DE1174930B - Verfahren zum Laeppen der Oberflaechen von mit einem Lochueberzug versehenen Halbleiterkoerpern - Google Patents
Verfahren zum Laeppen der Oberflaechen von mit einem Lochueberzug versehenen HalbleiterkoerpernInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: C 09 g
Deutsche KL: 22 g -14
Nummer: 1174 930
Aktenzeichen: S 75519 IVc/22 g
Anmeldetag: 31. August 1961
Auslegetag: 30. Juli 1964
Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Fotodioden, Transistoren, Vierschichtanordnungen u. dgl.,
bestehen meistens aus einem einkristallinen Halbleiterkörper aus einem Stoff der IV. Gruppe des
Periodischen Systems bzw. aus einer intermetallischen Verbindung der III. und V. bzw. der II. und
VI. Gruppe des Periodischen Systems. Dieser Halbleiterkörper besitzt beispielsweise durch Legierung
oder Diffusion verschiedene Schichten unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps bzw. unterschiedlicher Dotierungskonzentration
sowie anlegierte Elektroden.
Während des Herstellungsverfahrens derartiger Halbleiteranordnungen werden für gewöhnlich diese
Halbleiterkörper geläppt und geätzt, wodurch beispielsweise die Oberflächengüte vor dem Legieren
verbessert bzw. die Planparallelität von zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines derartigen Körpers
erzeugt wird.
Bei derartigen Läppverfahren werden bisher die üblichen Läppmittel und Läpphilfsmittel verwendet, so
wie z. B. Aluminiumoxyd als Läppmittel und Läppöl als Läpphilfsmittel. Die bisher verwendeten Läpphilfsmittel,
die bekannten Läppöle, haben den Nachteil, daß sie nur mit besonderen Lösungsmitteln, z. B.
Trichloräthylen bzw. Tetrachlorkohlenstoff, beseitigt werden können. Dies spielt bei dem Läppen anderer
Werkstücke keine besondere Rolle, während es beim Läppen von mit einem Lacküberzug versehenen
Halbleiterkörpern sehr unangenehme Nebenerscheinungen zeigt. Die üblichen zur Beseitigung des Läppöls
eingesetzten Lösungsmittel lösen nämlich die Lacküberzüge an bzw. beseitigen diese ganz und
gar. Andere Lacke, welche nicht abgelöst werden, quellen zumindest auf und können auch hierdurch
unbrauchbar werden.
Die Erfindung betrifft demzufolge ein Verfahren zum Läppen der Oberfläche von mit einem Lacküberzug
versehenen Halbleiterkörpern, insbesondere von solchen mit anlegierten Elektroden. Sie ist dadurch
gekennzeichnet, daß als Läpphilfsmittel Glyzerin verwendet wird.
Der Hauptvorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß die Läppmasse nach dem
Läppvorgang leicht durch Abspülen mit Wasser oder Alkohol wieder entfernt werden kann.
Verfahren zum Läppen der Oberflächen von mit
einem Lochüberzug versehenen Halbleiterkörpern
einem Lochüberzug versehenen Halbleiterkörpern
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Dr.-Ing. Reimer Emeis,
Ebermannstadt
Dipl.-Phys. Dr.-Ing. Reimer Emeis,
Ebermannstadt
Der erfindungsgemäße Läppvorgang wird in üblicher Weise durchgeführt. Als Läppmittel können
Aluminiumoxyd, Siliziumkarbid od. dgl. verwendet werden. Das als Läpphilfsmittel dienende Glyzerin
kann mit Hilfe eines Alkohols, z.B. Methylalkohol bzw. Äthylalkohol, verdünnt werden, d. h., der Läppmasse
kann hierdurch eine beliebige Viskosität gegeben werden.
Nach dem Läppen werden Läppmittel und Läpphilfsmittel zweckmäßigerweise mit destilliertem Wasser
abgespült, wodurch eine vollständige Reinigung der Halbleiteroberfläche erzielt wird, die eine weitere
Nachbehandlung vollkommen überflüssig macht. Gegebenenfalls kann das Wasser angewärmt werden.
Auch Alkohol kann zum Entfernen der Läppmasse verwendet werden oder auch zur Nachspülung nach
dem Wasser.
Claims (2)
1. Verfahren zum Läppen der Oberflächen von mit einem Lacküberzug versehenen Halbleiterkörpern,
dadurch gekennzeichnet, daß als Läpphilfsmittel Glyzerin verwendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Glyzerin mit einem
Alkohol verdünnt ist.
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