DE1217463B - Einrichtung zur Modulation - Google Patents
Einrichtung zur ModulationInfo
- Publication number
- DE1217463B DE1217463B DES89239A DES0089239A DE1217463B DE 1217463 B DE1217463 B DE 1217463B DE S89239 A DES89239 A DE S89239A DE S0089239 A DES0089239 A DE S0089239A DE 1217463 B DE1217463 B DE 1217463B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- converter
- photodiode
- voltage
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- REQCZEXYDRLIBE-UHFFFAOYSA-N procainamide Chemical compound CCN(CC)CCNC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 REQCZEXYDRLIBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C7/00—Modulating electromagnetic waves
- H03C7/02—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/34—Amplitude modulation by means of light-sensitive element
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/085—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light using opto-couplers between stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0047—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using photo-electric elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
H 03 c
Deutsche Kl.: 21 a4-14/01
Nummer: 1217 463
Aktenzeichen: S 89239IX d/21 a4
Anmeldetag: 27. Januar 1964
Auslegetag:' 26. Mai 1966
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur Modulation einer Trägerschwingung mit einer Signalschwingung,
die mit Mitteln zur frequenzselektiven Entnahme des geforderten Modulationsproduktes
versehen ist.
Als Modulatoren werden in der Praxis häufig neben Elektronenröhren mit mehreren Elektroden auch
Schaltungen mit Dioden angewendet, wie der Ringmodulator oder die bekannte Dioden-Überlagerungsstufe,
wie sie beispielsweise in Mikrowellenempfängern Anwendung findet. Bei Modulatoren dieser Art zeigt
sich, daß es relativ schwierig ist, wenigstens einzelne Anschlüsse gegenüber anderen Anschlüssen in einem
weiten Frequenzbereich praktisch vollkommen zu entkoppeln.
Bei einer Einrichtung zur Modulation einer Trägerschwingung mit einer Signalschwingung, die mit
Mitteln zur Frequenzselektiven Entnahme des geforderten Modulationsproduktes versehen ist, wird
erfindungsgemäß eine praktisch vollkommene Entkopplung wenigstens einzelner Anschlüsse dadurch
erreicht, daß wenigstens eine Emissionsdiode und wenigstens eine mit dieser optisch gekoppelte Photodiode
vorgesehen sind, daß die Emissionsdiode in den Stromkreis der einen der beiden Schwingungen mit
einbezogen ist und in den Stromkreis der Photodiode die Mittel zur frequenzselektiven Entnahme des
geforderten Modulationsproduktes eingeschaltet sind und daß in den Stromkreis der anderen Schwingung
eine der beiden Dioden oder eine mit der Photodiode optisch gekoppelte weitere Emissionsdiode einbezogen
ist.
Vorteilhaft ist es, wenn an Stelle einer einzelnen Emissionsdiodemehrere in Reihe geschaltete Emissionsdioden, deren Strahlung der oder den Photodiode(n)
zugeführt wird, vorgesehen sind. In diesem Zusammenhang empfiehlt es sich auch, wenn an Stelle einer
einzelnen Photodiode mehrere elektrisch parallelgeschaltete Photodioden vorgesehen sind.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die Schaltung zumindest auf der
Seite der Photodioden symmetrisch ausgeführt ist.
Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Die üblicherweise verwendeten Diodenmodulatoren weisen einen großen Nachteil auf: sie sind nicht
rückwirkungsfrei. Da die Diode ein Zweipol ist, ist auch keine Entkopplung der Ströme bzw. Spannungen
der einzelnen Frequenz möglich. Um Abhilfe zu schaffen, hat man schon Transistormodulatoren vorgeschlagen.
Bei diesen ist die die Modulation bewirkende nichtlineare Emitter-Basis-Strecke des Tran-Einrichtung
zur Modulation
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Hans-Norbert Toussaint, München;
Dipl.-Ing. Reginhard Pospischil, Graf elf ing
sistors durch ein nichtreziprokes Verstärkerelement (den Transistor) von der im Kollektorkreis des
Transistors befindlichen Last praktisch entkoppelt; Eine ausreichende Entkopplung, d. h. auch eine ausreichende
Rückwirkungsfreiheit des Transistormodulators läßt sich indessen nur bei relativ tiefen Frequenzen
erreichen, da bei höheren Frequenzen über die Kollektorkapazität und den Basiswiderstand des
Transistors der Kollektorkreis mit dem Eingangskreis gekoppelt ist.
