DE1224842B - Halbleiterdiode - Google Patents
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1224 842
Aktenzeichen: S 85934 VIII c/21 g
Anmeldetag: 1. Juli 1963
Auslegetag: 15. September 1966
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterdiode mit einem aus gut leitendem Material, wie
Kupfer, bestehenden dickwandigen zylindrischen, topfförmigen Behälter, auf dessen Boden ein Halbleiterelement
aufgelötet ist, dessen anderer Anschluß durch eine Zuführungsleitung gebildet wird, die
isoliert durch einen den topfförmigen Behälter nach oben abschließenden Deckel hindurchgeführt ist.
Eine bekannte Halbleiterdiode der vorstehend genannten Art ist in F i g. 1 der Zeichnung veranschaulicht.
Sie enthält einen aus gut leitendem Material, wie Kupfer, bestehenden dickwandigen
zylindrischen, topfförmigen Behälter 1, auf dessen Boden ein Halbleiterelement 8 aufgelötet ist. Der
andere Anschluß dieses Halbleiterelements wird durch eine Zuführungsleitung 4 gebildet, deren
Ende 7 mit dem Halbleiterelement 8 verschweißt ist. Die Zuführungsleitung 4 ist isoliert durch einen den
topfförmigen Behälter 1 nach oben abschließenden Deckel 3 hindurchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine
Sinterglasdurchführung 6 im Deckel 3 vorgesehen. Die Zuführungsleitung 4 ist im Bereich der Durchführung
mit einer Zinnschicht 5 überzogen.
Der aus Kupfer bestehende topfförmige Behälter 1 ist mit einem Flansch 2 verbunden, der ebenso wie
der Deckel 3 aus Weicheisen besteht. Flansch 2 und Deckel 3 sind miteinander verschweißt. Zur Erleichterung
der Herstellung der Schweißverbindung weist der Deckel 3 im Bereich seines Randes an der Unterseite
einen Wulst 14 auf. Der topfförmige Behälter 1 ist an seiner Außenseite mit einer Rändelung 16 versehen.
Der wesentliche Nachteil dieser bekannten Halbleiterdiode besteht in der geringen mechanischen
Festigkeit des topfförmigen Behälters 1. Beim Verschweißen von Flansch 2 und Deckel 3 verringert sich
nämlich die Härte des den topfförmigen Behälter 1 bildenden Kupfers, was zu unerwünschten Verformungen
des Behälters 1 führt, wenn die Halbleiterdiode anschließend in eine (nicht dargestellte) Fassung
eingepreßt wird.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterdiode der eingangs genannten Art so
auszubilden, daß dieser Nachteil vermieden ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
der topfförmige Behälter in eine dünnwandige zylindrische äußere Schale eingepreßt ist, die aus härterem
Metall als der topfförmige Behälter besteht und einen zur Verbindung mit dem Deckel dienenden Flansch
aufweist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den F i g. 2 und 2 a näher veranschaulicht. Soweit die
Halbleiterdiode
Anmelder:
Ste Industrielle de Liaisons filectriques, Paris
Vertreter:
Dipl.-Ing. R. Beetz und Dipl.-Ing K. Lamprecht,
Patentanwälte, München 22, Steinsdorfstr. 10
Patentanwälte, München 22, Steinsdorfstr. 10
Als Erfinder benannt:
Robert Thibault, Paris
Robert Thibault, Paris
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 2. Juli 1962 (902 643)
Elemente der Halbleiterdiode nach der Erfindung den Elementen der bekannten Ausführung gemäß F i g. 1
entsprechen, sind gleiche Bezugszeichen verwendet. Im Unterschied zu der bekannten Ausführung ist
bei der Halbleiterdiode nach der Erfindung der dickwandige zylindrische, topfförmige Behälter 10 aus gut
leitendem Material, wie Kupfer, in eine dünnwandige zylindrische äußere Schale 11 eingepreßt, die aus
härterem Material als der topfförmige Behälter 10, beispielsweise aus Weicheisen, besteht. Die äußere
Schale 11 weist in ihrem oberen Bereich einen Flansch 12 auf, der zur Verbindung mit dem Deckel 9
dient. Die Höhe der äußeren Schale 11 ist etwas größer als die des topfförmigen Behälters 10, so daß
der Deckel 9 etwas in die äußere Schale 11 eingreifen kann.
Der Flansch 12 der äußeren Schale 11 weist eine nach oben ausgedrückte, zur Auflage des Deckels 9 dienende umlaufende Sicke 13 auf, die die Herstellung der Schweißverbindung zwischen dem Flansch 12 und dem Deckel 9 erleichtert. Die äußere Schale 11 ist an ihrem äußeren Umfang mit einer Rändelung 15 versehen.
Der Flansch 12 der äußeren Schale 11 weist eine nach oben ausgedrückte, zur Auflage des Deckels 9 dienende umlaufende Sicke 13 auf, die die Herstellung der Schweißverbindung zwischen dem Flansch 12 und dem Deckel 9 erleichtert. Die äußere Schale 11 ist an ihrem äußeren Umfang mit einer Rändelung 15 versehen.
Die Herstellung der vorliegenden Halbleiterdiode erfolgt in der Weise, daß zunächst der topfförmige
Behälter 10 und die äußere Schale 11 gesondert in einem Tiefziehverfahren gefertigt werden und anschließend
der Behälter 10 in die äußere Schale 11 eingepreßt wird. Wenigstens die Innenseite des topfförmigen
Behälters 10 wird vergoldet. Nach dem Ein-
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setzen des Halbleiterelements 8 und des bereits mit der Zuführungsleitung 4 verbundenen Deckels 9 werden
dann in einem Ofen in einer nicht oxydierenden Atmosphäre, beispielsweise in einer Stickstoffatmosphäre,
gleichzeitig alle Schweiß- bzw. Lotverbindungen hergestellt.
Claims (7)
1. Halbleiterdiode mit einem aus gut leitendem Material, wie Kupfer, bestehenden dickwandigen
zylindrischen, topfförmigen Behälter, auf dessen Boden ein Halbleiterelement aufgelötet ist, dessen
anderer Anschluß durch eine Zufuhrungsleitung gebildet wird, die isoliert durch einen den topfförmigen
Behälter nach oben abschließenden Deckel hindurchgeführt ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der topffönnige Behälter (10) in eine dünnwandige zylindrische äußere Schale (11) eingepreßt ist, die aus härterem
Metall als der topfförmige Behälter besteht und einen zur Verbindung mit dem Deckel (9)
dienenden Flansch (12) aufweist.
2. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe der äußeren Schale
(11) größer als die des topfförmigen Behälters (10) ist.
3. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der topfförmige Behältei
(10) und die äußere Schale (11) sowie der Flansch (12) der Schale und der Deckel (9) miteinander
verschweißt sind.
4. Halbleiterdiode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Flansch (12) der äußeren
Schale (11) eine nach oben ausgedrückte, zur Auflage des Deckels (9) dienende umlaufende
Sicke (13) aufweist.
5. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere Schale (11) an
ihrem äußeren Umfang eine Rändelung (15) aufweist.
6. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der topfförmige Behälter
(10) wenigstens an seiner Innenseite einen Goldüberzug trägt.
7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß alle Schweiß- bzw. Lötverbindungen gleichzeitig in nicht oxydierender Atmosphäre hergestellt
werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 806 187.
USA.-Patentschrift Nr. 2 806 187.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 660/312 9.66 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR902643A FR1335548A (fr) | 1962-07-02 | 1962-07-02 | Diode à semi-conducteur et son procédé de fabrication |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1224842B true DE1224842B (de) | 1966-09-15 |
Family
ID=8782289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES85934A Pending DE1224842B (de) | 1962-07-02 | 1963-07-01 | Halbleiterdiode |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE634365A (de) |
CH (1) | CH403088A (de) |
DE (1) | DE1224842B (de) |
FR (1) | FR1335548A (de) |
GB (1) | GB989142A (de) |
NL (1) | NL294691A (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2806187A (en) * | 1955-11-08 | 1957-09-10 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor rectifier device |
-
0
- BE BE634365D patent/BE634365A/xx unknown
- NL NL294691D patent/NL294691A/xx unknown
-
1962
- 1962-07-02 FR FR902643A patent/FR1335548A/fr not_active Expired
-
1963
- 1963-07-01 CH CH832263A patent/CH403088A/fr unknown
- 1963-07-01 DE DES85934A patent/DE1224842B/de active Pending
- 1963-07-01 GB GB2604763A patent/GB989142A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2806187A (en) * | 1955-11-08 | 1957-09-10 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor rectifier device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB989142A (en) | 1965-04-14 |
FR1335548A (fr) | 1963-08-23 |
BE634365A (de) | |
NL294691A (de) | |
CH403088A (fr) | 1965-11-30 |
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