DE1164506B - Schaltungsanordnung fuer Fernmeldevermittlungs-, insbesondere Fernsprechwaehlanlagen mit getrennten Einstell- und Verbindungswegenetzwerken zur Verbindungsweg-Durchschaltung ueber mehrere, durch Zwischenleitungen verbundene Schaltstufen - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

Internat. Kl.: H 04 m

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

HOIh
Deutsche Kl.: 21 a3 - 22/10

Nummer: 1 164 506

Aktenzeichen: A 38720 VIII a / 21 a3

Anmeldetag: 2. November 1961

Auslegetag: 5. März 1964

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungs-, insbesondere Fernsprechwählanlagen mit getrennten Einstell- und Verbindungswegenetzwerken zur Verbindungsweg-Durchschaltung über mehrere durch Zwischenleitungen verbundene Schaltstufen, die aus Koordinaten-Mehrfachschaltern mit bistabilen elektronischen als Vierschichtdioden ausgebildeten Durchschaltegliedern bestehen, die an den Kreuzungspunkten von jeweils paarweise und wahlweise unter Steuerung eines Markierers miteinander zu verbindenden Eingangs- und Ausgangs- bzw. Zwischenleitungen angeordnet sind, an die der Markierer zur Markierung und Durchschaltung in allen Schaltstufen jeweils vorübergehend ein positives Potential anlegt, das zusammen mit einem zur Markierung und Durchschaltung an die Eingangsleitung angelegten negativen Potential für jede zwischen beiden Potentialen liegende Diode die erforderliche Durchbruchsspannung erzeugt, so daß diese so markierten Dioden aller Schaltstufen in Verbindungsaufbaurichtung aufeinanderfolgend durchschalten und sich selbst über den so durchgeschalteten Verbindungsweg durchgeschaltet halten, an dessen Anfang und Ende eine mit der Durchbruchsspannung gleichsinnig gerichtete, aber vorzugsweise kleinere Haltespannung angelegt ist, bevor der Markierer von den einzelnen Ausgangs- oder Zwischenleitungen die positiven Potentiale abschaltet, von denen jedes bis zur Durchschaltung der Diode der jeweils nachfolgenden Schaltstufe einen zeitlich begrenzten vorübergehenden Haltestrom für die jeweils zuletzt durchgeschaltete und für jede in den gegebenenfalls vorgeordneten Schaltstufen im Verbindungsweg bereits durchgeschaltete Diode erzeugt.

Auf Grund des in dem Verbindungsweg fließenden Haltestroms entsteht zwischen den beiden Enden des Weges ein Potentialgradient, demzufolge an den verschiedenen Punkten längs des Weges stehende Potentiale vorliegen. Darüber hinaus kann durch das Fließen von Sprech- oder anderen Informationswechelströmen innerhalb des Verbindungsweges die Größe dieser stehenden Potentiale veränderlich sein. Ähnliche stehende Potentiale liegen auch in jedem anderen Verbindungsweg, der durch die Koordinatenmehrfachschalter hergestellt worden ist. Wenn an ein Paar von zwei sich kreuzenden Eingangs- und Ausgangs- bzw. Zwischenleitungen Schaltspannungen angelegt werden, um die Diode am Kreuzungspunkt durchzuschalten, erhalten andere Dioden, die nur mit der einen oder der anderen dieser Leitungen in Verbindung stehen, über diese eine Spannung zugeführt, Schaltungsanordnung für
Fernmeldevermittlungs-, insbesondere
Fernsprechwählanlagen mit getrennten Einstell-
und Verbindungswegenetzwerken zur
Verbindungsweg-Durchschaltung über mehrere,
durch Zwischenleitungen verbundene
Schaltstufen

Anmelder:

Associated Electrical Industries Limited, London

Vertreter:

Dipl.-Ing. E. Schubert, Patentanwalt,

Siegen, Oranienstr. 14

Als Erfinder benannt:

William Bernard Deller, London,

John Frederick Gatward,

Harold James Stirling, Orpington, Kent

(Großbritannien)

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 4. November 1960
(Nr. 37 989)

deren Größe zwischen denen der beiden Schaltspannungen entgegengesetzer Polarität liegt, so daß diese Dioden daher ungewollt durchgeschaltet werden könnten, falls ein stehendes Potential an der anderen Seite einer dieser Dioden eine ausreichende Größe hat, so daß die Spannung zwischen diesen den Durchbruchswert in Sperrichtung übersteigt.

Die Durchbruchsspannung in Sperrichtung oder Sperrspannung der Dioden muß daher größer sein als die möglicherweise an den Dioden ankommende maximale Gegenspannung, so daß bisher bei der Auslegung untereinander verbundener Koordinatenschaltstufen eine hohe Durchbruchsspannung in Sperrichtung (Sperrspannungsfestigkeit) der Dioden zusätzlich zu der vorgeschriebenen Durchbruchs-(Schalt-) Spannung und dem Haltestrom gefordert wurde.

Die Erfindung vermeidet die Vorschrift hoher Durchbruchsspannungswerte in Sperrichtung für die Dioden dadurch, daß

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Zum Aufbau des Verbindungsweges ρ müssen die Dioden CPl bis CP 4 in ihren Leitzustand gebracht werden. Zu diesem Zweck wird eine stark negative Spannung —E über einen Widerstand/? an einen 5 Punkte in der TeilnehmeranschlußschaltungS angelegt, über den letztere mit dem Verbindungsweg ρ verbunden ist. Das Potential dieses Punktes X wird durch eine Diode D1 gehalten, so daß ein Absinken unter ein Potential — VT verhindert wird. Die Potenlo tiale+FTl bis +VT4 und -VT sind jeweils paarweise zusammen mindestens so groß wie die Durchbruchsspannung der Dioden. Durch Anlegen dieser Durchbruchsspannung an die Schaltung wird zunächst die Diode CPl leitend. Über diese gelangt Potential —VT an die Diode CP2, die ihrerseits leitend wird. Die weiteren Dioden CP 3 und CP 4 werden in gleicher Weise durchgeschaltet, wenn das Potential — VT sie erreicht, bis der Verbindungs-. weg ρ vollständig zwischen dem Überwachungsstromstufe angelegte positive Impuls ]edes Impuls- _{20 kreisL und der} Teilnehmeranschlußschaltung S herpaares so verlängert wird, daß er zugleich mit _{gesteUt ist Im} Überwachungsstromkreis L wird dann

daran anschließend ein Transistor VT in nicht dargestellter Weise leitend gemacht und liefert dem Verbindungsweg/? einen Haltestrom.

Dieser Haltestrom bewirkt, daß das Potential am Punkt X positiv gegenüber Erdpotential wird, wobei die Diode D1 in Sperrichtung und die Diode D 2 in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. Die Potentiale + VTl bis +VT 4 können jetzt von den Widerständen R1 bis R 4 abgeschaltet werden, und die Dioden verbleiben durch den Haltestrom leitend, der vom Transistor VT im Überwachungsstromkreis L nach Erde zur Teilnehmeranschlußschaltung S fließt. Wenn der Verbindungsweg ρ unterbrochen werden

findung mit je einer in die Zwischenleitungen ein- 35 soll, so wird der Transistor VT gesperrt, so daß der geschleiften Entkopplungsdiode, Haltestrom aufhört und die Dioden CPl bis CP 4

Fig. 4 die ungefähre Wellenform sowie die zeit- wieder gesperrt werden.

liehe Lage der in der Schaltungsanordnung nach Während der Zeit, in der der Verbindungsweg ρ

F i g. 3 verwendeten Potentiale bzw. Impulse, und hergestellt ist, besteht zwischen den beiden Enden