Ziel der Erfindung ist es, einen auch bei hohen Modulationsfrequenzen (Größenordnung Gigahertz)
rückwirkungsfreien Modulator vorzuschlagen. Dieser besteht in seiner einfachsten Form aus einem elektrooptischen
Energiewandler und einem mit diesem, optisch gekoppelten optoelektrischen Wandler, wobei
der das Modulationsprodukt verarbeitende Verbraucher elektrisch in Reihe zum optoelektrischen
Wandler geschaltet ist. Die beiden miteinander zu modulierenden Signale werden entweder additiv dem
elektrooptischen Wandler zugeführt, oder das eine Signal wird dem elektrooptischen Wandler und das
andere Signal der Reihenschaltung aus optoelektrischem Wandler und Verbraucher zugeführt. Der erfindungsgemäße
Modulator ist rückwirkungsfrei, weil eine Lichtübertragung nur in Richtung vom elektrooptischen
zum optoelektrischen Wandler möglich ist.
Die F i g. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel für
einen Modulator gemäß der Erfindung. Die Quellen der beiden miteinander zu modulierenden Spannungen
mit den Frequenzen Co1 und ω2 sind mit 1 und 2
bezeichnet. Die Spannungen der genannten Quellen liegen additiv am elektrooptischen Wandler 3. Das
ist eine Emissionsdiode ζ. B. eine Gallium-Arsenid-
609 570/207
Diode, eine Gallium-Phosphid-Diode od. dgl., also Der optoelektrische Wandler 4, z. B. eine Photoeine
Einrichtung, die den sie durchfließenden elek- diode, setzt die einfallenden Lichtquanten mit dem
trischen Strom in elektromagnetische Strahlung um- Quantenwirkungsgrad?; in für den Stromtransport
wandelt und nichtlineare Eigenschaften hat. Zur zur Verfügung stehende elektrische Ladungsträger um
Einstellung eines günstigen Arbeitspunktes kann es 5
unter Umständen zweckmäßig sein, in Reihe zu den Q =η · N. (4)
beiden Spannungsquellen eine im Prinzipschaltbild
der F i g. 1 nicht dargestellte Gleichspannungsquelle Hierin bedeutet Q die pro Zeiteinheit erzeugten
einzuschalten. Der optoelektrische Wandler 4, das elektrischen Ladungsträger mit jeweils der Elementarist
z. B. eine Photodiode, ist in Reihe mit dem Ver- io ladung q.
braucher 5 und einer Gleichspannungsquelle 6 ge- Der durch den optoelektrischen Wandler fließende
schaltet. Unter einer Photodiode wird eine Ein- elektrische Strom Ib ist somit gegeben durch die
richtung verstanden, die elektromagnetische Strahlung Beziehung
in einen elektrischen Strom umwandelt. Den Verbrauchers in Fig. 1 stellt in der Praxis der im all- 15 lE — q-Q = q^-N — q^[b1 U8 + b2 U8 2 + ■··].
gemeinen komplexe Eingangswiderstand eines Filters /r\
in einen elektrischen Strom umwandelt. Den Verbrauchers in Fig. 1 stellt in der Praxis der im all- 15 lE — q-Q = q^-N — q^[b1 U8 + b2 U8 2 + ■··].
