DE1151669B - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben

Info

Publication number
DE1151669B
DE1151669B DES59210A DES0059210A DE1151669B DE 1151669 B DE1151669 B DE 1151669B DE S59210 A DES59210 A DE S59210A DE S0059210 A DES0059210 A DE S0059210A DE 1151669 B DE1151669 B DE 1151669B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
sight glass
side wall
high vacuum
crucible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES59210A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr-Ing Reimer Emeis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL240421D priority Critical patent/NL240421A/xx
Priority to BE581195D priority patent/BE581195A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES59210A priority patent/DE1151669B/de
Priority to GB24001/59A priority patent/GB917635A/en
Priority to CH7607759A priority patent/CH375527A/de
Priority to US830026A priority patent/US3189415A/en
Priority to FR801459A priority patent/FR1231481A/fr
Publication of DE1151669B publication Critical patent/DE1151669B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
DES59210A 1958-07-30 1958-07-30 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben Pending DE1151669B (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL240421D NL240421A (pl) 1958-07-30
BE581195D BE581195A (pl) 1958-07-30
DES59210A DE1151669B (de) 1958-07-30 1958-07-30 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben
GB24001/59A GB917635A (en) 1958-07-30 1959-07-13 Improvements in or relating to zone melting apparatus
CH7607759A CH375527A (de) 1958-07-30 1959-07-22 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
US830026A US3189415A (en) 1958-07-30 1959-07-28 Device for crucible-free zone melting
FR801459A FR1231481A (fr) 1958-07-30 1959-07-29 Dispositif pour la fusion par zones, sans creuset

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES59210A DE1151669B (de) 1958-07-30 1958-07-30 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1151669B true DE1151669B (de) 1963-07-18

Family

ID=7493118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES59210A Pending DE1151669B (de) 1958-07-30 1958-07-30 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3189415A (pl)
BE (1) BE581195A (pl)
CH (1) CH375527A (pl)
DE (1) DE1151669B (pl)
FR (1) FR1231481A (pl)
GB (1) GB917635A (pl)
NL (1) NL240421A (pl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1519902C3 (de) * 1966-09-24 1975-07-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DE1619995A1 (de) * 1967-03-11 1971-07-01 Siemens Ag Verfahren zum Beseitigen von Kohlenstoffverunreinigungen in einem Siliziumkoerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
GB1179545A (en) * 1968-01-16 1970-01-28 Siemens Ag Apparatus for Melting a Rod of Crystalline Material Zone-by-Zone
JPS535867B2 (pl) * 1973-03-08 1978-03-02
DE2322969C3 (de) * 1973-05-07 1980-10-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Haltern der Stabenden beim tiegelfreien Zonenschmelzen
US3989468A (en) * 1973-11-22 1976-11-02 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for crucible-free zone melting of semiconductor crystal rods
DE2358300C3 (de) * 1973-11-22 1978-07-20 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum senkrechten Halten eines Halbleiterkristallstabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen
USRE29824E (en) * 1973-11-22 1978-11-07 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for crucible-free zone melting of semiconductor crystal rods
BE811057A (fr) * 1974-02-15 1974-08-16 Elphiac Sa Machine universelle pour l'elaboration de monocristaux de materiaux semiconducteurs ou autres suivant les methodes classiques.
US4186173A (en) * 1975-04-11 1980-01-29 Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg Apparatus for producing monocrystals
US4078897A (en) * 1975-04-11 1978-03-14 Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg Apparatus for producing monocrystals

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2792317A (en) * 1954-01-28 1957-05-14 Westinghouse Electric Corp Method of producing multiple p-n junctions
DE1014332B (de) * 1952-12-17 1957-08-22 Western Electric Co Verfahren und Vorrichtung zum fraktionierten Umkristallisieren von unter Mischkristallbildung erstarrenden Legierungen und Halbleiterausgangsstoffen durch Zonenschmelzen
US2809905A (en) * 1955-12-20 1957-10-15 Nat Res Dev Melting and refining metals

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE502018A (pl) * 1950-03-22
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
US2972525A (en) * 1953-02-26 1961-02-21 Siemens Ag Crucible-free zone melting method and apparatus for producing and processing a rod-shaped body of crystalline substance, particularly semiconductor substance
US2902350A (en) * 1954-12-21 1959-09-01 Rca Corp Method for single crystal growth
US2870309A (en) * 1957-06-11 1959-01-20 Emil R Capita Zone purification device
DE1076623B (de) * 1957-11-15 1960-03-03 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabfoermigem Halbleitermaterial

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1014332B (de) * 1952-12-17 1957-08-22 Western Electric Co Verfahren und Vorrichtung zum fraktionierten Umkristallisieren von unter Mischkristallbildung erstarrenden Legierungen und Halbleiterausgangsstoffen durch Zonenschmelzen
US2792317A (en) * 1954-01-28 1957-05-14 Westinghouse Electric Corp Method of producing multiple p-n junctions
US2809905A (en) * 1955-12-20 1957-10-15 Nat Res Dev Melting and refining metals

Also Published As

Publication number Publication date
GB917635A (en) 1963-02-06
US3189415A (en) 1965-06-15
BE581195A (pl)
FR1231481A (fr) 1960-09-29
CH375527A (de) 1964-02-29
NL240421A (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69014223T2 (de) Abschlussventil für Einkristallziehapparat.
DE1151669B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben
DE838168C (de) Kathodenstrahlröhre
DE3016069A1 (de) Verfahren zur vakuumbeschichtung und fuer dieses verfahren geeignete vorrichtung
DE102014218333B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Einleiten von Schutzgas in ein Receiverrohr
DE102008005584B3 (de) Vorrichtung zum Trocknen von Gegenständen, insbesondere von lackierten Fahrzeugkarosserien
DE3206622A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufbringen eines materials auf ein substrat
EP0226118A2 (de) Behälter für aggressive Flüssigkeiten
WO1996021075A1 (de) Vorrichtung zur wärmebehandlung von materialien in einer heizkammer
AT211383B (de) Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2257652A1 (de) Kaeltepumpvorrichtung
DE2119948C3 (de) Gaslaser
DE102008060683A1 (de) Vakuumkammer zum Bedampfen oder Beschichten
DE10017196A1 (de) Sicherheitswerkbank
DE3634386A1 (de) Vorrichtung zur erfassung luftfremder stoffe an einem tauchbad
DE2042930A1 (de) Vorrichtung zur Erleichterung des Auswechselns von in einem Filtergehäuse aufgenommenen, gefährlich verseuchten Filterkorpern
DE1719499A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Kristallen durch Ziehen
CH304810A (de) Ofen mit evakuierbarem Heizraum.
DE2228779A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines kristallinen stabes, insbesondere aus halbleitermaterial
DE8308806U1 (de) Vorrichtung zum fuellen von gefaessen
AT91877B (de) Hochvakuum-Entladungsröhre.
DE1769659C (de) Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen
DE19608374A1 (de) Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen
DE2313801C3 (de) Kammer für die Gasätzung, Ionenätzung oder Bedampfung
DE260954C (pl)