DE1160105B - Diffusionsverfahren zum Herstellen von einer oder mehreren UEbergangsflaechen in einem Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Diffusionsverfahren zum Herstellen von einer oder mehreren UEbergangsflaechen in einem Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes

Info

Publication number
DE1160105B
DE1160105B DEI17389A DEI0017389A DE1160105B DE 1160105 B DE1160105 B DE 1160105B DE I17389 A DEI17389 A DE I17389A DE I0017389 A DEI0017389 A DE I0017389A DE 1160105 B DE1160105 B DE 1160105B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor body
doping
diffusion
foreign matter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI17389A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Albert Paul Bobenrieth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Publication of DE1160105B publication Critical patent/DE1160105B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
DEI17389A 1958-12-18 1959-12-17 Diffusionsverfahren zum Herstellen von einer oder mehreren UEbergangsflaechen in einem Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes Pending DE1160105B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR781989A FR1219276A (fr) 1958-12-18 1958-12-18 Méthodes de préparation de jonctions dans des semi-conducteurs et dispositifs semi-conducteurs obtenus par ces méthodes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1160105B true DE1160105B (de) 1963-12-27

Family

ID=8709389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI17389A Pending DE1160105B (de) 1958-12-18 1959-12-17 Diffusionsverfahren zum Herstellen von einer oder mehreren UEbergangsflaechen in einem Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes

Country Status (5)

Country Link
BE (2) BE585784A (en))
CH (1) CH364045A (en))
DE (1) DE1160105B (en))
FR (1) FR1219276A (en))
GB (1) GB957170A (en))

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0061787A1 (de) * 1981-03-02 1982-10-06 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. Verfahren zum Dotieren von Trägern aus Silicium für die Halbleiterfertigung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH293271A (de) * 1949-11-30 1953-09-15 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichthalbleiters und nach diesem Verfahren hergestellter Sperrschichthalbleiter.
US2743201A (en) * 1952-04-29 1956-04-24 Hughes Aircraft Co Monatomic semiconductor devices
AT185893B (de) * 1952-04-19 1956-06-11 Ibm Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleitern
DE1036393B (de) * 1954-08-05 1958-08-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von zwei p-n-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern, z. B. Flaechentransistoren

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH293271A (de) * 1949-11-30 1953-09-15 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichthalbleiters und nach diesem Verfahren hergestellter Sperrschichthalbleiter.
AT185893B (de) * 1952-04-19 1956-06-11 Ibm Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleitern
US2743201A (en) * 1952-04-29 1956-04-24 Hughes Aircraft Co Monatomic semiconductor devices
DE1036393B (de) * 1954-08-05 1958-08-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von zwei p-n-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern, z. B. Flaechentransistoren

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0061787A1 (de) * 1981-03-02 1982-10-06 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. Verfahren zum Dotieren von Trägern aus Silicium für die Halbleiterfertigung

Also Published As

Publication number Publication date
BE585784A (fr) 1960-06-20
FR1219276A (fr) 1960-05-17
BE569934A (en))
CH364045A (fr) 1962-08-31
GB957170A (en) 1964-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE961469C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer elektrische UEbertragungsvorrichtungen
DE1056747C2 (de) Verfahren zur Herstellung von mehreren p-n-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern fuer Transistoren durch Diffusion
DE1032404B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE2823967C2 (en))
DE1544329A1 (de) Verfahren zur Herstellung epitaxialer Schichten bestimmter Form
DE2749607C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2354523C3 (de) Verfahren zur Erzeugung von elektrisch isolierenden Sperrbereichen in Halbleitermaterial
DE2259237A1 (de) Bipolarer transistor mit materialverschiedenem halbleiteruebergang und verfahren zu seiner herstellung
DE2019655C2 (de) Verfahren zur Eindiffundierung eines den Leitungstyp verändernden Aktivators in einen Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers
DE1024640B (de) Verfahren zur Herstellung von Kristalloden
DE2160462C2 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1764847B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2357376A1 (de) Mesa-thyristor und verfahren zum herstellen von mesa-thyristoren
DE1093484B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere pnp- oder npn-Leistungstransistoren
DE1041161B (de) Flaechentransistoranordnung
DE1414538A1 (de) Unterschiedliche Leitfaehigkeitszonen aufweisende Halbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1018558B (de) Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter
DE2508121A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung epitaxialen halbleiterwachstums aus einer fluessigphase
DE2408402A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen bzw. nach einem solchen verfahren hergestellte integrierte halbleiterschaltungseinheit
DE1160105B (de) Diffusionsverfahren zum Herstellen von einer oder mehreren UEbergangsflaechen in einem Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes
DE1764829B1 (de) Planartransistor mit einem scheibenfoermigen halbleiter koerper
DE2639364B2 (de) Thyristor
EP0018556A1 (de) Anordnung und Verfahren zum selektiven, elektrochemischen Ätzen
DE1113034B (de) Diffusionsverfahren zur gleichzeitigen Bildung von PN-UEbergaengen in mehreren Halbleiter-koerpern von Halbleiteranordnungen
DE2811207A1 (de) Temperaturgradient-zonenschmelzverfahren durch eine oxidschicht