DE1164480B - Aus einer npn- oder pnp-Mehrfachhalbleiter-anordnung aufgebautes logisches Schaltelement - Google Patents

Aus einer npn- oder pnp-Mehrfachhalbleiter-anordnung aufgebautes logisches Schaltelement

Info

Publication number
DE1164480B
DE1164480B DES82575A DES0082575A DE1164480B DE 1164480 B DE1164480 B DE 1164480B DE S82575 A DES82575 A DE S82575A DE S0082575 A DES0082575 A DE S0082575A DE 1164480 B DE1164480 B DE 1164480B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
switching element
npn
electrode
multiple semiconductor
inputs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DES82575A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1164480C2 (enExample
Inventor
Dr-Ing Abutorab Bayati
Dipl-Ing Frieder Heintz
Dipl-Ing Hans Lenhardt
Dipl-Ing Heinrich Hoenerloh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES82575A priority Critical patent/DE1164480B/de
Publication of DE1164480B publication Critical patent/DE1164480B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1164480C2 publication Critical patent/DE1164480C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/133—Emitter regions of BJTs
    • H10D62/135—Non-interconnected multi-emitter structures
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/088—Transistor-transistor logic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
DES82575A 1962-11-26 1962-11-26 Aus einer npn- oder pnp-Mehrfachhalbleiter-anordnung aufgebautes logisches Schaltelement Granted DE1164480B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES82575A DE1164480B (de) 1962-11-26 1962-11-26 Aus einer npn- oder pnp-Mehrfachhalbleiter-anordnung aufgebautes logisches Schaltelement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES82575A DE1164480B (de) 1962-11-26 1962-11-26 Aus einer npn- oder pnp-Mehrfachhalbleiter-anordnung aufgebautes logisches Schaltelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1164480B true DE1164480B (de) 1964-03-05
DE1164480C2 DE1164480C2 (enExample) 1964-09-10

Family

ID=7510443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES82575A Granted DE1164480B (de) 1962-11-26 1962-11-26 Aus einer npn- oder pnp-Mehrfachhalbleiter-anordnung aufgebautes logisches Schaltelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1164480B (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2426447A1 (de) * 1974-05-31 1975-12-11 Ibm Deutschland Komplementaere transistorschaltung zur durchfuehrung boole'scher verknuepfungen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2426447A1 (de) * 1974-05-31 1975-12-11 Ibm Deutschland Komplementaere transistorschaltung zur durchfuehrung boole'scher verknuepfungen

Also Published As

Publication number Publication date
DE1164480C2 (enExample) 1964-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2262297C2 (de) Monolithisch integrierbare, logisch verknüpfbare Halbleiterschaltungsanordnung mit I↑2↑L-Aufbau
DE1018460B (de) Elektrische Kippanordnung mit Kristalltrioden
DE1524838A1 (de) Informationsspeicher
DE1515423A1 (de) Kreuzschienenverteiler
DE1219978B (de) Elektronisches Durchschaltenetzwerk in Matrixform mit Vierschichtdioden
DE1943302C3 (de) Integrierte, sich selbst isolierende Transistoranordnung
DE1935164C2 (de) Steuerbarer, drei aufeinanderliegende Schichten aufweisender Thyristor
DE2812784C2 (enExample)
DE1282081B (de) Spannungsvergleichsschaltung
DE1918557A1 (de) Integrierter Schaltkreis
DE1288200B (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE1464829C3 (de) Schaltungsanordnung mit mehreren in einem Halbleiterplättchen ausgebildeten Schaltungselementen
DE1464565C2 (de) Breitbandverstärker mit zwei Transistoren mit einem gemeinsamen Halbleiterkörper
DE1762009B2 (de) Schaltungsanordnung mit einem ersten und einem zweiten transistor
DE3104192A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1764048C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und ihre Verwendung als ein mit einem Basisableitwiderstand verbundener Transistor
DE2164092A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2163835C3 (de) Halbleiter-Umschaltanordnung
DE1943844C (de) Integrierte Halbleiterschaltung für die gegenseitige Zuordnung von Eingangsund Ausgangssignalen
DE755163C (de) Anordnung fuer Telefonnetze, in denen eine zusaetzliche traeger-frequente Nachrichtenuebermittlung erfolgt, insbesondere fuer Drahtfunksysteme
AT238256B (de) Freischwingende Kippschaltung
DE1931613C (de) Halbleiterbauelement
DE2360526B2 (de) Monolithisch integrierbare flip- flop-schaltung
DE2628210B2 (de) Logischer Schaltkreis mit einer Vielzahl von Einzelschaltkreisen
DE2346237A1 (de) Thyristor