Fig. 5 zeigt eine Aufschaltung eines Abfrage- 40 ein Potentialgefälle, woraus sich an den verschiestromkreises auf einen erfindungsgemäß nach F i g. 3 denen Punkten des Verbindungsweges verschiedene durchgeschalteten Verbindungsweg. stationäre Potentiale vd ergeben; diesen werden darin der bekannten Schaltungsanordnung nach über hinaus die im Verbindungsweg fließenden Fig. 1 verläuft ein zu errichtender Verbindungs- Sprech- bzw. Nachrichtenwechselspannungen Überweg ρ über vier in Reihe geschaltete Dioden CPl, 45 lagert. Es liegt auf der Hand, daß ähnliche stationäre CP 2, CP 3 und CP 4 beispielsweise zwischen einem Potentiale ebenso in jedem anderen Verbindungsweg Überwachungsstromkreis L und einer Teilnehmer- vorhanden sind, der über die Koordinaten-Mehrfachanschlußschaltung 5, von denen nur diejenigen schalter hergestellt worden ist. Wenn beispielsweise Schaltelemente dargestellt sind, auf die in der nach- außer dem ersten Verbindungsweg ρ ein zweiter Verfolgenden Beschreibung Bezug genommen ist. Die 50 bindungsweg über zwei Vielfachleitungen m 2 α und vier Dioden CPl bis CP4 liegen in vier aufeinander- q2e und über die Diode CP6 und ein dritter über folgenden, als Koordinaten-Mehrfachschalter ausge- zwei Vielfachleitungen a2α und b2e und die Dibildeten Schaltstufen SWl bis SW 4, bei denen je- ode CP 8 verlaufender Verbindungsweg hergestellt weils eine Anzahl einbeinig vielfachgeschalteter Di- worden sind, so befindet sich jeweils eine Elektrode öden die betreffende Schaltstufe bildet. Bei den 55 der Dioden CP 5 und CP 7 auf einem stationären SchaltstufenSWl, SW3 und SW4 kennzeichnen die Potential, das zwischen +vd ±vac variiert, wobei Vielf achzeichen ρ 1 e und pla bis p4e und ρ 4 a die vd das stationäre Potential infolge des Haltestromes gemeinsame Verbindung der Dioden CPl, CP3 und und vac das Potential infolge der Sprech- bzw. CP 4 mit anderen Dioden in den entsprechenden Ko- Nachrichtenwechselströme ist. Wenn somit die ordinaten-Mehrfachschaltern, während in der Schalt- 60 Potentiale +VTl bis +VT4 und —VT den Di-

a) in an sich bekannter Weise die beiden zusammen die Durchbruchsspannung erzeugenden Potentiale paarweise als Impulspaar jeweils nur einer einzigen Schaltstufe für sich zugeführt werden,

b) die aufeinanderfolgenden Schaltstufen eine nach der anderen ein Impulspaar erhalten,

c) in jede Zwischenleitung zwischen unmittelbar benachbarten Schaltstufen in an sich bekannter Weise eine individuelle Entkopplungsdiode eingeschleift wird, welche die beiden Potentiale oder Impulse eines an die gerade durchzuschaltende Diode beiderseits angelegten Impulspaares von den benachbarten Schaltstufen fernhält, aber den Haltestrom für die zuletzt durchgeschaltete und für alle bereits vorher durchgeschalteten Dioden fließen läßt, und daß

d) der jeweils an die Ausgangsleitung jeder Schalt-

dem negativen Impuls des nachfolgenden Impulspaares endet, der an die Eingangsleitung der jeweils nachfolgenden Schaltstufe angelegt wird.

Die Erfindung wird nunmehr an Hand der sie beispielweise wiedergebenden Zeichnungen beschrieben, und zwar zeigt

F i g. 1 eine bekannte Schaltungsanordnung, von der die Erfindung ausgeht,

F i g. 2 im einzelnen eine der in F i g. 1 dargestellten Schaltstufen mit einem Koordinaten-Mehrfachschalter,

Fig. 3 eine Schaltungsanordnung gemäß der Er-

stufe SW2 vom Koordinaten-Mehrfachschalter außer der Diode CP2 zusätzliche Dioden CP5, CP6, CPl und CP 8 dargestellt sind. Im Verbindungsweg ρ kann an die Zwischenleitungen I... ρ zwischen den

öden CPl bis CP4 zugeführt werden, erhalten die zweiten Elektroden der beiden Dioden CP 5 und CP7 ein Potential -VT bzw. +VTl, diese Diode CP7 erhält daher eine große Gegenspannung, be

benachbarten Schaltstufen jeweils ein positives 05 stehend aus +VTl und +vd —vac, und der Diode Potential +VTl bis +VT4 für die Dioden angelegt CP5 werden die Potentiale —VT und +vd +vac werden, beispielsweise erforderlichenfalls über einen zugeführt. Das Auftreten dieser Gegenspannungen ist

besonderen Widerstand R1, R 2 usw.

deutlicher aus F i g. 2 zu ersehen, welche den Koor-

dinaten-Mehrfachschalter der Schalterstufe SW 2 darstellt, die in Matrixform umgezeichnet ist und in der die Vielfachleitungen pie und ρ2a des Verbindungsweges ρ als Spalten- bzw. Zeilenleitungen dargestellt sind. Im Augenblick der Durchschaltung der Diode CPl (Fig. 1) gelangt die zu diesem Zweck an deren Vielfachleitung ρ la angelegte Spannung + VTl auch unbeabsichtigt zur Spaltenleitung ρ 2 e, und demzufolge kann eine maximale Gegenspannung

D 3 und D 2 in Durchlaßrichtung vorgespannt, während der Haltestrom von dem positiven Impuls + VT 4 die Dioden CPl und CP 2 in Reihe durchgeschaltet hält. Die Dioden CP 3 und CP 4 der nach-5 folgenden Schaltstufen SW 3 und SW 4 werden auf gleiche Weise durchgeschaltet.