gemeinen komplexe Eingangswiderstand eines Filters /r\
dar, mit dessen Hilfe das gewünschte Modulations-
produkt herausgesiebt 'wird. Die vom elektrooptischen Der Strom ist um so größer, je größer der Quanten-
Wandler 3 ausgesandten Photonen — in F i g. 1 wirkungsgrad η ist. Bei Verwendung von sogenannten
durch die Wellenlinie 7 angedeutet — treffen auf den 20 Photowiderständen aus Cadmiumsulfid kann der
optoelektrischen Wandler 4, in dem sie elektrische Quantenwirkungsgrad wesentlich größer als 1 sein,
Ladungsträger erzeugen. z. B. 200. Der Quantenwirkungsgrad η ist jedoch
Die Wirkungsweise der Anordnung soll nachfolgend spannungsabhängig. Diese Spannungsabhängigkeit
erläutert werden. Die Leistung P8 des vom elektro- kann sich unter Umständen in der Anordnung nach
optischen Wandler abgestrahlten Lichtes ist gegeben 25 der F i g. 1 störend bemerkbar machen, wenn der
durch die Beziehung·; ■ Widerstandswert der Arbeitsimpedanz 5 so groß
gewählt wird, daß die an ihr auftretende Wechselns = N-EpJ1 = N'· h· f. (1) spannung nicht mehr klein gegen die Spannung der
Gleichspannungsquelle 6, z. B; einer Batterie, ist. Da
Hierin bedeutet N die Anzahl der pro Zeiteinheit 30 Photowiderstände jedoch Betriebsspannungen von
emittierten Photonen, Eph die Energie eines Photons, einigen hundert Volt erlauben, bedeutet die Spannungs-
h das Plancksche Wirkungsquantum und / die abhängigkeit ihres Quantenwirkungsgrades keinen
Frequenz des emittierten Lichtes. Voraussetzungs- schwerwiegenden Nachteil.
gemäß bestehe zwischen der Spannung U8= U1+ U2 Der Quantenwirkungsgrad für Halbleiterphoto-
am elektrooptischen Wandler 3 und der von diesem 35 dioden, z. B. aus Germanium, ist annähernd 1, z. B.
abgestrahlten Leistung P8 ein nichtlinearer Zusammen- 0,9. Der Quantenwirkungsgrad ist bei hinreichend
hang, der durch eine Potenzreihe beschreibbar ist. großen Sperrspannungen (>1V) praktisch unab
hängig von der Größe der an der Photodiode liegenden
Ps = Ci1Us + a2 U5 2 + · · ·. (2) Spannung, d. h., es sind bei Photodioden große
40 Arbeitswiderstände zulässig. Ein weiterer Vorteil der
Von besonderem Interesse als elektrooptische Photodioden ist, daß sie eine geringe Trägheit besitzen
Wandler sind die Elektrolumineszenzplatte und die und daher noch bei Modulationsfrequenzen im
neuerdings bekanntgewordene Ga-As-Emissionsdiode.· Gigahertzbereich verwendet werden können.
Man unterscheidet bei den Emissionsdioden zwei ■ Es wird angenommen, daß die Quelle 1 bei dem Typen. Der eine Typ sendet inkohärente Strahlung aus. 45 Modulator nach der F i g. 1 eine Spannung
per andere Typ sendet kohärente Strahlung aus. Die
Man unterscheidet bei den Emissionsdioden zwei ■ Es wird angenommen, daß die Quelle 1 bei dem Typen. Der eine Typ sendet inkohärente Strahlung aus. 45 Modulator nach der F i g. 1 eine Spannung
per andere Typ sendet kohärente Strahlung aus. Die
erfindungsgemäßen Anordnungen vermögen mit beiden U1 cos O)1 1
Typen zu arbeiten.
Aus den Gleichungen (1) und (2) läßt sich die pro erzeugt und die Quelle 2 die Spannung
Zeiteinheit emittierte Anzahl N von Photonen als 50
Funktion der Spannung Us ermitteln zu U2 cos co2t.
Zeiteinheit emittierte Anzahl N von Photonen als 50
Funktion der Spannung Us ermitteln zu U2 cos co2t.
, _ 1 . In Gleichung (5) ist dann die Spannung Us gegeben
JS - --Va1U8 + O2U8 + ■ · -j [ia) durch
- .. Λ Λ
oder mit der Zusammenfassung -L- · an = b» zu U8=U cos ω11 + U2 cos ω21. (6)
Unter der Annahme eines spannungsunabhängigen
N = bx Us + b2 U8 Z + ■ · ·. (3 b) Quantenwirkungsgrades η — dies läßt sich durch
geeignete Betriebsbedingungen zumindest näherungs-
Die Anzahl N der pro Zeiteinheit emittierten Licht- 60 weise erfüllen — erhält man mit Gleichung (5) den im
quanten ist also gleichermaßen eine nichtlineare Kreis des optoelektrischen Wandlersfließenden Strom/g
Funktion der Spannung U3= U1+ U2. zu
b-t U1COSCOi t + b-, U9COSmot + —boCUt* + UJ) A b% CZ1 2cos2O)1 1 A δ2 Z72 acos2ω2/
b-t U1COSCOi t + b-, U9COSmot + —boCUt* + UJ) A b% CZ1 2cos2O)1 1 A δ2 Z72 acos2ω2/
+ Jb2U1 U2 cos(CO1.+ Cu2Ji + b2Ux U2COs(CO1-co^t + ···\. ·. 0)
Neben den beiden Stromanteilen mit den gewünschten Frequenzen (Co1 + a>2) und/oder (W1 — W2)
treten auch noch Stromanteile mit unerwünschten Frequenzen auf.
