DE1151669B - Device for crucible-free zone melting of semiconductor rods - Google Patents

Device for crucible-free zone melting of semiconductor rods

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DE1151669B
DE1151669B DES59210A DES0059210A DE1151669B DE 1151669 B DE1151669 B DE 1151669B DE S59210 A DES59210 A DE S59210A DE S0059210 A DES0059210 A DE S0059210A DE 1151669 B DE1151669 B DE 1151669B
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sight glass
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high vacuum
crucible
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Dr-Ing Reimer Emeis
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
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    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere von Siliziumstäben, die aufrecht angeordnet und oben und unten im Behandlungsgefäß gehaltert sind, dessen Seitenwand mit einem Anschluß für die Hochvakuumpumpeinrichtung versehen ist. Eine derartige bekannte Vorrichtung wird erfindungsgemäß in der Weise verbessert, daß das Behandlungsgefäß ein rechteckiger Kasten mit in einer Seitenwand angeordneter, mit Schauglas versehener Bedienungstür ist.The invention relates to a device for crucible-free zone melting of semiconductor rods, in particular of silicon rods, which are arranged upright and at the top and bottom of the treatment vessel are held, the side wall of which is provided with a connection for the high vacuum pumping device is. Such a known device is improved according to the invention in such a way that the treatment vessel a rectangular box with a sight glass arranged in a side wall Service door is.

Die Erfindung beruht auf folgenden Überlegungen: Bei einer bekannten Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen unter Hochvakuum befindet sich der zu behandelnde Halbleiterstab mit der Heizeinrichtung unter einer metallenen Glocke von verhältnismäßig großer Weite, die auf eine Bodenplatte vakuumdicht aufgesetzt ist. Diese Vorrichtung weist jedoch den Nachteil auf, daß sich nicht nur die Durchführungen zum Antrieb der unteren Stabhalterung und der Heizeinrichtung in der Bodenplatte befinden, sondern auch eine Tragvorrichtung zur Befestigung der oberen Stabhalterung und der Rohrstutzen zum Anschluß der Evakuierungseinrichtung am Boden angebracht sind, so daß Fremdkörper oder abgedampftes Material in den Rohrstutzen und damit in die Vakuumpumpe geraten können. Durch den Platzmangel wird der Durchmesser des Anschlußstutzens begrenzt, so daß ein verhältnismäßig langer Zeitraum zur Herstellung des Vakuums nötig ist. Zum Auswechseln eines Stabes oder zur Bedienung der Hilfseinrichtungen innerhalb der Glocke muß die Glocke mittels einer besonderen Hebevorrichtung abgehoben werden. Ferner ist ein ähnlicher, zum tiegelfreien Zonenschmelzen im Vakuum geeigneter Apparat bekannt, bei welchem der durch Elektronenbeschuß geschmolzene Halbleiterstab in einer Quarzglocke angeordnet ist, die durch eine Deckplatte verschlossen ist. Die Glocke ist seitlich mit einem Anschlußstutzen für eine Vakuumpumpe versehen, der jedoch nur eine verhältnismäßig geringe Weite hat, damit eine ausreichende Druckfestigkeit der Glocke erhalten bleibt. Mit einer derartigen Anschlußöffnung kann wegen der Zunahme der mittleren freien Weglänge der Gasmoleküle der Luft mit steigendem Vakuum und wegen der praktisch unvermeidlichen Undichtigkeiten ein solches Hochvakuum, wie es die gestellte Aufgabe erfordert, nicht erreicht werden.The invention is based on the following considerations: In a known device for crucible-free Zone melting under high vacuum is the semiconductor rod to be treated with the heating device under a metal bell of relatively large width, which is on a floor plate is placed in a vacuum-tight manner. However, this device has the disadvantage that not only the Bushings for driving the lower rod holder and the heating device are located in the base plate, but also a support device for attaching the upper rod holder and the pipe socket are attached to the connection of the evacuation device on the floor, so that foreign bodies or evaporated material can get into the pipe socket and thus into the vacuum pump. By the lack of space, the diameter of the connecting piece is limited, so that a relatively long period of time is required to establish the vacuum. For changing a rod or for operation of the auxiliary equipment inside the bell, the bell must be lifted by means of a special lifting device be lifted off. Furthermore, a similar one is more suitable for crucible-free zone melting in a vacuum Apparatus is known in which the electron bombardment melted semiconductor rod in a quartz bell is arranged, which is closed by a cover plate. The bell is on the side provided with a connection piece for a vacuum pump, but only a relatively small one Has width, so that sufficient compressive strength of the bell is maintained. With such a Connection opening can because of the increase in the mean free path of the gas molecules in the air increasing vacuum and because of the practically unavoidable leaks such a high vacuum, as the task at hand requires, cannot be achieved.

