DE1224358B - Elektronischer Schalter - Google Patents

Elektronischer Schalter

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DE1224358B
DE1224358B DED43398A DED0043398A DE1224358B DE 1224358 B DE1224358 B DE 1224358B DE D43398 A DED43398 A DE D43398A DE D0043398 A DED0043398 A DE D0043398A DE 1224358 B DE1224358 B DE 1224358B
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semiconductor switching
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Arne Jensen
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    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/70Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices having only two electrodes and exhibiting negative resistance
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Description

  • Elektronischer Schalter Die Erfindung betrifft einen elektronischen Schalter. Die Erfindung besteht darin, daß eine Reihenschaltung von zwei oder mehr zweipoligen Halbleiterschaltelementen vorgesehen ist, die beim überschreiten eines Schwellenwertes einer angelegten Spannung vom hochohmigen in den niederohmigen Zustand schalten, daß eine das Schalten bewirkende Steuerspannung jeweils an nur ein Halbleiterschaltelement oder einen Teil der Reihenschaltung anlegbar ist und daß die Spannung des Lastkreises, in dem die Reihenschaltung liegt, derart bemessen ist, daß sie ausreicht, um den nicht fremdgesteuerten Rest der Reihenschaltung vom hochohmigen in den niederohmigen Zustand zu schalten.
  • Halbleiterschaltelemente der erwähnten Art lassen sich auf zweierlei Weise steuern, entweder durch eine Veränderung des Schwellenwerts oder durch eine Veränderung der angelegten Steuerspannung oder -feldstarke. Die Erfindung betrifft die an zweiter Stelle genannte Möglichkeit, wenngleich nicht ausgeschlossen. sein soll, daß zusätzlich auch der Schwellenwert der betrachteten Halbleiterschaltelemente geändert werden kann.
  • Geht man von einem vorgegebenen Schwellenwert aus; so muß die Lastkreisspannung unter diesem Schwellenwert liegen, da sonst der Schalter dauernd im niederohmigen Zustand bliebe. Legt man, um eine höhere Spannung zu erhalten, zu der Lastkreisspannung eine Steuerspannung in Reihe, so wirkt diese erhöhte Spannung im gesamten Lastkreis und kann unter Umständen Schaden stiften. Außerdem 1'äßt sie sich nur über einen Transformator zuführen. Entnimmt man dagegen den Steuerimpuls von einer parallel zum Halbleiterschaltelement liegenden Spannungsquelle, so läuft dieser Impuls eher durch den gesamten Lastkreis einschließlich der Lastkreisspannungsquelle als durch das Halbleiterschaltelement, da letzteres wesentlich hochohmiger ist als der gesamte übrige Lastkreis.
  • Diese Nachteile treten beim erfindungsgemäß aufgebauten Schalter nicht auf. Die in Reihe geschalteten Halbleiterschaltelemente werden nacheinander geschaltet. Zum Umschalten des einen Elements genügt eine Spannung, die kleiner sein kann als die Lastkreisspannung. Ein an dieses Element angelegter Steuerimpuls hat keine Neigung, über den übrigen Lastkreis abzuwandern; da in dessen Bahn zumindest noch ein zweites Halbleiterschaltelement im hochohmigen Zustand liegt. Wenn aber das erste Halbleiterschaltelement durch die relativ geringe @Steuerspannurig in den niederöhmigen Zustand, umgeschaltet ist, liegt die gesamte Lastkieisspanung an dem zweiten Halbleiterschaltelement, so daß auch dessen Schwellenwert überschritten wird und dieses in den niederohmigen Zustand umschaltet. Entsprechendes gilt für eine Reihenschaltung von mehr als zwei Halbleiterschaltelementen.
  • Geht man davon aus, daß alle Halbleiterschaltelemente in der Reihe einen fest vorgegebenen Schwellenwert besitzen, so sollte die Spannung des Lastkreises größer sein als die Summe der Schwellenwerte der nicht von der Steuerspannung beeinflußten HalblciterschaItelernente, aber kleiner als die Summe der Schwellenwerte aller Halbleiterschaltelemente. Dann ist sichergestellt, daß beim Umschalten der gesteuerten Strecke eine genügend große Spannung an die nicht gesteuerte Strecke gelegt wird, um auch diese umzuschalten.
  • Von dieser Bedingung kann man jedoch absehen, wenn noch ein zweites Halbleiterschaltelement oder ein zweiter Teil der Reihenschaltung durch einen eigenen, von dem weiter oben behandelten ersten Steuerimpuls unabhängigen Steuerbefehl umgeschaltet werden kann und das Umschalten des Rests der Reihe erst beim Vorhandensein mehrerer dieser Steuerbefehle an verschiedenen Gliedern der Reihenschaltung erfolgen soll. Dieser zweite Steuerbefehl kann beispielsweise auch durch eine Erniedrigung der Schwellenspannung eines zweiten Halbleiterschaltelements gegeben werden. Wesentlich ist,, daß zunächst nur eine Strecke des ,Gesamtschalters umgeschaltet und dadurch das Umschalten der Reststrecke des Schalters vorbereitet wird.
  • Bei einem elektrischen Gleichstromschalter können die Halbleiterschaltelemente aus an sich bekannten Vierschichtdioden bestehen. Ein elektrischer Schalter für Gleich- und Wechselstrom ergibt sich,, wenn die Halbleiterschaltelemente aus an' sich bekannten Fünfschichtdioden bestehen. Besonders interressant ist in diesem Zusammenhang die Anwendung von Halbleiterschaltelementen, die überwiegend aus Tellur mit Zusätzen aus Elementen der Gruppen IV und V des Periodischen Systems bestehen. Es handelt sich um sperrschichtfreie, elektrisch absolut symmetrische Halbleiterschaltelemente, die hochbelastbar und sehr leicht herstellbar sind. Außerdem kann man ihren Schwellenwert durch Wahl des Mischungsverhältnisses oder durch die Dicke des Körpers nach Belieben einstellen. Als Beispiel sei ein Halbleiterschaltelement genannt, das aus 67,5% Tellur, 25"/o Arsen und 7,51/o Germanium erzeugt ist. Die Herstellung kann durch Aufdampfen auf eine Metallplatte, durch Sintern, durch Erstarrenlassen einer Legierungsschmelze od. dgl. erfolgen.
  • Da die Steuerspannung kleiner sein kann als die Lastkreisspannung, ist es möglich, die Lastkreisspannung zum Steuern heranzuziehen. Dies geschieht zweckmäßigerweise dadurch, daß die Steuerspannung an einem durch 'die Lastkreisspanung gespeisten Spannungsteiler abgegriffen wird, von dem mindestens ein Teil einen veränderlichen Widerstand besitzt. Insbesondere kann ein fester und ein veränderlicher Widerstand in Reihe und parallel zu den Halbleiterschaltelementen liegen, und die Verbindungspunkte beider Reihenschaltungen können miteinander verbunden sein. Als veränderlichen Widerstand kann man einen Fotowiderstand, einen temperaturabhängigen Widerstand, einen druckempfindlichen Widerstand, einen verstellbaren Regelwiderstand, einen Sehalter u. dgl. wählen. In manchen Fällen kann auch -das. zuerst umzuschaltende Halbleiterschaltelement einen Teil des Spannungsteilers bilden.
  • Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit der Zeichnung. Es zeigt F i g. 1 ein typisches Strom-Spannungs-Diagramm für ein erfindungsgemäß verwendbares Halbleiterschaltelement, F i g. 2 den erfindungsgemäßen Schalter mit Fremdsteuerung in einem Wechselstromkreis und F i g.. 3 den erfindungsgemäßen elektronischen Schalter in einem Gleichstromkreis mit von der Speisespannung abgeleiteter Steuerspanung.
  • In dem Diagramm der F i g. 1 ist der Strom 1 eines symmetrischen Halbleiterschaltelements über der Spannung U aufgetragen. Unterhalb der Schwellenspannung ± US ist der Strom nahezu Null, da das Element seinen hochohmigen Zustand eingenommen hat, bei dem sein Widerstand bis zu mehreren Megohm betragen kann (Kurve I). Sobald jedoch die Schwellenspannung US überschritten ist, springt das Halbleiterschaltelement in seinen niederohmigen Zustand (Kurve II) -um,- bei dem es einen Widerstand von 1 Ohm oderweniger hat. Der durch den Schalter hindurchtretende Strom 1 ist daher von den übrigen Komponenten des Lastkreises festgelegt. Den niederohmigen. Zustand behält das Element bei., bis der hindurchfließende Strom einen Haltwert IH unterschreitet, der ziemlich in der Nähe des Nullpunktes liegen kann. Beim Unterschreiten von IH schaltet das Halbleiterschaltelement. in den hochohmigen Zustand zurück.
  • Dieses Verhalten haben beispielsweise Fünfschichtdioden oder =° in mehr-oder weniger ausgeprägtem Maße - Mehrschichtdioden mit: ungerader -Schichtzahl. Die bisher besten Ergebnisse zeigten aber nicht Mehrschichtdioden, sondern sperrschichtfreie Halbleiterschaltelemente, die im wesentlichen aus Tellur mit Zusätzen aus Elementen der Gruppen IV und V des Periodischen Systems bestehen. Wenn es nur auf den Gleichstrombetrieb ankommt, genügt es, wenn das geschilderte Verhalten im ersten Quadranten vorhanden ist; in solchen Fällen sind auch Vierschichtdioden und andere Mehrschichtdioden mit geradzahliger Schichtzahl brauchbar.
