DE1144850B - Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkoerpers unter Verwendung einer Legierungsform - Google Patents

Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkoerpers unter Verwendung einer Legierungsform

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DE1144850B
DE1144850B DES59838A DES0059838A DE1144850B DE 1144850 B DE1144850 B DE 1144850B DE S59838 A DES59838 A DE S59838A DE S0059838 A DES0059838 A DE S0059838A DE 1144850 B DE1144850 B DE 1144850B
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DE
Germany
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metal
doping
semiconductor body
semiconductor
pill
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DES59838A
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English (en)
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Dr Karl Siebertz
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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FR802426A FR1232135A (fr) 1958-09-15 1959-08-08 Procédé pour doper une zone d'un corps semi-conducteur
CH7796059A CH374120A (de) 1958-09-15 1959-09-08 Verfahren zum Dotieren einer Zone eines Halbleiterkörpers
GB31072/59A GB881936A (en) 1958-09-15 1959-09-11 A method of doping a semi-conductor body

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1088286A (fr) * 1952-08-14 1955-03-04 Sylvania Electric Prod Dispositifs semi-conducteurs à jonction de surface

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1088286A (fr) * 1952-08-14 1955-03-04 Sylvania Electric Prod Dispositifs semi-conducteurs à jonction de surface

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