DE1214787B - Flaechentransistor mit teilweise fallender Charakteristik und einem sperrfreien die Kollektor-pn-UEbergangsflaeche durchstossenden Stromengekontakt - Google Patents

Flaechentransistor mit teilweise fallender Charakteristik und einem sperrfreien die Kollektor-pn-UEbergangsflaeche durchstossenden Stromengekontakt

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DE1214787B DED37185A DED0037185A DE1214787B DE 1214787 B DE1214787 B DE 1214787B DE D37185 A DED37185 A DE D37185A DE D0037185 A DED0037185 A DE D0037185A DE 1214787 B DE1214787 B DE 1214787B
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1214787
Aktenzeichen: D 37185 VIII c/21 j
Anmeldetag: 4. Oktober 1961
Auslegetag: 21. April 1966
Flächentransistor mit teilweise fallender Charakteristik und einem sperrfreien, die KoUektor-pn-Übergangsfläche durchstoßenden Stromengekontakt.
Bekanntlich kann man zur Erzeugung von Schaltvorgängen ein Halbleiterbauelement mit einem fallenden Bereich der Stromspannungscharakteristik verwenden. Neben der bekannten Doppelbasisdiode kommen hier vor allem auch speichernde Schalttransistoren mit kurzen Sprungzeiten in Betracht, wie sie z. B. in der Zeitschrift für angewandte Physik, 8 (1956), S. 114 bis 119, bzw. als Doppelbasistransistor in der deutschen Auslegeschrift 1 054 584 beschrieben sind.
Bei solchen speichernden Schalttransistoren senkt ein von einem sperrfreien Stromengekontakt am Kollektor ausgehender Mehrheitsladungsträgerstrom das Potential von dem Emitter ab. Hierdurch wird die Injektion von Minderheitsladungsträgern vermehrt, was zum Auftreten eines fallenden Bereiches der Stromspannungscharakteristik führt. Schalttransistoren mit Stromengekontakt-Kollektorelektroden sind in der Zeitschrift für angewandte Physik, 9 (1957), 12, S. 621 bis 625, und in der Zeitschrift NTF, 5 (1956), S. 57 bis 64, beschrieben.
Sofern solche Schalttransistoren zur Verarbeitung von sehr kurzzeitigen Signalen in der Größenordnung von Nanosekunden ausgelegt werden sollen, müssen die Elektroden, an denen die Signale zugeführt oder abgenommen werden, räumlich sehr klein gemacht werden, um die an ihnen auftretenden Kapazitäten niedrig zu halten. Ferner sollen keine langen Laufzeiten der Ladungsträger im Halbleiterkörper auftreten. Ebenso sollen Ladungsspeicherzeiten vermieden werden. Der Schalttransistor soll im »Ein«- Zustand niederohmig und im »Aus«-Zustand hochohmig sein, also eine Schaltcharakteristik aufweisen. Trotzdem sollen die auftretenden i?C-Glieder klein bleiben. Alle Forderungen gleichzeitig zu erfüllen ist schwierig. Kleine Dimensionen der Elektroden und kleine Abstände der Elektroden untereinander, zumal auf verschiedenen Oberflächen eines Halbleiterstückes, bereiten fabrikatorische Schwierigkeiten, die das Bauelement wesentlich verteuern. Es ist Aufgabe der Erfindung, diese Schwierigkeiten zu vermeiden und die genannten Bedingungen zu erfüllen, was bei den bekannten Anordnungen nicht der Fall ist.