Diese Nachteile fallen bei der neuen Vorrichtung weg. Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung ergibt sich dadurch, daß für das metallene Behand-Vorrichtung zum tiegelfreien
Zonenschmelzen von Halbleiterstäben
These disadvantages do not apply to the new device. A particularly advantageous embodiment results from the fact that for the metal treatment device for crucible-free
Zone melting of semiconductor rods

Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Applicant:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,

Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Berlin and Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Dr.-Ing. Reimer Emeis, Ebermannstadt (OFr.),
ist als Erfinder genannt worden
Dr.-Ing. Reimer Emeis, Ebermannstadt (OFr.),
has been named as the inventor

lungsgefäß eine Quaderform gewählt wird, dessen eine nahezu gesamte Seitenwand als Bedienungstür ausgestaltet sein kann. Das Schauglas kann sich dann über die gesamte Bewegungsbahn der Heizeinrichtung des Halbleiterstabes erstrecken, so daß eine genaue Beobachtung der Schmelzzone an jeder Stelle des Halbleiterstabes ermöglicht wird. Der Durchmesser der Anschlußöffnung für die Hochvakuumpumpeinrichtung wird nicht durch Platzmangel begrenzt und kann somit annähernd gleich der Breite der Seitenwand gewählt werden. Ein Anschluß für die Vakuumpumpe kann an einer dritten Seitenwand angebracht werden. Die obere Stabhalterung kann an der Decke des Kastens angebracht werdeo, so daß der störende Aufbau innerhalb des Behandlungsgefäßes für die Befestigung dieser Halterung entfällt. treatment vessel a cuboid shape is chosen, one of which is an almost entire side wall as a service door can be designed. The sight glass can then cover the entire path of movement of the heating device of the semiconductor rod so that a close observation of the melting zone at each point of the semiconductor rod is made possible. The diameter of the connection opening for the high vacuum pumping device is not limited by lack of space and can therefore be approximately equal to the width the side wall can be selected. A connection for the vacuum pump can be on a third side wall be attached. The upper rod holder can be attached to the ceiling of the box so that the disruptive structure within the treatment vessel for fastening this holder is eliminated.

Weitere Einzelheiten werden im folgenden an Hand der Figuren erläutert.Further details are explained below with reference to the figures.

Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Zieheinrichtung in vereinfachter perspektivischer Darstellung, teilweise geschnitten;Fig. 1 shows an embodiment of the pulling device in a simplified perspective illustration, partially cut;

Fig. 2 zeigt dieselbe Einrichtung im Schnitt längs des strichpunktierten Linienzuges III-III (Fig. 3), von vorn gesehen;Fig. 2 shows the same device in section along the dash-dotted line III-III (Fig. 3), from seen in front;

Fig. 3 ist eine Draufsicht im Schnitt längs der strichpunktierten Linie II-II (Fig. 2).Fig. 3 is a plan view in section along the dash-dotted line II-II (Fig. 2).