Die positiven Impulse enden nicht, bevor die zugeordneten Entkopplungsdioden D 4 und/oder D 5 in Durchlaßrichtung vorgespannt sind. Bevor eine Di-

der Größe +VTl und + vd — vac über der Diode io ode CP ... in den Leitzustand gebracht wird, werden CP 7 auftreten. Wenn die Diode CP 2 leitend ist, ge- die Entkopplungsdioden in den Zwischenleitungen langt die Spannung— VT von der Vielfachleitung 112ρ bis 134ρ auf beiden Seiten des Koordinaten- p2e durch diese Diode CP 2 zur Vielfachleitung ρ 2 a, Mehrfachschalters, in dem sich die Diode befindet, so daß die Diode CP 5 eine maximale Gegenspan- in Sperrichtung vorgespannt, wodurch verhindert nung in der Größe von — VT und + vd + vac erhält. 15 wird, daß die Impulse benachbarten Koordinaten-Bei der in F i g. 1 dargestellten bekannten Schal- Mehrfachschaltern und damit den darin befindlichen tungsanordnung muß also die Sperrspannungsfestig- Dioden CP ... in Sperrichtung zugeführt werden, keit der Dioden größer sein als die maximale Gegen- Wenn ein anderer Verbindungsweg bereits über die

spannung, welche die Dioden erhalten. Demzufolge Vielfachleitungen m2a und q2e und die Diode CP6 ist bei einer derartigen Schaltungsanordnung eine ge- 20 und ein dritter Verbindungsweg über die Vielf achnaue Bemessung der Dioden erforderlich, nicht nur leitungen a2a und b2e und die Diode CP8 hergestellt worden sind, ist die maximale Gegenspannung an den Dioden CP 5 und CP 7 in diesem Fall daher nur gleich dem Wert, der durch das stationäre Poten-25 tial vd bedingt ist, ist daher beträchtlich kleiner als derjenige, der bei der bekannten Schaltungsanordnung nach F i g. 1 vorliegt.

Bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 erübrigt sich daher die Bedingung, daß die darin ver-Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung ist 30 wendeten Dioden mit einer gleich hohen Sperrspanähnlich wie die bekannte nach F i g. 1 aufgebaut, wo- nung in Gegenrichtung auszustatten sind. Sie ermögbei jedoch die beiden zusammen die Durchbruchs- licht darüber hinaus die Verwendung von Impulsen spannung erzeugenden Potentiale paarweise als Im- mit verschiedener Amplitude in den nacheinanderpulspaar -VTl und +VTl bis —VT4 und +VT4 folgenden Schaltstufen in der Art, wie sie an anderer in an sich bekannter Weise jeweils nur einer einzigen 35 Stelle bereits vorgeschlagen worden ist.

hinsichtlich ihrer Durchbruchsspannung in Durchlaßrichtung und des Haltestromes, sondern auch der hohen Durchbruchsgegenspannung oder Sperrspannung.

Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung nach F i g. 3 vermeidet den Nachteil der genauen Vorschrift einer hohen Sperrspannung der verwendeten Dioden.

Schaltstufe für sich zugeführt werden. Die aufeinanderfolgenden Schaltstufen SWl bis SW 4 erhalten eine nach der anderen ein Impulspaar. In jede Zwischenleitung 123ρ bzw. /34p zwischen unmittel-

Eine Eigenschaft einer Vierschichtdiode besteht darin, daß die notwendige Größe einer Durchbruchsspannung bis zu einem gewissen Ausmaß durch ihre Anstiegszeit bestimmt wird; d. h. im allgemeinen und

bar benachbarten Schaltstufen ist in an sich be- 40 innerhalb bestimmter Grenzen hat eine Vierschicht-

kannter Weise eine individuelle Entkopplungsdiode diode eine um so niedrigere Durchbruchsspannung, D 4 bzw. D S eingeschleift, welche die beiden Potentiale oder Impulse —VT3, +VT3 eines an die