Die Erfindung bezieht sich auf einen Flächentransistor mit teilweise fallender Charakteristik, bei dem ein von einem sperrfreien, die Kollektor-pn-Übergangsfläche durchstoßenden Stromengekontakt ausgehender Mehrheitsladungsträgerstrom das Potential vor der Emitterzone absenkt und hierdurch die Flächentransistor mit teilweise fallender
Charakteristik und einem sperrfreien die
Kollektor-pn-Übergangsfläche durchstoßenden
Stromengekontakt
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2;
Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42;
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Als Erfinder benannt:
Dr. phil. Helmut Salow, Darmstadt
Injektion von Minderheitsladungsträgern aus der Emitterzone vermehrt. Ein solcher Flächentransistor wird erfindungsgemäß so gestaltet, daß auf einer Oberflächenseite des aus zwei Zonen unterschiedlichen spezifischen Widerstands und gleichen Leitungstyps bestehenden Halbleiterkörpers die drei Elektroden in der Weise angebracht sind, daß die sperrende Kollektorelektrode mit dem sperrfreien Stromengekontakt auf der hochohmigen Zone, die sperrfreie Basiselektrode auf der niederohmigen Zone und die sperrende Emitterelektrode zwischen der Basis und der Kollektorelektrode an der niederohmigen Zone am Übergang zur hochohmigen Zone sich befinden.
Dabei entsteht der fabrikatorische Vorteil, von der Dicke des verwendeten Halbleiterstücks ganz unabhängig zu werden. Es kann auf das Dünnschleifen des Halbleitermaterials und ebenso auf das epitaktische Aufwachsen dünner Schichten verzichtet wer-
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3 4
den. Die Dicke des Halbleiterkörpers wird auf eine transistors nachgebildet ist. Sie besteht aus einem für die Fabrikation bequeme Größe eingestellt. räumlich sehr kleinen !Bereich Oc, der hoch p+ Durch die Anwendung eines aus zwei Zonen mit dotiert, sperrfrei mit dem hochohmigen Halbleiterunterschiedlichem spezifischem Widerstand, aber teil Kontakt macht und als Stromengekontakt begleichem Leitfähigkeitstyp bestehenden Halbleiter- 5 zeichnet werden soll, und aus der sperrenden Elekkörpers lassen sich die eingangs erwähnten Porde- trode C, die ebenfalls noch kleine Dimension besitzt, rangen nach einer Schaltcharakteristik Wesentlich Im niederohmigen (p) Teil des Halbleiterkörpers, leichter erfüllen. aber auf der gleiöheh Oberfläche, sind die Emitter-
Wie bekannt, hängt die Eingangscharakteristik elektroden ί? und die Basiselektrode B angeordnet, eines Schalttransistors mit Widerstandssteüerung io Erstere hat eine geringe geometrische Ausdehnung, wesentlich vom Verhältnis rc: rB ab, wenn darin rB während die letztere, die sperrfrei über eine den Widerstand zwischen Emitter und Basis bezeich- p+-Schicht mit dem Halbleiterkörper Kontakt hat, net. rB soll daher in Weiterbildung der Erfindung ohne Beschränkung den unteren Teil des Halbleitersehr klein gegen rc sein. Dies läßt sich bei zweck- körpers bedecken kann. Alle Elektroden können mäßiger Weiterbildung des Erfindungsgedankens für 15 durch Diffusion oder durch Legierung oder durch eine Emitterfläche, die durch die Forderung nach eine Kombination von beiden Prozessen in an sich geringer Kapazität begrenzt wird, am besten dadurch bekannter Weise auf die Halbleiteroberfläche auferreichen, daß die Elektrode rechteckförmig aus- gebracht werden. Wegen der erwünschten kleinen gebildet wird uiid ihre Längsseite parallel mit der Dimensionen von Emitter und Kollektor können das Basiskante verläuft, daß der Abstand Emitter—Basis 20 in der Mesatechnik benutzte Aufdampfverfahren für niedrig gehalten sowie der spezifische Widerstand des die Legierungsbildung und das Abdeckverfahren mit Halbleitermaterials zwischen Emitter und Basis klein Phötölack für die selektive Diffusion an oxydierten gehalten ist und in der Größenordnung von 1 Ω ■ cm Si-Oberflächen mit Vorteil angewendet werden,
liegt. Der Transistor mit den nach der Erfindung ange-
Zur weiteren Vergrößerung des Widerstandsverhält- 25 ordneten Elektroden arbeitet in folgender Weise:
nisses rc: rB wird vorteilhaft der Bahnwiderstand (rc) Zwischen den Elektroden B und C wird eine Span-
zwischen Kollektor und Basis in der Größenordnung nüng, z. B. etwa 10 V, angelegt, derart, daß die
von ΙΟ5 Ω ausgebildet. Hierzu wird der spezifische Kollektorelektrode in Sperrichtung gegen den HaIb-
Widerstand des Halbleitermaterials zwischen Emitter leiterkörper und gegen die Basis vorgespannt ist.