Nach Fig. 1 hat das Gehäuse 2 die Gestalt einer quaderförmigen Kammer. Ihre Vorderwand wird von einer Verschlußplatte 3 gebildet, die nach Art einer Tür ausgebildet sein kann. Die Kammerwandungen und die Tür haben eine an sich bekannte Wasserkühlung, ζ. B. mittels aufgelöteter Kupferrohre, die der Einfachheit halber in der Zeichnung weggelassen ist. Ein Beobachtungsfenster 30, das sich angenähertAccording to Fig. 1, the housing 2 has the shape of a cuboid chamber. Your front wall is covered by a closure plate 3 is formed, which can be designed in the manner of a door. The chamber walls and the door have a known water cooling system, ζ. B. by means of soldered copper pipes that omitted in the drawing for the sake of simplicity is. An observation window 30 that is approaching

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schließt, sowie den Stromzuführungen 12 und der mit einer vakuumdichten Durchführung durch den Boden geführten Spulentransportvorrichtung 13, die z. B. aus mehreren durch evakuierte Zwischenräume getrennten konzentrischen Rohren besteht, die zugleich zur Zu- und Abfuhr des Heizstromes dienen können. Die Wasserkühlung der Heizspule, bei der die Wasserzufuhr und -abführung durch die Spulentransportvorrichtung erfolgt, ist in der Zeichnung nicht dargestellt.closes, as well as the power supply lines 12 and with a vacuum-tight passage through the floor guided coil transport device 13, the z. B. consists of several concentric tubes separated by evacuated spaces, which at the same time can serve to supply and discharge the heating current. The water cooling of the heating coil, in which the water supply and removal by the bobbin transport device is not shown in the drawing.

Der Wärmeschirm 14 kann an der Decke des Vakuumgehäuses festgeschraubt sein. Für ihn kann eine besondere Wasserkühlung mittels aufgelöteter Kupferrohre vorgesehen sein.The heat shield 14 can be screwed to the ceiling of the vacuum housing. For him can special water cooling can be provided by means of soldered-on copper pipes.

In einer anderen, vorzugsweise der Tür gegenüber-In another, preferably opposite the door

strahlung der Schmelze und vor der Ablagerung von verdampftem Material. Ferner ist eine Greifvorrichtung, bestehend aus einer Welle 18 und einem Greifer 15, vorgesehen.radiation of the melt and before the deposition of evaporated material. Furthermore, a gripping device is consisting of a shaft 18 and a gripper 15 are provided.

In Fig. 2 und 3 sind gleiche Teile wie in Fig. 1 mit gleichen Bezugsziffern versehen. Die Ausführung der Verschlußplatte 3 nach Art einer Tür, nämlich mit seitlicher Ausschwenkung an der Vorderwand, ist ausIn Fig. 2 and 3 the same parts as in Fig. 1 are with provided with the same reference numbers. The execution of the closure plate 3 in the manner of a door, namely with lateral swivel on the front wall is off

über die gesamte Länge des Halbleiterstabes 6 erstreckt, ermöglicht die Beobachtung des Schmelzoder Ziehvorganges. Ein Anschlußstutzen 4 für die Vakuumpumpeinrichtung 5 befindet sich an der Hinterwand. Im Gehäuse 2 sind der Stab 6 und seine Haltevorrichtungen 7 angeordnet. An den vakuumdicht herausgeführten Wellen 8, die nur als Stümpfe angedeutet sind, greifen an sich bekannte Antriebsund Steuervorrichtungen an, mit denen die Haltevorrichtungen in Längsrichtung verschoben und/oder in Umdrehung versetzt werden können. Ferner ist eine Heizspule 11 mit Zuführungen 12 und einer Transportvorrichtung 13 dargestellt. Ein Schirm 14 in Form eines Halbzylinders, der in Fig. 1 in derExtending over the entire length of the semiconductor rod 6, enables the observation of the melting or Drawing process. A connection piece 4 for the vacuum pumping device 5 is located on the Back wall. The rod 6 and its holding devices 7 are arranged in the housing 2. To the vacuum-tight Outgoing shafts 8, which are only indicated as stumps, engage drive and known per se Control devices with which the holding devices are displaced in the longitudinal direction and / or can be set in rotation. Furthermore, a heating coil 11 with leads 12 and one Transport device 13 is shown. A screen 14 in the form of a half cylinder, which is shown in Fig. 1 in the