In den vorstehenden Gleichungen wurde explizit jeweils nur bis zum quadratischen Glied entwickelt.;
In der Praxis müssen unter Umständen auch Glieder höherer Ordnung noch berücksichtigt werden. Dies
gilt vor allem bei Verwendung von kohärent strahlenden Emissionsdioden als elektrooptische Wandler.
Aus den Kennliniengleichungen lassen sich in für Diodenmischstufen an sich bekannter Weise auch die
Bedingungenfür die Arbeitspunkte und die Amplitudenverhältnisse
der einzelnen Signale ableiten, wovon hier aus Gründen der Übersichtlichkeit abgesehen wird.
Die Anteile mit unerwünschten Frequenzen lassen sich in an sich bekannter Weise durch entsprechende
Gestaltung der Schaltung unterdrücken. Als Beispiele hierfür zeigt die F i g. 2 einen Modulator, der einen
zweiten gegenphasig gespeisten elektrooptischen Wandler 8 verwendet, der gleichfalls optisch (Photonenstrom
9) mit dem optoelektrischen Wandler gekoppelt ist.
Es läßt sich zeigen, daß bei dieser Ausbildung der Schaltung und gleichen Arbeitsbedingungen für die
beiden elektrooptischen Wandler 3, 8, bezogen auf den optoelektrischen Wandler 4, Ströme mit den Frequenzen
Cu1 und ω2 im Ausgangskreis nicht auftreten.
Als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt die F i g. 3 einen Modulator mit zwei elektrooptischen
Wandlern 10,11, die jeweils mit einem optoelektrischen Wandler 12,13 optisch gekoppelt
sind. Die beiden Quellen 1, 2 sind über einen Übertrager 14 so zusammengeschaltet, daß am Wandler 10
die Summe der beiden Spannungen der Quellen 1 und 2, am Wandlern hingegen die Differenz der beiden
Spannungen der Quellen 1 und 2 auftritt. Die optoelektrischen Wandler sind in einer Brückenanordnung
geschaltet. Es läßt sich zeigen, daß der im Ausgangs-; kreis des Übertragers 15 gelegene Verbraucher 16
von Strömen der Frequenzen ω2, W1-^w2, O)1-Co2
durchflossen ist. Die Batterie 17 dient der Strom-, Versorgung der optoelektrischen Wandler. Der Übertrager
15 kann auch in Fortfall kommen, wenn der; Verbraucher 16 in den gemeinsamen Strompfad beider
optoelektrischen Wandler, z. B. wie gestrichelt angedeutet, eingeschaltet wird.
ίο Die F i g. 4 zeigt in Weiterbildung der Anordnung
nach der F i g. 1 einen Modulator, bei dem von der »Spannungsabhängigkeit des Quantenwirkungsgrades«
des optoelektrischen Wandlers 19 Gebrauch gemacht wird. »Spannungsabhängigkeit des Quantenwirkungsgrades«
ist hierbei rein formal als Ursache für die Spannungsabhängigkeit des durch den optoelektrischen
Wandler fließenden Stromes aufzufassen. Die physi-. kaiischen Ursachen können auch anderer Art sein,
z. B. ist die Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger ·
eine Funktion der elektrischen Feldstärke und damit;
der anliegenden Spannung.
