DE1188661B

DE1188661B - Leseverstaerker fuer Magnetkernspeichermatrizen

Info

Publication number: DE1188661B
Application number: DEST19000A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Hans-Peter Kiessling; Dipl-Phys Hans Reiner
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1962-03-23
Filing date: 1962-03-23
Publication date: 1965-03-11
Also published as: BE629924A; GB966285A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. CL:

H03f

Deutsche KL: 21 a2-18/08

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

1188 66t

St 19000 VTH a/21 a2
23. März 1962
11. März 1965

Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetkemspeichermatrix, insbesondere auf eine Verstärkereingangsschaltung für die Auswertung der Lesesignale.

Da bei Einzelkernaufruf durch Stromkoinzidenz von den nur mit Halbstrom beaufschlagten Speicherkernen Störsignale in der Leseleitung auftreten, ist es allgemein üblich, den Lesedraht im Zickzack durch alle Kerne der Matrix zu führen, so daß sich die Störsignale weitgehend kompensieren.

Infolge der besonderen Führung des Lesedrahtes treten abhängig von der Steuerung der Kern-Aufruf-Ströme unipolare oder bipolare Lese-Nutz-Signale an den freien Enden des Lesedrahtes auf.

Die Nutzsignale treten an den freien Enden der Leseschleife paarweise gegenphasig auf. Außer den Nutzsignalen können durch kapazitive oder induktive Einkopplungen auch noch gleichphasige Störsignale, möglicherweise mit großer Amplitude im Verhältnis zu den Nutzsignalen, auftreten. Sie können den Verstärker blockieren und zu einer Fehlaussage führen. Zur Unterdrückung dieser gleichphasigen Störsignale verwendet man bisher Eingangsübertrager, welche die primärseitig auftretenden Störsignale sekundärseitig unwirksam werden lassen. Bei bipolaren Nutzsignalen und Einkanalverstärkung benötigt man noch einen zweiten Übertrager, um die verstärkte Spannung über eine Doppelweggleichrichterschaltung einem Amplitudendiskriminator zuzuführen.

Derartige Schaltungen sind vorteilhaft für kleinere Matrizen, bei welchen das hochfrequente Störsignal der mit Halbstrom beaufschlagten Speicherkerne klein ist und durch Integration so verschliffen wird, daß eine Auswertung des Lesesignals durch reine Amplitudendiskrimination möglich ist.

Bei großen Matrizen mit größerem Störsignal ist zur Auswertung die zeitliche Ausblendung eines Teiles des Nutzsignals erforderlich. Das Lesesignal muß dabei mit den hochfrequenten Anteilen des Störsignals unverfälscht übertragen werden. Da der Kernaufruf auch mit niedriger Folgefrequenz erfolgen kann, sind also hochwertige Breitbandübertrager nötig, die sehr teuer und schwer realisierbar sind.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Ausgangsschaltung für die Leseleitung einer Magnetkernspeichermatrix anzugeben, bei der die üblichen Übertrager nicht erforderlich sind, und bei der die gegenphasigen Wechselspannungen verstärkt und die gleichphasigen Wechselspannungen gedämpft werden.

Die Erfindung betrifft also eine Leseverstärkerschaltung für Magnetkernspeichermatrizen. Sie ist gekennzeichnet durch zwei als Linearverstärker arbei-

Leseverstärker für Magnetkernspeichermatrizen

Anmelder:

Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft,

Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42

Als Erfinder benannt:

Dipl.-Ing. Hans-Peter Kiessling,

Ludwigsburg-Oßweil;

Dipl.-Phys. Hans Reiner, Leonberg (Württ.) -

tende Transistoren, deren Basen jeweils mit einem der beiden freien Enden der Leseschleife und deren Emitter jeweils mit demjenigen Ende der Leseschleife, mit dem die Basis des anderen Transistors verbunden ist, über ein Verkopplungsnetzwerk zusammengeschaltet sind, welches derart ausgebildet ist, daß eine Kompensation von gleichphasigen

^a5 Wechselspannungen erfolgt, während die gegenphasigen Wechselspannungen addiert werden.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Figur erläutert, in der die Transistorschaltung als Eingangsstufe einer Leseschaltung für Matrixspeicher

verwendet wird, bei denen die Lesesignale bipolar auftreten.

Die Leseschleife 1 ist schematisch dargestellt; sie besitzt die beiden freien Ausgangsklemmen E und E'. Die Klemme E ist über den Widerstand Rl mit der Basis des Transistors TrI und über den Kondensator Cl und den Widerstand R 2 mit dem Emitter des Transistors Tr 2 verbunden, während die Klemme E' über den Widerstand R Γ mit der Basis des Transistors Tr 2 und über den Kondensator Cl' und den Widerstand R 2' mit dem Emitter des Transistors TrI gekoppelt ist.

Diese Koppelglieder sowie die nicht näher bezeichneten weiteren Widerstände sind nun so geschaltet und dimensioniert, daß die Transistoren als Linearverstärker arbeiten. Ferner bewirken die jeweils an der Basis und dem Emitter eines Transistors anliegenden Eingangsspannungen infolge des Verkopplungsnetzwerkes gleich große Beiträge zu der Ausgangsspannung an der Klemme A bzw. Ä. Dies be-

deutet bei gleichphasigen Eingangssignalen wegen der Phasendrehung um annähernd 180° zwischen Basis und Kollektor, daß diese am Ausgang nicht wirksam

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werden, da sich die beiden Beiträge kompensieren. Bei gegenphasigen Eingangsspanmiegen addieren sich die beiden Beiträge, so daß man den doppelten Betrag der durch den Verstärkungsfaktor bedingten Alisgangsspannung erhält. ,

Für das Verkopplungsrietzwerk ist im" allgemeinen zu beachten^ daß die Kapazitäten Cl und CV groß sind, so daß sie für die zu übertragenden Frequenzen nahezu einen wechselstrommäßjgen Kurzschluß darstellen. Außerdem ^ÖH'die Gegenkopplung groß sein, damit die Spannungsverstärkung von Schwankungen der Transistorkerngrößen weitgehend unabhängig ist.

Die Erfindung ist beispielsweise für die Auswertung der Lesesignale einer Ferritkernmatrix beschrieben, doch kann die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung überall dort angewendet werden, wo⁰" gleichphasige symmetrische Signale gedämpft

, ν'

bzw; unterdrückt und gegenphasige verstärkt werden sollen. :\

Claims

Patentanspruch:

Leseverstärkerschaltung für Magnetkernspeichermatrizen, gekennzeichnet du-rch zwei· als Linearverstärker arbeitende Transistoren (TrI ■\ und Tr 2), deren Basen jeweils mit einem der beiden ffeien Enden (E, E') der Leseschleife (1)

ίο und deren Emitter jeweils mit demjenigen Ende der Leseschleife, mit dem die Basis des anderen Transistors verbunden ist, über ein Verkopplungsnetzwerk (CIi?2, CVR2') zusammengeschaltet sind, welches derart ausgebildet ist, daß eine Kompensation von gleichphasigen Wechselspannungen erfolgt, während die gegenphasigen Wechselspannungen addiert werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen