DE1224842B - Halbleiterdiode - Google Patents

Halbleiterdiode

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DE1224842B
DE1224842B DES85934A DES0085934A DE1224842B DE 1224842 B DE1224842 B DE 1224842B DE S85934 A DES85934 A DE S85934A DE S0085934 A DES0085934 A DE S0085934A DE 1224842 B DE1224842 B DE 1224842B
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DES85934A
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Inventor
Robert Thibault
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Societe Industrielle de Liaisons Electriques SA
Original Assignee
Societe Industrielle de Liaisons Electriques SA
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Publication date
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1224 842
Aktenzeichen: S 85934 VIII c/21 g
Anmeldetag: 1. Juli 1963
Auslegetag: 15. September 1966
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterdiode mit einem aus gut leitendem Material, wie Kupfer, bestehenden dickwandigen zylindrischen, topfförmigen Behälter, auf dessen Boden ein Halbleiterelement aufgelötet ist, dessen anderer Anschluß durch eine Zuführungsleitung gebildet wird, die isoliert durch einen den topfförmigen Behälter nach oben abschließenden Deckel hindurchgeführt ist.
Eine bekannte Halbleiterdiode der vorstehend genannten Art ist in F i g. 1 der Zeichnung veranschaulicht. Sie enthält einen aus gut leitendem Material, wie Kupfer, bestehenden dickwandigen zylindrischen, topfförmigen Behälter 1, auf dessen Boden ein Halbleiterelement 8 aufgelötet ist. Der andere Anschluß dieses Halbleiterelements wird durch eine Zuführungsleitung 4 gebildet, deren Ende 7 mit dem Halbleiterelement 8 verschweißt ist. Die Zuführungsleitung 4 ist isoliert durch einen den topfförmigen Behälter 1 nach oben abschließenden Deckel 3 hindurchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine Sinterglasdurchführung 6 im Deckel 3 vorgesehen. Die Zuführungsleitung 4 ist im Bereich der Durchführung mit einer Zinnschicht 5 überzogen.
Der aus Kupfer bestehende topfförmige Behälter 1 ist mit einem Flansch 2 verbunden, der ebenso wie der Deckel 3 aus Weicheisen besteht. Flansch 2 und Deckel 3 sind miteinander verschweißt. Zur Erleichterung der Herstellung der Schweißverbindung weist der Deckel 3 im Bereich seines Randes an der Unterseite einen Wulst 14 auf. Der topfförmige Behälter 1 ist an seiner Außenseite mit einer Rändelung 16 versehen.
Der wesentliche Nachteil dieser bekannten Halbleiterdiode besteht in der geringen mechanischen Festigkeit des topfförmigen Behälters 1. Beim Verschweißen von Flansch 2 und Deckel 3 verringert sich nämlich die Härte des den topfförmigen Behälter 1 bildenden Kupfers, was zu unerwünschten Verformungen des Behälters 1 führt, wenn die Halbleiterdiode anschließend in eine (nicht dargestellte) Fassung eingepreßt wird.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterdiode der eingangs genannten Art so auszubilden, daß dieser Nachteil vermieden ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der topfförmige Behälter in eine dünnwandige zylindrische äußere Schale eingepreßt ist, die aus härterem Metall als der topfförmige Behälter besteht und einen zur Verbindung mit dem Deckel dienenden Flansch aufweist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den F i g. 2 und 2 a näher veranschaulicht. Soweit die Halbleiterdiode
Anmelder:
Ste Industrielle de Liaisons filectriques, Paris
Vertreter:
Dipl.-Ing. R. Beetz und Dipl.-Ing K. Lamprecht,
Patentanwälte, München 22, Steinsdorfstr. 10
Als Erfinder benannt:
Robert Thibault, Paris
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 2. Juli 1962 (902 643)
Elemente der Halbleiterdiode nach der Erfindung den Elementen der bekannten Ausführung gemäß F i g. 1 entsprechen, sind gleiche Bezugszeichen verwendet. Im Unterschied zu der bekannten Ausführung ist bei der Halbleiterdiode nach der Erfindung der dickwandige zylindrische, topfförmige Behälter 10 aus gut leitendem Material, wie Kupfer, in eine dünnwandige zylindrische äußere Schale 11 eingepreßt, die aus härterem Material als der topfförmige Behälter 10, beispielsweise aus Weicheisen, besteht. Die äußere Schale 11 weist in ihrem oberen Bereich einen Flansch 12 auf, der zur Verbindung mit dem Deckel 9 dient. Die Höhe der äußeren Schale 11 ist etwas größer als die des topfförmigen Behälters 10, so daß der Deckel 9 etwas in die äußere Schale 11 eingreifen kann.