Die Quelle 1 speist, gegebenenfalls unter Zwischen-. schaltung einer der Arbeitspunkteinstellung dienenden,
nicht dargestellten Gleichspannungsquelle, den elektrooptischen Wandler 17. Dieser sendet Photonen 18 aus,
die dem optoelektrischen Wandler 19 zugeführt werden. Der Wandler 19 ist mit einer Gleichspannungsquelle 20,
der Wechselspannungsquelle 2 und dem Verbraucher 21 in Reihe geschaltet. Drückt man die (scheinbare)
Spannungsabhängigkeit des Quantenwirkungsgrades in der Form
V=2Vo + Vi U2COSco2t (8a)
aus und setzt
Us = U1COSCO1I, (8 b)
Us = U1COSCO1I, (8 b)
so erhält man den durch den optoelektrischen Wandler fließenden Strom Ie zu
Ib = q(Vo + Vi U2COSw2I)Qj1 EZ1 COSCo1; + b2 U1 2COS2Co1; + · · ·).
(9)
Aus der Gleichung (9) ist erkennbar, daß eine Modulation auch dann eintritt, wenn zwischen der
Spannung am elektrooptischen Wandler 19 und der von 17 emittierten Leistung ein linearer Zusammenhang
besteht.
Bei Verwendung von Photodioden als optoelektrische Wandler in der Anordnung von F i g. 4
muß die Spannung der Quelle 2 so groß gewählt sein, daß die an der Photodiode wirksame Spannung
Ud= U2+ U20 einmal je Periode der Spannung der
Quelle 2 annähernd gleich Null ist oder sogar die Diode schwach in Flußrichtung polt.
Das an Hand von F i g. 4 erläuterte Prinzip ist auch in anderen Modulatorschaltungen, z. B. in
Gegentakt- oder in Brückenschaltungen, anwendbar.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt die F i g. 5, bei der von dem Schaltungsprinzip
der F i g. 4 ausgegangen wird. Die Signalquelle 2 ist hierbei jedoch mit einem gesonderten elektrooptischen
Wandler 22 in der vorgeschilderten Weise gekoppelt. Die elektromagnetische bzw. optische Strahlung des
Wandlers 22 wird dem optoelektrischen Wandler 19 zugeführt. Damit die geforderte Spannungssteuerung
mit dem Signal von 2 im Stromkreis des optoelektrischen Wandlers 19 erreicht wird, ist in diesen
Stromkreis ein auf die Frequenz von 2 abgestimmter Parallelresonanzkreis 24 eingeschaltet.
Abschließend sollen noch einige Bemerkungen zur Realisierung der optischen Kopplung zwischen den
elektrooptischen und den optoelektrischen Wandlern gemacht werden. Im einfachsten Falle wird man die
Austrittsöffnung der Strahlung des elektrooptischen Wandlers die Eintrittsöffnung für Strahlung des optoelektrischen
Wandlers berühren lassen. Zur Verbesserung der optischen Anpassung ist es jedoch
zweckmäßig, besondere optische Kopplungselemente vorzusehen. Hierfür kommen beispielsweise in Frage:
a) Eine Sammellinse, die im Strahlengang zwischen dem elektrooptischen Wandler und dem optoelektrischen
Wandler angeordnet ist und das Licht auf die lichtempfindliche Schicht des optoelektrischen
Wandlers bündelt.
b) Ein Spiegel, der das aus dem elektrooptischen Wandler austretende Licht gebündelt zum optoelektrischen
Wandler reflektiert.
c) Eine Faseroptik, wie einen sogenannten optischen Wellenleiter, z. B. aus Glasfiber.
Bei räumlich zu enger Anordnung der beiden optisch gekoppelten Wandler kann — sonst bedingt
durch kapazitive oder induktive Kopplung der beiden Wandler — doch noch eine unter Umständen unerwünschte
Rückwirkung auftreten. Die Rückwirkung
läßt sich durch größeren Abstand der beiden Wandler voneinander praktisch vermeiden.
Schließlich besteht auch die Möglichkeit, eine weitere Modulation im optischen Kanal vorzunehmen.
Hierfür eignen sich vorzugsweise Modulatoren, die den Kerr-Effekt oder Pockels-Effekt ausnutzen.