gerade durchzuschaltende Diode CP 3 beiderseits an-

je steller deren Zeitanstieg ist, wobei die Durchbruchsspannung bei einer gegebenen Diode innerhalb 10% streuen kann. Bei der bekannten Schaltungsgelegten Impulspaares von den benachbarten Schalt- 45 anordnung nach F i g. 1 ist die Anstiegszeit des negastufen5PF2 bzw. SW4 erhält, aber den Haltestrom tiven Impulses auf das Potential —VT von der aus +VT 3 für die zuletzt durchgeschaltete Diode Schaltgeschwindigkeit der Diode der vorhergehenden CP 3 und für alle bereits vorher durchgeschalteten Schaltstufe abhängig (die sehr schnell durchschalten Dioden CP 2, CPl fließen läßt. Der jeweils an die kann, z.B. in einem Bruchteil einer Mikrosekunde), Ausgangsleitung ρ 2 α jeder Schaltstufe SW 2 ange- 50 was zu einer nicht genau voraussehbaren Verändelegte positive Impuls +VT 2 jedes Impulspaares ist rung der Durchbruchsspannung führen kann, die mit so verlängert, daß er zugleich mit dem negativen Impuls — VT 3 des nachfolgenden Impulspaares endet,
der an die Eingangsleitung ρ 2 e der jeweils nachfolgenden Schaltstufe SW 3 angelegt wird. 55

Die zeitliche Lage und Folge der der Schaltungsanordnung zugeführten Impulse sind in F i g. 4 dargestellt. Zur Herstellung des Verbindungsweges ρ
wird zuerst die Diode CPl durch negative und positive Impulse— VTl und +VT2 durchgeschaltet, 60 ihr zugeordnetes Paar vom Impulsen bewirkt wird, wobei zur gleichen Zeit die Entkopplungsdiode D 2 deren Anstiegszeiten einzeln eingestellt werden in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. Wenn der können, wird die nachfolgende Prüfung jedes Kreuznegative Impuls -VTl endet, bleibt die Diode CPl punktes erleichtert.

durch den Haltestrom von dem noch andauernden Die bekannte Schaltungsanordnung nach F i g. 1

positiven Impuls + VT2 in diesem Leitzustand ge- 65 macht ferner ein großes Verhältnis zwischen dem halten. Die Impulse —VT 3 und +VT 4 schalten die maximal zulässigen Strom durch eine Diode und dem Diode CP 2 durch, und wenn die Impulse +VT 2 minimalen Strom notwendig, der erforderlich ist, um und —VT3 enden, sind die Entkopplungsdioden die Diode in ihrem Leitzustand zu halten; d.h., die

den zu beachtenden engen Toleranzen nicht vereinbar ist. Im Gegensatz dazu können in der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 die Impulse — VT ... und + VT. .. leicht so gesteuert werden, daß sie eine vorbestimmte bekannte Anstiegszeit aufweisen, woraus sich ein erheblicher Vorteil gegenüber der bekannten Schaltungsanordnung nach F i g. 1 ergibt. Da ferner die Durchschaltung jeder Diode durch ein

Diode der ersten Stufe muß einen ihren eigenen Haltestrom beträchtlich übersteigenden Strom führen, da anfänglich nur der Diodenwiderstand allein die Stromgröße bestimmt. Erst wenn sämtliche Dioden eines Verbindungsweges in Reihe durchgeschaltet sind, verringert der zusammengesetzte Reihenwiderstand den Strom in dem Verbindungsweg auf den erforderlichen Haltestromwert. Die Schaltungsanordnung nach F i g. 3 benötigt ein wesentlich kleineres Verhältnis zwischen Maximal- und Minimalströmen und läßt daher eine weitere Toleranz in der Bemessung der Dioden zu.

Ein weiterer Vorteil der in F i g. 3 dargestellten Schaltungsanordnung ist darin zu sehen, daß es — wie in Fig. 5 dargestellt — infolge der Entkopplungsdioden in den Zwischenleitungen möglich ist, einen Abfragestromkreis Ic auf einen bestehenden Verbindungsweg aufzuschalten, ohne daß Einschaltgeräusche entstehen. Über eine solche Aufschaltung erhält beispielsweise ein Vermittlungsbeamter Zugang zu einem Verbindungsweg p, der zwischen zwei Teilnehmern in einer selbsttätigen Fernsprechvermittlungsanlage besteht. Diese Aufschaltung des Abfragestromkreises Ic auf den Verbindungsweg ρ wird in einfacher Weise dadurch hergestellt, daß die Diode CP 9 durch Anlegen von Impulsen+FT und ~VT in ihren Leitzustand gebracht wird. Dies beeinträchtigt den Verbindungsweg ρ nicht, da der negative Impuls — VT die Entkopplungsdiode D 6 in Sperrichtung vorspannt, wodurch beispielsweise laute oder starke Einschaltgeräusche am Abfrageapparat vermieden werden, der mit dem bereits aufgebauten Verbindungsweg ρ verbunden wird.

