DE1180787B - Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen - Google Patents
Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische SchwingungenInfo
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H03f
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Deutsche KL: 21 a2-18/08
S 88824 VIII a / 21 a2
20. Dezember 1963
5. November 1964
20. Dezember 1963
5. November 1964
Gegenstand der Patentanmeldung S 84504Villa/
21 a2 ist eine Verstärkereinrichtung für elektromagnetische Schwingungen mit wenigstens einer als Verstärkereingang
dienenden Emissionsdiode, die optisch mit wenigstens einer als Verstärkerausgang dienenden
Photodiode gekoppelt ist.
Der Erfindung liegt als Aufgabe die Weiterbildung der in der Hauptpatentanmeldung angegebene Verstärkereinrichtung
zugrunde, und zwar in der Weise, daß der Wirkungsgrad noch über den üblicherweise
erhältlichen Wert gesteigert wird.
Die Erfindung besteht darin, daß bei einer Verstärkereinrichtung nach der Hauptpatentanmeldung
der die Emissionsdiode durchfließende Ruhestrom so hoch gewählt ist, daß der hierdurch festgelegte
Arbeitspunkt unterhalb des maximal möglichen absoluten Quantenwirkungsgrades im Bereich maximalen
differentiellen Quantenwirkungsgrades liegt.
Es wird hierbei von folgender Überlegung ausgegangen:
In der F i g. 1 ist der Verlauf des Quantenwirkungsgrades
einer Emissionsdiode in Diagrammform gezeigt. Auf der Abszisse des Diagramms ist die Anzahl
η der der Emissionsdiode pro Zeiteinheit zugeführten elektrischen Ladungsträger aufgetragen. Auf
der Ordinate ist jeweils für die gleiche Zeiteinheit die Anzahl m der von der Emissionsdiode abgegebenen
Photonen angegeben. Der Verlauf des Quantenwirkungsgrades riQ ist dabei derart, daß der absolute
Wert 1 als Maximalwert erst bei sehr hoher Anzahl π elektrischer Ladungsträger pro Zeiteinheit erreicht
wird. Man ist daher in der Regel bestrebt, mit einem möglichst hohen Vorstrom die Emissionsdiode in
Flußrichtung zu beanspruchen, um den Quantenwirkungsgrad r\Q definiert als Anzahl der pro Zeiteinheit
abgegebenen Photonen zu der Anzahl der die Emissionsdiode pro Zeiteinheit durchfließenden Ladungsträger
möglichst dem Wert 1 zu nähern. Wie der Erfindung zugrunde liegende Untersuchungen jedoch
gezeigt haben, ist es vor allem bei der Anwendung derartiger Verstärkereinrichtungen für die Verstärkung
schwacher Signale wesentlich vorteilhafter, den Vorstrom nur so hoch zu wählen, daß die Emissionsdiode
im Bereich maximalen differentiellen Quantenwirkungsgrades liegt. Die Kurve des differentiellen
Quantenwirkungsgrades ätjq ist in der F i g. 1 gestrichelt
mit angedeutet und durch Differenzierung aus der anderen Kurve ableitbar. Man muß dann zwar,
im elektrischen Gesamtwirkungsgrad betrachtet, relativ viel Strom in Flußrichtung als Ruhestrom aufwenden
und erhält für diesen Ruhestrom relativ wenig Photonen. Es wird aber erreicht, daß bei einer
Verstärkereinrichtung für elektromagnetische Schwingungen
Zusatz zur Anmeldung: S 84504 VIII a / 21 a2-Auslegeschrift
1177 212
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Hans-Norbert Toussaint, München --
auch nur geringen Änderung der pro Zeiteinheit die Emissionsdiode durchfließenden Ladungsträger bereits
eine relativ sehr große'Änderung des Quantenwirkungsgrades und damit der-Modulationstiefe des
Photonenstromes der der Photodiode zugeführt wird, sich ergibt.
Eine Schaltung zur Einstellung dieses Arbeitspunktes ist in der F i g. 2 gestrichelt gezeigt. Die
Emissionsdiode wird nicht unmittelbar aus einer Batterie gespeist, sondern aus einem Spannungsteiler
P, mit Hilfe dessen der die-Diode durchfließende Ruhestrom gegebenenfalls über einen weiteren Vorwiderstand
R in gewünschtem Maße eingestellt werden kann. Die Einschaltung der gestrichelt angedeuteten
Induktivität L empfiehlt sich bei kleinen Werten des Vorwiderstandes R. Sie hat die Aufgabe, zu
verhindern, daß ein nennenswerter Anteil des Modulations-Wechselstromes, der über die Klemmen 1, 1'
zugeführt ist, über den Speisestromkreis fließt und muß zu diesem Zweck einen so hohen Impedanzwert
bei den Modulationsfrequenzen haben, daß die Speisestromzuführung hochohmig gegen den Modulationsstromkreis
ist.
Die übrige Ausbildung der Schaltung ist so, wie in der Hauptpatentanmeldung angegeben. Die elektromagnetische
Strahlung der Emissionsdiode D wird in der Photodiode PD absorbiert. In der Photodiode
PD wird durch Absorption von Lichtquanten (Pho-
■'-■ :■!'.■-■'·■-■■■' 409 710/280
tonen) eine entsprechende Anzahl elektrischer Ladungsträger gebildet. Diese Ladungsträger machen
sich in dem Ausgangskreis der Verstärkeranordnung (Ausgangsklemmen 7, 7', Batterie 8, Lastwiderstand 9)
in einem entsprechenden Strom bemerkbar. Die Batterie 8 ist so gepolt, daß durch sie die Photodiode 6
in Sperrichtung vorgespannt ist. Die an der Diode wirksame Vorspannung kann dabei analog zur Emissionsdiodenspeisung
ebenfalls über ein Potentiometer erfolgen und es empfiehlt sich auch hier den Speise-Stromkreis
gegen den Modulationsstromkreis zu entkoppeln. Im übrigen wird hinsichtlich der sonstigen
Ausbildung des Verstärkers auf die Hauptpatentanmeldung Bezug genommen.
Claims (1)
- 4
Patentanspruch:Verstärkereinrichtung für elektromagnetische Schwingungen mit wenigstens einer als Verstärkereingang dienenden Emissionsdiode, die optisch mit wenigstens einer als Verstärkerausgang dienenden Photodiode gekoppelt ist, nach Patentanmeldung S 84504 VIII a/21 a2, d a d u r c h g e kennzeichnet, daß der die Emissionsdiode durchfließende Ruhestrom so hoch gewählt ist, daß der hierdurch festgelegte Arbeitspunkt unterhalb des maximal möglichen absoluten Quantenwirkungsgrades im Bereich maximalen differentiellen Quantenwirkungsgrades liegt.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen409 710/280 10.64 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84504A DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
DES88823A DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES88824A DE1180787B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES89239A DE1217463B (de) | 1963-04-01 | 1964-01-27 | Einrichtung zur Modulation |
CH378564A CH446548A (de) | 1963-04-01 | 1964-03-24 | Einrichtung zur Verstärkung und/oder Modulation, insbesondere für sehr kurze elektromagnetische Wellen |
NL6403216A NL6403216A (de) | 1963-04-01 | 1964-03-25 | |
FR969025A FR1401248A (fr) | 1963-04-01 | 1964-03-27 | Dispositif pour amplifier et moduler des ondes électriques |
SE3932/64A SE313378B (de) | 1963-04-01 | 1964-03-31 | |
BE646006D BE646006A (de) | 1963-04-01 | 1964-04-01 | |
GB13349/64A GB1022307A (en) | 1963-04-01 | 1964-04-01 | Improvements in or relating to circuit arrangements employing photo-electric devices |
US427183A US3384837A (en) | 1963-04-01 | 1965-01-21 | Modulator with emissive diode and photodiode for the modulation of a carrier oscillation with a signal oscillation |
US778355*A US3652859A (en) | 1963-04-01 | 1968-08-26 | Amplifier device using emission and photo diodes |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84504A DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
DES88823A DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES88824A DE1180787B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES89239A DE1217463B (de) | 1963-04-01 | 1964-01-27 | Einrichtung zur Modulation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1180787B true DE1180787B (de) | 1964-11-05 |
Family
ID=27437561
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES84504A Pending DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
DES88824A Pending DE1180787B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES88823A Pending DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES89239A Pending DE1217463B (de) | 1963-04-01 | 1964-01-27 | Einrichtung zur Modulation |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES84504A Pending DE1177212B (de) | 1963-04-01 | 1963-04-01 | Verstaerkereinrichtung fuer elektromagnetische Schwingungen |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES88823A Pending DE1180786B (de) | 1963-04-01 | 1963-12-20 | Verstaerkereinrichtung fuer elektro-magnetische Schwingungen |
DES89239A Pending DE1217463B (de) | 1963-04-01 | 1964-01-27 | Einrichtung zur Modulation |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3384837A (de) |
BE (1) | BE646006A (de) |
CH (1) | CH446548A (de) |
DE (4) | DE1177212B (de) |
GB (1) | GB1022307A (de) |
NL (1) | NL6403216A (de) |
SE (1) | SE313378B (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2801742B1 (fr) | 1999-11-26 | 2002-05-03 | Centre Nat Rech Scient | Circuit hybride haute tension |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1963
- 1963-04-01 DE DES84504A patent/DE1177212B/de active Pending
- 1963-12-20 DE DES88824A patent/DE1180787B/de active Pending
- 1963-12-20 DE DES88823A patent/DE1180786B/de active Pending
-
1964
- 1964-01-27 DE DES89239A patent/DE1217463B/de active Pending
- 1964-03-24 CH CH378564A patent/CH446548A/de unknown
- 1964-03-25 NL NL6403216A patent/NL6403216A/xx unknown
- 1964-03-31 SE SE3932/64A patent/SE313378B/xx unknown
- 1964-04-01 BE BE646006D patent/BE646006A/xx unknown
- 1964-04-01 GB GB13349/64A patent/GB1022307A/en not_active Expired
-
1965
- 1965-01-21 US US427183A patent/US3384837A/en not_active Expired - Lifetime
-
1968
- 1968-08-26 US US778355*A patent/US3652859A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE646006A (de) | 1964-10-01 |
DE1180786B (de) | 1964-11-05 |
DE1177212B (de) | 1964-09-03 |
US3652859A (en) | 1972-03-28 |
SE313378B (de) | 1969-08-11 |
GB1022307A (en) | 1966-03-09 |
NL6403216A (de) | 1964-10-02 |
DE1217463B (de) | 1966-05-26 |
CH446548A (de) | 1967-11-15 |
US3384837A (en) | 1968-05-21 |
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