DE1216851B - Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung zur Herstellung epitaktischer Aufwachsschichten auf gleichzeitig mehreren einkristallinen Scheiben aus Halbleitermaterial - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung zur Herstellung epitaktischer Aufwachsschichten auf gleichzeitig mehreren einkristallinen Scheiben aus Halbleitermaterial

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GB38913/63A GB985371A (en) 1962-10-05 1963-10-03 Improvements in or relating to processes for the production of monocrystalline layers of semiconductor materials
FR949461A FR1372155A (fr) 1962-10-05 1963-10-03 Procédé pour faire croître épitaxialement des couches semi-conductrices sur des pastilles monocristallines de substance semi-conductrice

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE865160C (de) * 1951-03-07 1953-01-29 Western Electric Co Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE865160C (de) * 1951-03-07 1953-01-29 Western Electric Co Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper

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