Mitte unterbrochen dargestellt ist, dient zum Schutz 15 liegenden Ecke ist eine Greifvorrichtung für den der Spulentransportvorrichtung 13 vor der Wärme- Halbleiterstab angebracht. Diese Vorrichtung erleichtert die Bedienung und ermöglicht unter Umständen die Einsparung mehrerer Arbeitsgänge, z. B. Öffnen und Schließen der Tür, Einsetzen eines Stabes und 20 Evakuierung des Gehäuses, und bewirkt dadurch eine erhebliche Zeitersparnis, z. B. in dem Falle, daß zwischen zwei in den Halterungen eingespannten Stabstücken oder Impflingen ein drittes Stück eingesetzt und festgeschmolzen werden soll. Die GreiferIs shown interrupted in the middle, is used to protect 15 lying corner is a gripping device for the of the coil transport device 13 is attached in front of the heat semiconductor rod. This device facilitates the operation and under certain circumstances allows the saving of several work steps, z. B. Open and closing the door, inserting a rod, and evacuating the housing, thereby effecting a considerable time savings, e.g. B. in the event that clamped between two in the brackets Rod pieces or vaccinees a third piece is to be inserted and melted down. The grapple

Fig. 3 zu ersehen. Die Tür 3 erhält eine Gummidich- 25 15 sind mittels Stellschrauben 17 auf den an Boden tung 28, die angeschraubt oder in eine Nut eingelegt und Decke drehbar gelagerten und durch Zahnräder oder auf ähnliche Art befestigt wird. Die Tür ist mit 19 angetriebenen Wellen 18 verschiebbar befestigt, einem oder mehreren, vorzugsweise seitlich ange- Die Wellen 18 werden über die Zahnräder 19 durch brachten Doppelscharnieren 21 versehen, die bei ge- das Zahnrad 20 angetrieben, das von außen betätigt schlossener Tür angenähert gestreckt sind. Dadurch 3° werden kann. Die Betätigung erfolgt vorteilhaft über wird der vakuumdichte Verschluß der Tür durch den ein selbstsperrendes Getriebe, z. B. ein Schneckenradäußeren Druck ohne merkliche seitliche Verschiebung getriebe 31, 32. Zum Schutz des Halbleiterstabes bei Druckänderungen ermöglicht. Zur Bedienung er- gegen Verunreinigungen sind auf die Enden der hält die Tür einen Handgriff 29. Das Beobachtungs- Greifer Röhrchen 16 aus hitzebeständigem und abfenster 30 ist durch eine Hartglasscheibe 23, deren 35 riebfestem Material, vorzugsweise aus Quarz, auf-Stärke entsprechend der Druckbeanspruchung ge- gesetzt.Fig. 3 can be seen. The door 3 receives a rubber seal 25 15 are by means of adjusting screws 17 on the floor device 28, which is screwed or inserted into a groove and ceiling rotatably mounted and by gears or attached in a similar manner. The door is slidably mounted with 19 driven shafts 18, one or more, preferably laterally attached. The shafts 18 are driven by the gears 19 Brought double hinges 21 are provided, which at ge the gear 20 driven, which is operated from the outside are stretched approximately with the door closed. This can be 3 °. The actuation takes place advantageously via the vacuum-tight closure of the door by a self-locking gear, z. B. a worm wheel external pressure without noticeable lateral displacement gear 31, 32. To protect the semiconductor rod in the event of pressure changes. To operate against contamination are on the ends of the holds the door a handle 29. The observation gripper tube 16 made of heat-resistant and windowed 30 is through a hard glass pane 23, whose 35 friction-resistant material, preferably made of quartz, on-starch set according to the pressure load.

