DE1180406B - Schaltungsanordnung zum Verstaerken von Impulsen mit einstellbarer Dauer der Ausgangsimpulse - Google Patents

Schaltungsanordnung zum Verstaerken von Impulsen mit einstellbarer Dauer der Ausgangsimpulse

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Publication number
DE1180406B
DE1180406B DES80334A DES0080334A DE1180406B DE 1180406 B DE1180406 B DE 1180406B DE S80334 A DES80334 A DE S80334A DE S0080334 A DES0080334 A DE S0080334A DE 1180406 B DE1180406 B DE 1180406B
Authority
DE
Germany
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magnetic core
circuit arrangement
winding
pulses
voltage source
Prior art date
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Pending
Application number
DES80334A
Other languages
English (en)
Inventor
Karl Illenberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Publication of DE1180406B publication Critical patent/DE1180406B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H03K3/315Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/45Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of non-linear magnetic or dielectric devices

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung zum Verstärken von Impulsen mit einstellbarer Dauer der Ausgangsimpulse Zusatz zum Patent: 1125 481 Das Hauptpatent bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zum Verstärken von Impulsen mit einstellbarer Dauer der Ausgangsimpulse, bei der ein über eine Wicklung mit der Emitter-Basis-Strecke eines Transistors verbundener Magnetkern mit annähernd rechteckförmiger Hystereseschleife Verwendung findet. Das Wesen der Erfindung des Hauptpatentes liegt darin, daß die Schaltzeit des Magnetkernes eingestellt wird und Mittel vorgesehen sind, die nur während der Ummagnetisierung des Magnetkernes einen Stromfluß im Transistor zulassen.
  • Die Schaltzeit des Magnetkernes einer solchen Schaltungsanordnung läßt sich auf verschiedene Weise einstellen. Beispielsweise ist es möglich, den Magnetkern jeweils nach einer Ummagnetisierung nicht wieder vollständig zurückzumagnetisieren. Eine andere Möglichkeit geht von der Erkenntnis aus, daß die Schaltzeit eines Magnetkernes von der ihn erregenden Feldstärke abhängig ist, und besteht darin, daß der zur Rückmagnetisierung des Magnetkernes über die Einstellwicklung fließende Strom auch während der Ummagnetisierung des Magnetkernes fließt und in seiner Größe veränderbar ist. Eine auf der gleichen Erkenntnis beruhende andere Möglichkeit besteht darin, daß eine mit einem regelbaren Widerstand versehene Wicklung auf dem Magnetkern angebracht ist. Dadurch wird erreicht, daß in dieser Wicklung ein von der Größe des regelbaren Widerstandes abhängiger Strom fließt, der in dem Magnetkern ein dem erregenden Magnetfeld entgegengesetztes und dieses teilweise kompensierendes Magnetfeld erzeugt. Nachteilig bei der zuletzt genannten Möglichkeit zur Einstellung der Schaltzeit ist, daß die Schaltzeit und damit die Dauer des von der Schaltungsanordnung abgegebenen Impulses außer von der Größe des Widerstandes von dem Rückmagnetisierungsstrom und vom Basis-Eingangswiderstand des mit dem Magnetkern verbundenen Transistors abhängig ist. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, in Weiterbildung der Erfindung gemäß dem Hauptpatent eine Schaltungsanordnung anzugeben, bei der die Schaltzeit des Magnetkernes nur von einer Größe abhängig ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird dies dadurch erreicht, daß mit einer der auf dem Magnetkern angebrachten Wicklungen ein Richtleiter sowie eine in Reihe geschaltete Spannungsquelle so verbunden ist, daß der Richtleiter im Ruhezustand der Schaltungsanordnung durch die Spannungsquelle in Sperrrichtung beaufschlagt ist, während der Ummagnetisierung jedoch leitend wird. Die Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung hat gegenüber den bekannten Anordnungen den großen Vorteil, daß die Schaltzeit des Magnetkernes und damit die Dauer der von der Schaltungsanordnung abgegebenen Impulse nur von der Größe der Spannung der mit dem Magnetkern verbundenen Spannungsquelle ist.
  • Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Zeichnung näher erläutert.
  • Die Zeichnung zeigt eine im wesentlichen aus einem Magnetkern M und einem Transistor T bestehende Schaltungsanordnung. Auf dem Magnetkern Mist zunächst eine Eingangswicklung W 1, eine Rückstellwicklung W2, eine mit der Emitter-Basis-Strecke des Transistors T verbundene Wicklung W 3 und eine Rückkopplungswicklung W 4, die mit dem Verbraucher Rv in Serie gmhaltet ist, angebracht. Insoweit handelt es sich um die aus F i g. 1 des Hauptpatentes bekannte Schaltungsanordnung. Dabei ist mit der Emitter-Basis-Strecke des Transistors T und der damit verbundenen Wicklung W 3 ein Widerstand R 2 in Serie geschaltet, der von einem Strom derart durchflossen wird, daß der an ihm auftretende Spannungsabfall den Transistor T sicher sperrt, solange der Magnetkern M nicht ummagnetisiert wird. Zur Erzeugung dieses Stromes ist der Widerstand R 2 einerseits über den Widerstand R 1 an ein erstes Potential U 1 und andererseits mit seinem am Emitter des Transistors T liegenden Ende über den Richtleiter D 1 an ein zweites Potential U 2 angeschlossen, wobei das Potential U 1 positiv gegenüber dem Potential U 2 ist.
  • Dieser Teil der Schaltungsanordnung arbeitet wie folgt: Ist der Magnetkern M vor dem Eintreffen eines Eingangsimpulses über die Rückstellwicklung W 2 z. B. in die »Eins«-Lage gebracht worden, so bewirkt ein Eingangsimpuls über die Wicklung W 1 die Auslösung eines Ummagnetisierungsvorganges von der »Eins«-Lage in die »Null«-Lage. Während der Zeit dieser Ummagnetisierung, d. h. während der Schaltzeit des Magnetkernes, wird an der mit der Emitter-Basis-Strecke des Transistors T verbundenen Wicklung W 3 eine Spannung induziert, die den Transistor T durchlässig steuert. Mit Hilfe des im Kollektorkreis über die Rückkopplungswicklung W 4 fließenden Stromes wird der Transistor so lange in seinem leitenden Zustand gehalten, bis der Magnetkern vollständig ummagnetisiert ist. Sofort nach Beendigung dieser Ummagnetisierung des Magnetkernes M wird der Transistor T infolge der mit Hilfe der Spannungsquelle U2 über den Widerstand R2 erzeugten Basisvorspannung gesperrt. Es fließt also nur während der Ummagnetisierung, d. h. also während der Schaltzeit des Magnetkernes ein Kollektorstrom, der als Ausgangsimpuls bestimmter Dauer dem Verbraucher Rv zugeführt wird.
  • Soweit die Wirkungsweise des aus F i g. 1 des Hauptpatentes bekannten Teiles der dargestellten Schaltungsanordnung. Über die Wicklungen W 1 bis W 4 hinaus besitzt der Magnetkern M aber noch eine Wicklung W 5, die mit einer Spannungsquelle U 3 und einem Richtleiter D 2 in Reihe geschaltet ist. Dabei ist die Polarität der Spannungsquelle U 3 bzw. des Richtleiters D 2 so gewählt, daß der Richtleiter D 2 im Ruhezustand der Schaltungsanordnung in Sperrrichtung gepolt ist. Die Größe der von der Spannungsquelle U 3 abgegebenen Spannung soll einstellbar sein.