und Kollektor groß gewählt und liegt in der Größen- m 30 G ist positiv gegen B. Über den öhmschen Bereich Oc
Ordnung von 1000 Ω ' cm. . in der Elektrode C fließt ein Mehrheitsladungsträger-
Zur Erzielung kleiner Umladezeiten sind vorteil- strom zur Basis, wie es von der Doppelbasisdiode
haft die Kapazitäten der Emitter- und Kollektor- und vom speichernden Schalttransistor her bekannt
elektroden durch kleinflächige Ausbildung möglichst ist, Dieser Strom führt ein elektrisches Feld in den
niedrig gehalten. 35 Halbleiterkörper ein, das den Ladungsträgertransport
Eine weitere Forderung für einen schnellen Schalt- beschleunigt und Ladungsspeichereffekte unterdrückt, transistor ist die, daß der Abstand zwischen Emitter Der ohmsche Bereich Oc und der spezifische Wider- und Kollektor klein sein muß. Auf der Strecke stand in ps definieren im wesentlichen den Kollektor-Emitter—Kollektor liegt bei der Zündung des Schal- widerstand rc. Dieses rc wird so groß gewählt, daß ters die eigentliche Laufzeit der Ladungsträger. Die 40 keine thermische Instabilität des Schaltelemente aüf-Elektronen laufen zwar in einem starken Zugfeld treten kann. Wenn rc auf 105Ω festgelegt wird, bevon mehreren kV/cm, das zwischen Basis und KoI- trägt der Strom zwischen C und 5 bei 10 V Kollektorlektor aufgespannt ist. Trotzdem kann die Laufzeit spännung nur 100 μΑ. Der Emitter E hat im Sperrnicht beliebig verkleinert werden, da eine endliche zustand des Schalters nur geringes positives Potential Entfernung zwischen Emitter und Kollektor aus 45 gegen die Basis, Die an ihm durch ein kleines posifertigungstechnischen Gründen bestehen bleiben muß tives Signal in den Halbleiter injizierten Elektronen und die anzuwendende Feldstärke, die unmittelbar werden von dem vorhandenen Feld nach Oc gezogen aus dem Halbleiter in das umgebende Medium über- und leiten durch Widerstandsabbau vor Oc wie bei tritt, mit 30 kV/cm, der Durchbruchsfeldstärke der der Doppelbasisdiode und beim Schalttransistor den Luft, begrenzt wird. In 50 automatischen Schalteffekt ein. Im durchgeschalteten
Fig. 1 ist der erfindungsgemäße Transistor iüi Zustand ist der Widerstand rc weitgehend durch
Schnitt sowie in der Aufsicht und in Ladungsübers'chwemmung bis auf den Restwider-
F i g. 2 ein Herstellungsverfahren zur gleichzeitigen stand rc abgebaut. Es fließt ein kräftiger Strom von E
Herstellung von mehreren Transistoren nach der nach C. Bei der Anordnung der drei Elektroden B,
Erfindung gezeigt. 55 E, C ist es wesentlich, daß E zwischen B und C
Ein Halbleiterkörper B von rechteckigem Quer- liegt, da nur in dieser Anordnung eine Steuerwirkuhg schnitt aus SÜiziunl nach der F i g. 1 ist in an sich auf C ausgeübt Werden kann,
bekannter Weise entweder durch einen selektiven An eineiü Beispiel soll die Dimensionierung der Diffusionsprözeß oder durch eine Umdotierüng wäh- Elektroden, der spezifischen Widerstände, des Basierend des Kristalkiehens m zwei Bereiche unterschied- 60 und des Kollektorwiderstands für einen Schalter, liehen spezifischen Widerstands geteilt. Dei obere dessen Schältzeit im Nanosekundenbereich liegen höchohmige Teil ist mit ps, der untere niederohmige soll, näher erläutert werden. Die nur beispielsweise mit ρ gekennzeichnet. Die Dotierungsdichten mögen gewählten Größen können natürlich in weiten Grensich in den beiden Bereichen z. B. etwa wie 1:1000 zen variiert werden, ohne die durch den Charakter verhalten. 65 der Erfindung gegebenen Vorteile zu verlieren.
