DE1562307B1 - Elektronischer Schalter - Google Patents
Elektronischer SchalterInfo
- Publication number
- DE1562307B1 DE1562307B1 DE19641562307D DE1562307DA DE1562307B1 DE 1562307 B1 DE1562307 B1 DE 1562307B1 DE 19641562307 D DE19641562307 D DE 19641562307D DE 1562307D A DE1562307D A DE 1562307DA DE 1562307 B1 DE1562307 B1 DE 1562307B1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor switching
- circuit
- switch
- switching element
- switching elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 46
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims 1
- 101100345589 Mus musculus Mical1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/70—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices having only two electrodes and exhibiting negative resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
Description
hierdurch hervorgerufenen Feldstärke. Die Erfindung io Charakteristik nacheinander von einem Arbeitspunkt
betrifft die an zweiter Stelle genannte Möglichkeit, niedrigeren Widerstandes zu einem Arbeitspunkt
wenngleich nicht ausgeschlossen sein soll, daß zu- höheren Widerstandes schalten. Bei dieser Schaltung
sätzlich auch der Schwellwert der betrachteten werden alle Teile der Reihenschaltung von einem
Schalterelemente geändert werden kann. gemeinsamen Signal beeinflußt und nicht jeder Teil
Geht man von einem vorgegebenen Schwellwert 15 der Reihenschaltung von einem getrennt von den
aus, so muß die Lastkreisspannung unter diesem anderen Teilen zugeführten Signal. Außerdem schal-Schwellwert
liegen, da sonst der Schalter dauernd im ten Tunneldioden beim Überschreiten eines Hügelniederohmigen
Zustand bliebe. Legt man, um eine stromes von einem Zustand kleineren Widerstandes
höhere Spannung zu erhalten, zu der Lastkreisspan- in einen Zustand höheren Widerstandes und flicht
nung eine Steuerspannung in Reihe, so wirkt diese 20 beim Überschreiten eines Schwellwerts der Spannung
erhöhte Spannung im gesamten Stromkreis und kann von einem Zustand höheren Widerstandes in einen
unter Umständen Schaden stiften. Entnimmt man die Zustand geringeren Widerstandes.
Steuerspannung dagegen von einer parallel zum Bei einem elektronischen Gleichstromschalter kön-
Halbleiter-Schaltelement liegenden Spannungsquelle, nen die Halbleiter-Schaltelemente aus an sich beso
tritt ebenfalls eine hohe Spannungsbelastung des 25 kannten Vierschichtendioden bestehen. Ein elektro-Lastkreises
auf. nischer Schalter für Gleich-und Wechselstrom ergibt
Da der Laststromkreis eine wesentüch geringere sich, wenn die Halbleiter-Schaltelemente aus an sich
Impedanz aufweisen wird als das hochohmige Halb- bekannten Fünfschichtendioden bestehen.
leiter-Schaltelement, kann der Steuerspannungs- Besonders interessant ist in diesem Zusammenimpuls
auch über das Netz abwandern, ohne das 3<>
hang die Anwendung von symmetrischen Halbleiter-Halbleiter-Schaltelement umzuschalten. Besonders Schaltelementen, die überwiegend aus Tellur mit
groß werden die Schwierigkeiten, wenn der Last- Zusätzen aus Elementen der Gruppen IV und V des
Stromkreis für eine kleine Speisespannimg ausgelegt Periodischen Systems bestehen. Es handelt sich hierist,
der ein großer Isolationswiderstand, d. h. ein bei um Halbleiter-Schaltelemente, die hochbelastbar
Schwellwert des Halbleiter-Schaltelements gegen- 35 und sehr leicht herstellbar sind. Außerdem läßt sieh
überstehen soll. " bei ihnen der Schwellwert der Spannung durch Wahl
Der Erfindung hegt die Aufgabe zugrunde, einen des Mischungsverhältnisses oder durch Wahl - def
elektronischen Schalter der eingangs erwähnten Art Dicke des Elements entsprechend den Erfordernissen
anzugeben, der mit Sicherheit vom hochohmigen in einstellen. Als Beispiel sei ein Halbleiter-Schaltden
niederohmigen Zustand umgeschaltet werden 4° element genannt, das aus 67,5 % Tellur, 25 % Arsen
kann, ohne daß eine störende Beeinflussung des Last- . und 7,5% Germanium erzeugt ist. Die Herstellung
kann durch Aufdampfen auf eine Metallplatte, durch Sintern, durch Erstarrenlassen einer Legierungsschmelze od. dgl. erfolgen.