Die elektrische Reihenschaltung mehrerer Emissionsdioden und/oder die elektrische Parallelschaltung
mehrerer Photodioden hat im einzelnen folgende Vorteile. Bei der elektrischen Reihenschaltung mehrerer
Emissionsdioden hat die Bewegung einer bestimmten Anzahl Ladungsträger in einem differentiellen Leitungsabschnitt eine entsprechende Ladungsträgerbewegung
in jeder der Emissionsdioden zur Folge. In jeder der Emissionsdioden wird daher durch die entsprechende
gleichzeitigeLadungsträgerbewegung ein dem jeweiligen Quantenwirkungsgrad dieser Emissionsdiode entsprechender
Anteil an Photonen ausgelöst bzw. abgegeben. Selbst wenn also der Quantenwirkungsgrad
in der einzelnen Emissionsdiode wesentlich unter 100% hegt, dann läßt sich durch eine entsprechende
Anzahl von in Reihe geschalteten Emissionsdioden eine Photonenzahl erreichen, die gegenüber einer einzelnen
Emissionsdiode der Diodenanzahl entsprechend höher liegt. Man kann dann auf einen Quantenwirkungsgrad
größer als 100 % bzw. größer als 1 kommen.
Die von den einzelnen Emissionsdioden abgegebenen Photonen können nun an sich einer gemeinsamen
Photodiode zugeführt werden. Es ist dann nur erforderlich, die einzelnen Emissionsdioden entsprechend
auf die gemeinsame Photodiode auszurichten. In Weiterbildung der Erfindung sollen
mehrere Photodioden in elektrischer Parallelschaltung für die Signalströmung vorgesehen sein. Dabei kann
beispielsweise jeder Emissionsdiode eine Photodiode zugeordnet sein. Es können aber auch weniger oder
mehr Photodioden vorgesehen werden. In diesem Fall ist es dann nur erforderlich, den Photonenstrom
der Emissionsdioden entsprechend auf die einzelnen, für die Signalströme elektrisch parallelgeschalteten
Photodioden aufzuteilen. Mehrere Photodioden für eine Emissionsdiode empfehlen sich vor allem dann,
wenn die Emissionsdiode ihre Photonenstrahlung nicht in einen engen Raumsektor gebündelt, sondern
in einen größeren Bereich verteilt abgibt. Man kann dann den Verlust an Photonen, die nicht zu Photodioden
gelangen, nennenswert verringern.
Claims (4)
1. Einrichtung zur Modulation einer Trägerschwingung mit einer Signalschwingung, die mit
Mitteln zur frequenzselektiven Entnahme des geforderten Modulationsproduktes versehen ist, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine Emissionsdiode und wenigstens eine mit dieser
optisch gekoppelte Photodiode vorgesehen sind, daß die Emissionsdiode in den Stromkreis der einen
der beiden Schwingungen mit einbezogen ist und in den Stromkreis der Photodiode die Mittel zur
frequenzselektiven Entnahme des geforderten Modulationsproduktes
eingeschaltet sind und daß in den Stromkreis der anderen Schwingung eine der beiden Dioden oder eine mit der Photodiode
optisch gekoppelte weitere Emissionsdiode einbezogen ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle einer einzelnen Emissionsdiode
mehrere in Reihe geschaltete Emissionsdioden vorgesehen sind.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle einer einzelnen
Photodiode mehrere elektrisch parallelgeschaltete Photodioden vorgesehen sind.
4. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schaltung zumindest auf der Seite der Photodioden symmetrisch ausgeführt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 570/207 5.66 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84504A DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
DES88824A DE1180787B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES88823A DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES89239A DE1217463B (de) | 1963-04-01 | 1964-01-27 | Einrichtung zur Modulation |
CH378564A CH446548A (de) | 1963-04-01 | 1964-03-24 | Einrichtung zur Verstärkung und/oder Modulation, insbesondere für sehr kurze elektromagnetische Wellen |
NL6403216A NL6403216A (de) | 1963-04-01 | 1964-03-25 | |
FR969025A FR1401248A (fr) | 1963-04-01 | 1964-03-27 | Dispositif pour amplifier et moduler des ondes électriques |
SE3932/64A SE313378B (de) | 1963-04-01 | 1964-03-31 | |
GB13349/64A GB1022307A (en) | 1963-04-01 | 1964-04-01 | Improvements in or relating to circuit arrangements employing photo-electric devices |
BE646006D BE646006A (de) | 1963-04-01 | 1964-04-01 | |
US427183A US3384837A (en) | 1963-04-01 | 1965-01-21 | Modulator with emissive diode and photodiode for the modulation of a carrier oscillation with a signal oscillation |
US778355*A US3652859A (en) | 1963-04-01 | 1968-08-26 | Amplifier device using emission and photo diodes |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84504A DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
DES88824A DE1180787B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES88823A DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES89239A DE1217463B (de) | 1963-04-01 | 1964-01-27 | Einrichtung zur Modulation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1217463B true DE1217463B (de) | 1966-05-26 |
Family
ID=27437561
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES84504A Pending DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
DES88824A Pending DE1180787B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES88823A Pending DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES89239A Pending DE1217463B (de) | 1963-04-01 | 1964-01-27 | Einrichtung zur Modulation |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES84504A Pending DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
DES88824A Pending DE1180787B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES88823A Pending DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3384837A (de) |
BE (1) | BE646006A (de) |
CH (1) | CH446548A (de) |
DE (4) | DE1177212B (de) |
GB (1) | GB1022307A (de) |
NL (1) | NL6403216A (de) |
SE (1) | SE313378B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1278523B (de) * | 1966-09-27 | 1968-09-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verstaerkeranordnung mit fotoelektrischen Koppelelementen |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3518659A (en) * | 1965-07-19 | 1970-06-30 | Bell Telephone Labor Inc | High speed light switch |
JPS5531635B1 (de) * | 1969-12-05 | 1980-08-19 | ||
US3723737A (en) * | 1971-05-18 | 1973-03-27 | North American Rockwell | Infrared detection and control device |
US3755697A (en) * | 1971-11-26 | 1973-08-28 | Hewlett Packard Co | Light-emitting diode driver |
US3772916A (en) * | 1971-12-08 | 1973-11-20 | Bennett Pump Inc | Variable increment transducer for fluid flow metering systems |
JPS4889602A (de) * | 1972-02-25 | 1973-11-22 | ||
JPS4941056A (de) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
US4054794A (en) * | 1975-03-12 | 1977-10-18 | Varo, Inc. | Optical communications link |
US4177434A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Constant amplitude control of electromechanical oscillators |
SE414429B (sv) * | 1978-10-27 | 1980-07-28 | Asea Ab | Metdon med optisk signaloverforing |
US4356457A (en) * | 1980-09-02 | 1982-10-26 | General Dynamics, Pomona Division | Optic floating deck modulator |
DE3210086A1 (de) * | 1982-03-19 | 1983-09-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lumineszenzdiode, geeignet als drucksensor |
DE3633939A1 (de) * | 1986-10-04 | 1988-04-14 | Heraeus Gmbh W C | Uebertragung von signalen aus einer sensoreinheit |
FR2801742B1 (fr) | 1999-11-26 | 2002-05-03 | Centre Nat Rech Scient | Circuit hybride haute tension |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2648823A (en) * | 1950-01-06 | 1953-08-11 | Bell Telephone Labor Inc | Thermoelectric translation device |