Im hochohmigen Teil des Halbleiterkörpers ist die Die im folgenden angenommenen Werte lassen
Kollektorelektrode C des Schaltelements angeordnet, sich durch moderne Herstellungsverfahren der HaIb-
die der Kollektorelektrode des speichernden Sehalt- leitertechnik realisieren. Es mögen betragen:
Mittlerer Emitterström beim Schalten , 7£ ä* = 5 mA
1 214717
5 6
Kollektorpotential ...; VBC = 10 V
Basispotential VB = OV
Emitterpotential ; A VEB «i 2 V
Emitterpotentialsprung beim Schalten ..;... VEB ^ IV
Emitterstrom im Sperrzustand ; Ie ~ 1 JtA
Emitterzustand im Durchlaßzüstäiid ., IE = 10mA
T I T t
ρρί = 1000 Ω-cm,
ρ ρ = ΐΩ-em,
Abstand Emitter—Kollektor ;...... dEC = 10 μ
Breite des Emitters dE = 10 μ
Durchmesser des Kollektors Dc — 30 μ
Abstand des Emitters von der Basis .'. ■.:■.-.:-.-. dEB = 10 μ
Durchmesser des Stromengekontaktes : dc = 16 μ
Länge des Emitters ;..; lE = 30 μ
(Siehe hierzu F i g. 1 b.)
Mit diesen Daten lassen sich abschätzen:
Die Emitterkapazität , ti CE ta 1,5 ' lO-*2 F
die Kollektorkapazität : ., Cc «* 3,5' 10-1S ρ
der Kollektorwiderstand : rc ?» 10^ Ω';
rc'« 10 Ω
mittlerer Kollektorwiderstand beim Schälten ; <. ■ -... rc == (rcfc)% «ί ΙΟ3 Ω
der Basiswiderstand , ;,..;.., rB ?« 10ä
Die für eine Signalübertragung maßgebenden Umladezeiten von Emitter und Kollektor sowie die im Schalter auftretenden i?C-Glieder lassen sich größenordüüngsmäßig abschätzen zui
Aufladezeit des Kollektors , tc == Cc?c < 1Ö~8 Sekunden
Aufladezeit des Emitters s tE= < 10"9 Sekunden
Das Glied rß Q < ΙΟ"9 Sekunden
Das Glied rBCc <Ίθ-9 Sekunden
Die Laufzeit Emitter—Kollektor: mittel vorgesehen werden, die die Durchbrachsteld-
j .^g stärke der Luft anheben. Dazu sind Dielektrika ge-
tßc ~ —τ—b~- ' eigüet, die auf die Halbleiteroberfläche aufgetragen
F' werden. Eine wesentliche Verbesserung der Ober-
_ 10 · 1,8 · 10~4 4S flächenfestigkeit kann schon durch eine Oxydation
EC 1,5 · 103 · 0,9 · IG3 ' des Si gewonnen werden, die auch eine Oberflächen-
_ 1 a 1 n-q αν A löitung durch Verunreinigung aufhebt.
tEC ~ 1,0 ■ w »eKunaen, Bei der Fertigung aus Schaltelements wird man
1,8 = Formfaktor aus der Geometrie, Diffusions·- und Legierungsprozesse gleich für eine
cm2 50 Vielzahl von Schältern vorsehen. Da alle Manipula-
bP = bof(F) —=-—-——, tiönen nur auf einer Seite der Halbleiterplatte vor-
VoltseKunden genomrtien werden, kann das leicht durch Schablo-
i d A f di Elkd
u _ λ rrir) Gm2 nen öiit passenden Aussparungen für die Elektroden
~ Voltsekunden ' einer großeü Zahl von Bauelementen bewirkt werden.