wählt wird, mit einer Dichtung 22, vorzugsweise In einer der beiden noch freien vorderen Eckenis selected, with a seal 22, preferably in one of the two front corners that are still free

Gummidichtung, verschlossen. In einem gewissen der Vakuumkammer kann eine rohrförmige Kühlfalle Abstand, etwa von der Dicke der Hartglasscheibe 23, angebracht sein, die in der Zeichnung nicht dargeist außen auf Abstandsröhrchen 26 eine durchsichtige 4° stellt ist. Sie kann beispielsweise an der Decke hän-Scheibe 27 aus splitterfreiem Glas, vorzugsweise gend angebracht und mit ihrem oberen, offenen Ende Polymethylmetacrylat, zum Schutz des Beobachters
angebracht. Zum Schutz der Hartglasscheibe 23
gegen Verschmutzung durch abgedampftes Material
ist innen eine dünne Glasscheibe 24 eingesetzt, die 45
mittels einer Spreizfeder 25 gehalten wird und zum
Zwecke der Säuberung leicht auswechselbar ist. Sie
kann aber auch beispielsweise durch eine oder mehrere angeschraubte Blattfedern gehalten werden.
Zum Schutz der Augen des Beobachters kann die 5°
Scheibe 27 dunkel gefärbt sein, so daß zur Beobachtung des Schmelzvorganges keine Schutzbrille mehr
benötigt wird.
Rubber seal, closed. In a certain part of the vacuum chamber, a tubular cold trap can be attached, approximately the thickness of the hard glass pane 23, which is not shown in the drawing on the outside of the spacer tube 26 as a transparent 4 °. It can for example hang on the ceiling 27 made of shatterproof glass, preferably attached and with its upper, open end polymethyl methacrylate, for the protection of the observer
appropriate. To protect the hard glass pane 23
against contamination by evaporated material
a thin glass pane 24 is inserted inside, the 45
is held by means of a spreading spring 25 and for
Purpose of cleaning is easily replaceable. she
but can also be held, for example, by one or more screwed-on leaf springs.
To protect the eyes of the observer, the 5 °
Disk 27 should be colored dark, so that no more protective goggles can be used to observe the melting process
is needed.

Damit der von abgedampftem Material gebildete Innenbelag des Beobachtungsfensters nicht schon nach kurzer Betriebszeit so dicht werden kann, daß er die Beobachtung behindert, soll der senkrechte Abstand des Beobachtungsfensters von der Achse der Stabhalterungen 7 mindestens das Fünffache der lichten Weite der ringförmigen Heizspule 11 betragen. Hiernach sind die Stellen festgelegt, an welchen die Wellen 8 mit je einer vakuumdichten Drehdurchführung durch den Boden bzw. die Decke der Vakuumkammer 2 hindurchgeführt sind.So that the inner coating of the observation window formed by evaporated material does not already exist can become so dense after a short period of operation that it hinders observation, the vertical Distance of the observation window from the axis of the rod holders 7 at least five times the inside width of the annular heating coil 11. According to this, the positions are determined which the shafts 8 each with a vacuum-tight rotary feedthrough through the floor or the ceiling the vacuum chamber 2 are passed through.

Die Heizvorrichtung, welche in einer Ecke der Vakuumkammer angeordnet ist, besteht im wesentlichen aus der Heizspule 11, die vorteilhaft als Flachspule ausgeführt ist und den Halbleiterstab 6 um-The heating device, which is arranged in a corner of the vacuum chamber, essentially consists from the heating coil 11, which is advantageously designed as a flat coil and which surrounds the semiconductor rod 6

durch die Decke vakuumdicht hindurchgeführt sein, so daß sie von außen z. B. mit flüssiger Luft gefüllt werden kann.be passed through the ceiling vacuum-tight, so that they can from the outside z. B. filled with liquid air can be.