Nach einem weiteren Ausführungsbeispiel können je zwei Halbleiter-Schaltelemente zu einem gemeinsamen
Element mit einer Mittelelektrode vereinigt sein. Auf diese Weise ist das Anschließen der Reihenschaltung
gegenüber derjenigen von einzelnen HaIb-
Reihenschaltung eine über dessen Schwellwert lie- 50 leiter-Schaltelementen erleichtert,
gende Steuerspannung getrennt von der Steuerspan- Damit die Steuerspannung auch tatsächlich zum
nung der anderen Teile der Reihenschaltung, aber gleichen Zeitpunkt an allen Halbleiter-Schaltelemenvorzugsweise
zur gleichen Zeit wie diese, anlegbar ist. ten wirksam ist, empfiehlt es sich, ein einziges Steuer-Die
einzelnen Teile, der Reihenschaltung, die im signal mehreren parallelgeschalteten Transformatoeinfachsten
Fall aus je einem Halbleiter-Sehalt- 55 ren zuzuführen, deren Sekundärwicklungen je einem
element bestehen, werden also durch eine eigene Teil der Reihenschaltung: zugeordnet sind. Eine an-Steuerspannung
je für sich geschaltet. Zum Um- dere Möglichkeit besteht darin, ein Steuersignal
schalten jedes einzelnen Schaltelements genügt eine einem Transformator zuzuführen, der mehrere, je
Spannung, die recht klein sein kann und im Last- einem Teil der Reihenschaltung zugeordnete Sekunstromkreis
keinen Schaden zu stiften vermag. Wenn 6a därwicklungen besitzt.
alle Halbleiter-Schaltelemente gleichzeitig umschal- Bei einer Abwandlung des erfindungsgemäßen
ten, kann nicht einmal ein solcher kleiner Steuer- Schalters ist dafür gesorgt, däß zum Anlegen der
spannungsimpuls durch den Laststromkreis wandern, Steuerspannung an jedes Halbleiter-Schaltelement in
da jeder Impuls bei seinem Auftreten durch zumin- die Reihenschaltung der Halbleiter-Schaltelemente
dest noch ein weiteres Halbleiter-Schaltelement mit 65 zusätzlich Sekundärwicklungen einer Transformatorzunächst
hochohmigem Zustand vom Laststromkreis anordnung derart einbezogen sind, daß jeweils eine
getrennt ist. Durch die Verwendung mehrerer hinter- Sekundärwicklung mit einem Halbleiter-Schaltelement
einandergeschalteter Halbleiter-Schaltelemente kann unmittelbar in Reihe liegt (F i g. 4).
Stromkreises durch die Steuerspannung erfolgt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Halbleiter-Schaltelement mit mindestens
einem weiteren, gleichartigen Halbleiter- 45 Schaltelement eine zwei- oder mehrteilige Reihenschaltung
bildet, bei der die Summe der Schwellwerte aller Halbleiter-Schaltelemente größer ist als die
Lastkreisspannung, und daß an jeden Teil der
Claims (8)
- 3 4Die Erfindung wird nachstehend an Hand in der gegeben wird, werden alle Halbleiter-Schaltelemente Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele naher gleichzeitig von einem über dem Schwellwert liegenerläutert. Es zeigt den Steuerspannungsimpuls bzw. FeldstärkenimpulsF i g. 1 ein typisches Strom-Spannungs-Diagramm getroffen, schalten in den niederohmigen Zustand umfür ein erfindungsgemäß verwendbares Halbleiter- 5 und machen den Laststromkreis leitend. Da es sichSchaltelement, . um einen Wechselstromkreis handelt, schalten dieF i g. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel des erfin- Halbleiter-Schaltelemente wieder in den hochohmi-dungsgemäßen Schalters, gen Zustand zurück, kurz bevor der Strom durchF i g. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel des erfin- . Null geht. Der Steuerspannungsimpuls muß alsodungsgemäßen Schalters und io periodisch gegeben werden. Bei einem Gleichstrom-F i g. 4 ein drittes Ausführungsbeispiel des erfin- kreis dagegen bliebe der leitende Zustand der Halbdungsgemäßen Schalters. leiter-Schaltelemente erhalten, bis der GleichstromIn dem Diagramm der F i g. 1 ist der Strom / auf andere Weise unterbrochen wird, eines symmetrischen Halbleiter-Schaltelements über Die Steuerspannung kann die verschiedensten Forder angelegten Spannung U aufgetragen. Unterhalb 15 men haben, beispielsweise die Form von Impulsen, des Schwellwerts +Us ist der Strom nahezu Null, Rechteckwellen, Sinuswellen und auch einer Gleichda der Schalter seinen hochohmigen Zustand ein- spannung. Der Triggergenerator selbst kann einen genommen hat, bei dem sein Widerstand bis zu bekannten Aufbau besitzen; es kann sich um eine mehreren Megohm betragen kann (Kurve I). Sobald Fremdsteuerung handeln oder um eine mit dem Lastjedoch der Schwellwert Us überschritten ist, springt 20 Stromkreis gekoppelte Steuerung, die Steuerspannung das Halbleiter-Schaltelement in seinen niederohmi- kann im Triggergenerator selbst erzeugt werden oder gen Zustand (Kurve II) um, bei dem es einen Wider- dort von einem Verstärkerausgang, einer Impedanz, stand von 1 Ohm oder weniger hat. Der durch den einer Selbstinduktion od. dgl. abgenommen werden. Schalter hindurchtretende Strom / ist daher von den In F i g. 3 entspricht die Anordnung der Wechselübrigen Komponenten des Stromkreises festgelegt. 25 stromquelle 1, des Lastwiderstandes 2 und der HaIb-Den niederohmigen Zustand behält der Schalter bei, leiter-Schaltelemente3 bis 6 derjenigen der Fig. 1. bis der hindurchfließende Strom einen Haltewert In Der Triggergenerator 18 speist die Primärwicklung unterschreitet, der ziemlich in der Nähe des Null- 19 eines einzigen Transformators. Dessen Sekundärpunktes liegen kann. Beim Unterschreiten von In wicklungen 20 bis 23 sind je einem Halbleiter-Schaltschaltet das Halbleiter-Schaltelement in den hoch- 30 element 3 bis 6 zugeordnet, und zwar führt der ohmigen Zustand zurück. Sekundärkreis über je eine direkt anliegende Hilfs-Dieses Verhalten haben auch beispielsweise Fünf- elektrode 24 und das Halbleiter-Schaltelement zurückschichtendioden oder — in mehr oder weniger aus- zur Sekundärwicklung. Wird vom Triggergeneratorgeprägtem Maße — Mehrschichtendioden mit un- 18 ein Steuersignal abgegeben, tritt gleichzeitig ingerader Schichtzahl. Die bisher besten Ergebnisse 35 allen vier Sekundärkreisen eine Steuerspannung aufzeigten aber nicht Mehrschichtendioden, sondern und schaltet dementsprechend gleichzeitig alle vierHalbleiter-Schaltelemente, die im wesentlichen aus Halbleiter-Schaltelemente 3 bis 6 in den niederohmi-Tellur mit Zusätzen aus Elementen der Gruppen IV gen Zustand um. Grundsätzlich können hierbei dieund V des Periodischen Systems bestehen. Wenn es Steuerspannungen auch von verschiedenen Größen nur auf den Gleichstrombetrieb ankommt, genügt es, 40 abhängig sein, wenn sichergestellt ist, daß sie zumwenn das geschilderte Verhalten im ersten Quadran- gleichen Zeitpunkt auftreten.ten vorhanden ist: in solchen Fällen sind auch Vier- Bei dem Ausführungsbeispiel der F i g. 4 speistschichtendioden und andere Mehrschichtendioden der Triggergenerator 25 die hintereinandergeschalte-mit geradzahliger Schichtzahl brauchbar. ten Primärwicklungen 26 bis 29 von vier Transfor-Der Laststromkreis der F i g. 2 besteht aus einer 45 matoren, deren Sekundärwicklungen 30 bis 33 jeweilsWechselstromquelle 1, einem Verbraucher in Form unmittelbar mit den ihnen zugeordneten Halbleiter-eines