Der Flansch 12 der äußeren Schale 11 weist eine nach oben ausgedrückte, zur Auflage des Deckels 9 dienende umlaufende Sicke 13 auf, die die Herstellung der Schweißverbindung zwischen dem Flansch 12 und dem Deckel 9 erleichtert. Die äußere Schale 11 ist an ihrem äußeren Umfang mit einer Rändelung 15 versehen.
Die Herstellung der vorliegenden Halbleiterdiode erfolgt in der Weise, daß zunächst der topfförmige Behälter 10 und die äußere Schale 11 gesondert in einem Tiefziehverfahren gefertigt werden und anschließend der Behälter 10 in die äußere Schale 11 eingepreßt wird. Wenigstens die Innenseite des topfförmigen Behälters 10 wird vergoldet. Nach dem Ein-
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setzen des Halbleiterelements 8 und des bereits mit der Zuführungsleitung 4 verbundenen Deckels 9 werden dann in einem Ofen in einer nicht oxydierenden Atmosphäre, beispielsweise in einer Stickstoffatmosphäre, gleichzeitig alle Schweiß- bzw. Lotverbindungen hergestellt.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Halbleiterdiode mit einem aus gut leitendem Material, wie Kupfer, bestehenden dickwandigen zylindrischen, topfförmigen Behälter, auf dessen Boden ein Halbleiterelement aufgelötet ist, dessen anderer Anschluß durch eine Zufuhrungsleitung gebildet wird, die isoliert durch einen den topfförmigen Behälter nach oben abschließenden Deckel hindurchgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der topffönnige Behälter (10) in eine dünnwandige zylindrische äußere Schale (11) eingepreßt ist, die aus härterem Metall als der topfförmige Behälter besteht und einen zur Verbindung mit dem Deckel (9) dienenden Flansch (12) aufweist.
2. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe der äußeren Schale (11) größer als die des topfförmigen Behälters (10) ist.
3. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der topfförmige Behältei (10) und die äußere Schale (11) sowie der Flansch (12) der Schale und der Deckel (9) miteinander verschweißt sind.
4. Halbleiterdiode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Flansch (12) der äußeren Schale (11) eine nach oben ausgedrückte, zur Auflage des Deckels (9) dienende umlaufende Sicke (13) aufweist.
5. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere Schale (11) an ihrem äußeren Umfang eine Rändelung (15) aufweist.
6. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der topfförmige Behälter (10) wenigstens an seiner Innenseite einen Goldüberzug trägt.
7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Schweiß- bzw. Lötverbindungen gleichzeitig in nicht oxydierender Atmosphäre hergestellt werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 806 187.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 660/312 9.66 © Bundesdruckerei Berlin
DES85934A 1962-07-02 1963-07-01 Halbleiterdiode Pending DE1224842B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR902643A FR1335548A (fr) 1962-07-02 1962-07-02 Diode à semi-conducteur et son procédé de fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1224842B true DE1224842B (de) 1966-09-15

Family

ID=8782289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES85934A Pending DE1224842B (de) 1962-07-02 1963-07-01 Halbleiterdiode

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE634365A (de)
CH (1) CH403088A (de)
DE (1) DE1224842B (de)
FR (1) FR1335548A (de)
GB (1) GB989142A (de)
NL (1) NL294691A (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2806187A (en) * 1955-11-08 1957-09-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2806187A (en) * 1955-11-08 1957-09-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device

Also Published As

Publication number Publication date
GB989142A (en) 1965-04-14
FR1335548A (fr) 1963-08-23
BE634365A (de)
NL294691A (de)
CH403088A (fr) 1965-11-30

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