  • Dieser Teil der dargestellten Schaltungsanordnung arbeitet wie folgt: Sobald die Ummagnetisierung von der »Eins«-Lage in die »Null«-Lage unter der Einwirkung eines Eingangsimpulses auf der Wicklung W 1 einsetzt, wird in der Wicklung W 5 genau so wie in den übrigen Wicklungen des Magnetkernes und insbesondere der Wicklung W 3, die den Transistor T durchlässig steuert, eine Spannung induziert. Während der Ummagnetisierung des Magnetkernes unter der Einwirkung des in der Rückkopplungswicklung W 4 des Magnetkernes M fließenden Stromes steigt die Spannung an der Wicklung W 5 an. Solange diese Spannung kleiner ist als die von der Spannungsquelle U3 abgegebene Spannung, fließt über die Reihenschaltung aus der Wicklung W5, der Spannungsquelle U 3 und dem Richtleiter D 2 praktisch kein Strom. Erreicht aber die Spannung an der Wicklung W 5 die Spannung der Spannungsquelle U 3 bzw. überschreitet sie diese geringfügig, dann geht der Richtleiter von seinem hochohmigen Zustand in seinen niederohmigen Zustand über, und es fließt ein Strom in dem genannten Stromkreis. Dieser Strom bewirkt die Ausbildung eines Magnetfeldes in dem Magnetkern M, welches aber demjenigen Magnetfeld, welches durch den Eingangsimpuls über die Wicklung W 1 hervorgerufen wird bzw. dem Magnetfeld der Rückkopplungswicklung entgegengesetzt ist. Dieses von der Wicklung W 5 hervorgerufene Magnetfeld kompensiert also teilweise das Magnetfeld des Eingangsimpulses bzw. Rückkopplungsstromes. Die Schaltzeit des Magnetkernes ist aber abhängig von der Größe des resultierenden Magnetfeldes. Insbesondere ist die Schaltzeit um so geringer, je größer die erregende Feldstärke ist. Verändert man also die Größe der von der Spannungsquelle U 3 abgegebenen Spannung, dann ändert sich dadurch der Strom über die Wicklung W 5 und damit das dem Eingangsimpuls bzw. dem Rückkopplungsstrom entgegenwirkende Magnetfeld. Die resultierende Feldstärke im Magnetkern M ist also unmittelbar abhängig von der Größe der Spannung U 3. Je geringer die von der Spannungsquelle U3 gelieferte Spannung ist, um so größer ist damit die Schaltzeit des Magnetkernes und die Dauer des von der Schaltungsanordnung abgegebenen Impulses.
  • Die Spannungsquelle kann aus einer beliebigen Batterie bestehen. Da eine Zenerdiode eine ähnliche Charakteristik aufweist wie ein normaler, vorgespannter Richtleiter, können aber die Spannungsquelle und der Richtleiter auch durch eine Zenerdiode, oder in gewissen Fällen eventuell sogar durch einen normalen Richtleiter ohne in Reihe geschaltete Spannungsquelle ersetzt werden.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zum Verstärken von Impulsen mit einstellbarer Dauer der Ausgangsimpulse unter Verwendung eines über eine Wicklung mit der Emitter-Basis-Strecke eines Transistors verbundenen Magnetkernes mit annähernd rechteckförmiger Hystereseschleife, bei der gemäß Patent 1125 481 die Schaltzeit des Magnetkernes eingestellt wird und Mittel vorgesehen sind, die nur während der Ummagnetisierungszeit des Magnetkernes einen Stromfluß im Transistor zulassen, dadurch gekennzeichnet, daß mit einer der auf dem Magnetkern angebrachten Wicklungen ein Richtleiter sowie eine in Reihe geschaltete Spannungsquelle so verbunden ist, daß der Richtleiter im Ruhezustand der Schaltungsanordnung durch die Spannungsquelle in Sperrrichtung beaufschlagt ist, während der Ummagnetisierung jedoch leitend wird.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1; dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle des Richtleiters und der in Reihe geschalteten Spannungsquelle eine Zenerdiode mit einer der auf dem Magnetkern angebrachten Wicklung verbunden ist
DES80334A 1962-07-10 1962-07-10 Schaltungsanordnung zum Verstaerken von Impulsen mit einstellbarer Dauer der Ausgangsimpulse Pending DE1180406B (de)

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