Lastwiderstandes 2 und einem elektronischen Schaltelementen 3 bis 6 in Reihe liegen. Der Sekun-Schalter, der durch die Reihenschaltung der Halb- därkreis wird jeweils durch einen Kondensator 34leiter-Schaltelemente 3, 4, 5, 6 gebildet ist. Die Span- bis 37 vervollständigt. Diese Kondensatoren wirkennung der Quelle 1 sei so gering, daß sie unter dem 50 einerseits als Trennkondensatoren, damit die Sekun-Schwellwert jedes einzelnen Halbleiter-Schaltele- därkreise den Laststromkreis nicht kurzschließen,ments 3 bis 6 und erst recht unter der Summe der und können außerdem mit der zugehörigen SpuleSchwellwerte dieser Schaltelemente Hegt. Demzufolge einen Resonanzkreis bilden, der den zum Schaltenist der Laststromkreis praktisch unterbrochen. An erforderlichen Steuerspannungsimpuls verstärkt,einem Triggergenerator 7 sind die Primärwicklun- 55 Die Verbraucher können auch beliebige Impedan-gen8 bis 11 von vier Transformatoren in Parallel- zen besitzen, vor allen Dingen auch kapazitiv oderschaltung angeschlossen, deren Sekundärwicklungen induktiv sein. Der Triggergenerator ist zweckmäßiger-12 bis 15 je einem der Halbleiter-Schaltelemente 3 weise mit dem Laststromkreis gekoppelt, falls diebis 6 zugeordnet sind. Der Sekundärstromkreis jedes Steuersignale in einer bestimmten PhasenbeziehungTransformators führt über eine Hilfselektrode 16 60 zu der speisenden Wechselspannung stehen sollen,durch das Halbleiter-Schaltelement und zurück zur .Sekundärwicklung. Jedes Halbleiter-Schaltelement ist Patentansprüche:als Schicht auf einer Metallplatte 17 ausgebildet. 1. Elektronischer Schalter unter AnwendungDemzufolge durchsetzt die Steuerspannung jedes eines zweipoligen Halbleiter-Schaltelements, dasHalbleiter-Schaltelement zunächst von der Hilfs- 65 beim Überschreiten eines Schwellwerts einer an-elektrode 16 zur Platte 17 und von dort zu dem gelegten Steuerspannung vom hochohmigen ingegenüberliegenden Anschluß. den niederohmigen Zustand schaltet, dadurchSobald vom Triggergenerator 7 ein Steuersignal ab- gekennzeichnet, daß das Halbleiter-Schalt-element mit mindestens einem weiteren, gleichartigen Halbleiter-Schaltelement eine zwei- oder mehrteilige Reihenschaltung bildet, bei der die Summe der Schwellwerte aller Halbleiter-Schaltelemente größer ist als die Lastkreisspannung, und daß an jeden Teil der Reihenschaltung eine über dessen Schwellwert liegende Steuerspannung getrennt von der Steuerspannung der anderen Teile der Reihenschaltung, aber vorzugsweise zur gleichen Zeit wie diese, anlegbar ist.
- 2. Schalter nach Anspruch 1 für Gleichstrom, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Schaltelemente aus Vierschichtendioden bestehen.
- 3. Schalter nach Anspruch 1 für Gleich- und Wechselstrom, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Schaltelemente aus Fünfschichtendioden bestehen.
- 4. Schalter nach Anspruch 1 für Gleich- oder Wechselstrom, gekennzeichnet durch die Verwendung von symmetrischen Halbleiter-Schaltelementen, die überwiegend aus Tellur mit Zusätzen aus Elementen der Gruppen IV und V des Periodischen Systems bestehen.
- 5. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß je zwei Halbleiter-Schaltelemente zu einem gemeinsamen Element mit einer Mittelelektrode vereinigt sind.
- 6. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein einziges Steuersignal mehreren parallelgeschalteten Transformatoren zugeführt wird, deren Sekundärwicklungen je einem Teil der Reihenschaltung zugeordnet sind (Fig. 2).