  • Der Lastkreis in F i g. 2 besteht aus einem Wechselstromgenerator 1, einem Verbraucher in Form eines Lastwiderstandes 2 und einem elektronischen Schalter, der durch die Reihenschaltung zweier symmetrischer Halbleiterschaltelemente 3 und 4 gebildet ist. Der Generator 1 erzeuge die Spannung UG. Dann liegt an beiden Halbleiterschaltelementen 3 und 4 je die Spannung UG/2. Diese Spannung. sei. kleiner als die Schwellenspannung US. Demzufolge ist der Lastkreis praktisch unterbrochen. An das Halbleiterschaltelement 3 kann von einem Triggergenerator 5 her eine Steuerspannung angelegt werden, die größer ist als die Schwellenspannung US des Elements 3. Dann schaltet das Halbleiterschaltelement 3 in den niederohmigen Zustand um. Infolgedessen liegt die volle Gencratorspannung UG am Halbleiterschaltelement.4. Da UG größer ist. als US, schaltet auch das Halbleiterschaltelement 4 um, und es fließt der Laststrom über den Verbraucherwiderstand 2.
  • Um den Lastkreis und den Triggerstromkreis voneinander zu trennen, ist ein Kondensator 6 vorgesehen. Die Steuerspannung kann die verschiedensten Formen haben, beispielsweise die Form von Impulsen, Rechteckwellen, Sinuswellen und beim Wegfall des Kondensators 6 auch einer Gleichspannung, Der Triggergenerator selbst kann einen beliebigen Aufbau besitzen, es kann sich um eine Fremdsteuerung handeln oder um eine irgendwie mit dem Lastkreis -gekoppelte Steuerung, die Steuerspannung kann im Triggergenerator selbst erzeugt werden oder dort von einem Verstärkerausgang, einer Impedanz, einer Selbstinduktion od. dgl. abgenommen werden.
  • In F i g. 3 , wird der Lastkreis von einem Gleichspannungsgenerator 7 gespeist. Wiederum sind ein Verbraucherwiderstand 8 und zwei in Reihe geschaltete Halbleiterschaltelemente 9 und 10 vorgesehen: Zur Steuerung ist ein Spannungsteiler parallel zu diesen beiden Elementen gelegt, der aus einem veränderlichen Widerstand 11 und einem festen Widerstand 12 besteht. Die Verbindungsstelle 13 zwischen diesen beiden Widerständen-ist mit der Verbindungsstelle 14 zwischen den beiden Halbleiterschaltelementen 9 und 10 über einen Schutzwiderstand 15 verbunden. Zwei überbrückungskondensatoren 16 und 17 schützen vor überspannungen.
  • Es sei wiederum angenommen, daß die Generatorspannung UG nicht ausreicht, um die beiden Elemente 9 und 10 umzuschalten. Im Ruhezustand sei der Widerstandswert der beiden Elemente 11 und 12 etwa gleich groß: Wenn nun der veränderliche Widerstand 11 im Sinne einer Widerstandserniedrigung verstellt wird, ändert sich das Potential des Verbindungspunktes 13- dergestalt; daß am Widerstand 12 ein höherer Spannungsabfall auftritt. Dieser höhere Spannungsabfall wirkt auch über das Halbleiter-. schaltelement 10. Sobald dieser- Spannungsabfall den Schwellenwert US überschreitet, schaltet das. ITglb:-leiterschaltelemerit 1Q um. - Dann- ,liegt, die gesgmts Generatorspannung UG am Halbleiterschaltelement 9, so daß auch dieses umgeschaltet wird.
  • Genau das gleiche Resultat ergibt sich, wenn der veränderliche Widerstand 11 im Sinne einer Widerstandserhöhung verstellt wird. Dann ist nämlich der Spannungsabfall an diesem Widerstand 11 bald so groß, daß das Halbleiterschaltelement 9 umschalten kann, was dann die Umschaltung des Halbleiterschaltelementes 10 nach sich zieht.
  • Wie der Widerstand 11 verändert wird, ist für die Funktion unerheblich. Es kann ein PTC-Widerstand, NTC-Widerstand, ein Fotowiderstand, ein druckempfindlicher Widerstand, ein Regelwiderstand oder auch ein einfacher Schalter sein. In jedem Fall ergibt sich eine typische Relaisfunktion, bei der der Lastkreis nach überschreiten eines bestimmten Wertes des Widerstandes 11 eingeschaltet wird.
  • Ein Spannungsteiler entsprechend den Widerständen 11 und 12 kann auch zwei veränderliche Widerstände aufweisen. Man kann beispielsweise den einen als Einstellwiderstand benutzen und den anderen als Fühler für Licht, Wärme, Druck od. dgl. Man kann auch das Abschalten beschleunigen, wenn die beiden Widerstände in entgegengesetzter Richtung beeinflußbar sind, beispielsweise bei Verwendung eines PTC-und eines NTC-Widerstandes.
  • Abweichungen von den veranschaulichten Ausführungsbeispielen können in vielerlei Richtung vorgenommen werden, ohne daß der Grundgedanke der Erfindung verlassen wird. Beispielsweise kann es sich bei den Generatoren 1, 7 und 18 um ganz normale Spannungsquellen handeln. Die Verbraucher können beliebige Impedanzen besitzen, vor allen Dingen auch kapazitiv oder induktiv sein. Wenn in dem steuernden Spannungsteiler eine gewisse Verzögerung wirksam ist, beispielsweise mit Hilfe eines Phasenschiebers, kann man bestimmte Teile des im Lastkreis fließenden Stromes hindurchlassen, andere dagegen nicht. Nicht zuletzt sei erwähnt, daß man die zum Umschalten des ersten Halbleiterschaltelementes benötigte Feldstärke nicht nur durch ein direktes Anlegen der Spannung, sondern auch durch ein kapazitives Anlegen dieser Spannung ereichen kann.

Claims (7)

  1. Patentansprüche: 1. Elektronischer Schalter, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß eine Reihenschaltung von zwei oder mehr zweipoligen Halbleiterschaltelementen vorgesehen ist, die beim überschreiten eines Schwellenwertes einer angelegten Spannung vom hochohmigen in den niederohmigen Zustand schalten, daß eine das Schalten bewirkende Steuerspannung jeweils an nur ein Halbleiterschaltelement oder einen Teil der Reihenschaltung anlegbar ist und daß die Spannung des Lastkreises, in dem die Reihenschaltung liegt, derart bemessen ist, daß sie ausreicht, um den nicht fremdgesteuerten Rest der Reihenschaltung vom hochohmigen in den niederohmigen Zustand zu schalten.
  2. 2. Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung des Lastkreises größer ist als die Summe der Schwellenwerte der nicht von der Steuerspannung bzw. -Feldstärke beeinflußten Halbleiterächaltelemente, aber kleiner als die Summe der Schwellenwerte aller Halbleiterschaltelemente.
  3. 3. Schalter nach Anspruch 1 oder 2 für Gleichstrom, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschaltelemente aus Vierschichtdioden bestehen.
  4. 4. Schalter nach Anspruch 1 oder 2 für Gleich-und Wechselstrom, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschaltelemente aus Fünfschichtdioden bestehen.
  5. 5. Schalter nach Anspruch 1 oder 2 für Gleich-oder Wechselstrom, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschaltelemente überwiegend aus Tellur mit Zusätzen aus Elementen der Gruppen IV und V des Periodischen Systems bestehen.
  6. 6. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerspannung an einem durch die Lastkreisspannung gespeisten Spannungsteiler abgegriffen wird, von dem mindestens ein Teil einen veränderlichen Widerstand besitzt.
  7. 7. Schalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein fester und ein veränderlicher Widerstand in Reihe und parallel zu den Halbleiterschaltelementen liegen und die Verbindungspunkte beider Reihenschaltungen miteinander verbunden sind. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1154 511.
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SE43265A SE328910B (de) 1964-01-21 1965-01-13
GB251965A GB1089893A (en) 1964-01-21 1965-01-20 Electrically-controlled switching circuit
FR2640A FR1421163A (fr) 1964-01-21 1965-01-20 Interrupteur commandé électriquement
BE658625A BE658625A (de) 1964-01-21 1965-01-21
US785041A US3500133A (en) 1964-01-21 1968-12-11 Electrically controlled switch and switching arrangement

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1154511B (de) * 1962-05-21 1963-09-19 Siemens Ag Bistabiler elektronischer Schalter

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1154511B (de) * 1962-05-21 1963-09-19 Siemens Ag Bistabiler elektronischer Schalter

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FR1421163A (fr) 1966-06-10
NL6500383A (de) 1965-07-22
SE328910B (de) 1970-09-28
BE658625A (de) 1965-05-17

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