Claims (2)

Patentansprüche: 35

1. Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungs-, insbesondere Fernsprechwählanlagen mit getrennten Einstell- und Verbindungswegenetzwerken zur Verbindungsweg-Durchschaltung über mehrere durch Zwischenleitungen verbundene Schaltstufen, die aus Koordinaten-Mehrfachschaltern mit bistabilen elektronischen als Vierschichtdioden ausgebildeten Durchschaltegliedern bestehen, die an den Kreuzungspunkten von jeweils paarweise und wahlweise unter Steuerung eines Markierers miteinander zu verbindenden Eingangs- und Ausgangs- bzw. Zwischenleitungen angeordnet sind, an die der Markierer zur Markierung und Durchschaltung in allen Schaltstufen jeweils vorübergehend ein positives Potential anlegt, das zusammen mit einem zur Markierung und Durchschaltung an die Eingangsleitung angelegten negativen Potential für jede zwischen beiden Potentialen liegende Diode die erforderliche Durchbruchsspannung erzeugt, so daß diese so markierten Dioden aller Schaltstufen in Verbindungsaufbaurichtung aufeinanderfolgend durchschalten und sich selbst über den so durchgeschalteten Verbindungsweg durchgeschaltet halten, an dessen Anfang und Ende eine mit der Durchbruchsspannung gleichsinnig gerichtete, aber vorzugsweise kleinere Haltespannung angelegt ist, bevor der Markierer von den einzelnen Ausgangs- oder Zwischenleitungen die positiven Potentiale abschaltet, von denen jedes bis zur Durchschaltung der Diode der jeweils nachfolgenden Schaltstufe einen zeitlich begrenzten vorübergehenden Haltestrom für die jeweils zuletzt durchgeschaltete und für jede in den gegebenenfalls vorgeordneten Schaltstufen im Verbindungsweg bereits durchgeschaltete Diode erzeugt, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale:

a) Die beiden zusammen die Durchbruchsspannung erzeugenden Potentiale werden in an sich bekannter Weise paarweise als Impulspaar (-FTl und + FTl bis -FT 4 + FT 4) jeweils nur einer einzigen Schaltstufe für sich zugeführt;

b) die aufeinanderfolgenden Schaltstufen (SWl bis SW4) erhalten eine nach der anderen ein Impulspaar;

c) in jede Zwischenleitung (123 ρ bzw. /34 p) zwischen unmittelbar benachbarten Schaltstufen ist in an sich bekannter Weise eine individuelle Entkopplungsdiode (D 4 bzw. D S) eingeschleift, welche die beiden Potentiale oder Impulse (—FT3, +FT3) eines an die gerade durchzuschaltende Diode (Cp 3) beiderseits angelegten Impulspaares von den benachbarten Schaltstufen (SW 2 bzw. SW 4) fernhält, aber den Haltestrom (aus + FT 3) für die zuletzt durchgeschaltete (CP 3) und für alle bereits vorher durchgeschalteten Dioden (CP 2, CPl) fließen läßt;

d) der jeweils an die Ausgangsleitung (p 2 a) jeder Schaltstufe (SW2) angelegte positive Impuls (+VT2) jedes Impulspaares ist so verlängert, daß er zugleich mit dem negativen Impuls (—VT3) des nachfolgenden Impulspaares endet, der an die Eingangsleitung (p3e) der jeweils nachfolgenden Schaltstufe (SW3) angelegt wird.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Aufschaltung, z. B. eines Abfragestromkreises (ic), auf durchgeschaltete Verbindungswege (p) eine besondere Schaltstufe (C) vorgesehen ist, deren Zwischenleitungen (IcI) jeweils individuell an die Ausgangsleitungen (p 1 a) einer im Verbindungsweg liegenden Schaltstufe (SWl) angeschlossen sind und je eine individuelle Entkopplungsdiode (D 6) aufweisen, die den an die jeweils durchzuschaltende Diode (CP 9) angelegten Impuls (-FT) von der im Verbindungsweg liegenden Schaltstufe (SWl) fernhält, aber von dieser den Haltestrom fließen läßt.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 1021 891,1033 734.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

409 537/130 2.64 ® Bundesdruckerei Berlin