- 7. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Steuersignal einem Transformator zugeführt wird, der mehrere, je einem Teil der Reihenschaltung zugeordnete Sekundärwicklungen besitzt (Fig. 3).
- 8. Abwandlung des Schalters nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zum Anlegen der Steuerspannung an jedes Halbleiter-Schaltelement in die Reihenschaltung der Halbleiter-Schaltelemente zusätzlich Sekundärwicklungen einer Transfofmatoranordnung derart einbezogen sind, daß jeweils eine Sekundärwicklung mit einem Halbleiter-Schaltelement unmittelbar in Reihe liegt (Fig. 4).Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DED0043417 | 1964-01-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1562307B1 true DE1562307B1 (de) | 1969-11-20 |
Family
ID=7047566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19641562307D Pending DE1562307B1 (de) | 1964-01-22 | 1964-01-22 | Elektronischer Schalter |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE658627A (de) |
DE (1) | DE1562307B1 (de) |
GB (1) | GB1093841A (de) |
NL (1) | NL6500610A (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1133753B (de) * | 1961-01-04 | 1962-07-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Zeitglied fuer sehr lange Zeiten |
-
1964
- 1964-01-22 DE DE19641562307D patent/DE1562307B1/de active Pending
-
1965
- 1965-01-18 NL NL6500610A patent/NL6500610A/xx unknown
- 1965-01-21 BE BE658627A patent/BE658627A/xx unknown
- 1965-01-22 GB GB2969/65A patent/GB1093841A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1133753B (de) * | 1961-01-04 | 1962-07-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Zeitglied fuer sehr lange Zeiten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6500610A (de) | 1965-07-23 |
BE658627A (de) | 1965-05-17 |
GB1093841A (en) | 1967-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2306917B2 (de) | Drosselspule oder Transformator | |
DE2240538C3 (de) | Stromstabilisierungseinrichtung | |
DE1788106B2 (de) | Schaltungsanordnung zur sollwerteinstellung fuer die frequenzabhaengigen drehzahlen mehrerer in einem festen, einstellbaren drehzahlverhaeltnis zueinander stehender ueber freuqenzumformer gespeister wechselstrommotoren | |
DE1301698B (de) | Schaltungsanordnung zum Bearbeiten von Werkstuecken durch Funkenerosion | |
DE2720942A1 (de) | Frequenzwandler | |
DE2326487B2 (de) | Regeleinrichtung für eine elektrische Stromerzeugungsanlage | |
DE2811188C3 (de) | Josephson-Schaltkreis mit automatischer Rückstellung | |
DE1548831A1 (de) | Vorrichtung zur elektrischen Messung mehrerer Groessen | |
DE3427520C2 (de) | ||
DE1562307B1 (de) | Elektronischer Schalter | |
DE2726006A1 (de) | Hochspannungs-funktionsverstaerker- vorrichtung | |
EP0258214B1 (de) | Einrichtung zur kontrolle von elektrischen verbrauchern in kraftfahrzeugen | |
DE971855C (de) | Elektrisches Rueckfuehrnetzwerk, insbesondere fuer elektrische Regler | |
DE1215754B (de) | Elektronischer Schalter | |
DE1231296C2 (de) | Elektronische schaltanordnung mit mindestens zwei zweipoligen halbleiterschaltelementen | |
DE2417597B2 (de) | Astabiler multivibrator | |
EP0177804B1 (de) | Stromspeiseschaltung für ein Digitalisiertablett | |
DE1222973B (de) | Mehrstufiger Impulsverstaerker | |
DE1219076B (de) | Elektronische Schaltanordnung | |
DE1513670C (de) | Schaltungsanordnung zur Regelung eines durch einen Verbraucher fließenden elektrischen Stromes | |
DE2212286C3 (de) | Vorrichtung zur Steuerung des Stromes im Lastkreis einer Gleichstromquelle | |
DE1114846B (de) | Treiberschaltung fuer eine induktive Last | |
DE2129940C2 (de) | Festwertspeicher | |
DE2212594C3 (de) | Schaltungsanordnung zum Abfragen von mehreren gleichartigen Gebergeräten | |
DE1474504C3 (de) | Integrierender Magnetkernimpulsspeicher |