DE1215813B - Verfahren zum AEtzen eines Halbleiterbauelements zum Verkleinern der pn-UEbergangsflaeche - Google Patents

Verfahren zum AEtzen eines Halbleiterbauelements zum Verkleinern der pn-UEbergangsflaeche

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DE1215813B
DE1215813B DEN22341A DEN0022341A DE1215813B DE 1215813 B DE1215813 B DE 1215813B DE N22341 A DEN22341 A DE N22341A DE N0022341 A DEN0022341 A DE N0022341A DE 1215813 B DE1215813 B DE 1215813B
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DEN22341A
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Albert Schmitz
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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    • C23F1/02—Local etching
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    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
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    • C25F3/12—Etching of semiconducting materials
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR1255899A (fr) * 1959-08-05 1961-03-10 Ibm Oscillateur et son procédé de fabrication

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR1255899A (fr) * 1959-08-05 1961-03-10 Ibm Oscillateur et son procédé de fabrication

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GB1023666A (en) 1966-03-23

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