DE1207920B - Verfahren zum Herstellen sauerstofffreier, verwerfungsfreier Halbleitereinkristalle durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze - Google Patents

Verfahren zum Herstellen sauerstofffreier, verwerfungsfreier Halbleitereinkristalle durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze

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DE1207920B DEG25999A DEG0025999A DE1207920B DE 1207920 B DE1207920 B DE 1207920B DE G25999 A DEG25999 A DE G25999A DE G0025999 A DEG0025999 A DE G0025999A DE 1207920 B DE1207920 B DE 1207920B
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William Carter Dash
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    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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