DE1174930B - Verfahren zum Laeppen der Oberflaechen von mit einem Lochueberzug versehenen Halbleiterkoerpern - Google Patents

Verfahren zum Laeppen der Oberflaechen von mit einem Lochueberzug versehenen Halbleiterkoerpern

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DE1174930B DES75519A DES0075519A DE1174930B DE 1174930 B DE1174930 B DE 1174930B DE S75519 A DES75519 A DE S75519A DE S0075519 A DES0075519 A DE S0075519A DE 1174930 B DE1174930 B DE 1174930B
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: C 09 g
Deutsche KL: 22 g -14
Nummer: 1174 930
Aktenzeichen: S 75519 IVc/22 g
Anmeldetag: 31. August 1961
Auslegetag: 30. Juli 1964
Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Fotodioden, Transistoren, Vierschichtanordnungen u. dgl., bestehen meistens aus einem einkristallinen Halbleiterkörper aus einem Stoff der IV. Gruppe des Periodischen Systems bzw. aus einer intermetallischen Verbindung der III. und V. bzw. der II. und VI. Gruppe des Periodischen Systems. Dieser Halbleiterkörper besitzt beispielsweise durch Legierung oder Diffusion verschiedene Schichten unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps bzw. unterschiedlicher Dotierungskonzentration sowie anlegierte Elektroden.
Während des Herstellungsverfahrens derartiger Halbleiteranordnungen werden für gewöhnlich diese Halbleiterkörper geläppt und geätzt, wodurch beispielsweise die Oberflächengüte vor dem Legieren verbessert bzw. die Planparallelität von zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines derartigen Körpers erzeugt wird.
Bei derartigen Läppverfahren werden bisher die üblichen Läppmittel und Läpphilfsmittel verwendet, so wie z. B. Aluminiumoxyd als Läppmittel und Läppöl als Läpphilfsmittel. Die bisher verwendeten Läpphilfsmittel, die bekannten Läppöle, haben den Nachteil, daß sie nur mit besonderen Lösungsmitteln, z. B. Trichloräthylen bzw. Tetrachlorkohlenstoff, beseitigt werden können. Dies spielt bei dem Läppen anderer Werkstücke keine besondere Rolle, während es beim Läppen von mit einem Lacküberzug versehenen Halbleiterkörpern sehr unangenehme Nebenerscheinungen zeigt. Die üblichen zur Beseitigung des Läppöls eingesetzten Lösungsmittel lösen nämlich die Lacküberzüge an bzw. beseitigen diese ganz und gar. Andere Lacke, welche nicht abgelöst werden, quellen zumindest auf und können auch hierdurch unbrauchbar werden.
Die Erfindung betrifft demzufolge ein Verfahren zum Läppen der Oberfläche von mit einem Lacküberzug versehenen Halbleiterkörpern, insbesondere von solchen mit anlegierten Elektroden. Sie ist dadurch gekennzeichnet, daß als Läpphilfsmittel Glyzerin verwendet wird.
Der Hauptvorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß die Läppmasse nach dem Läppvorgang leicht durch Abspülen mit Wasser oder Alkohol wieder entfernt werden kann.
Verfahren zum Läppen der Oberflächen von mit
einem Lochüberzug versehenen Halbleiterkörpern
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Dr.-Ing. Reimer Emeis,
Ebermannstadt
Der erfindungsgemäße Läppvorgang wird in üblicher Weise durchgeführt. Als Läppmittel können Aluminiumoxyd, Siliziumkarbid od. dgl. verwendet werden. Das als Läpphilfsmittel dienende Glyzerin kann mit Hilfe eines Alkohols, z.B. Methylalkohol bzw. Äthylalkohol, verdünnt werden, d. h., der Läppmasse kann hierdurch eine beliebige Viskosität gegeben werden.
Nach dem Läppen werden Läppmittel und Läpphilfsmittel zweckmäßigerweise mit destilliertem Wasser abgespült, wodurch eine vollständige Reinigung der Halbleiteroberfläche erzielt wird, die eine weitere Nachbehandlung vollkommen überflüssig macht. Gegebenenfalls kann das Wasser angewärmt werden. Auch Alkohol kann zum Entfernen der Läppmasse verwendet werden oder auch zur Nachspülung nach dem Wasser.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Läppen der Oberflächen von mit einem Lacküberzug versehenen Halbleiterkörpern, dadurch gekennzeichnet, daß als Läpphilfsmittel Glyzerin verwendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Glyzerin mit einem Alkohol verdünnt ist.
DES75519A 1961-08-31 1961-08-31 Verfahren zum Laeppen der Oberflaechen von mit einem Lochueberzug versehenen Halbleiterkoerpern Pending DE1174930B (de)

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