ρ _ 1 Ann v/ $5 ^s Beispiel soll mit der F i g; 2 eine Fertigung des
— J-UUU v/cm, Schalters nach der für den Planartransistor bekann-
j(p\ _ Q.g jfyr -^QQQ X_ ten Technik beschrieben werden;
' cm' Als Aüsgängsrnäterial wird eine Si-Scheibe vom
p-Typ gewählt, dessen spezifischer Widerstand
Die in dieser Geometrie und Dimensionierang für 60 1000 Ω ■ cm beträgt (ps). Die Dicke der Scheibe ist
den Schaltvorgang wesentliche Größe ist also die beliebig, sie wird zweckmäßig auf 100 μ begrenzt.
Elektronenlaufzeit tEC zwischen Emitter- und KoI- Die ganze Scheibe wird oxydiert. Mit Hilfe von
lektor. Dieses tEC kann gegenüber den Atinahmen Phötolackabdeckung werden Streifen, die nach Fig. 2
der Rechnung noch verkürzt werden durch Verklei- mit ρ bezeichnet sind, über die ganze Oberfläche
rierung von dEC und Vergrößerung von F. Die Feld- 65 durch Flußsäurdätzung vom SiO2 befreit. An diesen
stärkeF kann bis zu einer Größe von etwa 100 kV/cm Stellen wird anschließend eine selektive Diffusion
gesteigert werden, bei der eine Stoßionisation der z. B. mit Ga vorgenommen, bis hier der spezifische
Ladungsträger beginnt. Dann müssen aber Hilfs- Widerstand des Materials etwa 1Ω · cm beträgt und
das Ga bis etwa zur Mitte der Dicke der ganzen Platte vorgedrungen ist. Der ganze Prozeß wird nunmehr zur Darstellung der sperrfreien Übergänge an Basis und Stromengekontakt wiederholt: Oxydation, selektive Abdeckung mit Photolack, Ätzung und anschließende Diffusion, diesmal in einem Streifen, der in F i g. 2 mit p+ bezeichnet ist und an den Stellen Oc (nach Fig. 1).
Die Diffusion soll hoch dotieren, aber nicht tief eindringen. Eine kurze Bordiffusion bei hohen Tem- ίο peraturen ist dafür geeignet. Danach wiederholt sich der oben beschriebene Ablauf noch einmal. Es wird an den StellenC und E (nach Fig. 1) eine Arsendiffusion kombiniert mit einer Oxydation vorgenommen, bis eine Umdotierung gegenüber dem ps- und p-Material eingetreten ist.
In einem letzten Arbeitsgang der vorbeschriebenen Art werden nach Entfernung der Oxydschichten an den Stellen der Elektroden Metallbelegungen an die Elektroden gebracht, an denen später die metallischen Zuführungsdrähte angelötet werden. Erst jetzt werden die Schalter voneinander getrennt. Dabei können die Bauelemente einzeln aus der Platte herausgeschnitten werden. Es können aber auch nach einer Weiterbildung des Verfahrens mehrere Elemente zu einem Bauteil verarbeitet werden, das dann allerdings nur eine Basiselektrode besitzt. Die geschilderte Technik bietet den Vorteil, daß mit Ausnahme der metallischen Belegungen die ganze Si-Oberfläche oxydiert ist und stabile Oberflächenverhältnisse auch an den Stellen hoher Feldstärke geschaffen werden.
Es ist auch eine Abwandlung des beschriebenen Verfahrens dergestalt möglich, daß die sperrenden Übergänge am Emitter und/oder Kollektor durch eines der bekannten Legierungsverfahren gebildet werden.