US2776367A (en) * | 1952-11-18 | 1957-01-01 | Lebovec Kurt | Photon modulation in semiconductors |
US3040178A (en) * | 1957-07-09 | 1962-06-19 | Westinghouse Electric Corp | Logic circuitry |
US3072012A (en) * | 1958-07-07 | 1963-01-08 | Cluett Peabody & Co Inc | Wrinkle measuring device |
US3100282A (en) * | 1958-10-29 | 1963-08-06 | Beckman Instruments Inc | Shielding amplifier circuit |
US3043958A (en) * | 1959-09-14 | 1962-07-10 | Philips Corp | Circuit element |
US3183452A (en) * | 1959-12-17 | 1965-05-11 | Westinghouse Electric Corp | Multivibrator using electroluminescent-photoconductive control elements |
US3143655A (en) * | 1960-01-25 | 1964-08-04 | Malcolm W P Strandberg | Photosensitive switching device in a waveguide |
NL285461A (de) * | 1962-11-13 | |||
US3229104A (en) * | 1962-12-24 | 1966-01-11 | Ibm | Four terminal electro-optical semiconductor device using light coupling |
US3278814A (en) * | 1962-12-14 | 1966-10-11 | Ibm | High-gain photon-coupled semiconductor device |
US3138768A (en) * | 1962-12-17 | 1964-06-23 | Gary E Evans | Microwave diode switch having by-pass means to cancel signal leak when diode is blocked |
DE1264513C2 (de) * | 1963-11-29 | 1973-01-25 | Texas Instruments Inc | Bezugspotentialfreier gleichstromdifferenzverstaerker |
-
1963
- 1963-04-01 DE DES84504A patent/DE1177212B/de active Pending
- 1963-12-20 DE DES88824A patent/DE1180787B/de active Pending
- 1963-12-20 DE DES88823A patent/DE1180786B/de active Pending
-
1964
- 1964-01-27 DE DES89239A patent/DE1217463B/de active Pending
- 1964-03-24 CH CH378564A patent/CH446548A/de unknown
- 1964-03-25 NL NL6403216A patent/NL6403216A/xx unknown
- 1964-03-31 SE SE3932/64A patent/SE313378B/xx unknown
- 1964-04-01 GB GB13349/64A patent/GB1022307A/en not_active Expired
- 1964-04-01 BE BE646006D patent/BE646006A/xx unknown
-
1965
- 1965-01-21 US US427183A patent/US3384837A/en not_active Expired - Lifetime
-
1968
- 1968-08-26 US US778355*A patent/US3652859A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1278523B (de) * | 1966-09-27 | 1968-09-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verstaerkeranordnung mit fotoelektrischen Koppelelementen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3384837A (en) | 1968-05-21 |
NL6403216A (de) | 1964-10-02 |
GB1022307A (en) | 1966-03-09 |
SE313378B (de) | 1969-08-11 |
DE1180786B (de) | 1964-11-05 |
BE646006A (de) | 1964-10-01 |
CH446548A (de) | 1967-11-15 |
US3652859A (en) | 1972-03-28 |
DE1177212B (de) | 1964-09-03 |
DE1180787B (de) | 1964-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1217463B (de) | Einrichtung zur Modulation | |
EP0009220B1 (de) | Übertragungseinrichtung zur Übertragung von Signalen über eine optische Verbindung | |
DE2718792A1 (de) | Leistungsverstaerker | |
EP0010682A1 (de) | Übertragungseinrichtung zur Übertragung von analogen Signalen über eine optische Verbindung | |
DE2932068C2 (de) | Schaltungsanordnung zum ständigen Erzeugen eines Rufwechselstromsignals vorgegebener Frequenz und Amplitude | |
DE3638012A1 (de) | Treiber fuer einen halbleiterlaser | |
EP0254231B1 (de) | Optischer Überlagerungsempfänger für insbesondere phasensprungmoduliertes Licht | |
DE602004009919T2 (de) | Schaltung für einen verbesserten differenzialverstärker und andere anwendungen | |
EP0249270B1 (de) | Pulsbreitenmodulator | |
DE2444144A1 (de) | Fotodetektor zum ausgleichen von dispersion in optischen fasern | |
DE1216160B (de) | Anordnung zur verzerrungsarmen UEbertragung von Nachrichten mittels Laserstrahlen | |
DE2342294A1 (de) | Schaltungsanordnung zur galvanischen trennung von gleichstromsignalen | |
EP0280075A2 (de) | Optischer Polarisations-Diversitäts-Empfänger | |
DE2459496B2 (de) | ||
DE2058917A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Modulieren von Halbleiter-Laser | |
DE2814716C2 (de) | ||
EP0048490A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal | |
DE1762602A1 (de) | Elektrooptische Verstaerkereinrichtung | |
CH649877A5 (de) | Vorrichtung mit einem niederfrequenzverstaerker. | |
DE2831730C3 (de) | Modulations-Schaltung | |
DE3428839A1 (de) | Optisches bauelement | |
DE2713189C2 (de) | Gegentaktdiodenverstärker | |
DE2423259B1 (de) | Schaltungsanordnung mit mindestens zwei parallel geschalteten Transistoren | |
DE2257181A1 (de) | Schaltungsanordnung zur umwandlung von lichtsignalen in elektrische signale mit einer avalanche-photodiode | |
EP0307721B1 (de) | Optischer Überlagerungsempfänger mit Dreifachfaserkoppler |