DE1210954B - Esakidiode - Google Patents

Esakidiode

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DE1210954B
DE1210954B DEJ21975A DEJ0021975A DE1210954B DE 1210954 B DE1210954 B DE 1210954B DE J21975 A DEJ21975 A DE J21975A DE J0021975 A DEJ0021975 A DE J0021975A DE 1210954 B DE1210954 B DE 1210954B
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DE
Germany
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germanium
doping
arsenic
atoms
doped
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Pending
Application number
DEJ21975A
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German (de)
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Inventor
Samuel Sung-Soon Im
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International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00Diodes
    • H10D8/70Tunnel-effect diodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00
    • H10P95/50
    • H10W74/10
    • H10W72/5363
    • H10W72/59
    • H10W72/932
    • H10W72/934

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  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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CH401274A (de) 1965-10-31
GB996152A (en) 1965-06-23
FR1326982A (fr) 1963-05-10
US3267339A (en) 1966-08-16

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