Claims (10)

PATENTANSPRÜCHE:PATENT CLAIMS: 1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere von Siliziumstäben, die aufrecht angeordnet und oben und unten im Behandlungsgefäß gehaltert sind, dessen Seitenwand mit einem Anschluß für die Hochvakuumpumpeinrichtung versehen ist, da durch gekennzeichnet, daß das Behandlungsgefäß ein rechteckiger Kasten mit in einer Seitenwand angeordneter, mit Schauglas versehener Bedienungstür ist.1. A device for crucible-free zone melting of semiconductor rods, in particular silicon rods, which are arranged upright and held at the top and bottom in the treatment vessel, the side wall of which is provided with a connection for the high vacuum pump device, characterized in that the treatment vessel has a rectangular box in a side wall arranged service door provided with a sight glass. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Anschluß-Öffnung für die Hochvakuumpumpeinrichtung annähernd gleich der Breite der Seitenwand ist.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the diameter of the connection opening for the high vacuum pumping device is approximately equal to the width of the side wall. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß je eine Stabhalterung am Boden und an der Decke des Kastens angebracht ist.3. Apparatus according to claim 1, characterized in that a rod holder on each Is attached to the floor and ceiling of the box. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß je ein stangenförmiges Antriebsglied für die axiale Verstellung der unteren Stabhalterung und für die Längsverschiebung4. Apparatus according to claim 1, characterized in that that each a rod-shaped drive member for the axial adjustment of the lower rod holder and for the longitudinal displacement einer den Stab unmittelbar umgebenden ringförmigen Induktionsheizeinrichtung durch den Boden der Hochvakuumkammer hindurchgeführt ist.an annular induction heating device immediately surrounding the rod through the The bottom of the high vacuum chamber is passed. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Induktionsheizeinrichtung eine Flachspule mit mehreren in einer Ebene spiralig verlaufenden Windungen vorgesehen ist.5. Apparatus according to claim 4, characterized in that as an induction heating device a flat coil with several turns running spirally in one plane is provided. 6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die seitliche Bedienungstür aus einer ebenen Verschlußplatte besteht, deren Schauglas sich annähernd über die ganze Bewegungsbahn der Heizeinrichtung erstreckt.6. Apparatus according to claim 4, characterized in that the side control door from consists of a flat closure plate, the sight glass of which extends over almost the entire path of movement the heater extends. 7. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand des Schauglases von der Achse der Stabhalterungen mindestens das Fünffache der lichten Weite der ringförmigen Heizeinrichtung beträgt.7. Apparatus according to claim 4, characterized in that the distance between the sight glass from the axis of the rod holders at least five times the clear width of the annular Heater is. 8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschlußplatte mittels eines vorzugsweise seitlich angebrachten Doppelscharniers schwenkbar befestigt ist.8. Apparatus according to claim 6, characterized in that the closure plate means a preferably laterally attached double hinge is pivotally attached. 9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Schauglas aus einer von außen mit Dichtung eingesetzten Hartglasscheibe, die der Druckbeanspruchung standhält, und einer von innen leicht auswechselbar eingesetzten schwächeren Glasscheibe besteht.9. The device according to claim 1, characterized in that the sight glass from one of Tempered glass pane inserted on the outside with a seal, which withstands the compressive stress, and one consists of a weaker pane of glass that is easily replaceable from the inside. 10. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Ecke des als gerades Prisma, vorzugsweise mit rechteckiger Grundfläche, ausgeführten Kastens ein beweglicher, von außen bedienbarer Greifer für den Halbleiterstab vorgesehen ist.10. The device according to claim 1, characterized in that in one corner of the straight Prism, preferably with a rectangular base, executed box a movable, from externally operable gripper is provided for the semiconductor rod. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 014 332;
USA.-Patentschriften Nr. 2 792 317, 2 809 905;
Holland—Merten, »Handbuch der Vakuumtechnik«, 1953, S. 790 bis 793.
Considered publications:
German Auslegeschrift No. 1 014 332;
U.S. Patent Nos. 2,792,317, 2,809,905;
Holland-Merten, "Handbuch der Vakuumtechnik", 1953, pp. 790 to 793.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 1 309 647/202 7.1 309 647/202 7.
DES59210A 1958-07-30 1958-07-30 Device for crucible-free zone melting of semiconductor rods Pending DE1151669B (en)

