors (15).
4. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (15) bei in
Sättigung gesteuertem Schalttransistor (5) dadurch leitend gesteuert ist, daß der Basis des Schalttransistors
(5) ein zusätzlicher, ihn übersteuernder Strom zugeführt ist.
5. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüehe 1 bis 4 mit pnp-Transistoren für Transistor und
Schalttransistor, dadurch gekennzeichnet, daß beide Transistoren (5, 15) zu einem Lateraltransistor mit
zwei Kollektoren zusammengefaßt sind, von denen der des Transistors (15) bezüglich des Stromflusses
dem des Schalttransistors (5) nachgeschaltet ist.
6. Integrierte Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des Transistors
(15) den des Schalttransistors (5) geschlossen umgibt.
7. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüehe 1 bis 4 mit npn-Transistoren für Transistor und
Schalttransistor, dadurch gekennzeichnet, daß Schalttransistor (5) und Transistor (15) zu einem
Doppelemittertransistor vereinigt sind, dessen erster Emitter am Schaltungsnullpunkt und dessen
zweiter Emitter am als Emitterwiderstand dienenden Widerstand (16) und am /?-Eingang des
/?S-Flipfiops (14) liegt.
8. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das
/?S-Flipfiop (14) in ^L-Technik realisiert ist und daß
die restlichen Schaltungsteile in Standard-Bipolar-Technik' ausgeführt sind.
9. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß sie als
Tonoszillator von batteriebetriebenen Weckeruhren verwendet wird.
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