DE1125084B - Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper - Google Patents
Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen HalbleiterkoerperInfo
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Description
- Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkörper Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkörper unter Verwendung einer Legierungsform aus Glimmer.
- Es ist bereits bekannt, Legierungsformen zu verwenden, welche aus Glimmer bestehen. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß befriedigende Ergebnisse beim Legieren nur dann zu erzielen sind, wenn beim Legieren auf die Legierungsform ein Druck ausgeübt wird.
- Eine entsprechende Druckanwendung ist bei den bekannten Legierungsformen aus Edelsteinen, Chrom, Eisen u. dgl. nicht möglich, da diese Formen wegen der Unebenheit jeder Halbleiteroberfläche nur an wenigen Punkten ihrer Grundfläche auf der Halbleiteroberfläche aufsitzen, so daß infolge der geringen Elastizität dieser Materialien bereits ein nicht allzu hoher Druck eine Beschädigung der Halbleiteroberfläche verursachen würde. Versuche haben ergeben, daß bei Legierungsformen aus Glimmer ein Druck von mindestens 1 Kilopond pro Quadratzentimeter erforderlich ist, wenn befriedigende Ergebnisse erzielt werden sollen. Erfindungsgemäß wird daher die Legierungsform aus Glimmer beim Legieren mit mindestens einem Druck von 1 Kilopond pro Quadratzentimeter auf die Halbleiteroberfläche gepreßt. Der Druck darf jedoch nicht so hoch sein, daß unerwünschte Versetzungen im Kristall entstehen.
- Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In der Figur ist eine Vorrichtung 9 dargestellt, welche sich zum Andrücken der Legierungsform an den Halbleiterkörper eignet. Diese Vorrichtung besteht aus einer Grundplatte 1, auf der sich eine plane Graphitplatte 2 befindet, auf die das Halbleiterplättchen 3 zu liegen kommt. Des weiteren ist aus der Figur die Legierungsform 4 zu ersehen, welche zur Begrenzung des Legierungsmaterials beim Legierungsprozeß dient. Es ist zweckmäßig, zwischen der Abschlußplatte 6 und der Legierungsform 4 noch eine Druckausgleichsplatte 5 vorzusehen, durch die, ebenso wie durch die Platte 2, ein gewisser Druckausgleich erfolgt und ein gleichmäßiges Andrücken auf die gesamte Halbleiteroberfläche erzielt wird. Als Material für diese Platte empfiehlt sich ebenfalls Graphit. Der beim Legieren gemäß der Erfindung erforderliche Druck wird durch die beiden Schrauben 7 und 8 auf die Abschlußplatte 6 ausgeübt. Die Druckvorrichtung ist so auszulegen, daß auch bei der gewählten Legierungstemperatur, die beispielsweise 600 bis 800° C beträgt, der jeweils erforderliche Druck aufrechterhalten werden kann. Der beim Legieren auszuübende Druck soll mindestens 1 Kilopond pro Quadratzentimeter betragen.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkörper unter Verwendung einer Legierungsform aus Glimmer, da- durch gekennzeichnet, daß die Legierungsform beim Legieren mit mindestens einem Druck von 1 Kilopond pro Quadratzentimeter auf die Halbleiteroberfläche gepreßt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr.1085 613, 1087 705; französische Patentschrift Nr. 11.38 347.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET19601A DE1125084B (de) | 1961-01-31 | 1961-01-31 | Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper |
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Publications (1)
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| DE1125084B true DE1125084B (de) | 1962-03-08 |
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ID=7549375
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|---|---|---|---|
| DET19601A Pending DE1125084B (de) | 1961-01-31 | 1961-01-31 | Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1138347A (fr) * | 1954-09-13 | 1957-06-12 | Westinghouse Brake & Signal | Dispositif pour l'établissement d'un contact avec les électrodes d'un élément deredresseur sec |
| DE1085613B (de) * | 1956-05-15 | 1960-07-21 | Siemens Ag | Verfahren zur grossflaechigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkoerpers |
| DE1087705B (de) * | 1957-08-08 | 1960-08-25 | Philips Nv | Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Koerper |
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1961
- 1961-01-31 DE DET19601A patent/DE1125084B/de active Pending
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| DE1087705B (de) * | 1957-08-08 | 1960-08-25 | Philips Nv | Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Koerper |
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