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GB24001/59A GB917635A (en) 1958-07-30 1959-07-13 Improvements in or relating to zone melting apparatus
CH7607759A CH375527A (en) 1958-07-30 1959-07-22 Device for crucible-free zone melting
US830026A US3189415A (en) 1958-07-30 1959-07-28 Device for crucible-free zone melting
FR801459A FR1231481A (en) 1958-07-30 1959-07-29 Device for zone melting, without crucible

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NL (1) NL240421A (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1519902C3 (en) * 1966-09-24 1975-07-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Device for crucible-free zone melting of a crystalline rod, in particular a semiconductor rod
DE1619995A1 (en) * 1967-03-11 1971-07-01 Siemens Ag Method for removing carbon impurities in a silicon body and device for carrying out this method
GB1179545A (en) * 1968-01-16 1970-01-28 Siemens Ag Apparatus for Melting a Rod of Crystalline Material Zone-by-Zone
JPS535867B2 (en) * 1973-03-08 1978-03-02
DE2322969C3 (en) * 1973-05-07 1980-10-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Device for holding the rod ends during crucible-free zone melting
US3989468A (en) * 1973-11-22 1976-11-02 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for crucible-free zone melting of semiconductor crystal rods
DE2358300C3 (en) * 1973-11-22 1978-07-20 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Device for holding a semiconductor crystal rod vertically during crucible-free zone melting
USRE29824E (en) * 1973-11-22 1978-11-07 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for crucible-free zone melting of semiconductor crystal rods
BE811057A (en) * 1974-02-15 1974-08-16 Elphiac Sa UNIVERSAL MACHINE FOR THE PREPARATION OF SINGLE CRYSTALS FROM SEMICONDUCTOR MATERIALS OR OTHERS FOLLOWING CLASSIC METHODS.
US4186173A (en) * 1975-04-11 1980-01-29 Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg Apparatus for producing monocrystals
US4078897A (en) * 1975-04-11 1978-03-14 Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg Apparatus for producing monocrystals

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2792317A (en) * 1954-01-28 1957-05-14 Westinghouse Electric Corp Method of producing multiple p-n junctions
DE1014332B (en) * 1952-12-17 1957-08-22 Western Electric Co Method and device for the fractional recrystallization of alloys and semiconductor starting materials which solidify with the formation of mixed crystals by zone melting
US2809905A (en) * 1955-12-20 1957-10-15 Nat Res Dev Melting and refining metals

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE502018A (en) * 1950-03-22
DE1061527B (en) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Process for zone-wise remelting of rods and other elongated workpieces
US2972525A (en) * 1953-02-26 1961-02-21 Siemens Ag Crucible-free zone melting method and apparatus for producing and processing a rod-shaped body of crystalline substance, particularly semiconductor substance
US2902350A (en) * 1954-12-21 1959-09-01 Rca Corp Method for single crystal growth
US2870309A (en) * 1957-06-11 1959-01-20 Emil R Capita Zone purification device
DE1076623B (en) * 1957-11-15 1960-03-03 Siemens Ag Device for crucible-free zone drawing of rod-shaped semiconductor material

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1014332B (en) * 1952-12-17 1957-08-22 Western Electric Co Method and device for the fractional recrystallization of alloys and semiconductor starting materials which solidify with the formation of mixed crystals by zone melting
US2792317A (en) * 1954-01-28 1957-05-14 Westinghouse Electric Corp Method of producing multiple p-n junctions
US2809905A (en) * 1955-12-20 1957-10-15 Nat Res Dev Melting and refining metals

Also Published As

Publication number Publication date
CH375527A (en) 1964-02-29
FR1231481A (en) 1960-09-29
US3189415A (en) 1965-06-15
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GB917635A (en) 1963-02-06

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