Claims (13)

Patentansprüche: 40
1. Flächentransistor mit teilweise fallender Charakteristik, bei dem ein von einem sperrfreien, die Kollektor-pn-Übergangsfläche durchstoßenden Stromengekontakt ausgehender Mehrheitsladungsträgerstrom das Potential vor der Emitterzone absenkt und hierdurch die Injektion von Minderheitsladungsträgern aus der Emitterzone vermehrt, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Oberflächenseite des aus zwei Zonen unterschiedlichen spezifischen Widerstands und gleichen Leitungstyps bestehenden Halbleiterkörpers (H) die drei Elektroden in der Weise angebracht sind, daß die sperrende Kollektorelektrode (C) mit dem sperrfreien Stromengekontakt (Oc) auf der hochohmigen Zone (ps), die sperrfreie Basiselektrode (B) auf der niederohmigen Zone (p) und die sperrende Emitterelektrode (E) zwischen der Basis- (B) und der Kollektorelektrode (C) an der niederohmigen Zone (p) am Übergang zur hochohmigen Zone (ps) sich befinden (Fig. 1).
2. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erzielen einer günstigen Schaltcharakteristik der Widerstand zwischen Emitter- und Basiselektrode (rB) klein gegenüber dem Widerstand zwischen Kollektor- und Basiselektrode (rc) ist.
3. Flächentransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode (E) rechteckförmig ausgebildet ist und ihre Längsseite parallel zum Rand der Basiselektrode (B) verläuft.
4. Flächentransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der Emitterelektrode (E) und der Basiselektrode (B) möglichst klein gehalten ist.
5. Flächentransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand des Halbleitermaterials zwischen der Emitter- und der Basiselektrode in der Größenordnung von 1Ω · cm liegt.
6. Flächentransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Bahnwiderstand (rc) zwischen der Kollektor- und der Basiselektrode in der Größenordnung von ΙΟ5 Ω liegt.
7. Flächentransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand des Halbleitermaterials (ps) zwischen derEmitter- und der Kollektorelektrode in der Größenordnung von 1000 Ω · cm liegt.
8. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erzielen kleiner Umladezeiten die Kapazitäten der Emitter- und Kollektorelektrode durch kleinflächige Ausbildung möglichst niedrig gehalten sind.
9. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erzielen kleiner Laufzeiten der Minderheitsladungsträger im Zugfeld der Abstand zwischen der Emitter- (E) und der Kollektorelektrode (C) möglichst klein gehalten ist. .
10. Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen mehrerer Flächentransistoren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine etwa 100 μ dicke Siliziumscheibe vom p-Typ mit etwa 1000 Ω · cm spezifischem Widerstand (ps) zunächst oxydiert und anschließend an über die gesamte Scheibe verlaufenden Streifen (p) einer selektiven Diffusion mit Gallium unterzogen wird, die etwa bis zur Mitte der Dicke der Siliziumscheibe vordringt und einen spezifischen Widerstand des Siliziums von etwa 1 Ω · cm ergibt, daß danach zum Darstellen der sperrfreien Übergänge an der Basiselektrode (B) und am Stromengekontakt (Oc) eine zweite selektive Diffusion mit Bor erfolgt, daß darauf zur Darstellung der sperrenden Übergänge am Emitter (E) und gegebenenfalls am Kollektor (C) eine dritte selektive Arsendiffusion mit gleichzeitiger Oxydation vorgenommen wird, die eine Umdotierung gegenüber dem p- und gegebenenfalls dem ps-Silizium bewirkt, und daß anschließend die durch den vorhergehenden Prozeß gebildete Oxydschicht an den Stellen entfernt wird, an denen Metallbelegungen zur Kontaktierung angebracht werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Transistorelemente mit einer gemeinsamen Basiselektrode, aber getrennten Emitter- und Kollektorelektroden gebildet werden.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Transistoren voneinander getrennt werden.
13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die sperrenden Übergänge an der Emitterelektrode und/oder an der Kollektorelektrode durch Legieren gebildet werden.
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DE1047316B (de) * 1953-08-12 1958-12-24 Gen Electric Halbleiteranordnung mit einem langgestreckten Halbleiterkoerper vom einen Leitungstyp und ohmschen Elektroden an den Enden
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